CN101046973B - 垂直磁记录头中用于二次杂散场减小的两梯级角凹陷 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在磁头中使用的磁结构，用于避免杂散场写入。该磁结构可以是例如磁屏蔽件或可以是写头的磁极，并尤其有利于用在垂直记录系统中，因为这些垂直记录系统特别易受杂散场写入影响。所述磁结构包括向前突出部分，向头的气垫面(ABS)延伸，并包括从向前突出部分横向延伸的第一和第二翼部分。翼部分每个具有恒定凹进的内部分和楔形的外部分。每个翼的恒定凹进的内部分防止杂散场写入，同时还防止磁饱和，向外横向延伸时渐缩远离ABS的楔形的外部分通过从ABS移开屏蔽件的外角进一步防止杂散场写入。

Description

垂直磁记录头中用于二次杂散场减小的两梯级角凹陷
技术领域
本发明涉及电流垂直平面型磁记录，更具体地，涉及新颖的磁尾屏蔽件设计从而避免相邻道(track)干扰且尤其避免宽角道擦除(WATER)，同时还避免尾屏蔽件的中心区域中的过量磁通。
背景技术
本发明涉及下列公共受让的专利申请：NOTCHED SHIELD DESIGNAND POLE STRUCTURE WITH SLANTED WING FOR PERPENDICULARRECORDING，申请号10/976479，2004年10月9日提交；WINGED DESIGNFOR REDUCING STRAY MAGNETIC FIELDS，申请号10/977315，2004年10月29日提交；WINGED POLE AND SHIELD STRUCTURE FORREDUCING STRAY FIELD IN A PERPENDICULAR WRITE HEAD，申请号10/971478，2004年10月29日提交；以及STRUCTURE FOR STRAY FIELDREDUCTION IN A MAGNETIC HEAD，申请号10/971478，2004年10月提交。
计算机长期存储器的核心是称为磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括旋转磁盘、通过悬臂被悬置地与旋转磁盘的表面相邻的写和读头、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转盘上选定环形道(track)之上的致动器。读和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂偏置滑块朝向盘的表面，当盘旋转时，邻近盘的空气与盘表面一起移动。滑块在该移动空气的垫上飞行于盘表面之上。当滑块骑在气垫上时，采用写和读头来写磁转变到旋转盘且从旋转盘读取磁转变。读和写头连接到根据计算机程序运行的处理电路以实现写和读功能。
写头传统上包括嵌在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，绝缘堆叠夹在第一和第二极片层(pole piece layer)之间。在写头的气垫面(ABS)处间隙(gap)通过间隙层形成在第一和第二极片层之间，极片层在背间隙(back gap)处连接。传导到线圈层的电流在极片中感应磁通，其导致磁场在ABS处在写间隙弥散出来，用于在移动介质上在道中写上述磁转变，例如在上述旋转盘上在环形道中。
在近来的读头设计中，自旋阀传感器，也称为巨磁致电阻(GMR)传感器，已经被用于检测来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括下文中称为间隔层(spacer layer)的非磁导电层，其被夹在下文中称为被钉扎层和自由层的第一和第二铁磁层之间。第一和第二引线(lead)连接到自旋阀传感器以传导通过那里的检测电流。被钉扎层的磁化被钉扎为垂直于气垫面(ABS)，自由层的磁矩平行于ABS但可以响应于外磁场自由旋转。被钉扎层的磁化通常通过与反铁磁层的交换耦合而被钉扎。
间隔层的厚度被选择为小于通过传感器的传导电子的平均自由程。采用此设置，部分传导电子被间隔层与被钉扎层和自由层每个的界面所散射。当被钉扎层和自由层的磁化彼此平行时，散射最小，当被钉扎层和自由层的磁化反平行时，散射最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器的电阻，其中θ是被钉扎层与自由层的磁化之间的角度。在读模式中，自旋阀传感器的电阻与来自旋转盘的磁场的大小成比例地改变。当检测电流传导通过自旋阀传感器时，电阻变化导致电势变化，其被检测到并作为重放信号(playback signal)处理。
当自旋阀传感器采用单被钉扎层时其被称为简单自旋阀。当自旋阀采用反平行(AP)被钉扎层时其被称为AP被钉扎自旋阀。AP自旋阀包括由薄的非磁耦合层例如Ru分隔开的第一和第二磁层。选择间隔层的厚度从而反平行耦合被钉扎层的铁磁层的磁化。根据钉扎层在顶部(在自由层之后形成)还是在底部(在自由层之前)，自旋阀还被称为顶型或底型自旋阀。
自旋阀传感器位于第一和第二非磁电绝缘读间隙层之间，第一和第二读间隙层位于铁磁的第一和第二屏蔽层之间。在合并式(merged)磁头中，单个铁磁层作为读头的第二屏蔽层且作为写头的第一极片层。在背负式(piggyback)头中，第二屏蔽层和第一极片层是分开的层。
被钉扎层的磁化通常通过将铁磁层之一(AP1)与反铁磁材料例如PtMn的层交换耦合来被固定。虽然反铁磁(AFM)材料例如PtMn本身自然地没有磁化，但是当与磁材料交换耦合时，它可以强烈地钉扎铁磁层的磁化。
为了满足日益增长的对改善的数据速率和数据容量的需求，研究者近来已经将它们的努力集中到垂直记录系统的开发。传统纵向记录系统，例如包括上述写头的系统，存储数据为沿磁盘表面平面中的道纵向取向的磁位。该纵向数据位通过形成在由写间隙分隔开的磁极对之间的弥散场(fringingfield)记录。
相反，垂直记录系统记录数据为垂直于磁盘的平面取向的磁化。该磁盘具有由薄的硬磁顶层覆盖的软磁衬层。垂直写头具有横截面很小的写极和横截面大得多的返回极。强的、高度集中的磁场沿垂直于磁盘表面的方向从该写极发出，磁化该硬磁顶层。所得磁通然后通过软磁衬层行进，返回到返回极，在返回极处其充分散开且是微弱的从而当其在回到返回极的途中经过硬磁顶层时将不擦除由写极记录的信号。
垂直存储系统与纵向系统相比利于更大的存储密度。尽管其中可实现本发明的垂直记录系统的更详细的描述在下面的发明内容中给出，但是这里参照图1给出对这样的垂直记录系统提出的挑战的更集中的讨论，图1中示出磁结构102及其与磁介质112的关系，磁结构102可以是例如磁屏蔽件、磁极或一些其它磁结构。
垂直记录系统的磁介质112产生了纵向记录系统通常不会遇到的关于数据擦除的问题。磁介质112包括薄的硬磁顶层114和低矫顽力衬层110。由于其低矫顽力和较大尺寸，软磁衬层极易受磁场影响。
仍参照图1，当施加纵向外场104时，软磁衬层110加强了记录头的暴露在头的气垫面(ABS)处的磁结构102的角(corner)中的磁荷聚集，如线106所示。这可导致不需要的杂散磁场108聚集在磁结构的角中，其可潜在地从记录介质158擦除所存储的数据。应指出，尽管通量106描述为源自纵向场，但是垂直场的存在也会导致类似结果，或者由它们之间以某一角度倾斜的场导致。
尽管诸如磁屏蔽件和磁极的磁结构表现出上述问题，但这些磁结构是磁记录头的必要部件且不能简单地去除。因此，强烈需要一种磁结构设计，其可允许磁结构用于其预期目的(诸如磁屏蔽)的有效性能，同时避免这些不需要的杂散场写入。对上述问题的该解决方案将优选地不涉及增加显著的工艺复杂度并将允许使用目前可得的所需磁材料。
发明内容
本发明提供一种在磁头中使用的磁结构，配置来防止在相邻磁介质中的杂散场写入。该磁结构具有中心设置的向前突出部分，其朝向头的气垫面(ABS)延伸。第一和第二翼形部分从中央向前突出部分延伸。每个翼部分具有内部分和外部分。内翼部分具有从ABS凹进一基本恒定的凹进距离的前边缘，外翼部分成楔形使得其前边缘从ABS凹进一量，该量随着距该结构的中央增加的横向距离而增大。
翼部分的凹进有利地防止了杂散场写入。内翼部分的恒定凹进有利地防止了该结构中央附近的磁饱和，同时外部分的向后渐缩(增加的凹进)通过移动该结构的外角远离ABS而提供了防止杂散场写入的进一步保护。
内翼部分可具有距离ABS 0.6-0.9μm或约0.75μm的凹进，并且翼的最外部分可具有一最大凹进，其是内翼部分的凹进的2-4倍，或者是内部分的凹进的约3倍。
结合附图阅读下面关于优选实施例的详细说明，本发明的这些和其它特征和优点将会变得明显，全部附图中相同的附图标记表示相同的元件。
附图说明
为了更充分理解本发明的本质和优点以及应用的优选方式，应当参照下面结合附图阅读的详细说明，附图不是按比例的。附图中：
图1是磁结构视图，示出了环境磁场对磁结构和相邻磁介质的影响；
图2其中可实施本发明的盘驱动系统的示意图；
图3是从图2的线3-3取得的滑块的ABS视图，示出了其上磁头的位置；
图4是根据本发明一实施例的磁头的ABS视图，从图3的线4-4取得并旋转180度；
图5是根据本发明一可行实施例的磁结构的视图，从图4的线5-5取得并放大显示；以及
图6是与图5类似的视图，示出了本发明的供选实施例。
具体实施方式
下面的说明是目前想到的实施本发明的优选方式。进行该说明是用于说明本发明的一般原理的目的，而不是意图限制这里提出的发明性构思。
现在参照图2，示出了实施本发明的盘驱动器200。如图2所示，至少一个可旋转磁盘212支承在主轴(spindle)214上且通过盘驱动马达218旋转。每个盘上的磁记录是磁盘212上同心数据道(未示出)的环形图案形式。
至少一个滑块213位于磁盘212附近，每个滑块213支持一个或更多磁头组件221。当磁盘旋转时，滑块213在盘表面222之上径向进出移动，从而磁头组件221可以存取写有所需数据的磁盘的不同道。每个滑块213借助悬臂215连接到致动器臂219。悬臂215提供轻微的弹力，该弹力偏置滑块213倚着盘表面222。每个致动器臂219连接到致动器装置227。如图2所示的致动器装置227可以是音圈马达(VCM)。该VCM包括在固定磁场中可移动的线圈，该线圈移动的方向和速度由控制器229提供的马达电流信号控制。
盘存储系统运行期间，磁盘212的旋转在滑块213和盘表面222之间产生对滑块施加向上的力或举力的气垫(air bearing)。于是在正常运行期间该气垫平衡悬臂215的轻微弹力，并支持滑块213离开盘表面并且以小的基本恒定的距离稍微位于盘表面之上。
盘存储系统的各种组元在运行中由控制单元229产生的控制信号控制，例如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元229包括逻辑控制电路，存储装置和微处理器。控制单元229产生控制信号从而控制各种系统操作，例如线223上的驱动马达控制信号以及线228上的头定位和寻道控制信号。线228上的控制信号提供所需的电流分布(current profile)，从而优化地移动和定位滑块213到盘212上的所需数据道。写和读信号借助于记录通道225传达到和读出自写头和读头221。
参照图3，滑块213中磁头221的取向可以更详细地被观察。图3是滑块213的ABS视图，可以看出包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾缘(trailing edge)。常见磁盘存储系统的上述说明及图2的附图示例仅用于示例。显然地，盘存储系统可包括大量盘和致动器，每个致动器可支持多个滑块。
现在参照图4，描述用于在垂直磁记录系统中使用的磁头221。头221包括写元件402和读传感器404。读传感器优选地是巨磁致电阻(GMR)传感器且优选地是电流垂直平面(CPP)GMR传感器。CPP GRM传感器特别适于用在垂直记录系统中。然而，传感器404可以是另外类型的传感器诸如面内电流(CIP)GMR传感器或隧道结传感器(TMR)或其它类型传感器。传感器404位于第一和第二磁屏蔽件406、408之间并与其绝缘。磁屏蔽件可由例如CoFe或NiFe构成，吸收诸如来自上道(uptrack)或下道(down track)数据信号的磁场，确保读传感器404仅检测位于屏蔽件406、408之间的所需数据道。
继续参照图4，写元件402包括与磁成形层(shaping layer)412磁连接的写极410。写极在气垫面(ABS)处具有小的横截面并由具有高饱和矩密度的磁材料例如FeNi或CoFe构成。成形层412由诸如CoFe或NiFe的磁材料构成并具有显著大于写极410的平行于ABS面的横截面。
写元件402还具有返回极414，其优选地具有暴露于ABS表面处的表面并具有远大于写极410的平行于ABS表面的横截面。写极414通过背间隙部分416与成形层412磁连接。返回极414和背间隙416可以由例如NiFe、CoFe或一些其他磁材料构成。
图4的横截面中所示的导电写线圈418在成形层412和返回极414之间穿过写元件402。写线圈418被电绝缘材料420包围，电绝缘材料420使线圈418的匝彼此电绝缘并使线圈418与周围磁结构410、412、416、414电隔离。当电流通过线圈418时，所得磁场引起磁通流过返回极414、背间隙416、成形层412和写极410。该磁通导致写场422向相邻磁介质424发出。如背景技术中所述，磁介质优选地包括薄硬磁顶层426和软磁衬层428。来自写极410的强的、高度集中的磁场磁化硬磁顶层426(即固定其磁矩)，且所得磁通420经过软磁衬层428行进。磁通行进到返回极414，在该处其穿过硬磁顶层426向返回极414返回。当磁通430向着返回极414穿过顶层426时，其充分发散且是微弱的从而不影响硬磁顶层424的磁化。
继续参照图4，围绕写元件402、屏蔽件406、408和磁致电阻读元件的区域被填充以非磁电绝缘材料432，例如氧化铝(Al2O3)。绝缘材料432可以以多层形成。
现在参照图5，描述对杂散场写入具有改善的抵抗性的磁结构500。该磁结构可以是例如磁屏蔽件406、408(图4)、磁返回极414(图5)或可以出现在具有虚线502表示的气垫面(ABS)的磁头221中的任何其它必要磁结构。杂散场写入的问题对于磁屏蔽件尤其尖锐，因为他们本质上就是设计来吸收来自其周围的磁场。因此，为了清晰起见，该磁结构将关于磁屏蔽件500来描述，但应当理解该磁结构可以是任何磁结构。
如上面在背景技术中所述，可由很多不同源例如机场安全设备、蜂窝电话等引起的环境磁场导致流经屏蔽件500的磁通。磁通流经磁结构受这些结构的几何形状强烈影响。在突变特征处尤其是磁结构的角处磁通线变得大大集中。现有技术的磁屏蔽件具有位于ABS附近的尖锐的角，在ABS附近表现出磁通的强烈集中，这导致磁场从这些角朝向附近的磁介质发出。这导致了杂散场写入和磁信号从部分磁介质完全擦除。
继续参照图5，磁屏蔽件500包括向前延伸或向前突出部分504，其向ABS面502延伸。向前突出部分504优选地延伸到且暴露于ABS面处，但也可以从ABS凹进一些量，且还优选地在ABS 502处具有平坦表面。突出部分504优选地形成在屏蔽件502的中心或其附近。第一和第二切口(notch)506、508形成在突出部分的两侧并形成横向侧面510、512。侧面510、512之间的距离定义突出部分504的宽度(W1)。从ABS测量时，切口506、508优选地凹进到头221中0.6-0.9微米(μm)或约0.75μm，终止于可以是尖锐或圆化的内角514、516。切口506、508还形成外角513、515，其也可以是尖锐或圆化的。
屏蔽件500还包括第一和第二翼部分518、520，从向前延伸部分504的区域横向向外延伸。每个翼部分518、520具有前边缘522、524，其从每个切口506、508的内角514、516向每个翼518、520的外端526、528延伸。从图5可以看出，翼部分518、520的前边缘522、524每个具有内部分530、532，内部分530、532具有前边缘，该前边缘具有距ABS 502基本恒定的凹进量。每个翼部分518、520还具有外楔形部分534、536，其每个具有楔形前边缘，该楔形前边缘具有随着距屏蔽件500的中心向外横向地增加距离而增加的凹进量。
每个楔形外部分534、536与其各自的恒定凹进内部分530、532的接合在每个翼518、520的前边缘处形成斜角。外部分534、536的楔形还导致屏蔽件500具有每个翼518、520的最接近ABS的最外角538、540，其也形成斜角。向前突出部分具有横向宽度W1，屏蔽件500具有在翼518、520的每个的最外端之间测量的总的横向宽度W2。优选地W1/W2为0.25至0.5。
继续参照图5，每个翼的恒定横截面内部分可以从向前突出部分504(即从向前突出部分的各侧面510、512)延伸一距离L1。每个翼部分518、520从其恒定横截面内部分530、532再延伸一距离L2。优选地，距离L2可为L1的约50-100％。恒定横截面内部分530、532每个具有从ABS 502的一凹进量(R1)，如上所述其优选为0.6-0.9μm或约0.75μm。翼518、520的楔形外部分534、536每个具有随着从屏蔽件500的中心增加的距离而增加的凹进，导致在翼518、520的外边缘处的一最大凹进量(R2)，其优选为R1的2至4倍或R1的约3倍。另外，内部恒定凹进部分的长度可以为凹进R1的约10至20倍。
仍参照图5，屏蔽件500的向前突出部分504可以认为是屏蔽件500的功能部分。如上所述，应注意，尽管关于屏蔽件描述结构500，但是其可以是磁头内的一些其它结构。例如，如果结构500用作用于磁致电阻传感器的屏蔽件，则突出部分504将是与磁致电阻传感器相邻地定位的部分，且因此将是屏蔽件500的主要用于使传感器从不需要的磁场屏蔽的部分。另一方面，如果结构500是例如磁极，例如写元件的返回极，则向前突出部分将是结构500的主要用于从介质导引磁场的部分，且因而在某种意义上用作返回极的功能部分。
无论结构500的功能如何，重要的是向前突出部分504不会变得磁饱和。根据本发明的结构500提供避免功能部分(向前突出部分)504的饱和，同时还防止杂散场写入之间的最优平衡。通过形成切口506、508，藉由移动翼部分518、520远离ABS，防止了杂散场写入。切口506、508应充分凹进从而防止杂散场写入，但不应深到导致磁通在向前突出部分504的侧部在角513、515处集中。另外，翼518、520的内部分530、532不应变得磁饱和。由于这些原因，对于翼的内部分530、532维持所需的恒定凹进R1。如上所述，该最小凹进优选地为0.6-0.9μm或约0.75μm。在翼的内部分530、532保持恒定凹进R1通过确保在该区域可得到足够的磁材料而有利地防止了磁饱和。内部分避免了饱和，同时还防止该区域中的杂散场写入。为了进一步防止杂散场写入，向前突出部分的角513、515可以是圆化的而不是尖锐的。
尽管翼518、520的内部分530、532的凹进R1防止了该区域中的杂散场写入，但是如果该恒定量的凹进一直维持到翼518、520的端部526、528，则很可能杂散场写入发生在翼518、520的最接近ABS的外角。为降低该风险，翼的外部楔形部分534、536逐渐使翼518、520的前边缘从ABS移开。这通过从ABS移开翼518、520的外角而防止了在外角处发生杂散场写入。然而，该渐变楔形还提供了这样的优点，即从恒定凹进内部分530、536到外部楔形部分534、536的过渡形成了浅斜角，其避免在该接合处产生磁通集中。如果在该接合处是尖锐的角，例如台阶，则可能该尖锐角会产生其自己的通量集中并将导致在该点的不希望的杂散场写入。外部分534、536的楔形凹进提供了另外的优点，即翼的外边缘526、528的角形成斜角，与较尖锐的90度角相比，该斜角进一步减少了该角处的通量集中。
因此，可以看出上述磁结构设计500有利地防止了任何不希望的杂散场有关的写入。该设计还有利地提供了磁通向结构500的功能性向前突出部分504的有效流动，防止了翼的内部分530、532的饱和并避免了向前突出部分504的饱和。
现在参照图6，在本发明的供选实施例中，向前突出部分504可以配置有倾斜侧面602、604，其可以相对于ABS形成30-45度角。该倾斜的或成角度的侧面602、604防止在填充凹进部分530、534与ABS 502之间的空间的氧化铝层中形成空洞。否则这些空洞会变成用于碎片收集的聚点，其会损害写头的性能和可靠性。所述倾斜的侧面提供了附加优点，即通过减小在向前突出部分的侧面的通量集中而进一步防止了杂散场写入。
虽然上面已经描述的各种实施例，但是应理解，它们仅以示例而不是限制的方式给出。落入本发明的范围内的其它实施例也将对本领域技术人员变得显然。例如，尽管本发明描述为接合进垂直记录系统中并特别适于用在这样的系统中，但本发明可以在包括纵向磁记录系统的任何磁记录系统中实践。因此，本发明的宽度和范围不应局限于任何上述示例性实施例，而应仅根据所附权利要求及其等价物来定义。

Claims (23)

1.一种用于在具有气垫面ABS的磁记录头中使用的磁结构，该磁结构包括：
居中设置的向前突出部分，朝向所述ABS延伸并终止于横向相对的第一和第二侧面；以及
横向延伸的第一和第二翼部分，从所述居中设置的向前突出部分的所述第一和第二侧面向外横向延伸；
所述第一和第二翼部分每个具有内部分和外部分，每个翼的所述内部分设置在所述翼的所述外部分与所述结构的所述居中设置的向前突出部分之间；
每个翼的所述内部分具有朝向所述ABS设置的前边缘，其从所述ABS凹进基本恒定的凹进距离；
每个翼的所述外部分具有朝向所述ABS设置的楔形前边缘，其从所述ABS凹进一凹进距离，该凹进距离随着距该结构的中心增大的距离而增大；
其中每个翼的所述内部分的所述前边缘从所述ABS凹进一距离R1，且每个翼的所述内部分从所述居中设置的向前突出部分横向延伸一距离L1，且L1是R1的10至20倍，
其中所述居中设置的向前突出部分的横向相对的所述第一和第二侧面是倾斜的，且所述第一和第二侧面倾斜的方式为从所述ABS凹进的凹进距离自所述磁结构的中部向外逐渐增加。
2.根据权利要求1的磁结构，其中每个翼的所述内部分的所述前边缘从所述ABS凹进0.6-0.9μm的凹进距离。
3.根据权利要求1的磁结构，其中每个翼的所述内部分的所述前边缘从所述ABS凹进0.75μm的凹进距离。
4.根据权利要求1的磁结构，其中每个翼的所述外部分在外端部具有最大的凹进量，其是所述内部分的凹进量的2至4倍。
5.根据权利要求1的磁结构，其中每个翼的所述外部分在外端部具有最大的凹进量，其是所述内部分的凹进量的3倍。
6.根据权利要求1的磁结构，其中所述磁结构包括NiFe。
7.根据权利要求1的磁结构，其中所述结构的所述居中向前突出部分延伸至所述ABS。
8.根据权利要求1的磁结构，其中所述居中向前突出部分的所述第一和第二侧面之间的距离定义第一宽度W1，且其中所述翼部分的最外端之间的距离定义总宽度W2，其中W1/W2为0.25至0.5。
9.根据权利要求1的磁结构，其中所述居中向前突出部分终止于横向相对的第一和第二侧面并在所述横向相对的第一和第二侧面处形成圆化的角。
10.一种用于在具有气垫面ABS的磁记录头中使用的磁屏蔽件，该磁屏蔽件包括：
磁结构，具有居中向前突出部分以及从所述居中向前突出部分横向延伸的横向相对的第一和第二翼部分，所述居中向前突出部分朝向所述ABS延伸并终止于横向相对的第一和第二侧面；
每个翼部分具有内部分和外部分，所述内部分具有朝向所述ABS设置且从所述ABS凹进一基本恒定的凹进距离的前边缘，所述外部分具有朝向所述ABS设置但从所述ABS凹进一凹进距离的前边缘，该凹进距离随着距该结构的所述居中部分增大的距离而增大；
其中每个翼的所述内部分的所述前边缘从所述ABS凹进一距离R1，且每个翼的所述内部分从所述居中设置的向前突出部分横向延伸一距离L1，且L1是R1的10至20倍，
其中所述居中向前突出部分的横向相对的所述第一和第二侧面是倾斜的，且所述第一和第二侧面倾斜的方式为从所述ABS凹进的凹进距离自所述磁结构的中部向外逐渐增加。
11.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中所述向前突出部分延伸至所述ABS。
12.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中每个翼的所述内部分设置在所述各翼的所述外部分与所述结构的所述居中向前突出部分之间。
13.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中每个翼的所述内部分具有从所述ABS凹进0.6-0.9μm的凹进距离的前边缘。
14.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中每个翼的所述内部分具有从所述ABS凹进0.75μm的凹进距离的前边缘。
15.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中每个翼的所述外部分的所述前边缘具有是R1的2至4倍的最大凹进R2。
16.根据权利要求10的磁屏蔽件，其中每个翼的所述外部分的所述前边缘具有是R1的3倍的最大凹进R2。
17.一种用于在磁记录头中使用的磁极，该磁极包括：
磁结构，具有居中向前突出部分以及从所述居中向前突出部分横向延伸的横向相对的第一和第二翼部分，所述居中向前突出部分朝向所述ABS延伸并终止于横向相对的第一和第二侧面；
每个翼部分具有内部分和外部分，所述内部分具有朝向气垫面ABS设置且从所述ABS凹进基本恒定的凹进距离的前边缘，所述外部分具有朝向所述ABS设置但从所述ABS凹进一凹进距离的前边缘，该凹进距离随着距该结构的该居中部分增大的距离而增大；
其中每个翼的所述内部分的所述前边缘从所述ABS凹进一距离R1，且每个翼的所述内部分从所述居中设置的向前突出部分横向延伸一距离L1，且L1是R1的10至20倍，
其中所述居中向前突出部分的横向相对的所述第一和第二侧面是倾斜的，且所述第一和第二侧面倾斜的方式为从所述ABS凹进的凹进距离自所述磁结构的中部向外逐渐增加。
18.根据权利要求17的磁极，其中所述向前突出部分延伸至所述ABS。
19.根据权利要求17的磁极，其中每个翼的所述内部分设置在所述各翼的所述外部分与所述结构的所述居中向前突出部分之间。
20.根据权利要求17的磁极，其中每个翼的所述内部分具有从所述ABS凹进0.6-0.9μm的凹进距离的前边缘。
21.根据权利要求17的磁极，其中每个翼的所述内部分具有从所述ABS凹进0.75μm的凹进距离的前边缘。
22.根据权利要求17的磁极，其中每个翼的所述外部分的所述前边缘具有是R1的2至4倍的最大凹进R2。
23.根据权利要求17的磁极，其中每个翼的所述外部分的所述前边缘具有是R1的3倍的最大凹进R2。
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