CN100579993C - 相位差膜及其用途以及新型改性聚合物 - Google Patents

Abstract

本发明提供为了实现逆分散而不需要选择多个单体、聚合物，并且不存在拉伸处理中的玻璃化转变温度等问题，成为新型逆分散相位差膜的原料的改性聚合物。使具有多元醇骨架作为主链的聚合物与芳香族羧酸卤化物等修饰用化合物反应。通过上述反应能够制备芳香族羰基等化学基团结合到多元醇骨架侧链的氧原子上的改性聚合物。例如，作为上述聚合物，可以使用聚乙烯醇，作为上述修饰用化合物，可以使用苯甲酰氯，作为上述化学基团，可以列举苯甲酰基。此外，如果将该改性聚合物成膜并实施拉伸处理，可以得到显示逆分散的波长分散特性的相位差膜。

Description

相位差膜及其用途以及新型改性聚合物

技术领域

本发明涉及相位差膜以及具备该相位差膜的液晶面板、液晶显示装置和图像显示装置。此外，本发明还涉及新型改性聚合物，特别是成为相位差膜的原料的新型改性聚合物。

背景技术

通常为了提高显示画面的视角特性，在液晶显示装置等图像显示装置中广泛使用相位差膜。

作为上述相位差膜，已知λ/2片、λ/4片等，但这些多数具有在短波长侧显示吸收，随着接近短波长侧而相位差增大的特性。这样的特性一般被称为正的波长分散特性(以下称为“正分散”)。但是，显示正分散的相位差膜具有以下的问题。

相位差膜的相位差，通常如果是λ/2片则设定为波长的1/2，如果是λ/4片则设定为波长的1/4。此外，理想地，当将波长作为横轴，将相位差作为纵轴时，希望相位差膜的图形显示为向右上的直线。这是因为如果显示这样的图形，由于随着波长的增加相位差也增加，因此在任意波长都能得到接近波长的1/4、1/2的值的相位差。但是，正分散的相位差膜，由于如上所述随着接近短波长侧而相位差增大，因此实际上图形显示为向左上的曲线，显示与理想的直线不同的趋势。即，尽管在某一波长满足所期望的相位差，但在宽的波长范围中不能得到所期望的相位差。因此，对于正分散的相位差膜，在宽的波长范围中进行直线偏光化困难。

因此，近年来显示出与正分散不同的波长分散特性的相位差膜引人注目。该相位差膜显示出随着波长接近长波长侧而相位差增大的性质，所谓逆分散的波长分散特性(以下称为“逆分散”)。该相位差膜由于随着波长接近长波长侧而相位差也增大，因此上述的相位差的图形显示出向右上的曲线，近似于理想的趋势。即，例如，如果是λ/4片，在宽波长范围能得到接近波长的1/4的值的相位差，因此作为宽波长范围的λ/4片的偏光转换成为可能。此外，如果是显示更大的逆分散的相位差膜，作为使波长的1/2的值成为理想的相位差的λ/2片，可以在宽波长范围使用。应予说明，“逆分散的大小”，例如，在上述图形中，可以将斜率相对大的称为“大”，将斜率相对小的称为“小”。因此，λ/2片的场合，由于波长的1/2成为理想的相位差，因此与λ/4片相比，要求上述图形的斜率大(在各波长处的相位差大)，即为大的逆分散。

以上的逆分散特性通常依赖于作为相位差膜的原料的聚合物的种类。但是，目前状况是对于能够实现逆分散的聚合物的报告极少。

具体地说，报告了例如通过由使2种单体聚合而成的聚合物成膜，将该膜拉伸而使相位差显现，从而形成逆分散的相位差膜的方法(日本专利申请公开2002-221622公报)。该方法中的2种单体是一种显示正的双折射性(单体1)，而另一种显示负的双折射性(单体2)，两者的波长分散特性为单体1＜单体2的组合。此外，还报告了将相位差的极性和波长分散特性不同的2种聚合物共混，形成逆分散的相位差膜的方法(日本专利申请公开2002-14234公报)。此外，还报告了由液晶分子和聚合物的混合物制造逆分散的相位差膜的方法(日本专利申请公开2002-48919公报)。

但是，上述日本专利申请公开2002-221622公报中公开的具有芴骨架的聚碳酸酯，因其结构而具有非常高的玻璃化转变温度。因此，在使相位差显现的拉伸处理中，存在必须将拉伸温度设定为极高温度的问题。此外，由于使厚度方向的折射率增高，因此当对这样的聚碳酸酯制未拉伸膜实施收缩处理时，也产生如下问题。所谓上述收缩处理，是将未拉伸膜与拟通过加热而收缩的膜贴合，将该层合体加热拉伸的方法(日本专利申请公开平5-157911公报)。这种情况下，相对于上述收缩膜的收缩温度，上述聚碳酸酯制未拉伸膜的拉伸温度过高，因此在工业上制造厚度方向的折射率高的相位差膜困难。

此外，在日本专利申请公开2002-14234公报记载的方法中，使2种聚合物相容时，维持得到的共混聚合物的透明性是困难的，存在聚合物组合的选择范围受到限制的问题。此外，在日本专利申请公开2002-48919公报记载的方法中，选择聚合物和液晶分子相容的组合是困难的。例如，因组合的不同，在聚合物中分散的液晶分子在薄膜的加热拉伸处理中变为液状，得到的相位差膜的雾度有可能增高，透明性有可能下降。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供不需要如前所述那样为了实现逆分散而选择多个单体、聚合物，并且能够避免拉伸温度依赖于聚合物的种类等问题的相位差膜及其用途以及新型改性聚合物。

为了实现上述目的，本发明的相位差膜，其特征在于：由含有改性聚合物的薄膜构成，所述改性聚合物具有多元醇骨架作为主链，具有用化学基团对上述多元醇骨架的侧链进行了改性的部分，上述化学基团为选自芳香族羰基、芳基取代低级烷基羰基和不饱和脂肪族羰基的至少1种基团，与上述多元醇骨架侧链的氧原子结合。

本发明的改性聚合物通过成为主链的多元醇骨架，虽然波长分散小但显现出大的相位差，并且通过上述化学基团结合于上述多元醇骨架侧链的氧原子上，进一步赋予逆分散。因此，由含有本发明的改性聚合物的薄膜构成的相位差膜，能显示逆分散并且也能实现大的相位差。这样，本发明者等初次发现：通过多元醇骨架和在其侧链结合上述化学基团，能够实现逆分散和大的相位差这两者。

此外，本发明的新型改性聚合物的制造方法，其特征在于：包括使具有多元醇骨架作为主链的聚合物与选自芳香族羧酸、芳香族羧酸卤化物、芳香族羧酸酐、芳基取代低级烷基羧酸、芳基取代低级烷基羧酸卤化物、芳基取代低级烷基羧酸酐、芳香族酮、芳香族醛、不饱和脂肪族羧酸、不饱和脂肪族羧酸卤化物、不饱和脂肪族羧酸酐、不饱和脂肪族酮和不饱和脂肪族醛的至少1种化合物(以下称为“修饰用化合物”)反应的工序。

根据本发明的改性聚合物的制造方法，与需要将多个单体、聚合物组合并且需要选择它们的配合比例等的现有方法相比，只通过使具有多元醇骨架的聚合物与修饰用化合物反应便能够赋予聚合物逆分散。此外，通过使上述化学基团在上述多元醇骨架上的修饰率变化，例如在维持透明性的状态下，也可以使波长分散的大小变化，显现大的相位差。因此，在形成相位差膜时，只通过使其厚度、拉伸处理的条件等变化，就能比现有方法更容易地调节相位差。此外，本发明的改性聚合物与具有芴骨架的聚碳酸酯不同，主链为多元醇骨架，玻璃化转变温度得到抑制，因此也能够避免相位差膜形成中的上述拉伸温度的问题。如上所述，采用本发明的制造方法能容易地得到显示逆分散并且也可以显现大的相位差的本发明的改性聚合物，因此逆分散的相位差膜的制造本身也变得简便。此外，如上所述，显示逆分散的相位差膜的原料聚合物极少，其波长分散特性的控制困难，从这点出发，本发明的改性聚合物作为相位差膜的新型制造原料也是极其有用的。

附图说明

图1是表示实施例1～4的相位差膜的波长分散的图表。

图2是表示实施例5～7的相位差膜的波长分散的图表。

图3是表示比较例1～2的相位差膜的波长分散的图表。

具体实施方式

如上所述，本发明的相位差膜中使用的新型改性聚合物，其特征在于：具有多元醇骨架作为主链，在上述多元醇骨架的侧链的氧原子上结合有上述芳香族羰基等化学基团。再者，如后所述，多元醇骨架的侧链的氧原子不必全部用上述化学基团改性，可以是部分用上述化学基团改性的聚合物。因此，本发明的新型改性聚合物是具有多元醇骨架的侧链用下述化学基团进行了改性的部分的聚合物。

该改性聚合物通过成为主链的多元醇骨架，尽管波长分散小但显现出大的相位差，并且通过上述化学基团与上述多元醇骨架侧链的氧原子结合，进而赋予逆分散。因此，如果使用该改性聚合物，可以得到显示逆分散并且也能实现大的相位差的相位差膜。

通过使上述化学基团在上述多元醇骨架上的修饰率变化，例如在维持透明性的状态下，也可以使波长分散的大小变化，显现大的相位差。因此，在形成相位差膜时，只通过使其厚度、拉伸处理的条件等变化，就能比现有方法更容易地调节相位差。此外，上述改性聚合物与具有芴骨架的聚碳酸酯不同，主链为多元醇骨架，玻璃化转变温度得到抑制，因此也能够避免相位差膜形成中的上述拉伸温度的问题。此外，采用下述制造方法能容易地得到显示逆分散并且也可以显现大的相位差的改性聚合物，因此逆分散的相位差膜的制造本身也变得简便。

作为上述多元醇骨架，可以列举聚乙烯醇(PVA)骨架、聚乙烯乙烯醇(EVOH)骨架等，优选PVA骨架。此外，在上述多元醇骨架的侧链的氧原子上，除了上述化学基团以外，可以部分地结合低级烷基羰基。作为上述低级烷基羰基，可以列举例如乙酰基(CH₃-CO-)。

作为上述化学基团的芳香族羰基，例如由下述式(1)或(2)表示。在下述式(1)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基、或硝基(-NO₂)，在下述式(2)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。

作为上述式(1)所示的上述芳香族羰基，优选例如R¹～R⁵为氢原子的苯甲酰基(C₆H₅-CO-)。

上述芳基取代低级烷基羰基，例如由Ar-(CH₂)_n-CO-表示，在上述式中，Ar为芳香环，n为1～2的整数，优选n为1(芳基取代甲基羰基：Ar-CH₂-CO-)。

此外，上述芳基取代低级烷基羰基，作为具体例，可以由下述式(3)或(4)表示。在下述式(3)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基、或硝基(-NO₂)，在下述式(4)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。在上述两式中，n为1～2的整数，优选n为1(芳基取代甲基羰基)。

作为上述化学基团，优选包含芳香族羰基和芳基取代低级烷基羰基的至少一方，上述芳基取代低级烷基羰基优选为在上述各式中n为1的芳基取代甲基羰基(Ar-CH₂-CO-)。这样，当化学基团为芳香族羰基或芳基取代甲基羰基时，上述主链和化学基团的芳香环之间的碳数为1或2。如果上述碳数为1或2，例如，通过使用该改性聚合物形成薄膜，能够得到极其刚直的薄膜。此外，由于聚合物侧链的自由度进一步受到限制，因此变得更容易实现逆分散。其原因推测如下。将薄膜进行了拉伸时，通常聚合物的主链沿拉伸方向取向，侧链也随其沿相同方向取向。但是，如果具有上述芳香环并且将上述碳数设定为1或2，则能够进一步限制侧链的自由度。因此，充分抑制侧链与主链同样地沿拉伸方向取向，使上述侧链容易沿主链的垂直方向取向。其结果，认为通过结合的化学基团而赋予的逆分散特性得到充分发挥。

作为上述不饱和脂肪酸羰基，优选例如至少具有双键和三键的任一种，具体地说，可以列举下述式(5)～(7)的任一个所示的基团。在下述式(5)～(7)中，R¹³、R¹⁴和R¹⁵为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。

上述不饱和脂肪酸羰基中，优选上述式(5)所示的化学基团，特别优选R¹³为氢原子的丙炔酰基(CH≡C-CO-)。

上述多元醇骨架中上述化学基团的修饰率，例如，优选多元醇骨架主链中总碳数的1～20％的范围，更优选4～20％的范围，特别优选4～15％的范围。

本发明的改性聚合物，与上述具有芴骨架的聚碳酸酯不同，由于具有聚烯烃骨架，其玻璃化转变温度通常为80～180℃的范围。

以下对本发明的改性聚合物的制造方法进行说明。本发明的改性聚合物的制造方法，如上所述，其特征在于：包括使具有多元醇骨架作为主链的聚合物(以下也称为“原料聚合物”)与选自芳香族羧酸、芳香族羧酸卤化物、芳香族羧酸酐、芳基取代低级烷基羧酸、芳基取代低级烷基羧酸卤化物、芳基取代低级烷基羧酸酐、芳香族酮、芳香族醛、不饱和脂肪族羧酸、不饱和脂肪族羧酸卤化物、不饱和脂肪族羧酸酐、不饱和脂肪族酮和不饱和脂肪族醛的至少1种修饰用化合物反应的工序。采用该制造方法，例如，在原料聚合物的羟基和上述修饰用化合物的官能团(羧基、卤代羰基、羰基等)之间产生反应(例如脱水反应、脱卤化氢反应)。采用该反应，上述化学基团与上述原料聚合物的侧链的氧原子结合(例如酯键)，得到本发明的改性聚合物。应予说明，本发明的改性聚合物的制造方法并不限定于该方法。

上述芳香族羧酸例如由RCOOH表示，芳香族羧酸卤化物例如由RCOZ表示，芳香族羧酸酐例如由(RCO)₂O表示，在上述各式中，R由下述式(8)或(9)表示，Z为卤素原子。

在上述式(8)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)，在上述式(9)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。

在上述修饰用化合物中，优选芳香族羧酸卤化物RCOZ，特别优选R由上述式(8)表示、R¹～R⁵为氢原子、Z为Cl的苯甲酰氯(C₆H₅COCl)。

上述芳基取代低级烷基羧酸，例如由Ar-(CH₂)_n-COOH表示，上述芳基取代低级烷基羧酸卤化物，例如由Ar-(CH₂)_n-COZ表示，芳基取代低级烷基羧酸酐，例如由(Ar-(CH₂)_n-CO)₂O表示。在上述各式中，Ar为芳香环，Z为卤素原子，n为1～2的整数，优选n为1(芳基取代甲基羧酸、芳基取代甲基羧酸卤化物、芳基取代甲基羧酸酐)。

此外，作为具体例，芳基取代低级烷基羧酸由R’COOH表示，芳基取代低级烷基羧酸卤化物由R’COZ表示，芳基取代低级烷基羧酸酐由(R’CO)₂O表示，在上述各式中，R’由下述式(10)或(11)表示，Z为卤素原子。

在上述式(10)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)，在上述式(11)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²可以彼此相同，也可以不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。在上述两式中，n为1～2的整数，优选n为1。

作为上述修饰用化合物，优选包含上述的芳香族羧酸、芳香族羧酸卤化物和芳香族羧酸酐、芳基取代低级烷基羧酸、芳基取代低级烷基羧酸卤化物、芳基取代低级烷基羧酸酐，芳基取代低级烷基羧酸、芳基取代低级烷基羧酸卤化物和芳基取代低级烷基羧酸酐，优选分别为上述各式中n为1的芳基取代甲基羧酸、芳基取代甲基羧酸卤化物、芳基取代甲基羧酸酐。如果使用这些修饰用化合物，在制造的改性聚合物中，由于主链和化学基团的芳香环之间的碳数为1或2，因此能够获得上述效果。

上述不饱和脂肪族羧酸、不饱和脂肪族羧酸卤化物和不饱和脂肪族羧酸酐，优选至少具有双键和三键的任一方。上述不饱和脂肪族羧酸例如由R”COOH表示，不饱和脂肪族羧酸卤化物例如由R”COZ表示，不饱和脂肪族羧酸酐例如由(R”CO)₂O表示，在上述各式中，优选R”由下述式(12)～(14)的任一个表示，Z为卤素原子。

R¹³-C≡C-                    …(12)

在上述式(12)～(14)中，R¹³、R¹⁴和R¹⁵为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基(-NO₂)。

在上述不饱和脂肪族羧酸、不饱和脂肪族羧酸卤化物和不饱和脂肪族羧酸酐中，优选R”COOH所示的不饱和脂肪族羧酸，特别优选R”由上述式(12)所示、R¹³为氢的丙炔酸(CH≡C-COOH)。

作为上述具有多元醇骨架的聚合物(原料聚合物)，可以列举例如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯乙烯醇(EVOH)等，优选PVA。通常，PVA通过将聚醋酸乙烯酯皂化而制造，EVOH通过将乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)皂化而制造，但对它们的皂化度并无特别限制，例如为40～100％的范围，优选60～100％的范围，更优选80～100％的范围。再者，能够通过PVA、EVOH的皂化度来控制上述化学基团产生的修饰率，后面将对此进行说明。

原料聚合物的皂化度并无特别限制，因此原料聚合物可以是在上述多元醇骨架的侧链的氧原子上部分结合有低级烷基羰基，例如乙酰基(CH₃-CO-)的聚合物。

上述修饰用化合物以及原料聚合物，可以分别为1种，也可以将2种以上并用。

在本发明中，优选将上述修饰用化合物相对于原料聚合物的多元醇骨架的导入率(化学基团产生的修饰率)调节为主链的总碳数的1～20％的范围，更优选4～20％的范围，特别优选4～15％的范围。再者，后面将对调节方法进行说明。

以下示出本发明的改性聚合物的制造方法的一例，但并不限于此。

首先，将原料聚合物溶解于溶剂中，调制聚合物溶液。上述溶剂的种类可以根据上述原料聚合物的种类适当确定，可以列举例如吡啶、二氯甲烷、三氯乙烯、四氯乙烷等氯类溶剂，丙酮、甲基乙基酮(MEK)、环己酮等酮类溶剂，甲苯等芳香族溶剂，环庚烷等环状烷烃，N-甲基吡咯烷酮等酰胺类溶剂，和四氢呋喃等醚类溶剂等。这些可以单独使用，也可以2种以上并用。

此外，原料聚合物的溶解优选在干燥条件下进行，例如，可以预先使原料聚合物自身干燥。

然后，再向上述聚合物溶液中添加上述修饰用化合物，使上述原料聚合物和上述修饰用化合物反应。再者，通过修饰用化合物的添加量，能够控制上述修饰用化合物向原料聚合物中的导入率(化学基团产生的修饰率)，后面将对此进行说明。

上述反应优选在加热条件下进行。上述反应温度并无特别限制，通常为25～60℃的范围，反应时间通常为2～8小时的范围。上述反应温度比上述原料聚合物的溶解处理温度低时，优选例如在将上述聚合物溶液的温度降低到反应温度后添加一次修饰用化合物。此外，上述反应优选边对含有上述原料聚合物和修饰用化合物的反应液进行搅拌边进行。

此外，上述反应可以在催化剂存在下进行，可以使用对甲苯磺酸·1水合物等酸催化剂这样的现有公知的催化剂。

然后，由该反应液将作为反应生成物的改性聚合物回收。改性聚合物的回收例如可以如下所示进行。

首先，在上述反应液中添加丙酮等溶剂，回收滤液。然后，在上述滤液中添加水使改性聚合物沉淀，通过过滤沉淀物，回收改性聚合物。回收的沉淀通常为白色。此外，回收的改性聚合物优选进一步通过在水中的搅拌而进行洗涤。然后，洗涤后将回收的改性聚合物减压干燥，得到干燥改性聚合物。

上述改性化合物相对于原料聚合物的导入率(化学基团产生的修饰率)例如可以如下所示进行控制。

作为第1控制方法，可以列举根据皂化度选择原料聚合物的方法。即，当原料聚合物和修饰用化合物的添加比例、温度等反应条件相同时，例如，通过使用皂化度相对高的原料聚合物，可以将导入率(修饰率)设定为高位，通过使用皂化度相对低的原料聚合物，可以将导入率(修饰率)设定为低位。

作为第2控制方法，可以列举调节原料聚合物和修饰用化合物的添加比例的方法。即，通过相对地增多修饰用化合物相对于原料聚合物的添加比例，可以将导入率(修饰率)设定在高位，通过相对地减少修饰用化合物的添加比例，可以将导入率(修饰率)设定在低位。

作为第3控制方法，可以列举例如使原料聚合物和修饰用化合物反应，使化学基团结合到上述聚合物上后，通过实施水解等处理，将结合的化学基团除去的方法。

采用以上的方法，能够制造本发明的改性聚合物。再者，本发明的改性聚合物中化学基团产生的修饰率，例如能够采用¹H-NMR检测。

以下对本发明的薄膜进行说明。本发明的薄膜是含有本发明的改性聚合物的薄膜，例如，作为显示逆分散的相位差膜的原料膜有用。

该薄膜的制造方法并无特别限制，可以列举目前为止公知的成膜方法。例如，能够通过将聚合物溶液、聚合物熔融液在基材上展开(涂布)，将该涂布膜固化而制造。本发明的改性聚合物可以是1种，也可以将2种以上并用。即，也可以将修饰率不同的改性聚合物、化学基团不同的改性聚合物、原料聚合物不同的改性聚合物等混合使用。

上述聚合物溶液，例如可以将改性聚合物溶解到溶剂中而调制。作为上述溶剂，并无特别限制，可以列举例如二甲基亚砜(DMSO)、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、二氯乙烷、四氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯苯、邻二氯苯等卤代烃类；苯酚、对氯苯酚等酚类；苯、甲苯、二甲苯、甲氧基苯、1，2-二甲氧基苯等芳香族烃类；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、环戊酮、2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡咯烷酮等酮类溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯类溶剂；叔丁醇、甘油、乙二醇、三甘醇、乙二醇单甲醚、二甘醇二甲醚、丙二醇、一缩二丙二醇、2-甲基-2，4-戊二醇这样的醇类溶剂；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等酰胺类溶剂；丙腈、丁腈等腈类溶剂；二乙醚、二丁醚、四氢呋喃等醚类溶剂；二硫化碳、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂等。这些溶剂可以是1种，也可以将2种以上并用。

上述聚合物的添加比例并无特别限制，相对于溶剂100重量份，例如，优选5～50重量份的范围，更优选为10～40重量份。此外，在上述聚合物溶液中可以根据需要进一步添加稳定剂、增塑剂、金属类等各种添加剂，在对后述相位差膜的波长分散特性不产生影响的范围内，可以添加不同的其他树脂。

上述聚合物溶液的展开方法也无特别限制，可以采用例如旋涂法、辊涂法、流涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、照相凹版印刷法、模涂法、帘式涂布法等目前为止公知的方法。此外，涂布膜的固化例如可以采用自然干燥、干燥进行。其条件也无特别限制，温度通常为40℃～300℃，优选50℃～250℃，进一步优选60℃～200℃。再者，涂布膜的干燥可以在一定温度下进行，也可以边阶段性地升高或降低温度而进行。干燥时间也无特别限制，通常为10秒～30分钟，优选30秒～25分钟，进一步优选1分～20分钟以下。

再者，作为本发明的薄膜的制造方法，此外可以列举例如在熔融温度以上使上述改性聚合物加热熔融而制膜的方法、从喷嘴挤出成型等。

本发明的薄膜用作相位差膜的形成材料，因此优选将其设定为适于后述相位差膜的制造的大小。作为相位差膜的材料，通常优选厚度为5～500μm，更优选为20～300μm，特别优选50～200μm。

其次，本发明的光学膜，其特征在于：包含含有本发明的改性聚合物的相位差膜(以下称为“本发明的相位差膜”)。上述相位差膜由于含有本发明的改性聚合物，因此在不进行使用现有的聚合物时的复杂的控制的情况下显示出逆分散，而且还能够容易地显现大的相位差。

本发明的光学膜，只要如上所述包含本发明的相位差膜，其构成并无特别限制。因此，可以是本发明的相位差膜单独的构成，也可以是上述相位差膜与后述的偏振镜等光学部件组合的构成。

本发明的相位差膜的制造方法并无特别限制，除了使用本发明的改性聚合物外，可以采用现有公知的方法，优选使用上述的本发明的薄膜。具体地说，对于本发明的薄膜通过实施例如拉伸处理、收缩处理而显现相位差，得到相位差膜。

上述拉伸处理可以根据所期望的相位差而适当确定拉伸的种类(例如单向拉伸、双向拉伸等)、拉伸倍率等条件。此外，可以在本发明的薄膜上预先贴合在拉伸温度附近收缩的收缩性膜，一同进行单向拉伸(日本专利申请公开平5-157911公报)。采用该方法能够容易地制造例如厚度方向的折射率比面内的折射率大、后述的Nz小于1的相位差膜。

上述薄膜的拉伸，例如，优选在比本发明的改性聚合物的玻璃化转变温度高的温度下进行。通常优选比玻璃化转变温度高5～50℃的温度下拉伸，更优选比玻璃化转变温度高10～40℃的温度。

本发明的相位差膜的波长450nm下的面内相位差Δnd(450nm)与波长550nm下的面内相位差Δnd(550nm)满足下述式的关系。这表示随着波长接近长波长侧，各波长(Xnm)下的面内相位差Δnd(Xnm)增加的倾向，即为逆分散。再者，上述波长(Xnm)通常为400～700nm的范围。

Δnd(450nm)/Δnd(550nm)＜1

Δnd由(nx-ny)·d表示，nx和ny分别表示上述相位差膜中X轴方向和Y轴方向的折射率，所谓上述X轴方向，是指在上述相位差膜的面内显示最大折射率的轴方向，Y轴方向是在上述面内与上述X轴垂直的轴方向，d表示上述相位差膜的厚度。

Δnd(450nm)/Δnd(550nm)更优选为0.6≤Δnd(450nm)/Δnd(550nm)＜1，特别优选为0.7≤Δnd(450nm)/Δnd(550nm)≤0.9的范围。

此外，本发明的相位差膜在波长650nm下的面内相位差Δnd(650nm)和在波长550nm下的面内相位差Δnd(550nm)优选满足1＜Δnd(650nm)/Δnd(550nm)的关系，更优选为1＜Δnd(650nm)/Δnd(550nm)≤2，特别优选为1.1≤Δnd(650nm)/Δnd(550nm)≤1.3。

相位差膜的逆分散的大小，例如，可以通过控制本发明的改性聚合物中化学基团的修饰率而使其变化。此外，也可以通过制备数种具有不同修饰率的改性聚合物，以规定的比率进行混合，得到使波长分散特性变化的所期望的逆分散。当这样将改性聚合物混合时，作为混合物全体的修饰率，例如，优选相对于主链的总碳数为1～20％。

本发明的相位差膜只要是显现面内相位差并且显示逆分散即可，但优选显示例如光学单轴性“nx＞ny＝nz”、光学双轴性“nx＞ny＞nz”、“nx＞nz＞ny”的光学特性。这样的单轴性、双轴性的光学特性，例如，可以通过如上所述采用调节拉伸处理的种类、条件等的现有公知的方法进行设定。此外，在规定波长下的面内相位差、厚度方向相位差也同样可以采用适当设定上述拉伸处理的种类、条件、使用的薄膜的厚度等现有公知的方法进行设定。

本发明的相位差膜优选面内相位差Δnd(550nm)为10～1000nm，当作为λ/4片使用时，优选100～170nm的范围，当作为λ/2片使用时，优选200～340nm的范围。

此外，本发明的相位差膜，表示厚度方向双折射率(nx-nz)与面内双折射率(nx-ny)的关系的下述式所示的Nz系数优选例如为0＜Nz＜1。此外，当将1片本发明的相位差膜用于液晶单元时，优选为0.3＜Nz＜0.7，当使用2片时，优选使一片相位差膜为0.3＜Nz＜0.7、另一片为0.1＜Nz＜0.4进行组合。

Nz＝(nx-nz)/(nx-ny)

采用单向拉伸制作的通常的相位差膜(单轴性相位差膜)，由于其Y轴方向折射率(ny)和Z轴方向折射率(nz)相等，因此Nz系数为1。此外，当使该相位差膜相对于滞相轴倾斜时，其相位差通常随着倾斜的角度而增大。但是，相位差膜的Nz系数如果如上所述为0＜Nz＜1的范围，则相位差相对于倾斜角变化的变化与上述通常的单轴性相位差膜相比要小。特别是当Nz为0.5时，例如，如果倾斜角为60°左右，相位差几乎不会变化。此外，在相对于进相轴倾斜的场合，也是Nz系数越接近0.5，则相位差变化越是更进一步减小。即，由于倾斜角变化而观察到的相位差的变化比例相对于该Nz系数连续变化，但特别是如果为上述的范围“0＜Nz＜1”，则能够充分地控制倾斜角变化产生的相位差变化。

此外，当将通常的单轴性相位差膜(Nz＝1)配置成其滞相轴相对于倾斜轴为45°时，轴角度随着倾斜角变化使滞相轴相对于倾斜轴接近平行。与此相比，如果是0＜Nz＜1的相位差膜，与通常的单轴性相位差膜相比，轴角度的变化量也变小。具体地说，如果是Nz＝0.5的相位差膜，则保持在45°几乎不会变化。

本发明的相位差膜的厚度并无特别限制，例如为5～500μm，优选10～200μm，特别优选20～100μm。

本发明的相位差膜优选例如为λ/4片、λ/2片。如上所述，当用作λ/4片时，相位差设计为目标波长的1/4波长，当用作λ/2片时，相位差设计为目标波长的1/2波长。该设计能够如上所述采用调节拉伸方法、条件等现有公知的方法进行。此外，本发明的相位差膜由于如上所述能够显示逆分散并且也能够实现大的相位差，因此能够在宽范围的波长范围实现作为λ/4片、λ/2片等的功能。

以下，以除了上述相位差膜外，还包含偏振镜的偏振片作为一例，对本发明的光学膜进行说明。

上述相位差膜和偏振镜，例如，可以配置得使相位差膜的滞相轴与偏振镜的吸收轴垂直，也可以配置得使它们平行。特别是如果配置得使它们平行时，成为视觉特性在可见光的宽范围波长范围优异的广视角宽范围偏振片。

作为上述偏振镜，并无特别限制，能够使用现有公知的偏振镜，通常通过使聚合物膜吸附碘、二色性染料等二色性物质，进而交联、拉伸、干燥而调制。特别优选光透过率、偏光度优异的偏振镜。作为上述聚合物膜，并无特别限制，可以列举例如PVA类膜、部分甲醛化PVA类膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物类部分皂化膜、纤维素类膜等亲水性高分子膜等。此外，也能够使用PVA的脱水处理物、聚氯乙烯的脱盐酸处理物等聚烯取向膜等。其中优选PVA类膜。上述偏振镜的厚度通常为1～80μm的范围，但并不限于此。

上述相位差膜和偏振镜的层合体，优选在其单面或两面上进一步配置保护膜。上述保护膜并无特别限制，可以使用现有公知的透明保护膜，例如优选透明性、机械强度、热稳定性、水分阻隔性、各向同性等优异的保护膜。作为上述保护膜的材质，可以列举例如三乙酰基纤维素(TAC)等纤维素类树脂；聚酯类、聚降冰片烯类、聚碳酸酯类、聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚醚砜类、聚砜类、聚苯乙烯类、聚烯烃类、丙烯酸类、醋酸酯类等透明树脂。此外还可以列举丙烯酸类、氨基甲酸酯类、丙烯酸氨基甲酸酯类、环氧类、有机硅类等热固性树脂或紫外线固化性树脂等。这些可以是1种，也可以将2种以上组合使用。其中，从偏光特性、耐久性方面出发，优选TAC膜，特别优选用碱等对表面进行了皂化处理的TAC膜。

此外，也可以使用日本专利申请公开2001-343529公报(WO 01/37007)记载的聚合物膜。作为聚合物，可以使用含有侧链具有取代或未取代的酰亚胺基的热塑性树脂与侧链具有取代或未取代的苯基和腈基的热塑性树脂的树脂组合物，具体地说，可以列举具有由异丁烯和N-甲基马来酰亚胺构成的交替共聚物与丙烯腈-苯乙烯共聚物的树脂组合物。此外，上述聚合物膜例如可以是上述树脂组合物的挤出成型物。

上述保护膜的厚度并无特别限制，通常为500μm以下，优选5～300μm，更优选为5～100μm，进一步优选5～60μm的范围。

上述保护膜的双折射特性并无特别限制，例如，当用于液晶显示装置时，可以设定为与其模式相应的双折射特性。例如，在面内开关(IPS)模式的场合，优选尽可能小的相位差。此外，在垂直取向(VA)模式的场合，优选正面的相位差尽可能小，优选倾斜方向的相位差对于视觉显示出滞相轴出现在水平方向的负的光学单轴性。

本发明的相位差膜和偏振镜，例如，可以通过上述的保护膜层合，但也可以将两者直接层合。这是因为本发明的相位差膜具有多元醇骨架，因此与现有的聚碳酸酯类、聚烯烃类、聚降冰片烯类等相位差膜相比，即使不通过保护膜等，也容易与偏振镜(特别是PVA制偏振镜)粘接。此外，当不通过保护膜等而直接将相位差膜与偏振镜层合时，优选在上述相位差膜另一表面上配置例如TAC膜等显示出负的单轴性(nx＝ny＞nz)的保护膜。所谓“直接”，是指不通过保护膜等部件而将相位差膜和偏振镜层合，例如，并不是指连粘接剂、粘合剂等也除去。

相位差膜与偏振镜之间等各部件间的粘接方法并无特别限制，通常可以使用现有公知的粘接剂、粘合剂。作为上述粘合剂，可以列举例如丙烯酸类聚合物、有机硅类聚合物、聚酯、聚氨酯、聚醚、合成橡胶等应力缓和性优异的透明的粘合剂，其中从光学透明性、粘合特性、耐候性等方面出发，优选丙烯酸类粘合剂。

本发明的光学膜如上所述，可以包含本发明的相位差膜，所包含的部件的层合数并无特别限制。此外，当包含二层以上的相位差膜时，可以是相同的相位差膜，也可以是不同的相位差膜。

当将本发明的相位差膜和偏振镜组合制造广视角、宽范围的偏振片时，本发明的相位差膜的光学特性优选如下设定。在λ/2片的场合，相位差膜的相位差一般调节为中心波长的1/2，上述中心波长通常被设定为400nm～700nm的范围。例如，当本发明的光学膜包含1层本发明的相位差膜时，优选将上述相位差膜的Nz设定为0.1～0.9，更优选为0.25～0.75的范围，进一步优选0.4～0.6的范围。如果这样设定，当从正面观察本发明的偏振片时，能够以极广的视角实现正交尼可尔。

该本发明的偏振片优选为圆偏振片。圆偏振片，例如，可以将本发明的相位差膜(λ/4片)和偏振镜配置为各自的光轴角度为45°。

当使用的相位差膜完全给予1/4波长的相位差时，圆偏振片能够使透过的光变为圆偏光。另一方面，当相位差膜给予1/4波长以外的相位差时，圆偏振片将透过的光变为不是圆偏光的椭圆偏光。因此，作为圆偏振片的特性，希望在尽可能宽范围的波长范围给予圆偏光或与其接近的椭圆偏光。

此外，在图像显示装置等中，透过了圆偏振片的偏光在不消除偏光的反射板被反射。此时，越接近圆偏光则越能实现偏光的转换，如果是完全的圆偏光，则完全转换为反极性的圆偏光。此外，被反射的反极性的圆偏光不能再次透过圆偏振片而完全被圆偏振片吸收。但是，如果圆偏光性降低，则随着降低，反射光的转换效率变小，因此反射光透过圆偏振片。因此，越是能在更宽的波长范围实现圆偏光，则越能实现无彩色。

特别是当以防反射的目的使用圆偏振片时，在整个可见光范围，给予圆偏光或与其接近的椭圆偏光的圆偏振片是良好的圆偏振片。但是，如果是正分散的λ/4片，能够实现圆偏光的只是中心波长范围的一部分，随着远离中心波长，圆偏光性下降，圆偏光的椭圆率减小。因此，反射光透过圆偏振片的光量，虽然在相位差为1/4波长的中心波长处为0，但随着远离中心波长而增大。其结果，在透过光量自身增加的同时，看起来进一步着色。这样的现象，即使是平的波长分散，即相位差因波长不太变化的波长分散，也能同样地看到。在这种情况下，与正分散相比，着色减少，但在远离中心波长的波长范围，透过光量仍会增大。与此相比，本发明的圆偏振片由于使用显示上述逆分散的本发明的相位差膜，因此能够在更宽的波长范围实现透过光的圆偏光。因此，能够抑制反射光的透过光量，此外，在远离中心波长的波长也能够使反射光的圆偏振片透过率减少而实现无彩色。

本发明的光学膜能够用于例如液晶面板、液晶显示装置、其他图像显示装置，其使用方法、配置与现有的液晶面板、液晶显示装置同样。本发明的液晶面板，例如，优选在液晶单元的至少一个表面上、特别优选在显示画面侧配置本发明的光学膜，本发明的液晶显示装置可以具备这样的液晶面板。

本发明的液晶显示装置的显示方式并无特别限制，由于能在极广的视角下实现高对比度，因此优选例如IPS模式、VA模式。这是因为采用本发明的光学膜能够在广视角范围、宽波长范围实现正交尼可尔。此外，VA模式的液晶单元由于显示正的单轴性(nx＝ny＜nz)，因此特别优选使用包含本发明的相位差膜和偏振镜和显示负的单轴性(nx＝ny＞nz)的保护膜的光学膜。通过进一步包含这样的保护膜，除了实现广视角范围、宽波长范围的正交尼可尔外，还能够对液晶单元进行补偿。再者，当保护膜的相位差小时，可以另外将显示负的单轴性(nx＝ny＞nz)的薄膜配置于液晶单元。

本发明的光学膜并不限定于上述的液晶显示装置，例如，也能够用于有机场致发光(EL)显示器、等离子体显示器(PD)和FED(电场发射显示器：Field Emission Display)等自发光型显示装置。当在这些各种图像显示装置中使用本发明的光学膜时，优选包含上述本发明的相位差膜和偏振镜的圆偏振片，优选将上述圆偏振片配置在显示画面侧。这样例如能够除去由电极反射的外光，即使在明亮的环境下也能够提高视认性。再者，除了代替现有的光学膜而使用本发明的光学膜外，并无特别限制，可以适用现有公知的结构、配置。

以下使用实施例和比较例，对本发明进行更具体说明，但本发明并不限定于以下的实施例。

实施例1

将皂化度88％的PVA 11g悬浮于吡啶100mL中，在干燥条件下、100℃下搅拌一晚。在该反应液中添加吡啶100mL，冷却到50℃后，再每次少量地加入苯甲酰氯8.2g，在50℃下搅拌6小时。在该反应液中加入丙酮800mL，进行过滤，将得到的滤液与蒸馏水7L混合，进行再沉淀。将该沉淀的聚合物(白色沉淀)过滤，投入50℃的蒸馏水中，通过搅拌进行洗涤。在减压下将再次通过过滤而回收的沉淀聚合物干燥，得到7.4g的苯甲酰基改性PVA。对该苯甲酰基改性PVA进行¹H-NMR分析，苯甲酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为13.5％。

将得到的苯甲酰基改性PVA 2g和甘油0.2g溶解于二甲基亚砜(DMSO)20g，调制改性PVA溶液。用涂布器将该改性PVA溶液涂布在玻璃板上，通过干燥而在上述玻璃板上形成苯甲酰基改性PVA膜。从玻璃板上剥离该薄膜，在100℃下拉伸到2倍，制作相位差膜。

实施例2

除了使苯甲酰氯为13.4g以外，与实施例1同样地制作相位差膜。再者，得到的苯甲酰基改性PVA为7.8g，苯甲酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为19.5％。

实施例3

除了使苯甲酰氯为2.5g以外，与实施例1同样地制作相位差膜。再者，得到的苯甲酰基改性PVA为7.5g，苯甲酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为1.5％。

实施例4

将皂化度88％的PVA 11g悬浮于吡啶100mL中，在干燥条件下、100℃下搅拌一晚。在该反应液中添加吡啶100mL，冷却到50℃后，再每次少量地加入丙炔酸4.7g，在50℃下搅拌6小时。在该反应液中加入丙酮800mL，进行过滤，将得到的滤液与蒸馏水7L混合，进行再沉淀。将该沉淀的聚合物(白色沉淀)过滤，投入50℃的蒸馏水中，通过搅拌进行洗涤。在减压下将再次通过过滤而回收的沉淀聚合物干燥，得到6.7g的丙炔酰基改性PVA。对该丙炔酰基改性PVA进行¹H-NMR分析，丙炔酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为15％。

将得到的丙炔酰基改性PVA 2g和甘油0.2g溶解于DMSO 20g，调制丙炔酰基改性PVA溶液。然后用涂布器将该溶液涂布在玻璃板上，通过干燥在上述玻璃板上形成丙炔酰基改性PVA膜。从玻璃板上剥离该薄膜，在100℃下拉伸到2倍，制作相位差膜。

实施例5

除了使丙炔酸为6g以外，与实施例4同样地制作相位差膜。再者，得到的丙炔酰基改性PVA为7.2g，丙炔酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为18％。

实施例6

除了使丙炔酸为2g以外，与实施例4同样地制作相位差膜。再者，得到的丙炔酰基改性PVA为6.4g，丙炔酰基相对于PVA主链的全部碳的修饰率为2.5％。

实施例7

与实施例1同样地制作苯甲酰基改性PVA膜(未拉伸)，用粘合剂在该薄膜的两面上贴合双向拉伸的聚烯烃膜。然后，在100℃下将该层合体拉伸到2倍，然后剥离上述聚烯烃膜，得到实施了拉伸处理的苯甲酰基改性PVA膜。将其作为相位差膜。

实施例8

使用PVA类粘接剂将上述实施例7的相位差膜贴合到PVA碘类偏振镜的一个面上。再者，上述相位差膜和上述偏振镜的配置使得相位差膜的滞相轴和偏振镜的吸收轴平行。此外，在上述偏振镜的另一表面上贴合TAC膜(保护膜，下同)，制作偏振片。

(比较例1)

将聚碳酸酯2g溶解于二氯甲烷20g中，用涂布器将该溶液涂布在玻璃板上，通过干燥在上述玻璃板上形成了聚碳酸酯膜。在160℃下将该薄膜拉伸1.5倍，制作相位差膜。

(比较例2)

除了不添加苯甲酰氯外，与上述实施例1同样地调制未改性PVA膜，将其拉伸制作相位差膜。

对于如上所述得到的实施例1～7的相位差膜和比较例1～2的相位差膜，对各自的特性进行评价。再者，得到的各相位差膜的折射率的关系分别如下所示。

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

实施例5

实施例6nx＞ny≈nz

实施例7nx＞nz＞ny

比较例1

比较例2

(波长分散特性)

使用双折射测定装置(商品名KOBRA-21ADH：王子计测机器社制)，测定各相位差膜中面内相位差的波长分散。将这些的结果示于下述表1和图1～图3的图表中。在各图中，横轴为波长，纵轴为面内相位差的波长分散(Δnd(Xnm)/Δnd(550nm))，图1示出了实施例1～4的结果，图2示出了实施例5～7的结果，图3示出了比较例1～2的结果。再者，在各图形中一并示出了理想的逆分散(理想分散)。

表1

如图1和图2所示，实施例1～7的相位差膜分别显示出短波长侧的面内相位差比长波长侧的面内相位差小的逆分散。与此相比，如图3所示，比较例1的相位差膜显示出正分散，比较例2的相位差膜接近平的波长分散，没有达到逆分散。

(圆偏光性)

将各相位差膜贴到偏振片(商品名SEG1425DU：日东电工社制)，制作圆偏振片。再者，上述两者的配置使得相位差膜的吸收轴与偏振片的滞相轴成45°。然后，将该圆偏振片配置到在PET上蒸镀有铝的反射板的表面(铝蒸镀膜表面)，使用装置(商品名MCPD3000：大冢电子社制)评价反射色。将这些的结果(a^*值，b^*值)示于下述表2。再者，可以判断：a^*值的绝对值越大，则越带红色，b^*值的绝对值越大，则越带黄色。

表2

	a<sup>*</sup>	b<sup>*</sup>
			实施例1实施例4	14.07621.811	8.962-15.170
比较例1比较例2	46.78342.656	-34.852-31.364

如上述表2所示，使用了实施例1、4的相位差膜时，与比较例1、2相比，a^*、b^*的绝对值均小，因此是更为无彩色，着色少。因此，采用实施例的相位差膜，与比较例相比，能够实现在更宽的波长范围的圆偏光性。

(相位差变化)

接着，对实施例7的相位差膜确认相位差变化。

对于实施例7的相位差膜，测定正面相位差和将相位差膜相对于滞相轴倾斜40°状态下的相位差，确认相位差变化。其结果：实施例7的相位差膜几乎无相位差变化，采用外插计算的结果(由测定的双折射率计算的结果)：Nz系数为约0.55。

(透过光的观察)

将实施例8的偏振片、在PVA碘系偏振镜的一个表面上层合有保护膜(TAC膜)的直线偏光片配置为各自的吸收轴垂直，观察透过光。上述直线偏振片的配置使得其保护膜位于实施例8的偏振片的相反侧。此外，将上述实施例8的偏振片和直线偏振片配置为相对于平面上的0°方向，各自的吸收轴为45°和-45°，在由法线向平面上的0°方向倾斜45°的状态观察透过光。其结果，几乎没有发生光线散失，与由法线方(倾斜角0°)观察的结果大致相同。此时，如果旋转直线偏振片，则透过光量增加。由此可知，实施例8的偏振片即使倾斜，吸收轴的角度也几乎没有变化。与此相比，使用比较例1和比较例2的相位差膜，与实施例8同样地分别制作偏振片，进行了同样的观察。其结果，使用了比较例1和比较例2的相位差膜的偏振片，随着倾斜角的增大，光泄漏出，如果旋转组合的直线偏振片，则透过光慢慢地减少。由此可以认为，使用了比较例1和2的相位差膜的偏振片的吸收轴的角度发生了变化。

如上所述，根据本发明，不必象以往那样选择多个单体、聚合物的组合，能够容易地得到显示逆分散的改性聚合物。此外，如果使用该本发明的改性聚合物，能够避免在以往的拉伸处理中玻璃化转变温度等问题，制作逆分散的相位差膜。因此，本发明的改性聚合物作为显示逆分散的相位差膜的新型原料而极其有用。

Claims (16)

1.一种相位差膜，其特征在于：含有改性聚合物的薄膜，该改性聚合物具有聚乙烯醇骨架或聚乙烯乙烯醇骨架作为主链，具有在上述骨架侧链的氧原子上结合有选自下述式(1)或(2)所示的芳香族羰基及Ar-(CH₂)_n-CO-所示的芳基取代低级烷基羰基中的至少1种化学基团的部分，其中，Ar为芳香环，n为1～2的整数，

在上述式(1)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵彼此相同或不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基、或硝基，在上述式(2)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²彼此相同或不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基。

2.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，芳基取代低级烷基羰基由下述式(3)或(4)表示，

在上述式(3)中，R¹、R²、R³、R⁴和R⁵彼此相同或不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基、或硝基，在上述式(4)中，R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹和R¹²彼此相同或不同，为氢原子、卤素原子、羟基、甲基、乙基、卤代甲基、卤代乙基或硝基，在上述两式中，n为1～2的整数。

3.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，上述化学基团在上述骨架中的修饰率为主链总碳数的1～20％的范围。

4.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，改性聚合物的玻璃化转变温度为80～180℃。

5.根据权利要求1所述的相位差膜，为波长450nm的面内相位差Δnd(450nm)与波长550nm的面内相位差Δnd(550nm)满足下述关系式的薄膜：

Δnd(450nm)/Δnd(550nm)＜1。

6.根据权利要求1所述的相位差膜，为波长650nm的面内相位差Δnd(650nm)与波长550nm的面内相位差Δnd(550nm)满足下述关系式的薄膜：

Δnd(650nm)/Δnd(550nm)＞1。

7.根据权利要求1所述的相位差膜，为下述式所示的Nz系数满足0＜Nz＜1的薄膜：

Nz＝(nx-nz)/(nx-ny)

在上述式中，nx和ny分别表示上述相位差膜中X轴方向和Y轴方向的折射率，nz表示上述相位差膜中厚度方向的折射率，所谓上述X轴方向，是指在上述相位差膜的面内显示出最大折射率的轴方向，Y轴方向是指在上述面内与上述X轴垂直的轴方向。

8.根据权利要求1所述的相位差膜，其中，薄膜的厚度为5μm～500μm。

9.一种光学膜，其特征在于：具有权利要求1～7中任一项所述的相位差膜。

10.一种液晶面板，其特征在于：具备权利要求9所述的光学膜。

11.一种液晶面板，其特征在于：在液晶单元的至少一面配置有权利要求1所述的相位差膜。

12.根据权利要求11所述的液晶面板，其中，上述相位差膜配置在上述液晶单元的显示画面侧。

13.一种液晶显示装置，其特征在于：具备权利要求10所述的液晶面板。

14.一种液晶显示装置，其特征在于：具备权利要求11所述的液晶面板。

15.一种图像显示装置，其特征在于：具备权利要求1～7中任一项所述的相位差膜。

16.根据权利要求15所述的图像显示装置，其中，图像显示装置是选自电致发光显示器、等离子体显示器和电场发射显示器中的至少一种。

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