CN101060101A - 半导体封装构造 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种半导体封装构造，其包括一基板、一芯片设于基板上表面、一环形体设于基板上表面且环绕芯片，以及一散热片设于芯片与环形体上方。环形体、散热片与基板之间藉由胶材彼此相互固定，且环形体、散热片与胶材接触的表面经过粗糙化的处理，藉此增加胶材所附着的表面积，以增加胶合强度，防止散热片与环形体从封装构造上脱落。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种半导体封装构造，特别是有关于一种具有散热片的半导体封装构造。
【背景技术】
高性能覆晶球栅数组封装(High-performance Flip Chip BGA，HFCBGA)系为一加强型的封装体，其具有一金属环用来垫高覆盖用的散热片。参考第1图，习知高性能覆晶球栅数组封装构造100包含一基板102、一设于基板102上表面108的芯片104、一环绕芯片104设于基板上表面108周缘之金属环106以及一设置于芯片104与金属环106上方的散热片116。一般来说，芯片104藉由锡凸块110与基板102电性连接，锡凸块110则被底胶(underfill)112所包覆。基板102下表面设有复数个锡球114，以使封装构造100能与外界装置电性连接。
上述金属环106系藉由胶材122固定于基板102的上表面108，而散热片116则藉由胶材124固着于金属环106上。然而，由于金属环106、基板102以及散热片116之间的接触面多为平滑的表面，造成胶材122、124与上述组件间的黏合较为薄弱。若封装构造100日后遭受到剧烈的温、湿度变化或者是机械力量的冲击，散热片116或者是金属环106将有可能脱落，产品的可靠度因此降低。
有鉴于此，有必要提出一种新的半导体封装构造，以解决上述问题。
【发明内容】
本发明的主要目的是提供一种半导体封装构造，以防止散热片以及金属环脱落。
在其中一个实施例中，本发明之半导体封装构造包含一基板、一芯片设于基板上表面、一环形体设于基板上表面且环绕芯片，以及一散热片设于芯片与环形体上方。环形体、散热片与基板之间系藉由胶材彼此相互固定，且环形体、散热片与胶材接触的表面经过粗糙化的处理。
上述之半导体封装构造，由于环形体、散热片以及基板与胶材接触的表面经过粗糙化的处理，胶材所附着的表面积大为增加，因此增加了胶合的强度，散热片与环形体便不易从封装构造上脱落，封装构造的可靠度也因此增加。
为了让本发明之上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文特举本发明实施例，并配合所附图示，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为一种习知半导体封装构造之剖面图。
图2为本发明之半导体封装构造之剖面图。
图3第2图A部分之局部放大图。
【具体实施方式】
参考第2图，本发明之半导体封装构造200包含一基板202、一设于基板202上表面208的芯片204、一环绕芯片204设于基板上表面208之环形体206以及一设于芯片204与环形体206上方的散热片216。芯片204系藉由锡凸块210与基板202电性连接，锡凸块210则被底胶212所包覆，环形体206则由金属，例如铜所组成。上述环形体206系藉由胶材222固定于基板202的上表面208，而散热片216则藉由胶材224固定于环形体206上。
此外，为了增加胶材222、224黏着于各表面的强度，环形体206、散热片216以及基板202分别与胶材222、224接触的表面232、234、236、238经过粗糙化的处理，例如形成为粗糙度2.1至3.0微米，以使表面232、234、236、238成为粗糙的表面(参见第3图)。
本发明之半导体封装构造200，由于环形体206、散热片216以及基板202分别与胶材222、224接触的表面232、234、236、238经过粗糙化的处理，胶材222、224所附着的表面积大为增加，因此增加了胶合的强度，散热片216与环形体206便不易从封装构造200上脱落，封装构造200的可靠度也因此增加。
虽然本发明已以前述较佳实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作各种之更动与修改。因此本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
Claims (7)
1.一种半导体封装构造，包含一基板，其具有一上表面；一芯片，设于所述基板之上表面；一环形体，设于所述基板之上表面且环绕所述芯片；一散热片，设于所述芯片与环形体的上方；一第一胶材，夹设于所述环形体与基板之间；及一第二胶材，夹设于所述环形体与散热片之间，其中所述环形体与所述第二胶材接触的表面系为粗糙的表面。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述环形体与所述第一胶材接触的表面系为粗糙的表面。
3.如权利要求1或2所述的半导体封装构造，其特征在于：所述散热片与所述第二胶材接触的表面系为粗糙的表面。
4.如权利要求1或2或3所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板与所述第一胶材接触的表面系为粗糙的表面。
5.如权利要求1或2或3或4所述的半导体封装构造，其特征在于：所述粗糙表面的粗糙度系为2.1至3.0微米。
6.如权利要求1或2或3或4所述的半导体封装构造，其特征在于：所述环形体系由金属所组成。
7.如权利要求1或2或3或4所述的半导体封装构造，其特征在于：所述环形体系由铜所组成。
Priority Applications (1)
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| CN 200710109264 CN101060101A (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 半导体封装构造 |
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| CN 200710109264 CN101060101A (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 半导体封装构造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN101060101A true CN101060101A (zh) | 2007-10-24 |
Family
ID=38866103
Family Applications (1)
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| CN 200710109264 Pending CN101060101A (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 半导体封装构造 |
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2007
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