CN101038210A - 红外探测装置和使用其的红外成像装置 - Google Patents

Abstract

一种红外探测装置，包括：衬底；探测红外辐射的红外探测器；第一支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑红外探测器离开衬底；第二支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑红外探测器离开衬底；以及多条导线，其在红外探测器和衬底之间延伸，并全部提供到第一支撑部件。

Description

红外探测装置和使用其的红外成像装置

技术领域

本发明涉及一种具有热隔离结构的红外探测装置和一种使用该红外探测装置的红外成像装置。

背景技术

热隔离结构的一种基本的和代表性的例子公开在R.A.Wood的报告(Technical Digest of International Electron Devices Meeting，175-177页(1993))中，在此参考引进其全部内容，其中该热隔离结构实际中最常用于热红外固态成像设备中。

如附图4所示，光电探测器元件的膜片30被两个支撑腿21以如下方式支撑：膜片在硅衬底上方悬于空气中，在该硅衬底中形成有晶体管22。膜片、支撑腿21和晶体管22形成了红外探测装置。膜片30和支撑腿21都是由0.5μm厚的氮化硅制成的。温度敏感的电阻器设置在膜片30内。该温度敏感电阻器由约1000(或100nm)厚的薄多晶半导体膜制成。

多个红外探测装置形成在硅衬底内，并且每个红外探测装置都用于一个像素。硅衬底具有用于处理从所有像素输出的图像信号的处理电路。每个像素都具有用于执行切换的晶体管22中的一个。切换信号通过金属导线25被馈送到每个晶体管22的基极24上。

支撑腿21之一从形成晶体管22的发射极23的部分伸出。支撑腿21的另一个从垂直于金属导线25的金属导线26伸出。膜片中的温度敏感电阻器通过提供给两个支撑腿21的薄膜金属导线连接到发射极23和金属导线26。从而，支撑腿21每个都具有一条薄膜金属导线。

如果只用一个支撑腿支撑膜片，则支撑腿的数目是最小的。在日本专利翻译公开No.2004-527731中提出了该构造(见该公开的权利要求1)。

为了改善红外成像装置的灵敏度，通常的情况是减少从支撑腿散出的热量。发明人已经对比了只有一个支撑腿支撑膜片的情况下的散出的热量和两个支撑腿支撑膜片的情况下的散出热量。该对比结果显示，与只用一个支撑腿支撑相比，在原理上，用两个支撑腿进行支撑可以减少散出热量(见附图3A-3D)。

当力矩大小是当重力作用在膜片上时向下压迫膜片的力和支撑腿的基部与膜片的重心之间的距离的乘积时，认为该力矩可用作强度的指标，该强度指标代表了在膜片重量作用下支撑腿的变形有多强。当施加于支撑腿的力矩大小较小时，抑制支撑腿变形所需的支撑腿的横截面积较小。当使支撑腿的横截面积较小时，从支撑腿散出的热量就降低了。因此，较小的力矩大小可以减少散出的热量。

附图3A显示了一种(一腿型的)红外探测装置，其中只有一个支撑腿支撑膜片。在附图3A中，m表示膜片40的质量，g表示重力加速度，L表示支撑腿19的基部和膜片40的重心之间的距离。力矩大小M₁由表达式(1)获得。

M₁＝mgL  (1)

附图3B显示了一种(两腿型的)红外探测装置，其中两个支撑腿支撑膜片。在附图3B中，由m来表示质量的膜片40被两个支撑腿20支撑。每个支撑腿20的基部和膜片40的重心之间的距离如一腿型的情况那样由L表示。每个支撑腿20需要承受的力矩大小由M₂表示。

M₂＝M₁/2＝mgL/2  (2)

当表达式(2)满足时，可以认为一腿型中散出热量的下限等于两腿型中的。理由是用于抑制由力矩引起的其变形所需的一腿型的支撑腿19的横截面积等于用于抑制由力矩引起的其变形的两腿型的各支撑腿20的横截面积的和。

M₂＞mgL/2  (3)

当表达式(3)满足时，一腿型中散出的热量比两腿型中散出的热量减少得更多。

M₂＜mgL/2  (4)

当表达式(4)满足时，两腿型中散出的热量比一腿型中散出的热量减少得更多。

为了弄清满足表达式(2)-(4)中的哪一个，对使用两个支撑腿20分别支撑两个相等部分(见附图3C)的情况下施加于每个支撑腿20的力矩M₂’与一腿型和两腿型的情况下的力矩M₁和M₂的每一个进行对比，其中所述两个相等部分是切割两腿型的膜片40而成的。

首先，对附图3C中显示的情况下的力矩大小M₂’与一腿型的情况下的力矩大小M₁进行对比。在附图3C的情况下，作用于每个膜片40a上的重力是mg/2。每个膜片40a的重心都比两腿型的膜片40的重心更靠近用于支撑膜片40a的支撑腿20的基部(见附图3B)。换句话说，支撑腿20的每个基部和被支撑腿20支撑的膜片40a的重心之间的距离L’比一腿型的距离L短，该距离L是支撑腿19的基部和被支撑腿19支撑的膜片40的重心之间的距离。从而，附图3C显示的情况下施加于每个支撑腿20的力矩大小M₂’和施加于一腿型的支撑腿19的力矩大小M₁之间的关系可以用下面给出的表达式(5)来表达。

M₂’＝mgL’/2＜mgL/2＝M₁/2  (5)

表达式(5)表示附图3C显示的每个支撑腿20需要承受的力矩大小小于施加于一腿型支撑腿19的力矩大小M₁的一半。

接下来，对附图3C中显示的情况下的力矩大小M₂’与力矩被施加到每个支撑腿20而变形时的两腿型的情况下的力矩大小M₂进行比较。如附图3D所示，当两腿型的每个支撑腿20在施加的力矩的作用下变形时，发生反作用力T。该反作用力T在支撑腿中生成了抑制变形的恢复力。在变形发生之前，可以认为施加于两腿型的每个支撑腿20的力矩大小M₂等于施加于附图3C显示的情况下的每个支撑腿20的力矩大小M₂’。施加于两腿型的每个支撑腿20的力矩都被回复力减小了，因此两腿型的每个支撑腿20需要承受的力矩大小相应地下降了。从而，附图3C显示的情况下施加于每个支撑腿20的力矩大小M₂’和施加于两腿型的每个支撑腿20的力矩大小M₂之间的关系可以用下面给出的表达式(6)来表达。

M₂＜M₂’  (6)

根据表达式(5)和(6)，施加于一腿型的支撑腿19的力矩大小M₁、施加于两腿型的每个支撑腿20的力矩大小M₂和施加于附图3C所示的每个支撑腿20的力矩大小M₂’之间的关系可以用下面给出的表达式(7)来表达。

M₂＜M₂’＜M₁/2＝mgL/2  (7)

表达式(7)表示满足表达式(4)。从而，可以得出如下结论：可以比一腿型中更多地减少两腿型中流出的热量。

除了因为膜片重量导致的支撑腿变形之外，还产生了另一个问题。该问题是在制造该红外成像装置期间，包括支撑腿和膜片的微结构在残余应力的下而变形。在一腿型的情况下，支撑腿以如下方式变形：最大位移出现在位于距支撑腿的基部最远的一部分膜片中。在一腿型中不能抑制变形，因为该类型不具有减少位移以恰当地定位膜片的装置。在两腿型中比在一腿型中能更多抑制变形，因为两腿型允许位于距离一个支撑腿的基部最远的一部分膜片被另一个支撑腿支撑。

如上所述，两腿型中可以比一腿型中更多地减少散出热量。如附图4所示，两腿型的支撑腿每个都具有薄膜金属导线。金属导线的较小宽度导致了金属导线的较高电阻。金属导线的较高电阻然后导致温度敏感电阻器的电阻变化(温度变化)的速率较低，以及导致室温下工作的温度敏感电阻器的电阻与金属导线的电阻相加。因此，温度敏感电阻器的灵敏度降低了。因为支撑腿的宽度和金属导线的电阻之间的折衷关系，支撑腿的宽度相对大，以使金属导线的电阻相对低。结果，两腿型中散出热量大，如附图4所示。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高灵敏度的红外探测装置和使用该红外探测装置的红外成像装置。

根据本发明的一个方面的红外探测装置，包括：

衬底；

探测红外辐射的红外探测器；

第一支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑该红外探测器离开衬底；

第二支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑该红外探测器离开衬底；和

多条导线，其在红外探测器和衬底之间延伸，并都提供给第一支撑部件。

根据本发明的另一个方面的红外成像装置，包括：

衬底；

多个红外探测器，其沿着衬底排列，并探测红外辐射；

多个第一支撑部件，其分别支撑红外探测器离开衬底，并从衬底延伸至各红外探测器；

多个第二支撑部件，其分别支撑红外探测器离开衬底，并从衬底延伸至各红外探测器；和

多个基部，其被固定于衬底，其中之一被连接到支撑两个相邻红外探测器中的第一红外探测器的第一支撑部件的衬底侧的端部，以及支撑两个相邻红外探测器中的第二红外探测器的第二支撑部件的衬底侧的端部，其中

多条导线在每个红外探测器和衬底之间延伸，并且

所有多条导线都被提供给支撑红外探测器的第一支撑部件。

该红外探测装置和该红外成像装置能够减少散出热量。

附图说明

附图1是根据本发明的一个实施例的红外成像装置的平面图；

附图2是根据本发明的实施例的红外成像装置的横截面示意图；

附图3A是一腿型的红外探测装置的横截面示意图；

附图3B是两腿型的红外探测装置的横截面示意图；

附图3C是如下红外探测装置的横截面示意图，其中两腿型的红外探测装置的膜片被切割成两个相等部分；

附图3D是变形的两腿型的红外探测装置的横截面示意图；和

附图4是R.A.Wood的报告中公开的红外探测装置的透视图。

具体实施方式

根据本发明的一个实施例的红外成像装置包括多个红外探测装置的阵列。每个红外探测装置用作一个像素。参考图1和2，在其中形成有处理电路的衬底15的一个表面上方，用第一和第二支撑部件4和5悬挂地支撑包括在每个红外探测装置中的平板形膜片10。换言之，第一和第二支撑部件4和5在膜片10和衬底15之间延伸，且支撑膜片10离开衬底15。第一和第二支撑部件4和5沿膜片10的外围延伸。衬底15由硅构成。

红外成像装置包括多个膜片10。膜片10平行于衬底15设置，并沿衬底15的表面排列。图1示出了红外成像装置的一部分。一个膜片10被八个膜片10围绕。多个基部6固定于衬底15。一个基部6被四个膜片10围绕。第一和第二支撑部件4和5从衬底15的表面通过基部6延伸。第一支撑部件4在衬底15侧的端部与第二支撑部件5在衬底15侧的端部连接到公共基部6。这里，支撑部件4支撑两个相邻膜片10中的一个，支撑部件5支撑两个相邻膜片10中的另一个。公共基部6设置在两个相邻膜片10之间。

膜片10、第一和第二支撑部件4和5以及基部6由分层部件形成。在图1中，以阴影和其他图形示出了这些层，以使这些层彼此区别。阴影并不表示截面。图2示意性地示出了层的堆叠顺序。

膜片10具有多个薄膜辐射热测量计1，其每一个覆盖有下层保护膜11和层间膜12。层间膜12在图1中省略。在该实施例中提供四个薄膜辐射热测量计1。每个薄膜辐射热测量计1形成探测温度变化的温度传感器。pn结二极管可以取代薄膜辐射热测量计形成温度传感器。一个膜片10和四个薄膜辐射热测量计1形成探测红外辐射的红外探测器。优选地，薄膜辐射热测量计1由约30nm至约200nm膜厚的氧化钒(例如V₂O₃或VO_x)或氧化钛(TiO_x)构成。金属反射镜16面对着膜片10设置在衬底15上。金属反射镜16反射红外辐射。

薄膜辐射热测量计1沿膜片10设置成阵列。薄膜辐射热测量计1的阵列延伸通过膜片10的整个面积。四个薄膜辐射热测量计1通过多条导线2a彼此串联连接，每条导线由导电膜构成。设置薄膜辐射热测量计1的数量以便串联连接的薄膜辐射热测量计1具有期望的电阻值。

多条导线在红外探测器和衬底15之间延伸。所有这些导线被提供到第一支撑部件4。第二支撑部件5没有导线。在本实施例中，多条导线由第一和第二导线2和3构成。由导电膜构成的第一导线2从四个薄膜辐射热测量计1之一的预定部分通过第一支撑部件4延伸到固定区6a。固定区6a是基部6被固定到衬底15的区域。由导电膜构成的第二导线3从四个薄膜辐射热测量计1的另一个的不同部分通过第一支撑部件4延伸到固定区6a。第二导线3沿着膜片10的外围通过从而围绕薄膜辐射热测量计1通过。第二导线3形成在第一导线2上方。层间膜13形成在第一和第二导线2和3之间。层间膜13在图1中被省略了。

多个电极17设置在衬底15上并连接到形成于衬底15中的处理电路。电极17设置在固定区6a中。第一和第二导线2和3将红外探测器连接到电极17。处理电路处理从红外探测器输出的信号。衬底15以及在衬底15上的电极17和金属反射镜16覆盖有电路保护膜18。

第一和第二导线2和3在电极侧的部分层叠在衬底15上。第一和第二导线2和3的层包括在基部6中。电极17设置在基部6的下面。第一导线2上方的第二导线3的层通过形成在第一导线3下的第一导线2层中的孔7a连接到电极17之一。而且，第二导线3通过经由层间膜13、层间膜12、下层保护膜11和电路保护膜18的孔7c连接到电极17。第一导线2通过经由层间膜12、下层保护膜11和电路保护膜18的孔7b连接到其他电极17。膜片10、第一和第二支撑部件4和5以及基部6覆盖有上层保护膜14。上层保护膜14在图1中被省略了。

优选地，下层保护膜11、层间膜12和13以及上次保护膜14每一个由具有约20nm至约800nm膜厚的氧化硅膜(SiO或SiO₂)、氮化硅膜(SiN或Si₃N₄)或氮氧化硅膜(SiON)构成。如果第一导线2具有比薄膜辐射热测量计1更高的蚀刻选择性，则可以省略层间膜12。优选地，第一和第二导线2和3每个由约10nm至200nm厚的铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钛(Ti)、钨(W)或钼(Mo)膜构成。还优选地，第一和第二导线2和3每个可以由钛、铝和钒的合金(TiAlV)等、或诸如高掺杂硅(具有以高浓度掺杂的杂质的硅)的半导体构成。

为了提高红外探测器装置的灵敏度，需要第一和第二导线2和3的电阻与薄膜辐射热测量计1的电阻相比非常小。为此，需要第一支撑部件4内的第一和第二导线2和3的膜宽相对大。第一支撑部件4的宽度(以平行于衬底15的方向看第一支撑部件4的截面尺寸)大于导线膜的宽度。例如，当导线膜的每个宽度为1μm时，第一支撑部件4的典型宽度为约2μm。如果如在R.A.Wood的报告中所公开的红外探测器装置的情况下第一和第二支撑部件4和5的每一个具有一条导线，则第一和第二支撑部件4和5的每个宽度约为2μm。在本实施例中，可以使第二支撑部件5的宽度较小，因为并不为其提供导线。第一支撑部件4比第二支撑部件5厚。

根据由膜片10的重量和膜片10以及支撑膜片10的第一和第二支撑部件4和5中的残余应力中的至少之一引起的第二支撑部件5中的形变程度，来设置支撑膜片10的第二支撑部件5的厚度或宽度。设置第二支撑部件5的宽度以便能够抑制形变。优选地，根据由膜片10和由膜片10中以及第一及第二支撑部件4和5中的残余应力二者引起的第二支撑部件5中的形变程度，来设置第二支撑部件5的厚度或宽度。只要能抑制第二支撑部件5中的形变，第二支撑部件5的宽度就在宽度范围内。更优选地，第二支撑部件5的宽度在宽度范围内最小化。

如上所述，膜片10和第二支撑部件5由分层部件形成。形成第二支撑部件5的下层保护膜11、层间膜12和13以及上层保护膜14延伸通过膜片10和第二支撑部件5二者。层厚的增加在使第二支撑部件5坚固的同时，引起膜片10的重量增加和层中残余应力的增大。层厚的减小在使第二支撑部件5不牢固的同时，引起膜片10的重量减小和层中残余应力的减小。因此，第二支撑部件5的最小宽度不依赖于层厚。为了获得最小宽度，发明人已经通过使用用于淀积的常规装置进行了实验。实验中获得的最小宽度约为0.5μm。

对两个红外探测装置中散出的热量进行相互比较。具体地，在其中一个红外探测装置中将导线独立地提供到第一和第二支撑部件4和5的每一个(下文中称为“分布型红外探测装置”)。另一红外探测装置是根据本实施例的红外探测装置。这些红外探测装置具有1μm宽的导线。由上述可见，具有导线的支撑部件的每个宽度约为2μm。这里，具有导线的支撑部件的每个宽度设置为2μm。没有导线的支撑部件的每个宽度设置为0.5μm，其为本发明人进行实验所得的最小宽度，如上所述。分布型红外探测装置的下层保护膜11、层间膜12和上层保护膜14的厚度与根据本实施例的红外探测装置的膜11、12和14的厚度相同。根据本实施例的红外探测装置中的散出热量与分布型红外探测装置中的散出热量的比值为(2μm+0.5μm)比(2μm+2μm)，即，0.625。

当第二支撑部件5的宽度减小时，膜片10的面积可以增大。对分布型红外探测装置膜片10的面积与根据本实施例的红外探测装置的膜片10的面积进行比较。以与上述相同的方式设置红外探测装置的部件尺寸。分布型红外探测装置的第二支撑部件5的宽度与根据本实施例的红外探测装置的宽度之间的差为1.5μm。可以使根据本实施例的红外探测装置的膜片10的面积比分布型红外探测装置的膜片10的面积大如下值，即第二支撑部件5的长度和第二支撑部件5的宽度之间的差1.5μm的乘积。当像素的间距约为30μm时(其等于像素的典型间距)，膜片10的面积的增大比率位于约13％和约15％之间。

在本实施例中，两个支撑部件4和5连接到一个基部6。对根据本实施例的红外成像装置与如图4所示的两个支撑部件分别被连接到两个不同基部的红外成像装置进行比较。从衬底15的法线方向看的根据本实施例的红外成像装置的(两个支撑部件4和5所连接到的)一个基部6的面积约为以相同方向看的图4所示的红外成像装置的两个基部(每一个都连接到一个支撑部件)的面积之和的0.6倍(在连接衬底上的导线和电极的接触周围约有1μm空白的情况下)。可以使根据本实施例的红外探测装置的膜片10的面积比图4所示的红外成像装置的膜片的面积大如下量，即，基部6的面积的减小量。当像素的间距约为30μm时，膜片10的面积增大比率在约9％至约11％之间。由于如前所述的基部面积和第二支撑部件的宽度的减小而引起的膜片面积的增大使红外成像装置的灵敏度提高了约22％至约26％。

根据本实施例的上述描述，本发明人制造了具有320×240像素和30μm像素间距的红外成像装置。第一支撑部件4的宽度为2μm，且第二支撑部件5的宽度为0.5μm。基部6的面积为54μm²。孔径比约为74％。下层保护膜11、层间膜12、层间膜13和上层保护膜14每个都由氮氧化硅膜构成且分别为200nm、50nm、150nm和200nm厚。膜11至14的厚度总和为600nm。薄膜辐射热测量计1由70nm厚的氧化钒膜构成。每条导线由钛、铝和钒的膜构成。第一和第二导线2和3的每一个具有1μm的宽度和30nm的厚度。

本发明人还制造了不同的红外成像装置，其中通过两个支撑部件支撑膜片。两个支撑部件的每一个具有一条导线，且分别连接到两个不同基部。与前述制造的红外成像装置的情况相同，该不同的红外成像装置具有320×240像素和30μm的像素间距。形成该不同的红外成像装置的层与如前所述制造的红外成像装置的那些层相同。两个支撑部件的每一个具有2μm的宽度。用于支撑一个膜片的两个基部的面积总和为90μm²。孔径比为约60％。根据本实施例的描述制造的红外成像装置的孔径比比该不同的红外成像装置的孔径比大23％(＝(0.74/0.6-1)×100％。下层保护膜的厚度为300nm，上层保护膜的厚度为250nm。与根据本实施例的描述制造的红外成像装置的层间膜12相对应的层间膜的厚度为50nm。未提供与层间膜13相对应的部件。这些膜的厚度总和为600nm。薄膜辐射热测量计和导电导线的尺寸与根据本实施例的描述制造的红外成像装置的那些尺寸也相同。

估计像素的导热性以便比较从制造的红外成像装置的支撑部件散出的热量。该比较证实了，与不同的红外成像装置中的散出热量相比，根据本实施例的描述制造的红外成像装置的散出热量减少了约30％。此外，证实了根据本实施例的描述制造的红外成像装置的灵敏度约为不同的红外成像装置的1.6倍。装置的灵敏度增大的原因在于散出热量的减少和孔径比的增大。

上述根据本实施例的红外成像装置可以适用于用在红外相机、热红外成像等中的红外线电视(noctovision)。

本申请基于2006年3月17日提出的在先日本专利申请No.2006-075122并要求其优先权，在此引入其全部内容以作参考。

本领域技术人员容易发现其他优点和改变。因此，本发明更广泛的方面不限于在此所示并描述的具体细节。因此，在不脱离由权利要求及其等价物限定的一般发明概念的精神或范围的情况下可以进行各种改变。

Claims (14)

1.一种红外探测装置，包括：

衬底；

探测红外辐射的红外探测器；

第一支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑红外探测器离开衬底；

第二支撑部件，其在红外探测器和衬底之间延伸，并支撑红外探测器离开衬底；和

多条导线，其在红外探测器和衬底之间延伸，并都被提供给第一支撑部件。

2.根据权利要求1的红外探测装置，其中第一支撑部件比第二支撑部件厚。

3.根据权利要求1的红外探测装置，其该红外探测器包括膜片和提供给膜片的温度传感器。

4.一种红外成像装置，包括：

衬底；

多个红外探测器，其沿着衬底排列，并探测红外辐射；

多个第一支撑部件，其分别支撑红外探测器离开衬底，并从衬底延伸至各红外探测器；

多个第二支撑部件，其分别支撑红外探测器离开衬底，并从衬底延伸至各红外探测器；和

多个基部，其被固定于衬底，并且其中一个被连接到支撑两个相邻红外探测器中的第一红外探测器的第一支撑部件的衬底侧的端部，以及被连接到支撑两个相邻红外探测器中的第二红外探测器的第二支撑部件的衬底侧的端部，其中

多条导线在每个红外探测器和衬底之间延伸，并且

所有多条导线都被提供给支撑红外探测器的第一支撑部件。

5.根据权利要求4的红外成像装置，其中每个第一支撑部件都比第二支撑部件厚，该第二支撑部件支撑由第一支撑部件支撑的红外探测器。

6.根据权利要求4的红外成像装置，其中每个红外探测器包括膜片和提供给膜片的温度传感器。

7.一种红外成像装置，包括：

探测红外辐射的多个红外探测器；

衬底，在其中形成有用于处理由红外探测器输出的信号的处理电路；

被提供给衬底并连接到处理电路的多个电极；

从衬底的一个表面延伸的多个第一支撑部件，其支撑红外探测器使其悬在衬底表面上方，并且其每一个都具有连接电极和由第一支撑部件支撑的红外探测器的多条导线；和

从衬底的所述表面延伸的多个第二支撑部件，其分别支撑红外探测器使其悬在衬底表面上方，并且其没有导线。

8.根据权利要求7的红外成像装置，其中每个红外探测器包括膜片和提供给膜片的温度传感器。

9.根据权利要求8的红外成像装置，其中基于由包括在红外探测器中的膜片的重量、以及膜片与支撑红外探测器的第一和第二支撑部件中的残余应力中的至少一个引起的第二支撑部件中的变形程度，来设置支撑每个红外探测器的第二支撑部件的厚度。

10.根据权利要求9的红外成像装置，其中

只要抑制了第二支撑部件中的变形，那么第二支撑部件的宽度就在宽度范围内，并且

第二支撑部件的宽度在宽度范围内被最小化。

11.根据权利要求8的红外成像装置，其中

连接到每个红外探测器的多条导线包括第一导线和第二导线，第一导线从包括在红外探测器中的温度传感器的预定部分延伸，并且通过支撑红外探测器的第一支撑部件连接到电极之一，第二导线从温度传感器的不同部分延伸，并且通过第一支撑部件连接到电极中的另一个，和

第一和第二导线中的至少一个沿着包括在红外探测器中的膜片的外围通过，从而围绕该温度传感器通过。

12.根据权利要求7的红外成像装置，其中

多个基部被固定于衬底，并且

基部中一个被连接到支撑两个相邻红外探测器中的第一红外探测器的第一支撑部件的衬底侧的端部，以及支撑两个相邻红外探测器中的第二红外探测器的第二支撑部件的衬底侧的端部。

13.根据权利要求12的红外成像装置，其中多个电极被布置在衬底的下述区域中，在所述区域中基部被固定于衬底。

14.根据权利要求13的红外成像装置，其中

连接到第一红外探测器的多条导线在电极侧的部分层叠在衬底上，

导线的层包括在基部中，

电极布置在基部下面，并且

通过下布线层中形成的孔，上布线层被连接到电极之一。

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