CN101048839B - 电子设备 - Google Patents
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Abstract
电子设备包括处于基板(14)第一侧的微机电系统(MEMS)装置。所述MEMS装置包括第一电极(101)和第二电极(11)，第二电极是可移动装置的一部分并且能够在第一和第二位置之间朝向和背离第一电极移动。在第一位置，第二电极(11)与第一电极(101)被空气缝隙(110)分开。可移动装置包括机械层(12)和其中限定了第二电极(11)的中间层。第二电极(11)由处于中间层的多个部件(131、132、133)组成，其中每个都是通过分离的垂直互连(121、122、123)机械连接到机械层(12)。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子设备，包括微机电系统(MEMS)装置，所述MEMS装置包括第一电极和第二电极，第二电极是可移动装置的一部分并且能够朝向和背离第一电极移动，在打开的位置，第二电极与第一电极被缝隙分开，所述可移动装置包括机械层和其中限定了第二电极的中间层。
背景技术
微机电系统(MEMS)是指微传感器和驱动器的集成，其能够在微电路的控制下，对环境的改变做出反应。将MEMS集成到传统的射频(RF)电路中，就可产生具有出众的性能水平和较低的制造成本的系统。基于MEMS的制造工艺和微波、毫米波系统的结合为实现含有MEMS驱动器、天线、开关和电容器的设备提供了可行的方法。得到的系统增加了带宽、提高了发射效率、减少了功耗，并且在无线个人通信设备的扩展领域里具有重要的应用。
MEMS装置包括第一和第二电极，其中第二电极可以在第一位置和第二位置之间朝向和背离第一电极移动。在第一位置，MEMS装置是打开的，并且在第一和第二电极之间存在缝隙，通常为空气缝隙。在第二位置，MEMS装置可以是闭合的，因此在第一和第二电极之间没有缝隙，或是存在最小厚度的空气缝隙。该最小厚度可以通过设置具有所需厚度的突起而达到。在第一电极的顶部可以存在介电层，通常是在基板上。这使得第一电极与第二电极在闭合位置时没有电接触，而是形成了电容。如果需要，其他电极也可以含有介电层或本身的氧化物。
第二电极必须是可移动的，但仍组合在机械稳定的结构中的事实，就导致了设备通常具有足够厚度和机械稳定性的机械层。该层可以是金属层，可选地是压电层，正如GB-A2,353,410中所知的。
开头段落中所述的设备在WO-A2004/54088中是已知的，具体为其中的图11。这里中间层和机械层都是铝制作的。这些层通过使用直径小于中间层中第二电极的垂直互联而相互连接
已知设备的缺点是，第二位置的电容密度小于根据可利用表面积所期望得到的电容密度。因此，也减少了有效的调谐范围，并且，由于减少了调谐范围，MEMS装置对于可调电容器和开关的可选解决方案是非常没有竞争力的。具体的，该可选方案是，如果需要，与分立或薄膜电容器组合使用象pin二极管和pHEMT晶体管这样的分立开关。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种开头段落所提及的设备，该设备具有改进的调谐范围。
该目的是通过如下方式实现的，第二电极是由处于中间层中的多个部件组成的，其中每个通过分离的垂直互连机械连接到机械层。换句话说，第二电极是分段的。
在导致本发明的实验中发现，即使这些层包括相同的金属或合金的情况下，也存在建立于金属层和中间层之间的应力差异。认为该应力差异源于层中固有的应力。应力差异的结果是，当含有第二电极的可移动装置向第一电极移动时，其发生变形。因此，第二电极不再是平坦的，而是弯曲的。其结果是，所达到的第一和第二电极之间的最小距离仅处于有限的表面积上，因此，电容密度有效减少。现在通过将中间层中的第二电极分割成大量的独立部件，大大减少了弯曲的影响，并且应力也减小了。结果，电容密度增加了，甚至尽管第二电极的表面积减少了。
因此，本发明的设备也具有更好的热稳定性。作为更高电容密度和更好接触面积限定的结果，其还可以被小型化。
在优选的实施例中，垂直互联具有比与其连接的处于中间层中的部件更小的直径。这甚至进一步有效的减小了应力。具体的，较小的直径存在于与中间层的界面上。
该垂直互连存在的优点是，提供了更大的设计自由度。实际上，可以将含有确定电气功能的第一第二电极的前端，和提供作为第二电极支持与驱动器的机械结构的后端分开。这允许了前端的确定相当地独立于后端。换句话说，如果在后端金属层换为陶瓷层，那么在前端不必发生较大的变化。因而，可以针对机械支持的参数以及工业等级上的封装和可制造性，最优化后端。具体对于压电MEMS装置，后端是以组件的方式提供，而不是各层沉积的方式提供。
优选地，互连的直径仅为相对应部件直径的0.75倍。并且更为优选地，互连的直径至少为相对应部件直径的0.25倍。在互连为环形的情况下，其直径被定义为环的直径。在互连的直径小于规定的0.25比率的情况下，优选地对于单个部件使用多于一个的垂直互连。
在另一实施例中，可移动装置中存在至少一个通孔，该通孔延伸通过机械层和中间层中的一个部件。通过该通孔可以有效的注入蚀刻剂，从而去除第一和第二电极之间的牺牲层。此外，该区域中通孔的存在减少了区域中应移动的可移动装置的质量。同样，有助于减小驱动电压。
合适的是，第二电极包括直径小于通孔直径的蚀刻孔。第二电极中存在蚀刻孔的图案被认为是有利的。由于中间层的存在，蚀刻孔的图案可以与机械层中的图案独立地限定。由于实际上中间层比机械层薄，因此图案的分辨率可以更高，蚀刻孔可以更小。中间层优选地仅为机械层厚度的五分之一，更优选地仅为十分之一。
在另一实施例中，装置在其第二、闭合的位置具有排气通道，其中处于部件和互连之间的空间是排气通道的一部分。流体可以为气体，例如空气或氮气。排气通道主要平行于面对的表面延伸。通道优选地结束于垂直的排气孔或表面的另一侧。排气通道可以进入和沿着基板延伸，例如通过使用基板转移技术去除部分基板。于是，通道允许流体进入面对的表面之间的区域，并且控制可移动装置的移动阻尼。通常希望增加进入或退出处于面对表面之间的区域的流体，以减小该阻尼，并且因此增加设备的打开和闭合的速度。由于当电极最接近时静电吸引是最大的，所以多数打开延迟与打开的初始阶段有关。通常由于驱动电压关闭，打开期间的静电力接近于0。因为空气具有最小的空间去移动，所以此处的空气阻尼是高的。对于设备闭合类似，由于同样的原因，在闭合的最后阶段，阻尼的减小最为显著。由于多数闭合延迟在此处发生，所以通道可以使闭合速度显著的增加。速度方面的好处可以换来其他优势，例如给定速度下减小驱动电压或弹性(spring rate)，或给定速度下使用更高操作压力或更高粘性的流体。对于通道的另一个应用是，在闭合时可以允许强制流体进入相对表面之间，帮助强迫其离开，从而增加打开速度或克服粘着。
在另一个实施例中，机械层具有至少一个可移动部件，其中第二电极是该部件的一部分，该部件弹性连接到可移动装置的主部件。独立可移动的部件允许可移动装置以两种模式向可移动装置的基板移动。结果，不是完整的可移动装置，而仅仅是独立可移动的部件或是可选的仅仅是可移动装置的主部件连接到基板上。于是减少了粘着问题，其中首先是所连接的区域减小了，其次是弹性连接提供了内部反作用力。
优选的，还含有一个或多个柔性装置，其为了根据移动在可移动装置上提供力而连接，并且处于可移动装置和基板上的一个或多个突出物之间。该柔性装置或弹性结构本身可由US6557,413所知。由此，可移动装置仅在有限的区域连接到基板，因此作为整体，可以更容易的朝向或背离第一电极移动。
在另一实施例中，抗粘着突起限定于中间层中，并且使用垂直互连连接到机械层。这种抗粘着突起与基板上无任何电极的区域相对。因为这种突起不带电荷，其不易粘着。优选的，该突起的垂直互连在平行于中间层的平面中的直径小于中间层中突起表面的直径。这就提供了好的突起表面。
高度优选地，在机械层和抗粘着突起中都是弹性连接。结果是，当抗粘着突起与基板接触时，弹性结构有效的弹性常数变得更高。因此，增加了向上的力。
可以理解的是，在MEMS装置不具有检测功能的情况中需要一个或更多的驱动电极，但是必须被主动寻址，即作为开关或可调电容器。驱动电极可以在第一电极中实现，但是优选的，存在一个或多个独立的驱动电极。在本发明一个有利的实施例中，驱动电极限定于中间层中，并且没有分割为若干个部件。利用这种结构，在可移动装置上和在基板上的驱动电极之间的最小距离大于第一电极和第二电极之间的最小距离。
本发明的MEMS装置不仅非常适用于作为电容器，而且适用于作为开关。
在另一实施例中，存在与MEMS装置相邻的薄膜电容器，所述薄膜电容器带有处于基板第一侧的第一电极，和处于中间层中的第二电极，在所述电极间，存在介电材料层。带有基板上金属层、中间层(通常是金属)和机械层(例如金属)的本发明的设备，允许薄膜电容器与MEMS装置有效集成。这可以通过选择性蚀刻去除牺牲层的方式实现。选择性蚀刻可以实质为蚀刻剂的流动。优选的，MEMS装置为任意的不能蚀刻的材料环所环绕，从而限制蚀刻剂的流动。例如，该环是可移动装置连接到基板的支撑，然而，其也可以是单独的环或是MEMS装置封装的一部分。在机械层为金属的情况下，非常适合于电感或相似的装置的限定。
在蚀刻的帮助下，通过蚀刻去除基板、中间层和机械层之间的牺牲层的方法，可以合适地制造本设备。在本领域，这本身是公知的。优选的是使用干法蚀刻，但是可选的，根据所需的结果，可以使用湿法蚀刻。含氟干法蚀刻剂是优选的，并且适当地使用可以抵抗含氟干法蚀刻剂的蚀刻终止层保护基板。
附图说明
本发明设备的这些和其他方面将进而图示在相关的附图中，其中：
图1示出了MEMS装置的示意图；
图2示出了图1所示本发明的详细情况；
图3示出了本发明设备实施例的示意横截面图；
图4示出了实施例的顶视图。
具体实施方式
在不同的图中，相同的参考数字是指相同的组件。图未按比例绘出，只是示意性质。
图1示出了MEMS装置的示意图，图2示出了其中的详细情况。其包括含有第二电极11的可移动装置100，该装置面向第一电极101，并通过空气缝隙110与第一电极分开。第一电极101位于基板14上。突出物2位于基板14上，可移动部分100通过柔性装置80与突出物机械连接。可移动装置100具有作为其主要层的机械层12，该机械层设计用于提供机械稳定性。在该示例中，其是金属或合金的，但不一定如此。绝缘层可以独自用于支持功能。可选的，机械层可以是压电层，其可以膨胀以提供任意所需的驱动。通常，机械层12是1微米或更大尺度厚度的层。可移动装置100还包括抗粘着(anti-stiction)突起180，其确定了最小距离，并且支持可移动装置100的平面性。不带电荷的相对部181位于基板14上。可移动装置100包括与第二电极11相邻的驱动电极160，驱动电极160可以完全地或大体上为环状，从而环绕第二电极11，并有效的组成一个电极。可选的，使用多于1个的驱动电极。相对电极161位于与驱动电极160相对的基板14上。
根据本发明，第二电极11包括多个独立的部件131、132、133，其通过垂直互连121、122、123连接到机械层12，结果是分段的第二电极11。当装置闭合时，垂直互连121、122、123和第二电极11之间的区域确定了排气通道200。
图3示出了本发明设备的实施例。该设备包括基板14，这里为含有氧化层141的硅。在此，存在蚀刻终止层18和基底层10。蚀刻终止层18优选地为抗氟等离子蚀刻剂的蚀刻终止层。蚀刻终止层18优选地包括任意的第四族氧化物之一，例如Al2O3、HfO2、ZrO2和TiO2。在一个优选的实施例中，蚀刻终止层18可以包括厚度例如为100nm的Al2O3。
在基底层10中限定第一电极101，其通过空气缝隙110与第二电极11分开。该空气缝隙110是通过第一牺牲层16和第二牺牲层17的选择性去除形成的。例如，该牺牲层16和17可以是由Si，Si3N4，SiO2，W，Mo，以及其他任意聚合物材料或任意铁电体材料组成的。机械层12位于空气缝隙110和第二牺牲电极17的顶部，直到其未被去除。垂直互连121、122、123将第二电极11的不同部件131、132、133连接到机械层12。机械层12和基底层10由导体组成，例如Al、Ni、Au、Cu或Pt。在本实施例中，基底层使用的是铝导体，机械层使用的是AI.98Cu.02的合金。第一电极101和/或第二电极11可以具有自然氧化层，其是通过适当的等离子蚀刻处理产生的。
掩模20应用于机械层12的顶部。掩模20包括到牺牲层17的窗口21。对于掩模20，使用厚度大约为5μm的聚酰亚胺。考虑到机械层12的厚度，例如1μm，这是合适的，并且这提供了足够的抗等离子蚀刻剂(例如氟等离子)的保护。然而，不排除使用湿法化学蚀刻的蚀刻处理。在这种情况下，不必存在蚀刻终止层18，或是可以为不同的选择。
在去除了牺牲层16、17的蚀刻步骤之后，掩模20不必移除。在该示例中，其组成了MEMS装置的可移动装置的一部分。此外，其可以作为设备中其他装置的钝化层。掩模20还用于根据所需的图案提供更多的金属层，可以用作接触焊盘以及气密性封装的密封环。
图4示出了在一个实施例中可移动装置100的顶视图。在基板14上，可移动部分100通过柔性装置80与突出物2连接。抗拉入(anti-pillin)突起或抗粘着突起180位于可移动装置100的拐角处。可移动装置100的U型区域用作驱动电极160。蚀刻孔21位于其中。第二电极11位于U型驱动电极160之内。其具有蚀刻孔22。其具有多个部件131、132，其限定了实际的电极表面。
Claims (10)
1.一种电子设备，包括微机电系统装置，所述微机电系统装置包括第一电极和第二电极，第二电极是可移动装置的一部分并且能够在第一和第二位置之间朝向和背离第一电极移动，并且在第一位置，其与第一电极被缝隙分开，所述可移动装置包括机械层和其中限定了第二电极的中间层，
特征在于，第二电极由中间层中的多个部件组成，其中每个部分都通过分开的垂直互连机械连接到机械层，其中垂直互连的直径小于第二电极的直径。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中在可移动装置中存在至少一个通孔，其延伸通过机械层和中间层中的一个部件。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述装置在其第二、闭合的位置具有排气通道，其中处于所述部件和互连之间的空间是所述排气通道的一部分。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中机械层具有至少一个可移动部件，第二电极是该部件的一部分，其弹性连接到可移动装置的主部件上。
5.根据权利要求1或4所述的电子设备，还含有一个或多个柔性装置(80)，其为了根据移动在可移动装置上提供力而连接，并且处于可移动装置和基板(14)上的一个或多个突出物之间。
6.根据权利要求1或4所述的电子设备，其中包括至少一个抗粘着突起。
7.根据权利要求1或4所述的电子设备，其中包括至少一个驱动电极。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其中中间层和机械层包括不同的材料。
9.根据权利要求1所述的电子设备，还包括与微机电系统装置相邻的薄膜电容器，所述薄膜电容器具有处于基板第一侧的第一电极，和处于中间层中的第二电极，在所述电极间，存在介电材料层。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中机械层包括金属。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| US8115987B2 (en) | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
| US7643202B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
| EP2168239A2 (en) | 2007-06-13 | 2010-03-31 | Nxp B.V. | Tunable mems capacitor |
| US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7813029B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Devices and methods for enhancing color shift of interferometric modulators |
| CN101802678B (zh) * | 2007-09-17 | 2014-03-12 | 高通Mems科技公司 | 半透明/透射反射型发光干涉式调制器装置 |
| EP2212926A2 (en) | 2007-10-19 | 2010-08-04 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Display with integrated photovoltaics |
| US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
| US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
| US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
| US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
| US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
| US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
| US8580596B2 (en) * | 2009-04-10 | 2013-11-12 | Nxp, B.V. | Front end micro cavity |
| BRPI1011614A2 (pt) | 2009-05-29 | 2016-03-15 | Qualcomm Mems Technologies Inc | aparelhos de iluminação e respectivo método de fabricação |
| KR101149433B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
| US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
| WO2011126953A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same |
| US8709264B2 (en) * | 2010-06-25 | 2014-04-29 | International Business Machines Corporation | Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures |
| JP2013544370A (ja) | 2010-08-17 | 2013-12-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイスの電荷中性電極の作動及び較正 |
| US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US9641174B2 (en) * | 2011-04-11 | 2017-05-02 | The Regents Of The University Of California | Use of micro-structured plate for controlling capacitance of mechanical capacitor switches |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
| US8940570B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures |
| DE102013216901A1 (de) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
| CN109455663B (zh) * | 2014-06-05 | 2023-12-12 | 株式会社村田制作所 | Mems器件 |
| JP6544037B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2019-07-17 | 株式会社リコー | 発電素子ユニット、及び発電装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5454904A (en) * | 1993-01-04 | 1995-10-03 | General Electric Company | Micromachining methods for making micromechanical moving structures including multiple contact switching system |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2179421A (en) * | 1938-05-27 | 1939-11-07 | John J Murray | Paper box, carton, or tray |
| US5531018A (en) * | 1993-12-20 | 1996-07-02 | General Electric Company | Method of micromachining electromagnetically actuated current switches with polyimide reinforcement seals, and switches produced thereby |
| US7460291B2 (en) | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
| DE4437260C1 (de) * | 1994-10-18 | 1995-10-19 | Siemens Ag | Mikromechanisches Relais |
| JPH0982199A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Omron Corp | 継電器 |
| JPH09213191A (ja) | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電型可動接点素子および静電型可動接点集積回路 |
| JP2000173375A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Omron Corp | マイクロリレー用接点構造 |
| JP3119255B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 |
| JP3637804B2 (ja) * | 1999-04-20 | 2005-04-13 | オムロン株式会社 | 静電リレー |
| GB2353410B (en) | 1999-08-18 | 2002-04-17 | Marconi Electronic Syst Ltd | Electrical switches |
| DE19949605A1 (de) | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| US6366186B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-04-02 | Jds Uniphase Inc. | Mems magnetically actuated switches and associated switching arrays |
| FI111457B (fi) | 2000-10-02 | 2003-07-31 | Nokia Corp | Mikromekaaninen rakenne |
| US6508947B2 (en) * | 2001-01-24 | 2003-01-21 | Xerox Corporation | Method for fabricating a micro-electro-mechanical fluid ejector |
| US6572218B2 (en) * | 2001-01-24 | 2003-06-03 | Xerox Corporation | Electrostatically-actuated device having a corrugated multi-layer membrane structure |
| US6506989B2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-01-14 | Board Of Supervisors Of Louisana State University And Agricultural And Mechanical College | Micro power switch |
| US6657832B2 (en) * | 2001-04-26 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes |
| US6531668B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-11 | Intel Corporation | High-speed MEMS switch with high-resonance-frequency beam |
| JP2003237074A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-26 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット記録装置 |
| JP2003276194A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-09-30 | Ricoh Co Ltd | 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 |
| US6791441B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-09-14 | Raytheon Company | Micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
| US6657525B1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-02 | Northrop Grumman Corporation | Microelectromechanical RF switch |
| JP4188316B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2008-11-26 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 電子デバイスおよびそのインピーダンス整合方法 |
| JP4419374B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2010-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光スイッチング素子 |
| US20060050350A1 (en) | 2002-12-10 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Driving of an array of micro-electro-mechanical-system (mems) elements |
| JP2008227647A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nec Corp | 多重化トランスポンダ、通信システム及び信号多重化方法 |
-
2005
- 2005-10-24 CN CN200580036701XA patent/CN101048839B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-24 EP EP05794816.8A patent/EP1807855B1/en active Active
- 2005-10-24 US US11/718,137 patent/US8203402B2/en active Active
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- 2005-10-24 WO PCT/IB2005/053476 patent/WO2006046193A1/en active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5454904A (en) * | 1993-01-04 | 1995-10-03 | General Electric Company | Micromachining methods for making micromechanical moving structures including multiple contact switching system |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开平9-82199A 1997.03.28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006046193A1 (en) | 2006-05-04 |
| CN101048839A (zh) | 2007-10-03 |
| US20090211885A1 (en) | 2009-08-27 |
| US8203402B2 (en) | 2012-06-19 |
| JP4907544B2 (ja) | 2012-03-28 |
| JP2008517785A (ja) | 2008-05-29 |
| EP1807855B1 (en) | 2015-09-09 |
| EP1807855A1 (en) | 2007-07-18 |
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