CN101000441A - 薄膜晶体管基板及其制造方法和具有该基板的液晶显示器 - Google Patents

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    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit

Abstract

一种具有用于减小数据线和像素电极之间的耦合电容的结构的薄膜晶体管基板、制造这种薄膜晶体管基板的方法以及具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器。本发明提供了一种薄膜晶体管基板，包括：多根栅极线，包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及沿相同的方向形成但与第一栅极线间隔预定距离的多根第二栅极线；多根数据线，形成为与所述多根栅极线相交但是与之绝缘；包括多个第一单位像素和多个第二单位像素的多个单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；多根屏蔽线，形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。本发明提供了制造这种薄膜晶体管基板的方法和具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器。

Description

薄膜晶体管基板及其制造方法和具有该基板的液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板、制造该基板的方法以及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示器。更具体地，本发明涉及一种具有用于减少数据线和像素电极之间的耦合电容的结构的薄膜晶体管基板，以及一种制造该薄膜晶体管基板的方法和具有该薄膜晶体管基板的液晶显示器。
背景技术
由于希望加宽液晶显示器(“LCD”)，开发出一种具有通过使信号线的数目减少一半而实现的宽屏LCD。在这种LCD中，两个单位像素与一个数据线相连，并且由一对栅极线驱动这两个单位像素中的每一个，以使用相同的数据线来接收数据电压。
利用上述配置，位于数据线之间的两个单位像素中的每一个都具有像素电极。此处，数据线和每个像素电极之间的耦合电容表现为比像素电极之间的耦合电容要大。因此，存在的问题在于，当驱动LCD时，由于耦合电容的差异，显示出竖条的图案。为了减小耦合电容的差异，可以增加数据线和像素电极之间的分隔距离。然而，增加数据线和像素电极之间的分隔距离不可避免地损害了两个单位像素的孔径比。
发明内容
本发明是为解决上述问题而提出的。因此，本发明的示范实施例提供了：一种薄膜晶体管基板，包括屏蔽线，用于减小数据线和单位像素的像素电极之间的耦合电容，而不损害液晶显示器的孔径比；本发明还提供了一种制造这种薄膜晶体管基板的方法以及一种具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器。
根据本发明的示范实施例，薄膜晶体管基板包括：多根栅极线，其中包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿相同的一个方向形成的多根第二栅极线；多根数据线，形成以与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；多个单位像素，包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；以及多根屏蔽线，形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
多根屏蔽线可以形成在数据线上。
多根屏蔽线可以是与数据线平行地形成的。
多根屏蔽线的每根的宽度可以形成为小于数据线的宽度。
第一单位像素的第一薄膜晶体管可以与第一栅极线相连，且第二单位像素的第二薄膜晶体管与第二栅极线相连。
可以在多根屏蔽线和数据线之间形成有机膜。
多根屏蔽线可以形成在第一栅极线和第二栅极线的至少之一上。
多根屏蔽线可以是与栅极线平行地形成的。
多根屏蔽线的每根的宽度可以形成为小于栅极线的宽度。
单位像素还可以包括存储电容器电极，用于保持施加到液晶的电压。
施加到多根屏蔽线的预定电压的幅度可以与施加到存储电容器电极的电压相同。
根据本发明的另一个示范实施例，液晶显示器(LCD)包括薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板包括：多根栅极线，其中包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿相同的一个方向形成的多根第二栅极线；多根数据线，形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；多个单位像素，包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；以及多根屏蔽线，形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
根据本发明的另一个示范实施例，制造薄膜晶体管基板的方法包括：形成多根栅极线，所述多根栅极线包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿与上述方向相同的一个方向形成的多根第二栅极线；形成多根数据线，所述多根数据线形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；形成多个单位像素，所述多个单位像素包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；在多根数据线上形成有机膜；以及形成多根屏蔽线，所述多根屏蔽线形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
根据本发明的另一个示范实施例，液晶显示器包括：多个像素行，包括多个像素，像素具有开关元件；彼此分隔并且与开关元件相连的多个第一和第二栅极线对，以便发送用于接通开关元件的栅极导通电压；数据线，与开关元件相连用于发送像素电压，并且每个所述数据线都与两个相邻的像素列相连；有机膜，形成在数据线、第一栅极线和第二栅极线中的至少之一上；以及屏蔽线，形成在有机膜上。
附图说明
从下面结合附图所给出的示范实施例的描述中，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得显而易见，附图中：
图1A是根据本发明的液晶显示器(LCD)的示范实施例的示意平面图；
图1B和1C分别是沿图1A所示的线C-C和D-D的示意截面图；
图2是根据本发明的LCD的另一个示范实施例的示意平面图；
图3A至3E是示出了制造图2所示的LCD的薄膜晶体管基板的过程的截面图；
图4A和4B分别是示出了根据现有技术的LCD和根据本发明的LCD的漏光仿真结果的图；以及
图5是示出了分别根据现有技术和本发明的数据线和像素电极之间的耦合电容值的比较的图。
具体实施方式
下面参考附图来更详细地描述本发明，其中附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实现，并且不应该理解为局限于此处所提出的实施例。而是，提供这些实施例，以使本公开详尽且彻底，并且向本领域技术人员完整地传达本发明的范围。在所有附图中，类似的参考数字表示类似的单元。
可以理解，当单元被称为在另一个单元“上”时，它可以直接位于另一个单元上，或者在两者之间存在居间单元。相反地，当单元被称为“直接”在另一个单元“上”时，则不存在居间单元。如此处所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。
可以理解，尽管此处使用术语第一、第二、第三等来描述各个单元、组件、区域、层和/或部分，这些单元、组件、区域、层和/或部分不局限于这些术语。这些术语仅用于使一个单元、组件、区域、层或部分与另一个单元、组件、区域、层或部分相区分。因此，下面讨论的第一单元、组件、区域、层或部分可以被称为第二单元、组件、区域、层或部分，而不会背离本发明的教导。
此处所用的术语仅用于描述特定实施例，并且并不意欲成为本发明的限制。如此处所用的，单数形式“一个”、“一根”和“那个”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚地有所指示。还可以理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明了所述特征、区域、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其群组的存在或附加。
如“之下”、“以下”、“下”、“之上”、“上”等的空间相对术语在此处被用于简化描述，以如图所示描述一个单元或特征与另一个单元或特征的关系。可以理解，在使用或操作中，除了附图所示的朝向之外，空间相对术语还意欲涵盖器件的不同朝向。例如，如果翻转附图中的器件，被描述为在其它单元或特征“之下”或“以下”的单元将在其它单元或特征“之上”。因此，示范术语“之下”可以涵盖“之上”和“之下”的朝向。器件还可以取其它朝向(旋转90度或处于其它朝向)，并且相应地解释此处所用的空间相对描述符。
除非另有限定，此处所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域普通技术人员所一般理解的相同的意义。还可以理解，如通常在字典中使用的术语之类的术语应该被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的意义一致的意义，并且不应该解释为理想的或过分形式化的意义，除非此处清楚地这样限定了。
此处参考作为本发明理想实施例的示意图的截面示意图来描述本发明的实施例。同样地，可以预想到由于例如制造技术和/或容限而引起的示意图形状的变化。因此，本发明实施例不应该被理解为局限于此处所示的区域的特定形状，而是包括由于例如人类制造所引起的形状的偏离。此外，示出的尖角可以是圆角。因此，附图所示的区域本质上是示意性的，并且其形状并不意欲示出区域的精确形状，并且并不意欲限制本发明的范围。
下面，参考附图来详细描述本发明。
图1A是根据本发明的液晶显示器(“LCD”)的示范实施例的示意平面图，图1B和1C分别是沿图1A所示的线C-C和D-D的示意截面图；。
参考图1A至1C，根据本发明的液晶显示器的示范实施例包括：薄膜晶体管基板，作为下基板；公共电极基板，作为上基板，位于与薄膜晶体管基板相对；以及液晶层(未示出)，形成在两个基板之间。液晶层的液晶是相对于两个基板按照所希望的方向取向的。
参考图1A，薄膜晶体管基板包括：多根栅极线，形成在透明绝缘基板300(图1B)上，以发送栅极信号，并且包括横向形成在基板300上的多根第一栅极线GL1(n)和GL1(n+1)以及与第一栅极线GL1(n)和GL1(n+1)间隔预定距离而形成的多根第二栅极线GL2(n)和GL2(n+1)；存储电容器电极线330，形成为与所述多根第一和第二栅极线平行，并且具有存储电容器电极；多根数据线DLn和DLn+1，形成为与所述多根第一和第二栅极线相交，但是与之绝缘；多个单位像素，包括形成在所述多根第一和第二栅极线与所述多根数据线彼此相交的区域处的多个第一单位像素和多个第二单位像素；以及多根屏蔽线390，形成在数据线上，并且施加了预定电压。
由第一和第二单位像素组成的单位像素分别包括第一和第二薄膜晶体管TFT1(n)和TFT2(n)、第一像素电极380、第二像素电极385以及从存储电容器电极线330延伸的存储电容器电极341、342和343。第一和第二薄膜晶体管TFT1(n)和TFT2(n)中的每一个包括：栅电极，与第一和第二栅极线之一相连；源电极，与数据线相连；漏电极，与像素电极相连；栅极绝缘膜和有源层，依次形成在栅电极与源和漏电极之间；以及欧姆接触层，形成在至少一部分有源层上。此时，欧姆接触层可以形成在除沟道部分之外的有源层部分上。第一薄膜晶体管TFT1(n)响应于施加到第一栅极线GL1(n)的信号，使施加到数据线DLn的像素信号充电至第一像素电极380。此外，第二薄膜晶体管TFT2(n)响应于施加到第二栅极线GL2(n)的信号，使施加到数据线DLn的像素信号充电至第二像素电极385。
此外，尽管在本示范实施例中，位于第n根数据线DLn和第(n+1)根数据线DLn+1之间的所有第一和第二单位像素都与第n根数据线DLn相连，它们并不局限于此。可选地，位于第(n-1)根数据线DLn-1和第n根数据线DLn之间的第二单位像素以及第n根数据线DLn和第(n+1)根数据线DLn+1之间的第一单位像素可以与第n根数据线DLn相连。此外，根据本发明的LCD的示范实施例优选地执行列反转，但是并不局限于此。
存储电容器电极线330形成为与第二栅极线GL2(n)和GL2(n+1)平行，但是分别与第二栅极线GL2(n)和GL2(n+1)间隔预定距离，并且存储电容器电极341、342和343从存储电容器电极线330处延伸，并与数据线平行，并且形成为部分由像素电极380和385交迭。此时，存储电容器电极包括：第一存储电容器电极341，形成为部分由像素电极380交迭；第二存储电容器电极342，形成为部分由像素电极385交迭；以及第三存储电容器电极343，形成为部分由像素电极380和385共同交迭。
此外，存储电容器电极线330可以与要施加到滤色基板的公共电压(Vcom)相连。另外，可以单独地将与公共电压相等的电压施加到存储电容器电极线330。尽管在本示范实施例中形成了附加的存储电容器电极线，但是它并不局限于此，并且可选地，存储电容器电极341、342和343可以被形成为从第一或第二栅极线GL1(n)或GL2(n)延伸。
多根屏蔽线390形成在数据线上，并与之平行，并且多根屏蔽线390的每根的宽度被形成为小于数据线的宽度。优选地，数据线的宽度被设定为5.5μm，并且屏蔽线390的宽度被设定为5μm。此外，多根屏蔽线390由与像素电极380和385相同的材料构成。像素电极380和385通常由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料构成。此外，由于像素信号被施加到数据线，为使数据线和像素电极之间的耦合电容最小化，通过存储电容器电极线330，将具有与施加到存储电容器电极的电压的幅度相同幅度的电压施加到多根屏蔽线390。即，将具有与施加到滤色基板的公共电压的幅度相同幅度的电压施加到多根屏蔽线390。
参考图1B，示出了沿线C-C的图1的液晶显示器的示意截面图。液晶显示器的薄膜晶体管基板包括：透明绝缘基板300；存储电容器电极341和342，形成在透明绝缘基板上；栅极绝缘膜350，形成在存储电容器电极341和342上；数据线DLn+1，形成在栅极绝缘膜350上，并且位于第一和第二存储电容器电极341和342之间；有机膜370，形成在数据线上；第一像素电极380，形成在有机膜370上，并且被放置为部分交迭第一存储电容器电极341；第二像素电极385，形成在有机膜370上，并且被放置为部分交迭第二存储电容器电极342；以及屏蔽线390，形成在数据线上DLn+1。优选地，有机膜370形成具有大约4μm至大约6μm的厚度。
此外，位于与薄膜晶体管基板相对的滤色基板包括：黑色矩阵410，位于由透明绝缘材料构成的绝缘基板400的底部上，以避免漏光和相邻像素区域之间的光干涉；红、绿和蓝色滤色器(未示出)；外涂层(未示出)，形成在滤色器上；以及在外涂层上的公共电极(未示出)，由诸如ITO或IZO之类的透明导电材料构成。利用多根屏蔽线390的形成，可以使漏光区域减少至少3μm，从而与传统的相比，使黑色矩阵410的宽度d3减少至少3μm。
参考图1C，示出了沿线D-D的图1的液晶显示器的示意截面图。液晶显示器的薄膜晶体管基板包括：透明绝缘基板300；第三存储电容器电极343，形成在透明绝缘基板300上；栅极绝缘膜350和有机膜370，依次形成在基板300的整个表面上；以及第一和第二像素电极380和385，形成在有机膜上，并且被放置为部分交迭第三存储电容器电极343。
此外，位于与薄膜晶体管基板相对的滤色器基板在由透明绝缘材料构成的绝缘基板400的底部具有黑色矩阵410，以避免漏光和相邻像素区域之间的光干涉。
图2是根据本发明的液晶显示器的另一个示范实施例的示意平面图。
图2所示的根据本发明的液晶显示器的示范实施例与图1所示的不同在于，在第一栅极线以及数据线上形成多根屏蔽线。由于其它组件基本相同，所以下面仅描述不同的配置。
薄膜晶体管基板包括：多根栅极线，形成在透镜绝缘基板300上，以发送栅极信号，并且包括横向形成在基板300的多根第一栅极线GL1(n)和GL1(n+1)以及与第一栅极线GL1(n)和GL1(n+1)间隔预定距离而形成的多根第二栅极线GL2(n)和GL2(n+1)；存储电容器电极线330，形成为与所述多根栅极线平行，并且具有存储电容器电极；多根数据线DLn和DLn+1，形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；多个单位像素，包括形成在所述多根栅极线与所述多根数据线彼此相交的区域处的多个第一单位像素和多根第二单位像素；以及多根屏蔽线390和395，分别形成在数据线和第一栅极线上，并且施加了预定电压。
多根屏蔽线390形成在数据线上，并与之平行，并且多根屏蔽线390的每根的宽度被形成为小于数据线的宽度。优选地，数据线的宽度被设定为5.5μm，而屏蔽线390的宽度被设定为5μm。此外，多根屏蔽线395形成在第一栅极线上，并与之平行，并且多根栅极线395的每根的宽度被形成为小于第一栅极线的宽度。此外，尽管结合多根屏蔽线395形成在第一栅极线上的示例来描述了本实施例，但是它不局限于此，而是多根屏蔽线395可以形成在第二栅极线或第一和第二栅极线上。如果还如上所述地在栅极线上形成多根屏蔽线395，可以解决在数据线上形成的多根屏蔽线390中发生短路的问题。
多根屏蔽线390和395由与像素电极380和385相同的材料构成。像素电极380和385通常由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料构成。此外，由于像素信号被施加到数据线，为了使数据线和像素电极之间的耦合电容最小化，通过存储电容器电极线330，将具有与施加到存储电容器电极的电压的幅度相同幅度的电压施加到多根屏蔽线390和395。即，将具有与施加到滤色基板的公共电压的幅度相同幅度的电压施加到多根屏蔽线390和395。
图3A至3E是示出了制造图2所示的液晶显示器的薄膜晶体管基板的过程的截面图。图3A至3E中所示的薄膜晶体管基板的截面图是沿图2的线E-E的示意截面图。薄膜晶体管基板包括第一薄膜晶体管基板TFT1(n)、第一和第二像素电极380和385、第一和第二存储电容器电极341和342以及屏蔽线390。
首先，参考图3A，将第一导电膜形成在透明绝缘基板300上，然后使用第一光敏膜掩膜图案(未示出)，通过蚀刻工艺，将具有预定线宽的栅电极310以及第一和第二存储电容器电极341和342形成在透明绝缘基板300上。
使用化学气相沉积(“CVD”)、物理气相沉积(“PVD”)、溅射等，通过气相沉积，将第一导电膜形成在透明绝缘基板300上。优选地，Cr、MoW、Cr/Al、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)和Cr/Al(Nd)中的至少一种被用第一导电膜，并且第一导电膜可以形成为多层膜。其后，涂覆光敏膜，然后使用第一掩膜，执行光刻过程，以形成第一光敏膜掩膜图案。使用第一光敏膜掩膜图案作为蚀刻掩膜，执行蚀刻过程，以如图3A所示地形成栅电极310以及第一和第二存储电容器电极341和342。其后，执行预定剥离过程，以去除第一光敏膜掩膜图案。
参考图3B，依次在图3A所示的基板300的整个表面上形成栅极绝缘膜350、有源层361和欧姆接触层363，然后使用第二光敏膜掩膜图案(未示出)，执行蚀刻过程，以形成薄膜晶体管的有源区。
使用等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)、溅射等，通过气相沉积方法，在基板上形成栅极绝缘膜350。此时，优选地将包括氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料用于栅极绝缘膜350。通过上述气相沉积方法，在栅极绝缘膜350上依次形成有源层361和欧姆接触层363。将非晶硅层用作有源层361，将硅化物层或掺杂有高浓度N型杂质的非晶硅层用作欧姆接触层363。其后，将光敏膜涂覆到欧姆接触层363，然后使用第二掩膜，通过光刻过程，形成第二光敏膜掩膜图案。执行蚀刻过程，其中第二光敏膜掩膜图案被用作蚀刻掩膜，并且栅极绝缘膜350被用作蚀刻终止膜，以去除欧姆接触层363和有源层361，从而在栅电极310上形成有源区。其后，执行预定的剥离过程，以除去第二光敏膜掩膜图案。
参考图3C，在其上形成了薄膜晶体管的有源区的基板300的整个表面上形成第二导电膜，并且使用第三光敏膜掩膜图案(未示出)，执行蚀刻过程，从而在基板300上形成数据线DLn、源电极365和漏电极367。
使用CVD、PVD、溅射等，通过气相沉积方法，在基板300的整个表面上形成第二导电膜。此时，优选地将由Mo、Al、Cr和Ti中的至少一种构成的单金属层或其多层用作第二导电膜。显而易见的是，第二导电膜由与第一导电膜相同的材料构成。将光敏膜涂覆到第二导电膜上，然后使用掩膜，执行光刻过程，以形成第三光敏膜掩膜图案。使用第三光敏膜掩膜图案作为蚀刻掩膜，执行蚀刻过程，以蚀刻第二导电膜，然后去除第三光敏膜掩膜图案。其后，使用蚀刻的第二导电膜作为蚀刻掩膜，执行蚀刻过程，以便在暴露于第二导电膜之间的区域中去除欧姆接触层363，从而可以在源和漏电极365和367之间形成由有源层361限定的沟道。
参考图3D，在其上形成了薄膜晶体管和数据线的基板300的整个表面上形成有机膜370，并且使用第四光敏膜掩膜图案(未示出)，通过蚀刻过程，去除有机膜370的一部分，以形成接触孔。此时，优选地有机膜370被形成为具有4μm至6μm的厚度。
参考图3E，在有机膜370上形成第三导电膜，然后使用第五光敏膜掩膜图案(未示出)，使第三导电膜形成图案，从而可以形成像素电极380和385以及屏蔽线390。此时，优选地第三导电膜由包括ITO或IZO的透明导电膜构成。
在其上形成了有机膜370的基板300的整个表面上形成第三导电膜，然后将光敏膜涂覆到其上，并且使用掩膜，执行光刻过程，以形成第五光敏膜掩膜图案。通过第五光敏膜掩膜图案，开放除像素电极380和385以及屏蔽线390之外的其它区域。接下来，使用第五光敏膜掩膜图案作为蚀刻掩膜，通过蚀刻过程，去除第三导电膜的开放区域，并且通过预定剥离过程，去除第五光敏膜掩膜图案，以形成像素电极380和385以及屏蔽线390。
图4A和4B分别是示出了根据现有技术的液晶显示器和根据本发明的液晶显示器的漏光仿真结果的图。
图4A示出了其中未形成屏蔽线的液晶显示器的漏光仿真的结果，而图4B示出了其中形成了屏蔽线的液晶显示器的示范实施例的漏光仿真的结果。如果将具有与施加到存储电容器电极的电压的幅度相同幅度的电压施加到屏蔽线，则改变了电场，并且改变了液晶的排列。结果，可以看出，根据本发明的液晶显示器的漏光区域被形成为远窄于根据现有技术的液晶显示器的漏光区域，并且与现有技术相比，漏光区域变窄了至少3μm。因此，可以使在滤色基板的数据线上形成的黑色矩阵的宽度减少至少3μm，从而与现有技术相比，使孔径比提高大约10％。尽管在本发明的示范实施例中仅描述了TN模型，但是不局限于此，VA模型也被包含在本发明的范围内。
图5是示出了分别根据现有技术和本发明的数据线和像素电极之间的耦合电容值的比较的图。
参考图5，根据现有技术的数据线和像素电极之间的耦合电容值大约是0.003pF，而根据本发明的数据线和像素电极之间的耦合电容值大约是0.00072pF。结果，与现有技术相比，本发明中的耦合电容值减小大约76％，从而避免了出现竖条图案的现象的发生。
如上所述，根据本发明，在数据线上或者在数据线和栅极线上形成施加了预定电压的多个屏蔽线，以减小数据线和单位像素的像素电极之间的耦合电容，从而避免了出现竖条图案的现象的发生，因而改进了孔径比。
以上仅是根据本发明的薄膜晶体管基板、制造该薄膜晶体管基板的方法、具有该薄膜晶体管的液晶显示器的示范实施例。本发明不局限于此。本领域的技术人员可以容易地理解到，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的技术精髓和范围的情况下，可以对其进行各种修改和改变。

Claims (20)

1.一种薄膜晶体管基板，其中包括：
多根栅极线，包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿与所述方向相同的方向形成的多根第二栅极线；
多根数据线，形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；
多个单位像素，包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；以及
多根屏蔽线，形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线形成在数据线上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线是与数据线平行地形成的。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线中的每根的宽度被形成为小于各个数据线的宽度。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，第一单位像素的第一薄膜晶体管与第一栅极线相连，且第二单位像素的第二薄膜晶体管与第二栅极线相连。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，在所述多根屏蔽线和相应的数据线之间形成有机膜。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线形成在所述多根第一栅极线和所述多根第二栅极线中的至少之一上。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线是与所述多根栅极线平行地形成的。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述多根屏蔽线中的每根的宽度被形成为小于各个栅极线的宽度。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，单位像素还包括用于保持施加到液晶的电压的存储电容器电极。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中，施加到所述多根屏蔽线的预定电压的幅度与施加到存储电容器电极的电压相同。
12.一种液晶显示器，其中包括：
薄膜晶体管基板，包括：
多根栅极线，包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿与所述方向相同的一个方向形成的多根第二栅极线；
多根数据线，形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；
多个单位像素，包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；
以及
多根屏蔽线，形成在单位像素之间，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述多根屏蔽线形成在数据线、第一栅极线和第二栅极线中的至少之一上。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，在所述多根屏蔽线与数据线、第一栅极线和第二栅极线中相应的至少一个之间形成有机膜。
15.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括：
形成多根栅极线，所述多根栅极线包括沿一个方向形成在基板上的多根第一栅极线，以及与第一栅极线间隔预定距离并沿与所述方向相同的一个方向形成的多根第二栅极线；
形成多根数据线，所述多根数据线形成为与所述多根栅极线相交，但是与之绝缘；
形成多个单位像素，所述多个单位像素包括多个第一单位像素以及多个第二单位像素，每个单位像素形成在多根栅极线和多根数据线的相交区域处；
在所述多根数据线、所述多根第一栅极线和所述多根第二栅极线中的至少之一上形成有机膜；以及
形成多根屏蔽线，所述多根屏蔽线形成在单位像素之间形成的有机膜上，使得预定电压被施加到屏蔽线上。
16.一种液晶显示器，包括：
多个像素行，包括具有开关元件的多个像素；
多个第一和第二栅极线对，彼此分隔并且与开关元件相连，以发送用于接通开关元件的栅极导通电压；
数据线，与开关元件相连，以发送像素电压，每个所述数据线都与两个相邻的像素列相连；
有机膜，形成在数据线、第一栅极线和第二栅极线中的至少之一上；以及
形成在有机膜上的屏蔽线。
17.根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，第一和第二栅极线对的每个位于两个相邻像素行之间，并且与两个像素行之一相连。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，两个相邻像素列位于相对于每根数据线的相对侧。
19.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，两个相邻像素列位于相对于每根数据线的相同侧。
20.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，液晶显示器执行列反转。
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