CN101053056A - 光电倍增管和辐射探测器 - Google Patents

Abstract

基底构件上与芯柱管脚相接合的部分边缘被设置为形成在芯柱中的凹进部的底面，使得芯柱管脚以缓和的角度与基底构件相接合，并使得即使在弯曲力作用到芯柱管脚上时，芯柱管脚会接触到凹进部开口侧的外围部分，从而避免芯柱管脚被更加弯曲并避免了在芯柱管脚接合基底构件处部分的两侧处生成裂缝。此外，由于在三接合点处导电的芯柱管脚、与芯柱管脚相连的绝缘基底构件和真空交叉被设置在凹进处内，将该三接合点置于隐蔽状的状态。

Description

光电倍增管和辐射探测器

技术领域

本发明涉及利用光电效应的光电倍增管和使用这种光电倍增管的辐射探测器。

背景技术

已知通常称作端窗式光电倍增管是作为一种类型的光电倍增管。对于这种端窗式光电倍增管，真空密闭式的容器是按以下这样设置的，在圆柱形侧管的一侧端部装备光接收板而在该侧管的另一侧端部装备芯柱，并且在光接收板的内表面上配置光电表面。提供这样的设置，其中，带有多级倍增极(dynode)的电子倍增器单元，和阳极被层压且被设置在光电表面的对面，而多个分别与各自的倍增极和阳极相连的芯柱管脚被嵌入式地安装在芯柱中，以便能从密封容器的内部通向外部。通过光接收板造成入射的入射光在光电表面处被转换成电子，而从光电表面射出的电子在电子倍增器单元处被倍增，其中经由各自的芯柱管脚将预定电压施加到各自的二级管上，而经由阳极管脚取出由于倍增到达阳极的电子，作为电信号，其中该阳极管脚是其中一个芯柱管脚。

在这样的光电倍增管中，存在芯柱管脚分别经由锥形密封玻璃部分而被嵌入地安装到金属芯柱中这样的设置，还存在各个芯柱管脚被直接嵌入地安装到由很大的锥形密封玻璃部分形成的芯柱中这样的设置(见，例如，图1和图7中，日本公开待审专利申请第平5-290793号)。

发明内容

对于上述两种设置(图1和图7中所示的日本公开待审专利申请第平5-290793号)，由于锥形密封玻璃与芯柱管脚相接合处的部分外围(在图7的日本公开待审专利申请第平5-290793号的情况下，芯柱外围处接合部分的外围)变成锐角的膨胀部分，当对芯柱管脚施加弯曲力时会在锥形密封玻璃中形成裂缝，从而造成了密封容器的功能缺陷以及外观缺陷。另外，对于上述两种设置，由于将导电的芯柱管脚、锥形密封的绝缘体玻璃和真空交叉设置在处于裸露位置的三接合点上，所以耐压性降低。

提供本发明以解决这些问题，且本发明的目标是提供这样的光电倍增管和配备有这样的光电倍增管的辐射探测器，对于这种光电倍增管，能确保密封容器的密封性和良好的外观，并能确保预定的耐压性。

本发明的光电倍增管包括：光电表面、电子倍增器单元、阳极、芯柱和多个芯柱管脚。其中，光电表面设置在处于真空状态的密封容器之内，并将通过光接收板入射的入射光转换成电子，该光电接收表面在密封容器的一侧形成端部；电子倍增器单元设置在密封容器内并对从光电表面射出的电子进行倍增；阳极设置在密封容器内并用于将由电子倍增器单元倍增的电子提取出来作为输出信号；芯柱在密封容器的其它侧形成端部，并具有绝缘的基底构件；多个芯柱管脚嵌入式地安装在芯柱中，并从密封容器内部通向外部，且电连接到阳极和电子倍增器单元上。芯柱管脚通过基底构件且接合到基底构件上，芯柱内表面和外表面的芯柱管脚通过部分的整个周围被设置成以基底构件为底面的凹进部。

对于这样的光电倍增管，基底构件接合芯柱管脚处的部分的外围成为形成在芯柱中的凹进部的底面，使得基底构件以较缓和的角度(与上述锐角相比为较缓和的角)与芯柱管脚相接合，并且由于即使在对芯柱管脚施加弯曲力时，芯柱管脚将接触凹进部开口侧的外围部分，这就避免了芯柱管脚的进一步弯曲，并避免了在基底构件芯柱管脚接合部分的两侧处形成裂痕。因此，就能确保密封容器的密封性和良好的外观。此外，由于在三接合点处导电的芯柱管脚、与芯柱管脚相连的绝缘基底构件及真空交叉被设置在凹进处内，因此三接合点被置于隐蔽状的状态。结果是，确保了预定的耐压性。

这里，上述的芯柱可具有单层结构。作为对此情况的具体设置，能够参考以下这样的设置，在该设置中，芯柱是由基底构件构成的单层结构，并且在基底构件的内表面和外表面中都形成有凹进部。

上述的芯柱也可以是两层式结构。作为两层式结构的具体设置，可以参考这样的设置，其中芯柱具有包括基底构件和夹持构件的结构，夹持构件被接合到基底构件的内表面或外表面的其中之一上，并具有多个开口，接合到基底构件上的芯柱管脚通过这些开口而插入，在基底构件上与接合了夹持构件的表面相反侧的表面上形成凹进部，并且这些凹进部是通过夹持构件的开口形成的。

上述芯柱也可以具有三层或更多层的结构。作为三层结构的具体设置，可参考这样的设置，其中，芯柱具有包括基底构件和夹持构件的结构，夹持构件被分别接合到基底构件的内表面和外表面上并具有多个开口，接合到基底构件上的芯柱管脚通过这些开口而插入，并且凹进部是通过夹持构件的开口形成的。

这里，每个夹持构件的至少两个开口可以被制成直径比其它开口大。利用这种设置，能使定位夹具进入这些开口，这样就方便了对基底构件和夹持构件的定位，并降低了制造成本。另外，由于芯柱管脚所插入的开口被制成具有大直径，并且定位夹具被制成可为了定位基底构件和夹持构件而进入这些开口，从而确保芯柱管脚与夹持构件开口的同心性。在通过将其它构件接合到夹持构件上来设置四层或更多层的芯柱的情况下，优选地，与夹持构件相同，这些其它构件中的每一个都设置有开口，这些开口可让连接到基底构件上的芯柱管脚插入，并且在这些开口中，其中至少两个被制成直径比其它开口大。

对于配备有形成密封容器且从侧面围绕住芯柱的导电侧管且面向密封容器内部的芯柱构件具有绝缘特性的情况，由于三接合点如上述那样设置在凹进部中，因此与三接合点位于晶界裸露的位置处的情况相比，从侧管到三接合点的潜流放电距离被变长，这样就能更进一步地确保预定的耐压性。

这里，通过将闪烁器安装在上述光电倍增管光接收板的外侧上，其中该闪烁器将辐射转换成光并射出光，能提了供具有上述作用的令人满意的辐射探测器。

附图简要说明

图1是本发明第一实施例的光电倍增管的俯视图；

图2是图1所示的光电倍增管的底视图；

图3是沿图1所示的光电倍增管上的线III-III截取的剖视图；

图4是第一实施例中构成芯柱的基底构件的俯视图；

图5是第一实施例中构成芯柱的上部夹持构件的俯视图；

图6是第一实施例中构成芯柱的下部夹持构件的俯视图；

图7示出了第一实施例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是烧结以前的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图8示出了第一实施例中制造芯柱的示例，其中(a)和(b)分别是烧结后的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图9是阳极管脚附近的基本部分的放大视图，并示出了图3中所示的光电倍增管的三接合点和潜流放电距离；

图10是阳极管脚附近的基本部分的放大视图，并示出了对比示例的三接合点和潜流放电距离；

图11是变形示例的光电倍增管的侧面剖视图；

图12是另一个变形示例的光电倍增管的侧面剖视图；

图13是辐射探测器的示例的侧面剖视图；

图14是图13所示辐射探测器的基本部分的剖视图；

图15是辐射探测器另一个示例的侧面剖视图；

图16是图15中所示辐射探测器的基本部分的剖视图；

图17是本发明第二实施例的光电倍增管的侧面剖视图；

图18是第二实施例中构成芯柱的基底构件的俯视图；

图19是第二实施例中构成芯柱的基底构件的底视图；

图20示出了第二实施例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是烧结前的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图21示出了第二实施例中制造芯柱的示例，其中(a)和(b)分别是烧结后的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图22是第二实施例的变形示例的光电倍增管的侧面剖视图；

图23是第二实施例的变形示例中构成芯柱的基底构件的平面视图；

图24是第二实施例变形示例中构成芯柱的基底构件的底视图；

图25示出了第二实施例变形示例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是别是烧结前的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图26示出了第二实施例变形示例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是别是烧结后的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图27是本发明第三实施例的光电倍增管的侧面剖视图；

图28是第三实施例中构成芯柱的基底构件的俯视图；

图29是第三实施例中构成芯柱的基底构件的底视图；

图30示出了第三实施例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是别是烧结前的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图31示出了第三实施例中芯柱制造的示例，其中(a)和(b)分别是别是烧结后的芯柱基本部分的侧面剖视图和放大视图；

图32是另一个变形示例的光电倍增管的侧面剖视图。

具体实施方式

以下将参考附图对本发明的光电倍增管和辐射检测器的优选实施例进行说明。下文的说明中的术语“上”、“下”等是基于附图中说明的状态的描述性术语。在附图中，相同的或彼此一致的部分以相同的附图标记来表示，并且将省略重复的说明。

[第一实施例]

图1和图2分别是本发明的光电倍增管第一实施例的俯视图和底视图，而图3是沿图1中的线III-III截取的剖视图。在图1至图3中，光电倍增管1被设置为这样一种装置，其在光从外部入射进来时放射电子，并将这些电子倍增并将其作为信号输出。

如图1至图3中所示，光电倍增管1具有大致为圆柱形的金属侧管2。如图3中所示，玻璃的光接收板3以密封的方式固定到侧管2上侧(一侧)的开口端上，并用于将通过光接收板3入射的光转换成电子的光电表面4被形成在光接收板3的内表面上。另外，如图2和图3中所示，将板状的芯柱5设置在侧管2下侧(另一侧)的开头端处。沿圆周方向彼此分开地设置在多个大致沿圆形分布的位置处的，多个(15个)导电芯柱管脚6，以密封的方式嵌入安装在芯柱5中；并且将环状的金属侧管7以密封地方式固定，以便从侧面围住芯柱5。如图3所示，将形成在上侧管2的低端部处的凸缘部分2a，和形成在下环状侧管7处的同直径的凸缘部分7a，焊接到一起，因此将侧管2和环状侧管7以密封的方式固定，形成了内部保持真空状态的密封容器8。

在这样形成的密封容器8的内部，容纳有用于对从光电表面4射出的电子进行倍增的电子倍增器单元9。对于这种电子倍增部分9，多层(本实施例中为10层)薄的板状倍增电极10被层压且形成为一整块，并被安装到芯柱5的上表面上，其中每层倍增电极10具有多个电子倍增孔。如图1和图3所示，在每个倍增电极10的预定外围部分处形成有向外突出的倍增电极连接凸起10c；并且将嵌入安装在芯柱5中的预定芯柱管脚6的尖端部分，通过焊接固定至每个倍增电极连接凸起10c的下表面侧。这样，各个倍增电极10分别被电连接至芯柱管脚6。

此外，如图3中所示，在密封容器8的内部，用于将从光电表面4射出的电子进行汇聚并将这些电子引导到电子倍增器单元9处的板状聚焦电极11，形成在电子倍增器单元9和光电表面4之间；而用于将电子倍增器单元9倍增之后从最后层的倍增极10b射出的电子作为输出信号提取出的板状阳极12，被层压至最后层的倍增极10b的上方的一层。如图1所示，向外突出的突出凸起11a分别形成在聚焦电极11的四个角处，并且通过将预定芯柱管脚6焊接固定到各自的突出凸起11a上，将芯柱管脚6电连接至聚焦电极11。此外，在阳极12的预定外围部分处形成有向外突出的阳极连接凸起12a，并且通过将阳极管脚13(是芯柱管脚6中的一个)焊接固定到阳极连接凸起12a上，从而将阳极管脚13电连接到阳极12上。且当通过连接到未示出的电源电路的芯柱管脚6将预定电压施加到电子倍增器单元9和阳极12上时，将光电表面4和聚焦电极11设置为相同的电势，并且各个倍增电极10的电势被设置成按照从上层到下层的层叠顺序逐层递增。阳极12的电势被设置成比最后层倍增电极10b的电势高。尽管在本实施例中，将最后的倍增电极10b直接设置并固定在芯柱5的上表面上的，然而另外的设置，例如通过安装在芯柱5上表面上的支撑构件来支撑最后的倍增电极10b并在最后的倍增电极10b和芯柱5上表面之间插入间隔也是可以的。

对于按照如上那样设置的光电倍增管1，当将光(hv)从光接收板3侧入射到光电表面4上时，光电表面4处的光被进行光电转换，且电子(e-)被入射到密封容器8中。通过聚焦电极11将射出的电子聚焦到电子倍增器单元9的第一倍增电极10a上。接着在电子倍增器单元9的内部连续将电子进行倍增，且从最后的倍增电极10b放射出一组第二级电子。将这组第二级电子引导至阳极12，并且经由连接至阳极12的阳极管脚13输出到外部。

以下将对上述芯柱5的配置进行更详细的说明。此处，对于芯柱5，在光电倍增管的密封容器8形成时，将被置于真空状态的侧面称为“内侧”(上侧)。

如图3所示，芯柱5具有三层结构，其由基底构件14、结合到基底构件14的上侧(内侧)的上部夹持构件15和结合到基底构件14的下侧(外侧)的下部夹持构件16构成，并且将上述的环状侧管7固定至该结构的侧表面。在本实施例中，通过将构成芯柱5的基底构件14的侧表面结合至环状侧管7的内壁表面，从而将芯柱5固定至环状侧管7。这里，尽管下部夹持构件16的下(外)表面突出到环状侧管7的下端以下，但芯柱5相对于环状侧管7的固定位置并不仅限于上述那样。

基底构件14是由绝缘玻璃形成的板状构件，这种绝缘玻璃是以，例如柯伐合金(covar)为主要成份的并且其熔点大约为780度，且将该基底构件14制成使得光不能从下表面进入到密封容器8内的程度的黑色。还如图4所示，多个(15个)直径大致与芯柱管脚6的外径相等的开口14a形成在基底构件14中，从而沿基底构件14的外圆周部分排列。

上部夹持构件15是由具有比基底构件14高的熔点，即通过如在柯伐合金中添加氧化铝载体粉末得到例如约为1100度的熔点的绝缘玻璃形成的板状构件，并且将该上部夹持构件15制成黑色以便能有效地吸收射向密封容器8的内部的光。还如图5所示，上部夹持构件15具有多个(15个)开口15a，将其以与基底构件14的开口相同的方式而设置。将每个开口15a制成具有比形成在基底构件14中的开口14a更大的直径，此外，在开口15a当中，至少两个预定位置处的开口被设置为大直径开口15b，其直径甚至要比其它开口15a的直径更大，以便让定位夹具18(将在下文中进行说明)进入到基底构件14中。在上部夹持构件15中，将大直径的开口15b设置在三个位置，这些位置与插入阳极管脚13的开口15a的位置不同，这三个位置分别相差90度相角。另外，关于上部夹持构件15，将阳极管脚13通过的开口15a附近的外围部分形成斜切的形状15c。

与上部夹持构件15相比，下部夹持构件16是由具有比基底构件14高的熔点的绝缘玻璃形成的板状构件，即通过如在柯伐合金中添加氧化铝载体粉末得到例如约为1100度的熔点的绝缘玻璃形成的板状构件，并且由于添加的氧化铝载体粉末的组成不同，使得这种绝缘玻璃呈现出白色并且具有比基底构件14和上部夹持构件15更高的物理强度。还如图6所示，下部夹持构件16具有多个以与上部夹持构件15相同的方式形成的开口16a，并且在各个开口16a中，将至少两个预定位置处的开口设置成大直径开口16b，以让定位夹具18进入。在下部夹持构件16中，将大直径开口16b设置在四个分别相差90度相角的位置处，这四个位置中还包括插入阳极管脚13的开口16a的位置，除了插入通过阳极管脚13的大直径开口16b之外的三个位置处的大直径开口16b，被设置成与上部夹持构件15的大直径开口15b共轴。此外，在下部夹持构件16的中央部分处形成圆形的基底构件渗漏开口16c，该渗漏开口16c用作在基底构件14熔化时会渗漏进入其中的基底构件渗漏部分。

如图3所示，在各个开口14a、15a和16a的轴向中央位置相对应，且大直径开口15b和16b的轴向中央位置也相对应的状态下，将基底构件14、上部夹持构件15和下部夹持构件16重叠，并且通过在芯柱管脚6插入各个开口14a、15a、16a、15b和16b的状态下熔化基底构件14，将基底构件14、上部夹持构件15和下部夹持构件16结合。更具体地，上部夹持构件15和下部夹持构件16在与基底构件14的相应表面紧密接触时接合，将各个芯柱管脚6插入上部夹持构件15和下部夹持构件16的相应开口15a、16a、15b和16b中，从而在沿芯柱5的上(内)表面和下(外)表面的整个圆周部分上形成以基底构件14为底面的凹进5a，各个芯柱管脚6插入通过芯柱5，而各个芯柱管脚6在凹进5a的底面处与基底构件14紧密接触而接合。

将参考图7和图8对以上述方式设置的芯柱5的制造示例进行说明。

在芯柱5的制造中，如图7(a)和图7(b)所示，使用一对定位夹具18，这对夹具18夹住并固定基底构件14、上部夹持构件15、下部夹持构件16，以及各个在定位状态下的芯柱管脚6。

定位夹具18是由例如熔点不低于1100度的高度耐热的炭形成的块状构件，且在每个夹具18的一侧，与各个芯柱管脚6的位置相对应地形成插入孔18a，芯柱管脚6插入到这些插入孔18a中并由插入孔18a支撑。在插入孔18a中，与上部夹持构件15的大直径开口15b和下部夹持构件16的大直径开口16b相对应的插入孔18a的开口的外围处，形成有大致为圆柱形的突出部18b，其通过进入大直径开口15b和16b内部而相对于基底构件14设置上部夹持构件15和下部夹持构件16，从而确保了各个通过基底构件14的芯柱管脚6相对于各个开口15a和16a的同心性。

在使用定位夹具18来设置芯柱5时，首先，使突出部18b面向上地将一个定位夹具18(在图中在下侧的夹具)设置在工作表面(未示出)上，并且将芯柱管脚6分别插入和固定到该定位夹具18的插入孔18a中。接着通过使定位夹具18的突出部18b进入大直径开口16b中，同时将固定到定位夹具18上的各个芯柱管脚6穿通过开口16a，而将下部夹持构件16设置在定位夹具18上。此外，当将各个开口14a和15a和各个大直径开口15b的轴向中央位置与下部夹持构件16的各个开口16a和大直径开口16b大致匹配时，芯柱管脚6穿过相应的开口14a和15a以及相应的大直径开口15b，以将基底构件14和上部夹持构件15以此顺序叠加在下部夹持构件16上，其后，将环状侧管7装配到基底构件14上。最后，通过使突出部18b进入上部夹持构件15的大直径开口15b中，同时将从上部夹持构件15中突出的各个芯柱管脚插入到插入孔18a中，而将另外的定位夹具18(在图中上侧的夹具)设置在上部夹持构件15上。从而完成了芯柱5的设置。要设置的环状侧管7和相应的芯柱管脚6需预先经过表面氧化处理，以便提高与基底构件14的融合性。

然后将这样设置的芯柱5与定位夹具18一起装填到电烤炉(未示出)内，并在大约为850至900度的温度(该温度要高于基底构件14的熔点但低于上部夹持构件15和下部夹持构件16的熔点)下进行烧结，同时用定位夹具18夹住芯柱5地对芯柱5加压。在该烧结处理中，仅仅将熔点大约为780度的基底构件14熔化，而基底构件14和各夹持构件15和16，基底构件14和各芯柱管脚6，以及基底构件14和环状侧管7如图8(a)和图8(b)所示融合。这里，尽管为了实现与其它部件的改良的紧密粘连，而将基底构件14的体积设置得较大，基底构件14在大直径开口15b和16b内高度方向上的定位是通过各个定位夹具18的突出部18b的端面来实现的，而熔化的基底构件14的多余的量漏出到下部夹持构件16的基底构件渗漏开口16c中，如图8(b)中所示。当烧结处理结束时，将芯柱5从电烤炉中取出，并移开上部和下部定位夹具18，从而完成了芯柱5的制造。

对于这种制造芯柱5的方法，由于通过使定位夹具18的突出部18b进入上部夹持部件15的大直径开口15b中和下部夹持构件16的大直径开口16b中，能很容易地将基底构件14相对上部夹持构件15和下部夹持构件16定位，从而简化了制造过程并降低了制造成本。此外，各个芯柱管脚6与相应的开口15a和16a的同心性是通过定位夹具18来确保的。接着，通过对层压在这样获得的芯柱组件的芯柱5内(上)表面上的倍增电极10、聚焦电极11和阳极12进行固定，将倍增电极连接凸起10a、阳极连接凸起12a和聚焦电极11上装备的突出凸起11a分别焊接到相应的芯柱管脚6上，并将其上固定有光接收板3的侧管2通过焊接固定并从而组装到真空状态下的环状侧管7上，获得了图1至图3中所示的称为端窗式类型的光电倍增管1。

对于光电倍增管1的这种设置，由于芯柱5上(内)表面和下(外)表面上的芯柱管脚6通过部分的整个周围被设置为以基底构件14作为底面的凹进部5a，所以以缓和的角(大致为直角)将基底构件14接合至芯柱管脚6上，并且由于对芯柱管脚6施加弯曲力时，芯柱管脚6会接触到凹进部5a开口侧的外围部分，这样就避免了芯柱管脚6的进一步弯曲，并且避免了在芯柱管脚6接合到基底构件14上的部分的两侧形成裂痕，从而确保了密封容器8的密封性和良好的外观。

此外对于光电倍增管1，除了芯柱5的芯柱管脚6通过部分的整个周围被设置为以基底构件14为底面的凹进部5a之外，在基底构件14上侧的上部夹持构件15具有绝缘性。此外在上部夹持构件15中，将阳极管脚13通过的开口15a附近的外围部分被设置为斜切形状15c(见图5)。以下将参考图9和图10对该配置的作用进行详细说明。

图9是在本实施例中阳极管脚13附近的主要部分的放大剖视图，而图10是在对比实施例中阳极管脚13附近的主要部分的放大剖视图。在对比示例中，凹进部5a不形成在包括阳极管脚13的芯柱管脚6所通过的芯柱5的部分处，并且使用没在阳极管脚13附近形成斜切形状15c的上部夹持构件17。为了便于说明，用虚线来表示相应构件。

如图9中所示，对于本实施例，由于包括阳极管脚13的芯柱管脚6通过的芯柱5的部分的整个周围形成为以基底构件14为底面的凹进部5a，所以在三接合点X1处，将任何与结合至包括阳极管脚13的导电芯柱管脚6的基底构件14绝缘的包括阳极管脚13的导电芯柱管脚6以及真空交叉，设置在芯柱5的凹进部5a的底表面的接合点的外围部分，并且该三接合点X1在凹进部5a内设置成隐蔽状的状态，其中芯柱5具有包括阳极管脚13的芯柱管脚6。由此，将三接合点X1隐蔽在凹进部5a内，避免了潜流放电的发生，并且与三接合点被无遮蔽地放在上部夹持构件17的上表面上的情况，即图10中所示对比示例中的三接合点X2的情况相比，光电倍增管1的耐压性也得到了改善。关于由凹进部5a所隐蔽的三接合点X1，作为设置在基底构件14上方的构件的上部夹持构件15可以是导电的。

此外，与图10所示比较例中沿绝缘体从三接合点X2到侧管2的的潜流放电路径Y2相比，沿绝缘体从三接合点X1到环状侧管7的潜流放电路径Y1被增长了与凹进部5a的高度相对应的量。通过这样加长潜流放电路径Y1，进一步抑止了潜流放电的发生，并且进一步改善了光电倍增管1的耐压性。通过形成凹进部5a，同时将各芯柱管脚6之间的沿绝缘体的潜流放电路径加长，从而进一步改善了光电倍增管1的耐压性。此外，关于阳极管脚13的附近，由于将潜流放电路径Y1特别加长了沿上部保持构件15的斜切形15c的距离的长度，所以更确切地避免了由阳极管脚13附近的潜流放电造成的介质击穿和漏电，并且防止了噪音混合到从阳极管脚13处取出的电信号中。

由于各个芯柱管脚6与上部夹持构件15上的各自的开口15a和下部夹持构件16上各自的开口16a之间的同心性是通过定位夹具18来确保的，因此能避免芯柱管脚6接近开口15a和16a的内壁表面。这样三接合点X1就能被确切地密封在凹进部5a内部，且这样就能更进一步确保光电倍增管1的耐压性。

还是对于光电倍增管1，由于芯柱5被设置为由基底构件14、接合在基底构件14上侧(内侧)上的上部夹持构件15、和接合到基底构件14下侧(外侧)的下部夹持构件16形成的三层结构，所以芯柱两个表面的位置精确度、平整度和水平度得到改善。因此，对于光电倍增管1，光电表面4和电子倍增器单元9之间的间隔的定位精确度及电子倍增器单元9的就座性得到了改善，其中电子倍增器单元9安装在芯柱5上表面(内表面)上，因此能够令人满意地获得光电转换效率和其它性能，并且光电倍增管1整个长度的尺寸精确度和关于光电倍增管1的表面安装的安装性也得到了改善。

另外，由于基底构件渗漏开口16c(见图6)形成在下部夹持构件16上，熔化的基底构件14的多余体积就能符合要求地漏到基底构件渗漏开口16c中。这样在熔化基底构件14的处理中，基底构件14不能经由上部夹持构件的开口15a和下部夹持构件16的开口16a溢出到芯柱5的表面上，从而确保了芯柱5两个表面的位置精确度、平整度和水平度。

尽管对于上述实施例，芯柱5被配置为由基底构件14和夹持构件15、16形成的三层结构，但例如，还可以将其它层进一步配置在上部夹持构件15的上表面上，以使芯柱5整体有四层或更多层，并且电子倍增器单元9可安装在这样的另一层的上表面上。在这种情况下，优选使用的配置为，其它层的每一层都以与上部夹持构件15相同的方式配备有多个开口，这些开口用于插入被接合到基底构件14上的管脚6，并且这些开口中的至少两个被制成直径比其它开口大，以便使定位夹具18能进入基底构件14。

此外，尽管对于上述实施方式，基底构件渗漏开口16c仅仅配备在下部保持构件16中，但在至少一个保持构件中配备这样的基底构件渗漏开口就足够了，例如，基底构件渗漏开口可仅仅配备在上部保持构件15中，或者基底构件渗漏开口也可配备在上部保持构件15和下部保持构件16中。

作为本发明的变形示例，可以利用如图11所示的，具有设置在芯柱5的中心部分的金属排气管19的光电倍增器管20。该排气管19可以用来通过真空泵(未示出)等来排出空气，并且在完成光电倍增管20的组装之后把密封容器8的内部设置成真空状态。作为另一个变形示例，可利用以下这种配置的光电倍增管26，其中，长度比侧管2更长的侧管27被装配到环状侧管7上，在该环状侧管7的下端配备有边缘部分，而侧管的边缘部分是通过焊接固定到一起的，如图12中所示。

现在将对装有图1至图3中所示的光电倍增管的辐射探测器进行说明。对于图13和图14中所示的示例性辐射探测器21，将辐射转换成光并放射光的闪烁器22被安装到光电倍增管1的光接收板3的外侧上，并且光电倍增管1被安装到在下表面侧具有处理电路(processing circuit)23电路板24上。对于图15和图16中所示的另一个示例性辐射探测器25，处理电路23被安装到电路板24上，并且光电倍增管1被以使芯柱管脚6围绕着处理电路23的方式安装到电路板24上方。通过这些配置，可提供具有上述特征和效果并且特别适合表面安装的辐射探测器21和25。

[第二实施例]

如图17所示，第二实施例的光电倍增管28具有设置为两层结构的芯柱29，其中这两层结构为，质量与基底构件14相同的板状基底构件30和接合在基底构件30上侧(内侧)上的上部夹持构件30，因此该光电倍增管28与其中芯柱5被配置为由基底构件14、上部夹持构件15和下部夹持构件16构成的三层结构的第一实施例中的光电倍增管1不同。

即，光电倍增管28的芯柱29没有配备下部夹持构件16，并且基底构件30具有多个(15个)沿基底构件30外围部分的开口30a，其中对于每个开口30a，如图18所示其上半部的直径被制成大致等于每个芯柱管脚6的外径，而如图19所示其下半部的直径被制成比每个芯柱管脚6的外径大。在基底构件30的开口30a中，四个预定位置的开口(包括阳极管脚13所通过的开口30a)被配置为大直径开口30b，对于每一个大直径开口30b，其下半部的外径被制成比每个其它开口30a下半部的外径大，以便让安装夹具18进入。此外，在基底构件30下部的中央部分处，形成圆形的基底构件渗漏凹进部30c(见图20)，该基底构件渗漏凹进部30c用作在基底构件30熔化时会渗漏进入的基底构件渗漏部分。

如图17所示，在各个开口30a和15a以及大直径开口30b和15b的中央轴位置彼此匹配的状态下，基底构件30和上部夹持构件15相重叠；并且在芯柱管脚6插入通过相应的开口30a和15a的状态下，基底构件30和上部夹持构件15通过基底构件30的熔化而接合。更具体地，将上部夹持构件15与基底构件30的上表面紧密接触而接合，将各个芯柱管脚6插入通过基底构件30上相应开口30a的下半部分和上部夹持构件15的相应开口15a，使得在沿各个芯柱管脚通过的芯柱29上(内)表面和下(外)表面部分的整个周围处，形成以基底构件30为底面的凹进部29a，并且各个芯柱管脚6在凹进部29a的底面处被接合成与基底构件30紧密接触。

也可以用与第一实施例中制造芯柱5的方法相同的方法来制造该芯柱29。具体如图20所示，首先，使突出部18b面向上地将一个定位夹具18(在图中下侧的夹具)设置在工作表面(未示出)上，并且将芯柱管脚6分别插入和固定到该定位夹具18的插入孔18a中。然后通过使定位夹具18的突出部18b进入大直径开口30b中，同时将固定到定位夹具18上的各个芯柱管脚6穿过开口30a，而将基底构件30设置在定位夹具18上。此外，当将各个开口15a和各个大直径开口15b的轴向中央位置与基底构件30的各个开口30a和大直径开口30b大致匹配时，芯柱管脚6穿过过相应的开口15a以及相应的大直径开口15b，从而将上部夹持构件15叠加到基底构件30上，其后，将环状侧管7装配到基底构件30上。最后，通过使突出部18b进入上部夹持构件15的大直径开口15b中，同时将从上部夹持构件15向外突出的各个芯柱管脚6插入到插入孔18a中，而将另外的定位夹具18(在图上侧的夹具)放置到上部夹持构件15上。从而完成了芯柱5的设置。如对于第一实施例一样，要设置的环状侧管7和各个芯柱管脚6需预先经过表面氧化处理，以便提高与基底构件30的融合性。

然后将这样设置的芯柱29装入电子烤炉内，并将其在与上文中所述一样的条件下进行烧结处理。在该烧结处理中，基底构件30和上部夹持构件15、基底构件30和各个芯柱管脚6、以及基底构件30和环状侧管7通过基底构件30的熔化而成如图21(a)和图21(b)中所示融合。这里，基底构件30在大直径开口30b和15b内高度方向上的设置是通过各个定位夹具18的突出部18b的端面来实现的，并且如图21(b)所示熔化的基底构件30的多余体积被漏出到基底构件渗漏凹进部30c中。当烧结处理结束时，将芯柱29从电子烤炉中取出，并移开上部和下部定位夹具18，从而完成了芯柱29的制造。

对于这种制造芯柱29的方法，由于，与第一实施例一样，通过利用定位夹具18，能很容易地相对上部夹持构件15来设置基底构件30，所以简化了制造过程并且降低了制造成本。此外，各个芯柱管脚6与相应开口15a的同心性是通过定位夹具18来确保的。然后，通过对层压在这样获得的芯柱组件的芯柱29内(上)表面上的倍增电极10、聚焦电极11和阳极12进行固定，通过将倍增电极连接凸起10a、阳极连接凸起12a和聚焦电极11上设置的突出凸起11a分别焊接到相应的芯柱管脚6上，并将其上固定有光接收板3的侧管2通过焊接固定而装配到真空状态下的环状侧管7上，获得了图17所示的端窗式光电倍增管28。

如第一实施例中的光电倍增管1一样，对于如上文所述而配置的光电倍增管28，由于芯柱29上(内)表面和下(外)表面上的芯柱管脚6通过部分的整个周围被配置为以基底构件30作为底面的凹进部29a，所以能避免在芯柱管脚6接合到基底构件30上的部分的两侧形成裂痕，这样就确保了密封容器8的密封性和良好的外观。

此外，由于如上文所述，芯柱管脚6经过部分的整个周围被配置为以基底构件30为底面的凹进部29a，三接合点被密封在凹进部29a之内，从而确保了预定的耐压性。此外，由于这样形成了凹进部29a，而作为构成凹进部29a的基底构件30上侧的构件的上部夹持构件15具有绝缘性，所以潜流放电路径被加长。此外，与第一实施例相同，由于对于作为绝缘体的上部夹持构件15，阳极管脚13附近的外围部分被设置为斜切形状15c(见图5)，所以可避免噪音混入从阳极管脚13提取出的电信号中。

与第一实施例相同，由于各个芯柱管脚6和上部夹持构件15的各个开口15a之间的同心性是由定位夹具18来保证的，所以三接合点能被确切地密封在凹进部29a以内，并且能进一步确保光电倍增管28的耐压性。

另外，对于光电倍增管28，由于芯柱29被配置为双层结构，其由基底构件30和接合到基底构件30上侧(内侧)上的上部夹持构件15形成，芯柱29上表面的位置精确度、平整度和水平度得到改善。因此，对于光电倍增管28，光电表面4和电子倍增器单元9之间的间隔的定位精确度，以及电子倍增器单元9的就座性得到改善，其中电子倍增器单元9被安装在芯柱29上表面(内表面)上，从而获得了令人满意的光电转换效率和其它性能。

此外，由于在基底构件30中形成基底构件渗漏凹进部30c(见图20)，熔化的基底构件30的多余体积就能符合要求地进入基底构件渗漏凹进部30c中。这样在熔化基底构件30的处理中，基底构件30不能经由上部夹持构件15的开口15a和基底构件30的开口30a的下半部分溢出到芯柱29的表面上，从而确保了芯柱29两个表面的位置精确度、平整度和水平度。

作为本实施例的变形示例，可以利用这样一种结构，即以与图11所示的光电倍增管20相同的方式在芯柱29中央部分处设置金属排气管19。此外，还可以利用以下这样的配置，其中，长度比侧管2长的侧管27被装配到在其下端配备有边缘部分的环状侧管7上，而这些侧管的边缘部分通过焊接固定到一起，如图12所示的光电倍增管26中一样。

另外，尽管对于上述实施例，基底构件渗漏凹进部30c被提供为在基底构件30下部处的基底构件渗漏部分，但以下这些情况也是可以的，即这样的基底构件渗漏部分可配置在基底构件30和上部夹持构件15当中的至少一者中，例如，可仅仅将构成与关于第一实施例描述的构成一样的基底构件渗漏开口配置在上部夹持构件15中，或者可将基底构件渗漏开口配置在上部夹持构件15中且将基底构件渗漏凹进部30c配置在基底构件30中。

在设置配备有图17中所示的光电倍增管28的辐射探测器时，通过以与图13至图14及图15至图16至所示辐射探测器21和25相同的方式来配置，可提供具有与上文所述相同的作用和效果并且特别适合表面安装的辐射探测器。

作为本实施例的另一个变形示例，可通过将夹持构件接合到基底构件下表面(外表面)上来配置具有两层结构的芯柱。如图22所示，对于该另一个变形示例的光电倍增管31，芯柱32可被配置为由板状基底构件33和下部夹持构件16形成的两层结构，其中板状基底构件33的质量与基底构件14相同，而下部夹持构件16被接合到基底构件33下表面(内表面)上。

即，光电倍增管31的芯柱32没有配置上部夹持构件15，并且基底构件33在沿其外围部分处具有多个(15个)开口33a，其中对于每个开口33a，如图24所示其下半部的直径被制成大致等于每个芯柱管脚6的外径，而如图23所示其上半部的直径被制成比每个芯柱管脚6的外径大。在基底构件33的开口33a中，将与阳极管脚13所通过的开口33a不同的三个预定位置的开口设置为大直径开口33b，对于每一个大直径开口33b，其上半部的外径被制成比每个其它开口33a上半部的外径大，以便让定位夹具18进入。此外，在阳极管脚13所通过的开口33a附近上侧处的基底构件33的外围部分，被设置为斜切形状33c。

如图22所示，在各个开口33a和16a、大直径开口33b和16b的轴向中央位置彼此相匹配的状态下，将基底构件33和下部夹持构件16进行叠加；并且在芯柱管脚6插入通过各自的开口33a和16a的状态下，将基底构件33和下部夹持构件16通过基底构件33的熔化而融合接合在一起。更具体地，下部夹持构件16与基底构件33的下表面紧密接触而接合，各个芯柱管脚6插入基底构件33上相应开口33a的上半部分和下部夹持构件16的相应开口16a，使得在沿各个芯柱管脚6通过的芯柱32上(内)表面和下(外)表面部分的整个周围处，形成以基底构件33为底面的凹进部32a，并且各个芯柱管脚6在凹进部32a的底面与基底构件33紧密接触而接合。

还可以用与第一实施例中制造芯柱5的方法相同的方法来制造这样的芯柱32。具体如图25所示，首先，使突出部18b面向上地将一个定位夹具18(在图中下侧的夹具)放置在工作表面(未示出)上，并且将芯柱管脚6分别插入和固定到该定位夹具18的插入孔18a中。然后通过使定位夹具18的突出部18b进入大直径开口16b中，同时将固定到定位夹具18上的各个芯柱管脚6穿过开口16a，而将下部夹持构件16设置在定位夹具18上。此外，当将各个开口33a和各个大直径开口33b的轴向中央位置与下部夹持构件16的相应开口16a和大直径开口16b大致匹配时，芯柱管脚6穿过相应的开口33a以及相应的大直径开口33b，以将基底构件33叠加到下部夹持构件16上，其后，将环状侧管7装配到基底构件33上。最后，通过使突出部18b进入基底构件33的大直径开口33b中，同时将从基底构件33向外突出的各个芯柱管脚6插入到插入孔18a中，从而将另外的定位夹具18(在图中上侧的夹具)设置到基底构件33上。从而完成了芯柱32的设置。与第一实施例一样，要设置的环状侧管7和各个芯柱管脚6需预先经过表面氧化处理，以便提高与基底构件33的融合性。

然后将这样设置的芯柱32装到电子烤炉内，并在与上述一样的条件下进行烧结处理。在此烧结处理中，基底构件33与下部夹持构件16、基底构件33与各个芯柱管脚6，以及基底构件33与环状侧管7通过基底构件33的熔化如图26(a)和图26(b)中所示融合。这里，基底构件33在大直径开口33b和16b内高度方向上的配置是通过各个定位夹具18的突出部18b的端面来实现的，并且熔化的基底构件33的多余体积被漏出到基底构件渗漏凹进部16c中，如图26(b)中所示。当烧结处理结束时，将芯柱32从电子烤炉中取出，并移开上部和下部定位夹具18，从而完成了对芯柱32的制造。

对于这种制造芯柱32的方法，由于，如对于第一实施例一样，通过利用定位夹具18，而能很容易地相对下部夹持构件16来设置基底构件33，所以简化了制造过程并且降低了制造成本。此外，各个芯柱管脚6与各自的开口16a的同心性是通过定位夹具18来确保的。接着，通过对层压在这样获得的芯柱组件的芯柱32内(上)表面上的倍增电极10、聚焦电极11和阳极12进行固定，通过将倍增电极连接凸起10a、阳极连接凸起12a和聚焦电极11上设置的突出凸起11a分别焊接到相应的芯柱管脚6上，并将其上固定有光接收板3的侧管2通过焊接固定而组装到真空状态下的环状侧管7上，获得了图22所示的端窗式光电倍增管31。

对于按上文所述配置的光电倍增管31，由于芯柱32上(内)表面和下(外)表面上的芯柱管脚6通过部分的整个周围被配置为以基底构件33作为底面的凹进部32a，所以能避免在芯柱管脚6接合到基底构件33上的部分的两侧形成裂痕，这样就确保了密封容器8的密封性和良好的外观。

另外，由于如上文所述，芯柱管脚6经过部分的整个周围被配置为以基底构件33为底面的凹进部32a，三接合点被密封在凹进部32a之内，并且确保了预定的耐压性。此外，由于这样形成凹进部32a，而组成凹进部32a的基底构件33其自身具有绝缘性，所以潜流放电路径被加长。此外，由于对于作为绝缘体的基底构件33，阳极管脚13附近的上侧外围部分被设置为斜切形状33c(见图23)，所以能避免噪音混入从阳极管脚13提取出的电信号中。

此外，对于光电倍增管31，由于芯柱32被配置为双层结构，其由基底构件33和接合到基底构件33下侧(外侧)上的下部夹持构件16形成，所以芯柱32下表面的位置精确度、平整度和水平度得到改善。因此，对于光电倍增管31，光电倍增管31总长度的尺寸精确度和关于光电倍增管31的表面安装的安装性能得到改善。

如第一实施例中一样，由于在下部夹持构件16中形成基底构件渗漏开口16c(见图6)，在熔化基底构件33的过程中，基底构件33不能经由下部夹持构件16的开口16a和基底构件33的开口33a的上半部分溢出到芯柱32的表面上，从而确保了芯柱32两个表面的位置精确度、平整度和水平度。

与图11中所示的光电倍增管20一样，也可以在图22所示的光电倍增管31中利用这样的结构，即在芯柱32中央部分处设置金属排气管19。此外，与图12所示的光电倍增管26一样，还可以利用这样的设置，其中，长度比侧管2长的侧管27被装配到在其下端配备有边缘部分的环状侧管7上，并将这些侧管的边缘部分通过焊接固定到一起。

此外，尽管对于本实施例，仅仅将基底构件渗漏开口16c设置在下部夹持构件16中作为基底构件渗漏部分，但以下这些情况也是可以的，即将这样的基底构件渗漏部分设置在基底构件33和下部夹持构件16当中的至少一者中，例如，可仅仅将形式与上述形式一样的基底构件渗漏凹进部设置在基底构件33中，或者将基底构件渗漏开口16c设置在下部夹持构件16中，并将基底构件渗漏凹进部设置在基底构件33中。

在设置配备有光电倍增管31的辐射探测器时，通过以与图13至图14以及图15至图16至所示辐射探测器21和25相同的方式来配置，可提供具有与上文所述相同的作用和效果并且特别适合表面安装的辐射探测器。

[第三实施例]

如图27所示，第三实施例的光电倍增管34的芯柱35被设置为由单层结构板状基底构件36形成，该基底构件36的质量与基底构件14相同，因此第三实施例的光电倍增管34就与第一实施例中的光电倍增管1不同，在第一实施例中，芯柱5被配置为由基底构件14、上部夹持构件15和下部夹持构件16形成的三层结构。

即，光电倍增管34的芯柱35没有设置上部夹持构件15和下部夹持构件16，并且基底构件36具有多个(15个)沿着基底构件36外围部分的开口36a，其中如图27至图29所示，对于每个开口36a，其中间部分的直径被制成大致等于每个芯柱管脚6的外径，而其上和下部分的直径被制成比每个芯柱管脚6的外径大。在基底构件36的开口36a中，与阳极管脚13所通过的开口36a的位置不同的三个预定位置的上和下部分，以及阳极管脚13所通过的开口36a的下部，被设置为大直径开口36b，对于每一个大直径开口36b，其外径比其它开口36a的上和下部分的外径大，以便让具有与定位夹具相同的配置的夹持夹具18进入。此外，在基底构件36下部的中央部分处，形成圆形的基底构件渗漏凹进部36c(见图30)，该基底构件渗漏凹进部36c用作在基底构件36熔化时会渗漏进入的基底构件渗漏部分；并且在阳极管脚13通过的开口36a附近上侧处的基底构件36外围部分被设置为斜切形状36d。

如图27所示，在芯柱管脚6插入相应的开口36a的状态下，基底构件36通过基底构件36的熔化而与芯柱管脚6相融合接合。更具体而言，各个芯柱管脚6被插入基底构件36上相应开口36a的上部和下部，使得在沿各个芯柱管脚6通过的芯柱35上(内)表面和下(外)表面部分的整个周围处，形成以基底构件36为底面的凹进部35a，并且各个芯柱管脚6在凹进部35a的底面与基底构件36紧密接触地接合。

还可以用与第一实施例中制造芯柱5的方法相同的方法来制造该芯柱35。具体地如图30所示，首先，使突出部18b面向上地将具有与上述定位夹具相同的设置的一个夹持夹具18(在图中下侧的夹具)设置在工作表面(未示出)上，并且将芯柱管脚6分别插入和固定到该夹持夹具18的插入孔18a中。然后通过使夹持夹具18的突出部18b进入基底构件36下侧的大直径开口36b中，同时将固定到夹持夹具18上的各个芯柱管脚6穿过开口36a，而将基底构件36设置在夹持夹具18上。其后，将环状侧管7装配到基底构件36上。最后，通过使突出部18b进入基底构件36上侧的大直径开口36b中同时将从基底构件36向外突出的各个芯柱管脚6插入到插入孔18a中，而将另外的夹持夹具18(在图上侧的夹具)设置到基底构件36上。从而完成了芯柱35的设置。与第一实施例一样，要设置的环状侧管7和各个芯柱管脚6需预先经过表面氧化处理，以便提高与基底构件36的融合性。

然后将这样设置的芯柱35装填到电子烤炉内，并在与上文所述的条件一样的条件下进行烧结处理。在该烧结处理中，基底构件36与各个芯柱管脚6，以及基底构件36与环状侧管7通过基底构件36的熔化而如图31(a)和图31(b)中所示融合。这里，基底构件36在大直径开口36b内高度方向上的设置是通过各个夹持夹具18的突出部18b的端面来实现的，并且如图31(b)中所示，熔化的基底构件36的多余体积被漏出到基底构件渗漏凹进部36c中。当烧结处理结束时，将芯柱35从电子烤炉中取出，并移开上部和下部夹持夹具18，从而完成了芯柱35的制造。

对于这种制造芯柱35的方法，如上文所述，简化了制造过程并且降低了制造成本。然后，通过对层压在这样获得的芯柱组件的芯柱35内(上)表面上的倍增电极10、聚焦电极11和阳极12进行固定，通过将倍增电极连接凸起10a、阳极连接凸起12a和聚焦电极11上配置的突出凸起11a分别焊接到相应的芯柱管脚6上，并将其上固定有光接收板3的侧管2通过焊接固定并从而组装到真空状态下的环状侧管7上，获得了图27所示的端窗式光电倍增管34。

如第一实施例中的光电倍增管1一样，对于按上文所述配置的光电倍增管34，由于芯柱35上(内)表面和下(外)表面上的芯柱管脚6通过部分的整个周围被配置成以基底构件36作为底面的凹进部35a，所以避免了在基底构件36与芯柱管脚6接合的部分的两侧形成裂痕，这样就确保了密封容器8的密封性和良好的外观。

此外，如上文所述，芯柱管脚6经过部分的整个周围被设置成以基底构件36为底面的凹进部35a，三接合点被密封在凹进部35a之内，并且确保了预定的耐压性。此外，由于这样形成了凹进部35a，而组成凹进部35a的基底构件36其自身具有绝缘性，所以潜流放电路径被加长。此外，由于对于作为绝缘体的基底构件36，阳极管脚13附近上侧的边缘部分被设置为斜切形状36d(见图28)，所以能避免噪音混入从阳极管脚13提取出的电信号中。

此外，由于在基底构件36中形成基底构件渗漏凹进部36c(见图30)，熔化的基底构件36的多余体积就能符合要求地进入基底构件渗漏凹进部36c中。这样在熔化基底构件36的处理中，基底构件36将不能经由开口36a的上部和下部溢出到芯柱35的表面上，且这样确保了芯柱35两个表面的位置精确度、平整度和水平度。

作为本实施例的变形示例，可以利用这样一种结构，即以与图11所示的光电倍增管20相同的方式在芯柱35中央部分处设置金属排气管19。此外，还可以利用以下这样的配置，其中，长度比侧管2长的侧管27通过焊接被装配和固定到其下端设置有边缘部分的环状侧管7上，如在图12所示的光电倍增管26中一样。

另外，尽管对于上述实施例，基底构件渗漏凹进部36c被设置在基底构件36下部处作为基底构件渗漏部分，然而这样的基底构件渗漏部分还可以设置在基底构件36的上部。

在设置配备有图27中所示的光电倍增管34的辐射探测器时，通过以与图13至图14及图15至图16中所示辐射探测器21和25相同的方式来进行设置，可提供具有与上述相同的作用和效果并且特别适合表面安装的辐射探测器。

作为本发明光电倍增管的另一个变形示例，可利用板状的金属芯柱5A作为芯柱。即，如图32所示，金属芯柱5A具有用作绝缘基底构件的密封玻璃14A，其中芯柱管脚6通过该绝缘基底构件并被接合到该绝缘基底构件上，并且包括阳极管脚13的芯柱管脚6通过的金属芯柱5A的上(内)表面和下(外)表面部分整个周围，被设置成以密封玻璃14A为底面的凹进部。各个芯柱管脚6在凹进部的底面处与密封玻璃14A紧密接触而接合。即使在该配置中，也能避免在与芯柱管脚相接合的密封玻璃14A部分的两侧处形成裂缝，因此，与上述的各个实施例一样，确保了密封容器8的密封性和良好的外观。另外，三接合点在凹进部被置于隐蔽状态，并且确保了预定的耐压性。优选地在金属芯柱5和最后的倍增电极10b之间插入绝缘体40。

工业应用性

如上所述，利用本发明地光电倍增管和辐射探测器，能够确保密封容器的密封性和良好的外观，并且能够确保预定的耐压性。

Claims (8)

1.一种光电倍增管，包括：

光电表面，其设置在处于真空状态下的密封容器内部，并将通过光接收板入射的入射光转换成电子，所述光电表面形成在所述密封容器一侧处的端部；

电子倍增器单元，其设置在所述密封容器之内，并对从所述光电表面射出的电子进行倍增；

阳极，其设置在所述密封容器之内，并用于将所述电子倍增器单元倍增过的电子提取出作为输出信号；

芯柱，其在所述密封容器的另一侧形成端部，并具有带有绝缘性的基底构件；和

多个芯柱管脚，其嵌入地安装在所述芯柱中，并从所述密封容器内部通向外部，且电连接到所述阳极和所述电子倍增器单元上，

其中，所述芯柱管脚通过所述基底构件并与所述基底构件接合，且

所述芯柱的所述内和外表面的芯柱管脚通过部分的整个周围，被设置成以所述基底构件为底面的凹进部。

2.如权利要求1所述的光电倍增管，

其中，所述芯柱被设置为由所述基底构件形成的单层结构；且

所述凹进部同时形成在所述基底构件的内外表面上。

3.如权利要求1所述的光电倍增管，

其中，所述芯柱具有夹持构件，所述夹持构件接合到所述基底构件的内表面和外表面中的一面上，所述夹持构件还具有让接合到所述基底构件上的芯柱管脚插入的开口，且

所述凹进部形成在与所述基底构件和所述夹持构件相接合的表面相对侧的表面上，且

所述凹进部由所述夹持构件的开口形成。

4.如权利要求1所述光电倍增管，

其中，所述芯柱具有夹持构件，所述夹持构件分别接合到所述基底构件的内表面和外表面上，并且所述夹持构件具有让接合到所述基底构件上的芯柱管脚插入的开口，且

所述凹进部由所述夹持构件的开口形成。

5.如权利要求3所述的光电倍增管，其中，所述夹持构件的至少两个开口被制成直径比其它所述开口的直径大。

6.如权利要求4所述的光电倍增管，其中，所述夹持构件的至少两个开口被制成直径比其它所述开口的直径大。

7.如权利要求1所述的光电倍增管，还包括具有导电性的侧管，其形成所述密封容器并从侧面围绕住所述芯柱，

其中，面向所述密封容器内部的所述芯柱的构件具有绝缘性。

8.一种具有闪烁器的辐射监测器，所述闪烁器将辐射转换成光并放射光，且将所述闪烁器安装在如权利要求1所述的光电倍增管的光接收板的外侧。

Images