CN101033984A - 用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法 - Google Patents

用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101033984A
CN101033984A CNA200610064336XA CN200610064336A CN101033984A CN 101033984 A CN101033984 A CN 101033984A CN A200610064336X A CNA200610064336X A CN A200610064336XA CN 200610064336 A CN200610064336 A CN 200610064336A CN 101033984 A CN101033984 A CN 101033984A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
read
terminal
reads
capacitive sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200610064336XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101033984B (zh
Inventor
托马索·昂加里蒂
欧内斯托·拉萨兰德拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Thomson Microelectronics SRL filed Critical SGS Thomson Microelectronics SRL
Publication of CN101033984A publication Critical patent/CN101033984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101033984B publication Critical patent/CN101033984B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

电容性传感器的读取装置包括：信号源(104、C1、C2)，提供驱动所述电容性传感器(101)的第一电读取信号(VRD)；和离散时间读取电路(107)，响应于所述电读取信号(VRD)的变化，产生和所述电容性传感器(101)的电容变化(ΔCS)有关的电输出信号(VOM)。该装置还包括：调制器级(105、106)，用于根据电读取信号(VRD)产生调制的电读取信号(VRDM)和向所述电容性传感器(101)提供调制的电读取信号(VRDM)；解调器级(110)，连接到读取电路(107)，用于解调电输出信号(VOM)，并产生解调的电输出信号(VOM)；和低通滤波级(112)，用于根据调制的电输出信号(VOM)产生滤波的电输出信号(VOC)。

Description

用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法
技术领域
本发明涉及一种用于读取电容性传感器，尤其是微机电型的电容性传感器的装置和方法。
背景技术
已知的是，电容性传感器的使用连续地扩展到多种应用中，其中消耗的减少是根本目标。例如，不同类型的电容性惯性微机电系统(MEMS)传感器日益增长地经常应用在便携式电子装置的宽广范围中，例如蜂窝电话、掌上电脑、数字便携式摄像机和照相机等等，它们由电池自主地供电。显然，在这种情况下这种消耗的减少对于增加装置的独立性是绝对必要的。
为了最小化功率吸收，已经用开关电容器(SC)读取电路(sense circuit)替换了用于电容性传感器的极常见的传统连续时间读取电路，该开关电容器读取电路非常适用于以低电源电压和极低的电流消耗的操作。在并列的方式中，已经研发了用于最优化读取精度和灵敏性的读取技术。例如，所谓的“相关的双重抽样”(CDS)技术使得能够有效地消除由可能的偏移导致的干扰和使用的电子设备(典型地，包括充电放大器的充电电压转换器)的低频噪声(1/f噪声，或者闪烁噪声)。
借助于例子，图1-3示出了使用CDS技术读取微分MEMS型的电容性惯性传感器1的不同步骤。特别地，在图1-3中，惯性传感器1借助于等效电路图表示并包括：具有第一公共端子的第一读出电容器2a和第二读出电容器2b，该第一公共端子形成惯性传感器1的驱动端子1c。第一读出电容器2a和第二读出电容器2b的第二端分别形成惯性传感器1的第一读出端子1a和第二读出端子1b。实际上，两个电容器2a、2b具有微分变化的电容器，也就是，当惯性传感器1没有受到要被读取的数量时，它们在停止时具有相同的电容CS，并且当惯性传感器1沿着预设轴读取数量时，显示出相等振幅和相反符号的电容变量。
读取电路3和惯性传感器1相关联，并包括：信号源4、充电电压转换器5和消除级7。
信号源4连接到惯性传感器1的驱动端子1c并提供阶跃的读取电压VRD。
充电电压转换器5包括：全微分开关电容器充电放大器10；具有连接在第一输入和第一输出之间的第一积分电容器11a和连接在第二输入和第二输出之间的第二积分电容器11b。而且，充电放大器10的第一输入和第二输入分别连接到惯性传感器1的第一读出端子1a和第二读出端子1b。
消除级7包括：分别和充电放大器10的第一输出和第二输出串联连接的第一保持电容器12a和第二保持电容器12b。而且，第一保持电容器12a和第二保持电容器12b的端子分别形成读取电路3的第一输出3a和第二输出3b。
在第一个步骤或者复位步骤中，信号源4(这里用虚线表示)将惯性传感器1的驱动端子1c驱使为接地值。相反将充电放大器10的第一输入和第二输入引导到参考线15，其提供恒定参考电压VREF，而，将第一输出和第二输出短路。为此目的，连接在参考线15和充电放大器10的各个输入之间的第一复位开关16a、1b以及布置在充电放大器10本身的输出之间的第二复位开关16c进入闭合状态。
在第二个步骤或者偏移消除步骤中，第一复位开关16a、16b和第二复位开关16c在断开的状态，同时惯性传感器1的驱动端子1c仍然保持在地电压。而且，连接在参考线15和第一输出3a之间的第一消除开关18a，以及连接在参考线15和第二输出3b之间的第二消除开关18b是闭合的。以这种方式，任何可能的干扰，例如1/f噪声，和由充电放大器10引入的可能的偏移导致充电放大器10本身的输出之间的消除电压VC。消除电压VC实际上存储在第一保持电容器12a和第二保持电容器12b中。
最后，执行第三步骤或者读出步骤，其中第一复位开关16a、16b，第二复位开关16c和消除开关18a、18b是断开的，以及信号源(用实线表示)向惯性传感器1的驱动端子1c提供阶跃的读取电压VRD。通过第一读出电容器2a和第二读出电容器2b，将分别和惯性传感器1的电容性不平衡有关的第一读取电荷QA和第二读取电荷QB提供给充电放大器10的输入并转化成粗略的输出电压VOR，其包括：由于充电放大器10导致的噪声和偏移的贡献。消除级7减去了消除电压VC，该电压通过第一保持电容器12a和第二保持电容器12b存储。为了响应读取电压VRD的步骤，然后，读取电路3提供校正的输出电压VOC，其基本上不受由电子设备引入的低频噪声和偏移的贡献的影响。
虽然对于消除所述的干扰有效，但是CDS技术不能抑制充电放大器10上游产生的低频干扰。所述干扰可能具有不同的来源，但是基本上采用平行于由于惯性传感器1进行的电荷(QA，QB)注入产生的电流而提供的微分干扰电流ID(在图4中示意性地用电流发生器20表示干扰)。特别地，干扰的重要来源由第一复位开关表示，即使当断开时其也具有耗散电流(高达几纳安培的强度)。另外，问题变得日益严重，因为还要减少整体尺寸的需求在用作具有非常短沟道的开关MOS晶体管的方向上推进，其更多地遭受电流泄漏。干扰的其它原因是不可避免的热偏移和元件的老化，使得寄生电阻的路径可以形成在惯性传感器1内部。
发明内容
本发明的目的是提供一种读取电容性传感器的装置和方法，其将能够克服上述的缺点。
根据本发明电容性传感器的读取装置包括：
信号源，提供用于驱动所述电容型传感器的第一电读取信号；和
离散时间读取电路，可连接到所述电容性传感器，产生和所述电容性传感器的电容变化有关的第一电输出信号，用于响应所述第一读取信号的变化；
其特征在于，它包括：
调制器级，和所述信号源相关联，用于根据所述第一电读取信号产生调制的第二电读取信号和向所述电容性传感器提供所述第二电读取信号；
解调器级，连接到所述读取电路，用于解调所述第一电输出信号，并产生解调的第二电输出信号；和
低通滤波级，连接到所述解调器级，用于根据所述第二电输出信号产生滤波的第三电输出信号。
而且，根据本发明，用于读取电容性传感器的方法包括步骤：
产生用于驱动电容性传感器的第一电读取信号；和
为了响应所述第一电读取信号的变化，离散时间产生和所述电容性传感器的电容变化有关的第一电输出信号；
其特征在于，它包括步骤：
调制所述电读取信号，用于产生调制的第二电读取信号；
通过所述第二电读取信号驱动所述电容性传感器；
解调所述第一电输出信号，用于产生解调的第二电输出信号；和
低通滤波所述第二电输出信号，用于产生第三滤波的电输出信号。
附图说明
为了更好地理解本发明，现在完全借助于非限定性的例子并参考附图描述其实施例，其中：
图1-3示出了在读取方法的三个连续步骤中已知读取电路的简化电路图，其也是已知的；
图4示出了图1-3中所示的电路和干扰源的示意图；
图5是根据本发明的第一个实施例的电容性传感器的读取装置的简化框图；
图6a-6e是说明存在于图5中所示的装置中的各个信号的频谱图；
图7是图5所示的装置的简化电路图；
图8a-8h是说明存在于图5中所示的装置中的各个信号的时间曲线图；
图9a-9f示出了在两个连续读取周期(read cycle)过程中，在各个可操作的结构中，图5中所示的装置；
图10是根据本发明第二个实施例的电容性传感器的读取装置的简化框图；
图11是根据本发明第三个实施例的电容性传感器的读取装置的简化框图；以及
图12是包含图11所示的读取装置的电子设备的简化框图。
具体实施方式
图5中所示的并用附图标记100标明的是用于检测加速度的装置，包括：微分电容性MEMS类型的惯性传感器101和与惯性传感器101相关联的读取装置103。然而，不必认为下文中将要描述的例子局限于此，因为本发明可以用于任何类型的读电容性传感器。
本身已知的惯性传感器101包括：可移动体(未示出)，其相对于固定体(也没有示出)是可以移动的并电容性地耦合到那里，以便于实际上形成第一读出电容器102a和第二读出电容器102b(参见图7的该项)。第一读出电容器102a和第二读出电容器102b的电容依赖于可移动体相对于固定体的相对位置并以不同的方式变化。实际上，当惯性传感器1没有受到要被读取的数量时，第一读出电容器102a和第二读出电容器102b具有相同的复位电容CS，并且当惯性传感器1读取沿着预定轴的加速度时，显示出相等振幅和相反信号的电容变量ΔCS。在图5中，用电流发生器150示意性地表示由惯性传感器101引起的干扰，其将干扰电流ID注入到读取装置103的输入中。
读取装置103是离散时间型的，并包括：信号源104、调制器级105和读取电路107、解调器级110和低通滤波器112。而且，相位发生器级113产生多个计时信号S1-S6，对于读取装置103的不同部件的协调操作是必要的。在更具体的细节中，相位发生器级113包括：振荡器113a和由振荡器113a控制的多个时间模块C1-C6，其每一个产生分别的计时信号S1-S6。
信号源104提供阶跃的读取电压VRD，优选其振幅等于最大动态可利用的，在所述的实施例中，其等于电源电压VDD(例如3V)。
调制器级105布置在信号源104和惯性传感器101之间，并调制读取电压VRD，在每个读取周期中交替地将其乘以+1和-1(例如，读取频率包含在10和100kHz之间)。实际上，方波的调制读取电压VRDM存在于调制器级105的输出上，并提供给惯性传感器101。在调制读取电压VRDM的每个边缘上对惯性传感器101进行读取，即上升沿和下降沿。
读取电路107包括：充电电压转换器108和消除级109。
开关电容器类型的充电电压转换器108设置在惯性传感器101的下游。尤其是，充电电压转换器108接收第一读取电荷QA和第二读取电荷QB，它们由惯性传感器101提供以响应调制的读取电压VRDM并和第一读出电容器102a和第二读出电容器102b的电容微分变化量ΔCS有关。
消除级109和充电电压转换器108的输出串联连接，并用于消除偏移和充电电压转换器108本身引入的低频噪声。调制的输出电压VOM存在于消除级109的输出之间。
将解调器110级联到消除级109，用于接收调制的输出电压VOM，其在每个读取周期中交替地再次乘以+1和-1，并转化成解调的输出电压VOD。
最后，低通滤波器112接收解调的输出电压VOD，消除高频成分并提供校正的输出电压VOC。
除了低压噪声和由于充电电压转换器108引入的偏移之外，读取装置103也能够抑制由于惯性传感器的干扰。实际上调制能够隔离读取电压VRD的谐波含量和由惯性传感器101导致的干扰引起的电容变化量ΔCS。尤其是，在高频时调制转化电容变化量ΔCS的频谱，电容变化量ΔCS和由惯性传感器101检测的数量有联系(也就是，有用的信号，图6a和6b)，而，干涉充电电压转换器108的下游的干扰成分保留在基带中(图6c，调制的输出电压VOM)。实际上，解调颠倒了内容，以及因此将有用的成分恢复到基带中，有用的成分包含关于惯性传感器1的电容变化量ΔCS的信息，而，在高频时转化干扰成分(图6d，解调的输出电压VOD)。然后可以很容易地通过低通滤波器112消除干扰，假设读取频率足够高(图6e，校正的输出电压VOC；和被抑制的干扰有关的谐波成分，以及分别用虚线和虚实线表示的低通滤波器112的转换功能)。
图7示出了加速度-检测装置100的更具体的电路实现。
用第一读出电容器102a和第二读出电容器102b示意性地表示惯性传感器101，其具有形成驱动输入101c的公共端子和形成第一读出端子101a和第二读出端子101b的各自的第二端子。
信号源104和调制器级105由单一的电路构成，下文中称作调制源106，包括：设置为地电压VGND(0V)的地线115、提供电源电压VDD的电源线116和分别受到第一计时信号S1和第二计时信号S2(由第一计时器模块C1和第二计时器模块C2分别产生第一计时信号S1和第二计时信号S2)控制的第一读取开关118a和第二读取开关118b。更精确地，第一读取开关118a和第二读取开关118b具有共同连接到惯性传感器101的驱动端子101c的端子；而且，第一读取开关118a连接到地线115，而第二读取开关118b连接到电源线116。
充电电压转换器108包括：全微分开关电容器充电放大器120；具有连接在第一输入和第一(非反相)输出之间的第一积分电容器121a和连接在第二输入和第二(反相)输出之间的第二积分电容器121b。充电放大器120的第一输入和第二输入分别连接到惯性传感器101的第一读出端子101a和第二读出端子101b。另外，充电放大器120的第一输入和第二输入可以选择性地连接到参考线123，分别通过第一复位开关125a和第二复位开关125b提供恒定的参考电压VREF。第三复位开关连接在充电放大器120的输出之间。所有的复位开关125a、125b、125c受到一个以及同一个第三计时信号S3控制，第三计时信号S3是通过相位发生器级113的第三计时器模块C3产生的。
消除级109包括：分别和充电放大器109的第一输出和第二输出串联连接的第一保持电容器122a和第二保持电容器122b。
解调器级110具有第一输入110a和第二输出110b以及第一输出110c和第二输出110d。第一直接连接开关127a和第二直接连接开关127b分别连接在第一输入110a和第一输出110c之间以及第二输入110b和第二输出110d之间，并受到同一第四计时信号S4控制，第四计时信号S4是由第四计时器模块C4产生的。第一交叉连接的开关127c和第二交叉连接的开关127d分别连接在第一输入110a和第二输出110d之间以及第二输入110b和第一输出110c之间，它们受到同一第五计时信号S5控制，第五计时信号S5是由第五计时器模块C5产生的。尤其是，控制直接连接开关127a、127b和交叉连接开关127c、127d，使得在连续读取周期中反相解调器级110的输入110a、110b和输出110c、110d之间的连接。换句话说，如果在读取周期RDK中第一输入110a连接到第一输出110c以及第二输入110b连接到第二输出110d，在紧接着的保证读取周期RDK+1中，第一输入110a连接到第二输出110d，以及第二输入110b连接到第一输出110c。在连续的读取周期中RDK、RDK+1中，那么，解调输出电压VOD的符号和调制输出电压VOM的符号一次相等(乘以+1)和一次相反(乘以-1)。
而且，解调器级110的第一输出110c和第二输出110d分别通过第一消除开关128a、第二消除开关128b选择性地连接到参考线123，它们受到同一第六计时信号S6的控制，第六计时信号S6是由相位发生器级113的第六计时器模块C6产生的。
最后，在这里描述的实施例中，低通滤波器112是离散时间模拟类型的并基本上设置成便于计算解调输出电压VOD的连续采样对(或者在任何情况中的偶数)的算术平均值。因此校正的输出电压Voc和所述算术平均成正比。
将在下文中还参考图8a-8g解释加速度检测装置100的操作，其表示在两个连续读取周期RDK、RDK+1中对应于调制的读取电压VRDM(图8a)和计时信号S1-S6(图8b-8g)的时间曲线。借助于参考，图8h示出了读取电压VRD的理论演变，在图7所示的读取装置103中该读取电压VRD的理论演变是不明显的，因为信号源104和调制器级被提供在单一的电路中。在每一个读取周期RDK、RDK+1中，分别用R、C和S表示复位、偏移消除和读取的步骤。而且，理解的是，当计时信号S1-S6假定逻辑值为“1”和“0”时，相应的开关分别在闭合状态和断开状态。
图9a-9f以简单的方式示出了，两个读取周期RDK、RDK+1的复位、消除和读取的多个步骤中加速度-检测装置100的结构。尤其是，只示出了每次使用的部分。
在整个读取周期RDK中，解调器级110的直接连接开关127a、127b闭合，交叉连接开关127c、127d(未示出)断开。
在读取周期RDK的复位步骤中，为读取电路107固定直流电压的初始电平。具体地，开关源106保持惯性传感器101的驱动端子101c接地(图9a，其中第一读取开关118a闭合，而没有示出的第二读取开关118b断开)。复位开关125a、125b、125c都闭合：因此，惯性传感器101的输出101a、101b和充电放大器120的输入连接到参考线123，而充电放大器120的输出被短路(复位结构)。同样消除开关128a、128b也是闭合的，由此将解调器级110的输出110c、110d和消除级109的电容器122a、122b连接到参考线123。
在随后的消除步骤中(图9b)，复位开关125a、125b、125c(未示出)和消除开关128a、128b一起都是断开的。由充电放大器120引入的任何可能偏移存储在消除级109的电容器122a、122b上。
然后执行读出步骤(图9c)。具体地，第一读取开关118a和消除开关128a、128b(这里不再示出)是断开的，而第二读取开关118b是闭合的。以这种方式，惯性传感器101的驱动端子101c连接到电源线116并由此接收具有等于VDD的正电压阶跃(在图9c中示意性示出的)。为了响应正电压阶跃，消除级109的输出提供调制的输出电压VOM值，和惯性传感器101的电容变化ΔCS有关系，然而，其不保持恒定。实际上，通过充电放大器120积分的干扰电流ID(基本上恒定)，并且它将对惯性传感器101的电荷注入产生影响，并导致调制的输出电压VOM以第一符号漂移。而且，解调的输出电压VOD和调制的输出电压VOM的绝对值和符号都相等。
读取周期RDK到了最后，执行下一读取周期RDK+1。在这种情况中，调制的源106在复位和消除步骤中将惯性传感器101的驱动端子101c保持为电源电压VDD并在读出步骤中提供负电压阶跃。
更具体地，在复位步骤中(图9d)，第二读取开关118b、复位开关125a、125b、125c和消除开关128a、128b闭合，而第一读取开关118a(这里未示出)断开。而且，解调器级110的交叉连接开关127c、127d闭合，以及直接连接开关127a、127b(未示出)断开。因此，解调器级110的第一输入110a和第二输入110b分别连接到第二输出110d和第一输出110c(实际上，连接相对于紧接着之前的读取周期RDK是相反的)。可替换地，在每个周期中，在复位步骤结束时，而不是在开始时，可能发生直接连接开关127a、127b和交叉连接开关127c、127d的切换。
在随后的消除步骤中(图9e)，复位开关125a、125b、125c(未示出)切换，而，消除开关128a、128b保持闭合：由于偏移和低频噪声的贡献由此存储在消除级109的保持电容器122a、122b中。
在读出步骤(9f)中，在第一读取开关118a是闭合的，而第二读取开关118b(未示出)是断开的。随后，调制的读取电压VRDM表示具有振幅等于-VDD的负阶跃。在所使用的读取频率，从消除级109上输出的调制的输出电压VOM具有与其在之前的读取周期RDK中具有的基本上相同的绝对值，但是具有相反的符号，因为它是响应负电压阶跃产生的。干扰电流ID的影响相反是相等的。而且，解调级110将第一输入110a和第二输入110b与第一输出110c和第二输出110d的连接反相，使得解调输出电压VOD具有相同的绝对值，但是相对于调制的输出电压VOM是符号相反的。
实际上，归功于调制源106和解调器110的作用，在任何两个连续的读取周期中，干扰电流ID对于解调的输出电压VOD的影响具有相反的符号。由于低通滤波器112对解调输出电压VOD的偶数采样执行算术平均值，基本上消除了干扰电流ID和因此充电放大器120的所有可能分散的上游的影响。调制源106和解调器级受计时信号(第一、第二、第四和第五计时信号S1、S2、S4、S5)的控制，它们具有是用于复位和消除(第三和第六计时信号S3、S6)的周期两倍的周期。以这种方式，可能反向连续读取周期中调制的读电压VRDM和解调的输出电压VOD之间的符号的关系，它们具有相同逻辑顺序的阶跃。
这里所述的装置以特别有利的方式开发了离散时间模拟电路的特征，尤其是开关电容器的特征，用于实现读电压的调制和输出电压的解调。通过极其简单和有效的电路方案提供调制源106和解调级110，因为，实际上，使用了由相位发生器级113适当控制的开关。同样从速度和功耗的观点来看，所述的方案提供相当可观的优点。
图10示出了本发明的第二个实施例。在该情况中，加速度监测装置200包括：之前已经描述的微分电容性MEMS型的惯性传感器201和与惯性传感器201相关联的读取装置203。离散时间型的读取装置203包括：信号源204、调制级205、读取级207，其依次包括：基本上和上述装置一样的充电电压转换器208、消除级209、解调级210和相位发生器级213。而且，读取装置203包括：低通型的σ-δ(sigma-delta)模数转换器，更简单地称作σ-δ转换器212，其连接到解调级210的下游。在这种情况中，σ-δ转换器212还有利地集成了低通滤波器的功能，并因此抑制了由于充电电压转换器208的分散上游导致的干扰电流ID的影响。σ-δ转换器212的输出产生校正的数字加速度信号AC，该加速度信号直接来源于由解调器级210提供的调制的输出电压VOD。
根据本发明的第三个实施例(图11中所示的)，加速度检测装置300包括：之前已经描述的微分电容性的MEMS型的惯性传感器301和与惯性传感器301相关联的读取装置303。离散时间型的读取装置303包括：信号源304、调制级305、读取级307，其依次包括基本上和上面已经所述的装置一样的充电电压转换器308、消除级309、解调级310和相位发生器级313。而且，读取装置303包括：σ-δ转换器311和数字型的低通滤波器312，级联到解调级310的彼此下游。
σ-δ转换器312的输出产生来源于解调的输出电压VOD的解调的数字加速度信号A，数字加速度信号A来源于由解调器级310提供的解调的输出电压VOD。在解调的数字加速度信号A中，仍然存在由于充电电压转换器308的分散上游导致的干扰电流ID的影响。
低通滤波器312接收解调的数字加速度信号A，并计算偶数采样的平均值，用于产生校正的数字加速度信号AC。
如图12示意性示出的，低通滤波器312可以有利地集成在电子装置320的处理单元318中，电子装置320包含加速度检测装置300，例如，只列举出一些例子，蜂窝电话、便携式电子计算机或者掌上计算机、用于计算机系统的硬盘装置或者所指外围设备的控制单元。而且，可以通过适当配置的微处理器或者，可替换地，通过专用的加法器或者除法器电路实现低通滤波器312。在后者情况中，特别有利的是，对采样次数等于2的次方的解调的数字加速度信号A计算平均值。
最后，显然在不脱离附带权利要求中定义的本发明的范围的前提下，可以对所述的装置和读取方法作出修改和变化。尤其是，可以用独立的电路提供信号源和调制器级。

Claims (26)

1、一种电容性传感器的读取装置，包括：
信号源(104、C1、C2；204；304)，提供驱动所述电容性传感器(101；201；301)的第一电读取信号(VRD)；和
离散时间读取电路(107；207；307)，可连接到所述电容性传感器(101；201；301)，用于响应于所述第一电读取信号(VRD)的变化产生和所述电容性传感器(101；201；301)的电容变化(ΔCS)有关的第一电输出信号(VOM)；
其特征在于，它包括：
调制器级(105、106；205；305)，其和所述信号源(104、C1、C2；204；304)相关联，用于根据所述第一电读取信号(VRD)产生调制的第二电读取信号(VRDM)，并向所述电容性传感器(101；201；301)提供所述第二电读取信号(VRDM)；
解调器级(110；210；310)，连接到所述读取电路(107；207；307)，用于解调所述第一电输出信号(VOM)，并产生解调的第二电输出信号(VOD)；和
低通滤波级(112；212；312)，连接到所述解调器级(110；210；310)，用于根据所述第二电输出信号(VOD)产生滤波的第三电输出信号(VOC)。
2、根据权利要求1的装置，其中控制所述调制器级(105、106；205；305)，使得所述第二电读取信号(VRDM)表示在第一读取周期(RDK)中正阶跃变化以及在和所述第一读取周期(RDK)连续的第二读取周期(RDK+1)中的负阶跃变化。
3、根据权利要求2的装置，其中通过单电路形成调制的信号源(106)形成所述信号源(104、C1、C2)和所述调制器级(105)。
4、根据权利要求3的装置，其中所述调制的信号源(106)包括：在第一电压(VCND)设置的第一线(115)；提供第二电压(VDD)的第二线(116)；端子(101c)；读取连接装置(118a、118b)，用于选择性地将所述端子连接到所述第一线(115)和所述第二线(116)；以及读取计时装置(C1、C2)，用于控制所述读取连接装置(118a、118b)。
5、根据权利要求4的装置，其中通过所述第一计时装置(C1、C2)控制所述读取连接装置(118a、118b)，以便于在所述第一读取周期(RDK)中将所述端子(101c)顺序地连接到所述第一线(115)和所述第二线(116)；以及在所述第二读取周期(RDK+1)中将所述端子(101c)顺序地连接到所述第二线(116)和所述第一线(115)。
6、根据权利要求2的装置，包括复位连接装置(125a、125b、125c)和复位计时装置(C3)，用于在所述第一读取周期(RDK)和所述第二读取周期(RDK+1)中，选择性地使所述读取电路(107；207；307)进入到复位结构中。
7、根据权利要求2的装置，其中所述解调器级(110)包括：第一输入(110a)和第二输入(110b)；第一输出(110c)和第二输出(110d)；直接连接装置(127a，127b)，用于选择性地将所述第一输入(110a)连接到所述第一输出(110c)以及将所述第二输入(110b)连接到所述第一输出(110d)，和交叉连接装置(127c、127d)，用于选择性将所述第一输入(110a)连接到所述第二输出(110d)以及将所述第二输入(110b)间接到所述第一输出(110c)。
8、一种根据权利要求7的装置，其中所述解调器级(110)包括解调计时装置(C4、C5)，控制所述直接连接装置(127a、127b)和所述交叉连接装置(127c、127d)，用于在所述第一读取周期(RDK)中将所述第一输入(110a)连接到所述第一输出(110c)以及将所述第二输入(110b)连接到所述第二输出(110d)，以及在所述第二读取周期(RDK+1)中连接所述第一输入(110a)和所述第二输出(110d)以及所述第二输入(110b)和所述第一输出(110c)。
9、根据权利要求1的装置，其中配置所述滤波级(112；212、312)，以便于在偶数采样上计算所述第二电输出信号(VOD)的平均值。
10、根据权利要求1的装置，其中所述滤波级(112)包括离散时间模拟滤波器。
11、根据权利要求1的装置，其中所述滤波级(212)包括低通σ-δ型的模数转换器。
12、根据权利要求1的装置，其中所述滤波级(312)包括数字滤波器。
13、根据权利要求1的装置，其中所述读取电路(107；207；307)包括充电电压转换器(108；208；308)。
14、根据权利要求13的装置，其中所述充电电压转换器(108)包括全微分的开关电容器充电放大器(120)。
15、根据权利要求13的装置，其中所述读取电路(107；207；307)包括和所述充电电压转换器(108；208；308)相关联的偏移消除级(109；209；309)。
16、，包括电容性传感器(101；201；301)和与所述电容性传感器(101；201；301)有关的并根据权利要求1构成的一种检测设备读取装置(103；203；303)。
17、根据权利要求16的设备，其中所述电容性传感器(101；201；301)是微分微机电传感器。
18、一种读取电容性传感器的方法，包括步骤：
产生用于驱动电容性传感器(101；201；301)的第一电读取信号(VRD)；和
响应于所述第一电读取信号(VRD)，离散时间产生与所述电容性传感器(101；201；301)的电容变化(ΔCS)相关关的第一电输出信号(VOM)；
其特征在于，它包括步骤：
调制所述电读取信号(VRD)，用于产生调制的第二电读取信号(VRDM)；
通过所述第二电读取信号(VRDM)驱动所述电容性传感器(101；201；301)；
解调所述第一电输出信号(VOM)，用于产生解调的第二电输出信号(VOD)；和
低通滤波所述第二电输出信号(VOM)，用于产生第三滤波的电输出信号(VOC)。
19、根据权利要求18的方法，其中所述第二电读取信号(VRDM)表示在第一读取周期(RDK)中的正阶跃变化以及在和所述第一读取周期(RDK)连续的第二读取周期(RDK+1)中的负阶跃变化。
20、根据权利要求19的方法，其中所述调制步骤包括：在所述第一读取周期(RDK)中，将所述电容性传感器(101)的驱动端子(101c)顺序连接到设置在第一电压(VCND)的第一线(115)和提供第二电压(VDD)的第二线(116)；以及
在所述第二读取周期(RDK+1)中，将所述驱动端子(101c)顺序连接到所述第二线(116)和所述第一线(115)。
21、根据权利要求19的方法，其中在所述第一读取周期(RDK)中所述连接步骤包括，设置在所述驱动端子(101c)、所述第一线(115)和所述第二线(116)之间的第一计时读取连接装置(118a，118b)，以及在所述第二读取周期(RDK+1)中所述连接步骤包括第二计时所述读取连接装置(118a、118b)。
22、根据权利要求19的方法，包括步骤：
将读取电路(107；207；307)连接到所述电容性传感器(101；201；301)；以及在所述第一读取周期(RDK)和所述第二读取周期(RDK+1)中，使所述读取电路(107；207；307)到复位结构中。
23、根据权利要求20的方法，其中所述解调步骤包括：
在第一端子(110a)和第二端子(110b)之间提供所述第一电输出信号(VOM)；
在第三端子(110c)和第四端子(110d)之间提供所述第二电输出信号(VOD)；
在所述第一读取周期(RDK)中，将所述第一端子(110a)连接到所述第三端子(110c)以及将所述第二端子(110b)连接到所述第四端子(110d)，以及
在所述第二读取周期(RDK+1)中将所述第一端子(110a)连接到所述第四端子(110d)以及将所述第二端子(110b)连接到所述第三端子(110c)。
24、根据权利要求20的方法，其中所述读取电路(107)包括全微分开关电容器充电放大器(120)。
25、根据权利要求18的方法，其中所述低通滤波的步骤包括：对偶数采样计算所述第二电输出信号(VOD)的平均值。
26、根据权利要求25的方法，其中所述低通滤波的步骤包括：通过低通型的σ-δ转换器(212)进行模数转换。
CN200610064336XA 2005-12-02 2006-12-04 用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法 Active CN101033984B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05425863A EP1793497B1 (en) 2005-12-02 2005-12-02 Device and method for reading a capacitive sensor, in particular of a micro-electromechanical type
EP05425863.7 2005-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101033984A true CN101033984A (zh) 2007-09-12
CN101033984B CN101033984B (zh) 2011-01-12

Family

ID=36218104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610064336XA Active CN101033984B (zh) 2005-12-02 2006-12-04 用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7595648B2 (zh)
EP (1) EP1793497B1 (zh)
JP (1) JP4805798B2 (zh)
CN (1) CN101033984B (zh)
DE (1) DE602005027713D1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102265184A (zh) * 2008-11-10 2011-11-30 格库技术有限公司 用于地震采集系统的基于mems的电容传感器
CN102650533A (zh) * 2011-02-25 2012-08-29 英飞凌科技股份有限公司 具有活动部分和偏置的传感器
CN104048656A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 因文森斯公司 循环感测设备及其使用方法
US9217805B2 (en) 2010-10-01 2015-12-22 Westerngeco L.L.C. Monitoring the quality of particle motion data during a seismic acquisition
CN106526230A (zh) * 2016-12-19 2017-03-22 兰州空间技术物理研究所 提高石英挠性加速度计宽频动态测量能力的方法及装置
CN107395145A (zh) * 2016-04-22 2017-11-24 恩智浦有限公司 放大器
CN107436155A (zh) * 2016-05-18 2017-12-05 英飞凌科技股份有限公司 测量装置、电平变换器电路、电荷泵级和电荷泵及其方法
CN107632169A (zh) * 2016-07-15 2018-01-26 精工爱普生株式会社 物理量检测电路、物理量检测装置、电子设备和移动体
CN108075738A (zh) * 2011-12-16 2018-05-25 美国亚德诺半导体公司 用于多个通道的低噪声放大器

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9615744B2 (en) * 2007-01-31 2017-04-11 Medtronic, Inc. Chopper-stabilized instrumentation amplifier for impedance measurement
US7385443B1 (en) 2007-01-31 2008-06-10 Medtronic, Inc. Chopper-stabilized instrumentation amplifier
US8265769B2 (en) 2007-01-31 2012-09-11 Medtronic, Inc. Chopper-stabilized instrumentation amplifier for wireless telemetry
US7391257B1 (en) * 2007-01-31 2008-06-24 Medtronic, Inc. Chopper-stabilized instrumentation amplifier for impedance measurement
US8106668B2 (en) * 2007-04-24 2012-01-31 Seiko Instruments Inc. Proximity detector and proximity detecting method
US8781595B2 (en) 2007-04-30 2014-07-15 Medtronic, Inc. Chopper mixer telemetry circuit
KR100915149B1 (ko) * 2007-07-19 2009-09-03 (주)에스엠엘전자 다채널 용량 감지 회로
US7786738B2 (en) * 2007-09-19 2010-08-31 Robert Bosch Gmbh Cancelling low frequency errors in MEMS systems
US8380314B2 (en) 2007-09-26 2013-02-19 Medtronic, Inc. Patient directed therapy control
WO2009070814A2 (en) * 2007-11-27 2009-06-04 Frederick Johannes Bruwer Capacitive sensing circuit with noise rejection
WO2009094050A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Medtronic, Inc. Sleep stage detection
DE102008023535B4 (de) * 2008-05-14 2011-05-12 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Auswertung einer variablen Kapazität
US8478402B2 (en) * 2008-10-31 2013-07-02 Medtronic, Inc. Determining intercardiac impedance
IT1392553B1 (it) 2008-12-11 2012-03-09 St Microelectronics Rousset Dispositivo elettronico a capacita' variabile e dispositivo microelettromeccanico incorporante tale dispositivo elettronico
US7969167B2 (en) * 2009-01-28 2011-06-28 Freescale Semiconductor, Inc. Capacitance-to-voltage interface circuit with shared capacitor bank for offsetting and analog-to-digital conversion
US9770204B2 (en) 2009-11-11 2017-09-26 Medtronic, Inc. Deep brain stimulation for sleep and movement disorders
US8714012B2 (en) * 2010-02-16 2014-05-06 Stmicroelectronics S.R.L. Microelectromechanical gyroscope with inversion of actuation forces, and method for actuating a microelectromechanical gyroscope
WO2011138530A1 (fr) * 2010-05-07 2011-11-10 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Procede et dispositif de caracterisation ou de mesure d'une capacite flottante
CN103221332B (zh) 2010-09-18 2015-11-25 快捷半导体公司 减小微机电系统上的应力的封装
EP2616771B8 (en) 2010-09-18 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
WO2012037501A2 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Cenk Acar Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
WO2012037539A1 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
KR101871865B1 (ko) 2010-09-18 2018-08-02 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 멀티-다이 ｍｅｍｓ 패키지
KR101332701B1 (ko) 2010-09-20 2013-11-25 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서
EP2619130A4 (en) 2010-09-20 2014-12-10 Fairchild Semiconductor SILICONE CONTINUITY WITH REDUCED CROSS-CAPACITY
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US8742964B2 (en) * 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
EP2647952B1 (en) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
EP2648334B1 (en) 2012-04-05 2020-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device front-end charge amplifier
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
ITTO20121116A1 (it) * 2012-12-20 2014-06-21 St Microelectronics Srl Circuito e metodo di compensazione dinamica dell'offset per un dispositivo sensore mems
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor
US9924904B2 (en) 2014-09-02 2018-03-27 Medtronic, Inc. Power-efficient chopper amplifier
DE102016109114A1 (de) 2016-05-18 2017-11-23 Infineon Technologies Ag Schaltkreisarchitektur für eine Messanordnung, einen Pegelwandler-Schaltkreis, eine Ladungspumpstufe und eine Ladungspumpe sowie Verfahren zum Betreiben dieser
IT201600103234A1 (it) 2016-10-14 2018-04-14 Green Seas Ventures Ldt Sistema Costruttivo afferente un sensore capacitivo di tensione
IT201800004114A1 (it) 2018-03-30 2019-09-30 Green Seas Ventures Ltd C/O Citco B V I Ltd Sistema costruttivo afferente un sensore capacitivo di tensione
CA3121832A1 (en) 2018-12-17 2020-06-25 G & W Electric Company Electrical sensor assembly
CN113227802A (zh) 2018-12-17 2021-08-06 G&W电气公司 电传感器组合件
US11984860B2 (en) 2021-06-23 2024-05-14 Stmicroelectronics S.R.L. Charge amplification circuits and methods
FR3141300A1 (fr) * 2022-10-20 2024-04-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Capteur MEMS résonant adapté pour générer un signal de sortie à impulsions

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3879660A (en) * 1973-10-24 1975-04-22 John S Piso Capacitive measuring system
US4208625A (en) * 1976-02-23 1980-06-17 Micro Sensors, Inc. Capacitive measuring system with automatic calibration
JPH0672901B2 (ja) * 1985-11-22 1994-09-14 日東工器株式会社 静電容量−電圧変換回路
US5343156A (en) * 1992-04-15 1994-08-30 Nat Semiconductor Corp IC for producing an output voltage related to fuel composition in a capacitive fuel sensor
DE4439203C2 (de) * 1994-11-03 2001-06-28 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung zur Auswertung eines Beschleunigungssensorsignals
US5801307A (en) * 1995-07-12 1998-09-01 Netzer; Yishay Differential windshield capacitive moisture sensors
JPH10111207A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Denso Corp 静電容量式圧力センサ
US5808198A (en) * 1997-05-19 1998-09-15 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. RF balanced capacitive vibration sensor system
JP3379388B2 (ja) * 1997-06-09 2003-02-24 株式会社豊田中央研究所 容量検出回路
JP2000234939A (ja) * 1998-12-18 2000-08-29 Yazaki Corp 静電容量−電圧変換装置
US6388453B1 (en) * 1999-01-25 2002-05-14 Bryan D. Greer Swept-frequency dielectric moisture and density sensor
US6470748B1 (en) * 1999-10-13 2002-10-29 Analog Devices, Inc. Feedback mechanism for rate gyroscopes
DE10031522B9 (de) * 2000-06-28 2007-07-12 Infineon Technologies Ag Frequenzkompensierte Verstärkeranordnung und Verfahren zum Betrieb einer frequenzkompensierten Verstärkeranordnung
DE60032909T2 (de) * 2000-11-16 2007-10-25 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Automatische Eichung eines mikromechanischen Sensors
DE10107547A1 (de) * 2001-02-17 2002-08-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Synchronmodulation mehrfach modulierter Signale
ITTO20010157A1 (it) * 2001-02-21 2002-08-21 St Microelectronics Srl Metodo e circuito di rilevamento di spostamenti tramite sensori micro-elettro-meccanici con compensazione di capacita' parassite e di movime
JP4031215B2 (ja) * 2001-06-19 2008-01-09 株式会社山武 センサ信号処理回路
US20030048036A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Lemkin Mark Alan MEMS comb-finger actuator
US20030098699A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-29 Lemkin Mark A. Sense interface system with velocity feed-through rejection
WO2005068959A2 (en) * 2004-01-05 2005-07-28 Case Western Reserve University High performance integrated electronic for mems capacitive strain sensors
JP2005295517A (ja) * 2004-03-08 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd ミキサ回路およびミキサ回路を用いた受信回路
US7134336B2 (en) * 2004-03-19 2006-11-14 Denso Corporation Vibration type angular velocity sensor
US7078916B2 (en) * 2004-04-06 2006-07-18 Analog Devices, Inc. Linearity enhancement for capacitive sensors
US6970126B1 (en) * 2004-06-25 2005-11-29 Analog Devices, Inc. Variable capacitance switched capacitor input system and method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102265184B (zh) * 2008-11-10 2015-01-14 格库技术有限公司 基于mems的电容传感器
CN102265184A (zh) * 2008-11-10 2011-11-30 格库技术有限公司 用于地震采集系统的基于mems的电容传感器
US9217805B2 (en) 2010-10-01 2015-12-22 Westerngeco L.L.C. Monitoring the quality of particle motion data during a seismic acquisition
CN102650533B (zh) * 2011-02-25 2017-04-26 英飞凌科技股份有限公司 具有活动部分和偏置的传感器
CN102650533A (zh) * 2011-02-25 2012-08-29 英飞凌科技股份有限公司 具有活动部分和偏置的传感器
CN108075738A (zh) * 2011-12-16 2018-05-25 美国亚德诺半导体公司 用于多个通道的低噪声放大器
CN104048656A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 因文森斯公司 循环感测设备及其使用方法
CN104048656B (zh) * 2013-03-13 2017-11-10 因文森斯公司 循环感测设备及其使用方法
US10247555B2 (en) 2013-03-13 2019-04-02 Invensense, Inc. Round robin sensing device and method of use
CN107395145A (zh) * 2016-04-22 2017-11-24 恩智浦有限公司 放大器
CN107436155A (zh) * 2016-05-18 2017-12-05 英飞凌科技股份有限公司 测量装置、电平变换器电路、电荷泵级和电荷泵及其方法
CN107632169A (zh) * 2016-07-15 2018-01-26 精工爱普生株式会社 物理量检测电路、物理量检测装置、电子设备和移动体
CN106526230A (zh) * 2016-12-19 2017-03-22 兰州空间技术物理研究所 提高石英挠性加速度计宽频动态测量能力的方法及装置
CN106526230B (zh) * 2016-12-19 2019-10-15 兰州空间技术物理研究所 提高石英挠性加速度计宽频动态测量能力的方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005027713D1 (de) 2011-06-09
EP1793497A1 (en) 2007-06-06
JP4805798B2 (ja) 2011-11-02
US7595648B2 (en) 2009-09-29
JP2007155729A (ja) 2007-06-21
US20070152682A1 (en) 2007-07-05
EP1793497B1 (en) 2011-04-27
CN101033984B (zh) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101033984A (zh) 用于读取尤其是微机电型电容性传感器的装置和方法
CN106289221B (zh) 用于mems惯性传感器的接口
CN108124474B (zh) 检测电容的装置、电子设备和检测压力的装置
CN101782634B (zh) 一种片上一体化微型集成磁传感器
US7986182B2 (en) Fully differential demodulator with variable gain, and method for demodulating a signal
CN104048656B (zh) 循环感测设备及其使用方法
US10079577B2 (en) Signal amplification circuit
GB2418787A (en) Drive circuit and electric motor for submersible pumps
CN112398478A (zh) 模数转换装置及电池管理系统
CN102435864A (zh) 电流传感器电容测量电路
JP2004279261A (ja) 物理量検出装置
CN1087122C (zh) 一种用户线接口电路
CN103791928B (zh) 电容编码器的读出电路及方法
JP5342045B2 (ja) 角度検出装置および角度検出方法
WO2015115264A1 (ja) Ｃｖ変換回路
JP5043878B2 (ja) 角度検出装置および角度検出方法
US10969912B2 (en) Capacitive sensing and sampling circuit and sensing and sampling method thereof
CN210198392U (zh) 一种新型mems谐振式陀螺仪测控装置
CN1031786A (zh) 立体声译码器的振荡频率控制装置
CN107977119A (zh) 互电容触控感测电路及噪声抑制方法
CN100337116C (zh) 一种风扇状态检测方法及装置
CN109253725B (zh) 一种mems陀螺仪的信号处理系统
JP4150292B2 (ja) 異常検出機能を持つ静電容量式センサ装置
CN211783564U (zh) 一种高精度压电式传感器模拟系统
CN103723673B (zh) 微机电系统及检测电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant