CN100542182C - 具有负载变化容限的射频(rf)放大器 - Google Patents

具有负载变化容限的射频(rf)放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN100542182C
CN100542182C CNB2004800104170A CN200480010417A CN100542182C CN 100542182 C CN100542182 C CN 100542182C CN B2004800104170 A CNB2004800104170 A CN B2004800104170A CN 200480010417 A CN200480010417 A CN 200480010417A CN 100542182 C CN100542182 C CN 100542182C
Authority
CN
China
Prior art keywords
impedance
phase shift
path
shift element
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB2004800104170A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1778093A (zh
Inventor
张文孝
休·J·芬利
郑乃硕
邦-瑟奥克·帕克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conexant Systems LLC
Original Assignee
Conexant Systems LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Conexant Systems LLC filed Critical Conexant Systems LLC
Publication of CN1778093A publication Critical patent/CN1778093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100542182C publication Critical patent/CN100542182C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B5/00Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B1/0458Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B5/00Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/20Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by the transmission technique; characterised by the transmission medium
    • H04B5/22Capacitive coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有相位偏移和阻抗变换元件的功率放大器。该功率放大器包括多个放大通路、位于每个放大通路的输入端的第一相位偏移元件、以及位于每个放大通路的输出端的第二相位偏移元件。该放大器也包括与第二相位偏移元件相连的阻抗变换元件以及用于将每个放大通路的输出合成为单一的输出的功率合成器。

Description

具有负载变化容限的射频(RF)放大器
技术领域
本发明一般涉及射频(RF)发射功率的产生和控制、最小化成本、以及减小便携式通信设备的尺寸。特别地,本发明涉及对负载变化具有容限的RF放大器。
背景技术
随着可用效率的提高,低成本电子模块、移动通信系统变得越来越普遍。例如,有许多通信设计的变化,其使用不同的频率、传输设计、调制技术以及通信协议以在一个手持机、类似电话的通信收发器、无线的个人数字助理(PDA)或计算机界面中提供双向的语音和/或数据通信。虽然不同的调制和传输设计各有其优缺点,但是所有这些设备的共同目标是最小化手持机的尺寸和成本,同时最大化收发器的性能。
最小化便携式通信收发器的尺寸和成本通常是这种设备的设计者们所面临的最大挑战。虽然有很多不同的方法被研究,经常地,既最小化收发器尺寸也最小化其成本的最大机会是减少收发器中组件的数量。通常包括适中的组件数量,从而提供组件数量减少的机会的设备之一就是RF功率放大器。该RF功率放大器接收RF传输信号并且放大这一传输信号以用于通过与收发器相连的天线进行发射。
传统的RF功率放大器可包括多级并且,在有些应用中,包括多个放大通路。在有些配置中这种多通路设置被称为“平衡放大器”。不管其体系结构如何,传统的平衡功率放大器要求耦合电路以将多个通路的输出合成在一起。此外,由于出现在功率放大器上的负载会随着天线阻抗的变化而改变,传统的RF功率放大器(使用的是单通路或是双通路的放大设计)一般采用一个或多个位于放大器输出端的隔离器。天线阻抗根据收发器的位置和操作模式而不断地改变。例如,根据收发器的位置,天线阻抗可在5到50欧姆之间变化。没有保护性的隔离器或者特殊的保护性电路,出现在功率放大器上的天线阻抗的这一变化会导致功率放大器的性能的改变,从而降低收发器的整体性能。该隔离器使出现在功率放大器输出级上的阻抗变化最小化。遗憾的是,该隔离器是一个相对大并且昂贵的组件,它由于物理污染的可能性,难以被集成到功率放大器在其上被制作的同一结构当中去。
因此,在允许功率放大器在广泛的操作条件下可运算的同时,将隔离器从收发器中去除将是比较理想的情况。
发明内容
本发明公开了一种带有相位偏移和阻抗变换元件的功率放大器。该功率放大器包括多个放大通路、位于每个放大通路的输入端的第一相位偏移元件、以及位于每个放大通路的输出端的第二相位偏移元件。该放大器也包括与第二相位偏移元件相连的阻抗变换元件以及用于将每个放大通路的输出合成为一个单一的输出的功率合成器。
本发明也提供了有关的系统和操作方法。对于本领域的技术人员而言,通过阅读下面的附图和具体实施方式,本发明其它的系统、方法、特性以及优点将是或将变得很明显。本申请试图将所有这些其他的系统、方法、特性以及优点包括在说明书中,使其属于本发明的范围,并且依据所附的权利要求书受到保护。
附图说明
参考下面的附图可以更好地理解本发明。附图中的组件不是按比例的,用于清楚地说明本发明的原理。而且,在附图中,相同的参考数字从不同的视角标明相应的部分。
图1是根据本发明实施例的包括功率放大器的简化的便携式收发器的方框图;
图2是图1中的功率放大器的方框图;
图3是图2中的输出电路的方框图。
具体实施方式
尽管是特别参考一个便携式收发器所做的描述,但是相位偏移和阻抗变换元件和/或功率合成器和阻抗变换元件可以被实现在任何希望通过去除功率放大器输出端的一个或多个隔离器以最小化成本和/或尺寸的平衡功率放大系统中。在一个优选实施例中,正如以下将要描述的,包括相位偏移和阻抗变换元件以及功率合成器和阻抗变换元件的功率放大器是以硬件形式来实现的。本发明的硬件部分可以使用专门的硬件元件和逻辑来实现。此外,相位偏移和阻抗变换元件以及功率合成器和阻抗变换元件的硬件实施可以包括下面技术中的任何一个或技术组合,这些技术在本领域广为人知:离散电路组件和元件、集成电路组件和元件、离散组件和集成电路组件的组合、传输线和/或传输线组件或元件、带有逻辑门用于在数据信号上实现逻辑功能的离散逻辑电路、带有适当的逻辑门的专用集成电路的应用、可编程门阵列(PGA)、现场可编程门阵列(FPGA),等等。
图1是根据本发明实施例的包括功率放大器的简化的便携式收发器的方框图。便携式收发器100包括扬声器102、显示器104、键盘106以及话筒108,它们全部与基带子系统110连接。在一个特定实施例中,便携式收发器100可以是,例如,但不仅限于,便携式的电信手持机比如移动蜂窝式电话。正如本领域的技术人员已知的:扬声器102和显示器104分别通过线路112和114接收来自基带子系统110的信号。同样地,键盘106和话筒108分别通过线路116和118将信号发送到基带子系统110。基带子系统110包括通过总线128进行通信的微处理器(μP)120、存储器122、模拟电路124和数字信号处理器(DSP)126。总线128尽管显示的是一条总线,但是如果需要可以被实现为使用多个总线将基带子系统110内的各子系统连接起来。微处理器120和存储器122为便携式收发器100提供信号定时、处理和存储功能。模拟电路124为基带子系统110中的信号提供模拟处理功能。基带子系统110通过线路132提供控制信号给射频(RF)子系统130。尽管显示的是一条线路132,但是控制信号可以产生于DSP 126或微处理器120,并且可以被发送到RF子系统130中的不同点上。需要注意的是,为简化起见,只说明了便携式收发器100的基本组件。
基带子系统110也包括模数转换器(ADC)134和数模转换器(DAC)136和138。ADC 134、DAC 136和DAC 138也通过总线128与微处理器120、存储器122、模拟电路124和DSP 126进行通信。DAC 136将基带子系统110中的数字通信信息转换成模拟信号以通过线路140传输给RF子系统130。DAC 138通过线路144提供一个参考电压功率电平信号给功率放大器控制元件161。DAC 136和138的操作也可以被合成到一个设备上。线路140显示为两条直的箭头,包括从数字域转换为模拟域之后将通过RF子系统130被传输的信息。
RF子系统130包括调制器146,调制器在通过线路150接收到来自合成器148的频率参考信号(也叫做“本机振荡器”信号,或“LO”)之后,调制所接收到的模拟信息并将调制的信号通过线路152提供给上变频器154。根据所希望的传输格式,调制的传输信号可以只含相位信息,只含振幅信息,或者相位和振幅信息都有。上变频器154也通过线路156接收来自合成器148的频率参考信号。合成器148设定一个频率,上变频器154将线路152上的调制信号上变频为该频率。
上变频器154通过线路158将调制信号发送到功率放大器200。功率放大器200将线路158上的调制信号放大到适当的功率电平以通过线路162传输给天线164。说明性地,开关166控制:线路162上的放大信号是否被传提供给天线164,或者从天线164接收到的信号是否提供给滤波器168。经线路132由来自基带子系统110的控制信号对开关166的操作进行控制。或者,正如本领域的普通技术人员所知的:开关166可以被一个滤波器(例如双工器)所取代,它允许传输信号和接收信号同时通过。
功率放大器200优选配置为被称作“平衡放大器”的体系结构。如以下将要描述的,功率放大器200包括相位偏移和阻抗变换电路,以及功率合成器和阻抗变换电路,其允许功率放大器200对功率放大器200输出端的负载变化(也称作阻抗变化)保持高容限度。
线路162上的一部分放大的传输信号能量通过线路170被提供给功率放大器控制元件161。功率放大器控制元件161可以构成一个闭环输出功率控制器,它利用反馈以控制功率放大器160的输出功率,也可以通过线路172将功率控制信号提供给功率放大器200。
天线164所接收到的信号将被导入接收滤波器168。接收滤波器168对接收到的信号进行滤波并且将线路174上滤波后的信号提供给低噪声放大器(LNA)176。接收滤波器168是带通滤波器,它能通过便携式收发器100操作所处的特定的蜂窝系统的所有信道。举例来说,对1800MHz PCS CDMA而言,接收滤波器168能通过从1930.00MHz到1989.950MHz的全部频率,覆盖1.25MHz的250个信道的每个。这个滤波器的用途是抑制所希望区域以外的所有频率。LNA 176将线路174上的非常微弱的信号放大到下变频器178可以将该信号从发射频率变换成基带频率的电平。或者,可以使用其它元件来实现LNA 176和下变频器178的功能,比如,例如但是不局限于,低噪声下变频器(LNB),或者直接变频接收器(DCR direct conversionreceiver)。
下变频器178通过线路180接收来自合成器148的频率参考信号,也叫做“本机振荡器”信号,或“LO”。LO信号设定合适的频率用于下变频器178对通过线路182从LNA 176接收到的信号进行下变频。下变频频率被叫做中频或者IF。下变频器178通过线路184将下变频信号发送到信道滤波器186,也被叫做“IF滤波器”。信道滤波器186对下变频信号进行滤波并通过线路188将其提供给放大器190。使用来自控制信号132的输入的信道滤波器186选择所希望的信道并且抑制所有其它信道。以使用PCS CDMA系统为例,250个信道中只有一个信道实际上被接收。当所有信道被接收滤波器168通过并且被下变频器178下变频之后,只有那个所希望的信道正好出现在信道滤波器186的中心频率上。通过对线路180上提供给下变频器178的本振频率进行控制,合成器148将所希望的信道的中心设定到信道滤波器186的中心上。放大器190放大接收到的信号并通过线路192将放大的信号提供给解调器194。解调器194恢复所传输的模拟信息并通过线路196将代表这一信息的信号提供给ADC 134。ADC134将这一模拟信号转换成基带频率上的数字信号并将该信号通过总线128传送到DSP 126作进一步的处理。
前面对接收组件的描述仅仅是为了示例性目的。事实上,其它的接收器体系结构,比如,例如但不局限于,超外差式接收器、直接变频接收器,或者采样接收器,被认为属于本发明的范围内。
图2是图1中的功率放大器200的方框图。可以在称作“多层模块”202上制作功率放大器200。多层模块202结合了位于多层模块202上的至少一个单片式微波集成电路(MMIC)和输出电路206。输出电路206结合了相位偏移和阻抗变换元件272以及功率合成器与阻抗变换元件288。这两个元件之一或二者全部所提供的阻抗提供与MMIC 204匹配的输出阻抗。
功率放大器200的整体体系结构被称作“平衡放大器”。在这个示例中,第一放大通路被称作“通路1”并且一般包括相位偏移元件218、输入匹配元件226、第一级放大器236、集成匹配元件246和第二级功率放大器256。第二放大通路被称作“通路2”并且一般包括相位偏移元件222、输入匹配元件228、第一级放大器238、集成匹配元件248和第二级功率放大器258。也可以提供附加的放大通路并且它也包括在本发明的范围内。
可以使用,例如,一个或多个下面的技术来制作放大器236、238、256和258:异质结双极晶体管(HBT-heterojunction bipolar transistor)放大器、双极结晶体管(BJT-bipolar junction transistor)放大器、场效应晶体管(FET-field effect transistor)放大器、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT-pseudomorphic high electron mobility transistor)放大器,或者任何其它适当的放大技术。
MMIC 204通过线路158接收射频(RF)通信信号。线路158上的信号被称作输入信号,并且包括将要被便携式接收器100传输的信息。线路158上的RF输入信号被提供给功分器212。功分器212基本上将线路158上的信号等分给连接相位偏移元件218的线路214和连接相位偏移元件222的线路216。如果包括附加的放大通路,功分器212会将输入信号基本上按比例地在所有放大通路间进行分配。
功分器212是一个同相功分器,它在线路214和216上产生的信号基本上具有相同的相位。在一个可选的实施中,功分器可以为线路214和216提供输出,其相差为180°。这样的功分器可包括无源180°分配器或有源180°功分器,或分配器,通过使用一个或多个半导体设备或其它有源元件来实现。这种使用有源电路的实施可以减小组件的尺寸并且也可以加大通路1和通路2之间的隔离。为了这一可选的实施,相位偏移元件218施加-45°相位偏移给线路214上的信号,并且相位偏移元件222施加+45°相位偏移给线路216上的信号。相位偏移元件218和222可以包括离散电路组件和元件、集成电路组件和元件、离散组件和集成电路组件的组合、传输线和/或传输线组件或元件。
相位偏移元件218施加+45°相位偏移给线路214上的信号,并且相位偏移元件222施加-45°相位偏移给线路216上的信号。或者,相位偏移元件218和222也可以施加不同的相位偏移度数。相位偏移元件218和222可以包括离散电路组件和元件、集成电路组件和元件、离散组件和集成电路组件的组合、传输线和/或传输线组件或元件。相位偏移元件218的输出通过线路220提供给输入匹配元件226,而相位偏移元件222的输出通过线路224提供给输入匹配元件228。输入匹配元件226提供相位偏移元件218和前述电路(未示出)之间的匹配阻抗,以及输入到第一级放大器236。同样地,输入匹配元件228提供相位偏移元件222和前述电路(未示出)之间的匹配阻抗,以及输入到第一级放大器238。因此,输入匹配元件226的输出通过线路232提供给第一级放大器236,而输入匹配元件228的输出通过线路234提供给第一级放大器238。
第一级放大器236的输出通过线路242提供给级间匹配元件246,而第一级放大器238的输出通过线路244提供给级间匹配元件248。级间匹配元件246提供第一级放大器236和第二级功率放大器256之间的匹配阻抗。级间匹配元件248提供第一级放大器238和第二级功率放大器258之间的匹配阻抗。级间匹配元件246的输出通过线路252提供给第二级功率放大器256,而级间匹配元件248的输出通过线路254提供给第二级放大器258。
输入匹配元件226和228以及级间匹配元件246和248通常包括一个或多个电感(L)元件、电容(C)元件、电阻(R)元件和/或传输线,其值被选定从而为特定电路提供最佳的阻抗匹配。
线路262上的第二级功率放大器256和线路264上的第二级功率放大器258的一部分输出功率被提供给控制电路,该控制电路可包括,例如,有源反馈回路、可开关阻抗、或者适合于调整两个放大通路各自增益的任何其它电路。
如果要实现一个有源反馈回路,一个可能的实施是:线路262上的第二级功率放大器256的一部分输出功率被提供给有源反馈回路260,而线路264上的第二级功率放大器258的一部分输出功率被提供给有源反馈回路270。有源反馈回路260和270分别包括有源开关266和268,它们可以使用各种已知的技术来实现,例如,电阻和电容组件的各种组合。通过调整MMIC 204上的每个放大通路的增益,有源反馈回路260和270对由于功率放大器200的输出端的天线负载变化所引起的功率增益失衡进行补偿。
如果要实现可开关的阻抗控制方法,线路262上的第二级功率放大器256的一部分输出功率被在分支中提供给有源开关275。有源开关275串联一个或多个电阻,其示范性的一个电阻用参考数字277来说明。或者,该电路可以包括,例如,传输线、电感(L)/电容(C)网络、或者其它电路以提供RF阻抗变化。电阻277接地。按类似的方式,线路264上的第二级功率放大器258的一部分输出功率被在分支中提供给有源开关281。有源开关281串联一个或多个电阻、传输线、L/C网络、或者其它电路以提供RF阻抗变化。为了说明目的,该电路包括一个电阻,其示范性的一个电阻,用参考数字283来说明。电阻283接地。有源开关275和281可以与上文描述的有源开关266和268类似。有源开关275和281检测高对低负载阻抗并且转换到最适合提供功率放大器整体优良性能的阻抗上。
便携式通信收发器100在通信蜂窝内的运动,以及便携式收发器100的天线164的位置变化会改变功率放大器200的输出和便携式收发器100的天线164(图1)之间的阻抗。随着功率放大器和天线之间的阻抗的变化,失衡也发生变化并引起功率放大器200内的电路性能的变化。此性能变化与通路1和通路2之间的不同增益密切相关。由于此增益差别,会产生频谱再生,它会降低功率放大器到天线的阻抗失配条件下或期间的信号质量。频谱再生会增加便携式收发器100操作所处的通信系统的噪声基准。有源反馈回路260和270通过响应功率放大器200输出端的阻抗变化以均衡放大通路之间的增益,来减少频谱再生。减少频谱再生降低了功率放大器200对通信系统的噪声。
第二级功率放大器256的输出通过线路262,第二级功率放大器258的输出通过线路264被提供给输出电路206。
输出电路206包括相位偏移和阻抗变换元件272以及功率组合器和阻抗变换元件288。元件272包括放大通路1和放大通路2各自的相位偏移和阻抗变换元件,并且将在图3中作更详细的描述。关于图2,相位偏移和阻抗变换元件272包括相位偏移和阻抗变换元件274以及相位偏移和阻抗变换元件276。相位偏移和阻抗变换元件274和276可以包括,例如,离散电路组件和元件、集成电路组件和元件、离散组件和集成电路组件的组合、传输线和/或传输线组件或元件。线路262上的MMIC 204的输出被提供给相位偏移和阻抗变换元件274,而线路264上的MMIC 204的输出被提供给相位偏移和阻抗变换元件276。相位偏移和阻抗变换元件274和276使用相反的相位分别修正线路262和264上信号的阻抗,并且也变换线路262和264上信号的阻抗。相位偏移和阻抗变换可以同时发生或分别发生。相位偏移和阻抗变换元件274和276的操作将参考图3中作更详细的描述。相位偏移和阻抗变换元件274施加-45°相位偏移(它与相位偏移元件218施加的相位偏移相反)而相位偏移和阻抗变换元件276对线路264上的信号施加+45°的相位偏移(它与相位偏移元件222施加的相位偏移相反)。
相位偏移和阻抗变换元件274的输出通过线路278被提供给功率组合器和阻抗变换元件284,而相位偏移和阻抗变换元件276的输出通过线路282被提供给功率合成器和阻抗变换元件286。尽管说明所用的是单独的方框,但是元件284和286可以使用共同的元件来实现,正如下面将要描述的。功率合成器和阻抗变换元件288包括双重用途电路元件以提供附加的输出阻抗匹配和功率合成。功率合成器和阻抗变换元件288(可以包括Wilkinson功率合成器)合成线路278和282上的功率并提供线路162上的RF输出信号。
图3是详细地说明图2中的输出电路206的方框图300。MMIC204的输出通过线路262被提供给相位偏移和阻抗变换元件274,而线路264上的MMIC 204的输出被提供给相位偏移和阻抗变换元件276。尽管为简化目的被省略,但是DC馈通和谐波调谐电路,正如本领域已知的,与线路262和264连接。
虽然图3所示的组件最小化的实施例是输出电路206的一个可能的实施,但是许多其它实施例也是可能的。相位偏移和阻抗变换元件274包括电感元件(所示为一个电感)302,其与电容元件(所示为一个电容)304并联。电容元件304通过线路306接地。相位偏移和阻抗变换元件276包括电容元件(所示为一个电容)308和一个并联的电感元件(所示为一个电感)312。电感元件312通过线路314接地。
电感元件302和电容元件308分别对线路262和264上的信号施加一个-45°和+45°的相位偏移。电容元件304和电感元件302对线路262上的信号进行阻抗变换。同样地,电感元件312和电容元件308对线路264上的信号进行阻抗变换。例如,如果线路262和264上信号的阻抗是,例如,6-10欧姆,那么,相位偏移和阻抗变换元件274施加-45°的相位偏移,而将线路262上的阻抗变换为,例如,20-25欧姆。同样地,相位偏移和阻抗变换元件276施加+45°的相位偏移,而将线路264上的阻抗变换为,例如,20-25欧姆。相位偏移和阻抗变换可以同时发生也可以分别发生。
线路316上的相位偏移和阻抗变换元件274的输出被提供给电容320。电容320阻挡来自线路316的信号的直流(DC)电平。线路322和318上的信号随后被提供给功率合成器和阻抗变换元件288。通过为相位偏移和阻抗变换元件272以及功率组合器和阻抗变换元件288中的元件恰当地选择组件以及组件数值,可以补偿功率放大器200输出端的阻抗失配,而无须功率放大器200输出端的隔离器。
当功率放大器和天线之间阻抗失配时,在一个通路上(例如通路1)的阻抗变换引起史密斯图上的电感旋转,而在另一个通路上(例如通路2)的阻抗变换引起史密斯图上的电容旋转。史密斯图是用于显示RF电路性能参数的,以圆形方式表示的复数列线图解法的图形表示法。全异旋转引起一个通路对功率放大器,256或258的输出,表现为低阻抗,而另一个通路对功率放大器,256或258的输出,表现为高阻抗。确定哪个通路表现为电感旋转和哪个通路表现为电容旋转,其任意取决于本发明的原理。尽管其它情形是有可能的,但是在这个例子中由于功率放大器256和258的特征,具有低阻抗的通路将具有优良的性能,因此具有优良的相邻信道功率抑制(ACPR)。具有高阻抗的通路将具有较差的性能,因此具有较差的ACPR。通过功率组合器和阻抗变换元件288对两个通路的信号的合成使ACPR性能介于高阻抗(因此相对较差的ACPR性能)通路的ACPR性能和低阻抗(因此相对优良的ACPR性能)通路的ACPR性能之间,这样产生良好的ACPR整体系统性能。
如此,功率放大器对于功率放大器200输出端162的负载变化有很高的容限度。
在这个实施例中,功率组合器和阻抗变换元件288包括电阻324、一对电感326和328,以及通过线路334接地的电容332。在这个例子中,功率组合器和阻抗变换元件288通过恰当地选择电阻324、电感326和328的数值进行进一步的阻抗变换,并且电容332将线路322和318上信号的阻抗从大约20-25欧姆变换到线路162上的50欧姆。线路162上的功率组合器和阻抗变换元件288的输出是图2中功率放大器200的RF输出。
相位偏移元件218和222,以及相位偏移和阻抗变换元件274和276的一个可选的实施包括一个或多个使用电感(L)和电容(C)组件的更高阶集总元件网络。这种实施可以提供增加的带宽和减小的对组件加工公差变化的灵敏度。另一个可选的实施使用紧密的串联或并联传输线组合来取代和/或附加在相位偏移元件218和222,以及相位偏移和阻抗变换元件274和276上。这些可选的实施也提供放大通路之间的90°的净相位差,如上文描述的。而且,上文描述的所有离散组件可以是集成,或嵌入到多层模块202上。
相位偏移和阻抗变换元件和/或功率合成器和阻抗变换元件允许去除通常装在RF输出端162的隔离器。从而,功率放大器200的尺寸和成本可以被大大降低而仍然允许功率放大器200保持对线路162上的负载(也就是线路162上的阻抗)变化的高容限度。
虽然描述了本发明的各种实施例,但是对本领域的普通技术人员来说,很显然属于本发明范围内的更多的实施例和实施是可能的。例如,相位偏移和阻抗变换和/或功率合成器和阻抗变换元件可以被用于PDA的无线组网实施、基站、以及其它的无线移动通信应用。从而,本发明并不局限于所附的权利要求书和它们的等价物。

Claims (24)

1、一种集成功率放大器,包括:
多个放大通路;
位于每个放大通路的输入端的第一相位偏移元件;
位于每个放大通路的输出端的第二相位偏移元件;
与所述第二相位偏移元件相关的阻抗变换元件;以及
功率组合器,用于将每个放大通路的输出组合为单一的输出;以及
与每个放大通路相关的有源开关,每个有源开关用于检测其各个放大通路的阻抗并且根据所检测的阻抗选择放大通路。
2、根据权利要求1所述的电路,其中,所述第一相位偏移元件施加的相位偏移与所述第二相位偏移元件施加的相位偏移相反,并且其中在每个放大通路中由所述第一相位偏移元件和第二相位偏移元件施加的相位偏移与在另一放大通路中由所述第一相位偏移元件和第二相位偏移元件施加的相位偏移相反。
3、根据权利要求1所述的电路,其中,与每个放大通路相关的所述第二相位偏移元件和所述阻抗变换元件被组合为单一的装置。
4、根据权利要求3所述的电路,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件同时改变信号的相位和阻抗。
5、根据权利要求3所述的电路,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件分别改变信号的相位和阻抗。
6、根据权利要求3所述的电路,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件处于作为所述多个放大通路的同一模块上。
7、根据权利要求6所述的电路,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件包括电感(L)和电容(C)电路。
8、根据权利要求1所述的电路,其中,在阻抗失配的情况下,一个放大通路具有高阻抗而另一个放大通路具有低阻抗。
9、根据权利要求1所述的电路,其中,所述功率组合器还包括附加的阻抗变换元件。
10、一种便携式通信收发器,包括:
具有多个放大通路的平衡功率放大器;
位于每个放大通路的输入端的第一相位偏移元件;
位于每个放大通路的输出端的第二相位偏移元件;
与所述第二相位偏移元件相关的阻抗变换元件;以及
功率组合器,用于将每个放大通路的输出组合为单一的输出,其中所述第一相位偏移元件、第二相位偏移元件、阻抗变换元件以及功率组合器被集成在单一多层模块上;以及与每个放大通路相关的有源开关,每个有源开关用于检测其各个放大通路的阻抗并且根据所检测的阻抗选择放大通路。
11、根据权利要求10所述的收发器,其中,所述第一相位偏移元件施加的相位偏移与所述第二相位偏移元件施加的相位偏移相反,并且其中在每个放大通路中由所述第一相位偏移元件和第二相位偏移元件施加的相位偏移与在另一放大通路中由所述第一相位偏移元件和第二相位偏移元件施加的相位偏移相反。
12、根据权利要求10所述的收发器,其中,与每个放大通路相连的所述第二相位偏移元件和所述阻抗变换元件被组合为单一的装置。
13、根据权利要求12所述的收发器,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件同时改变信号的相位和阻抗。
14、根据权利要求12所述的收发器,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件分别改变信号的相位和阻抗。
15、根据权利要求12所述的收发器,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件处于作为所述多个放大通路的同一模块上。
16、根据权利要求15所述的收发器,其中,所述阻抗变换元件和所述第二相位偏移元件包括电感(L)和电容(C)电路。
17、根据权利要求10所述的收发器,其中,在阻抗失配的情况下,一个放大通路具有高阻抗而另一个放大通路具有低阻抗。
18、根据权利要求10所述的收发器,其中,所述功率组合器还包括附加的阻抗变换元件。
19、一种用于改变功率放大器的阻抗的方法,包括:
提供多个放大通路;
提供信号给每个所述放大通路;
改变提供给所述每个放大通路的信号的相位;
相对于每个放大通路,相反地改变每个放大通路的输出端的信号的相位;
变换所述信号的阻抗;
将来自每个所述放大通路的信号组合为单一的输出;
检测所述多个放大通路中每个放大通路的阻抗;以及
根据所检测的阻抗选择放大通路。
20、根据权利要求19所述的方法,还包括同时改变所述信号的相位和阻抗。
21、根据权利要求20所述的方法,还包括在所述多个放大通路所处的同一模块上进行所述阻抗变换和相位偏移。
22、根据权利要求19所述的方法,还包括分别改变所述信号的相位和阻抗。
23、根据权利要求19所述的方法,其中,在阻抗失配的情况下,一个放大通路具有高阻抗而另一个放大通路具有低阻抗。
24、根据权利要求19所述的方法,其中,所述将来自每个所述放大通路的信号组合为单一的输出的步骤包括对所述信号进行附加的阻抗变换。
CNB2004800104170A 2003-03-18 2004-03-18 具有负载变化容限的射频(rf)放大器 Expired - Lifetime CN100542182C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/392,344 US6954623B2 (en) 2003-03-18 2003-03-18 Load variation tolerant radio frequency (RF) amplifier
US10/392,344 2003-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1778093A CN1778093A (zh) 2006-05-24
CN100542182C true CN100542182C (zh) 2009-09-16

Family

ID=32987871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800104170A Expired - Lifetime CN100542182C (zh) 2003-03-18 2004-03-18 具有负载变化容限的射频(rf)放大器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6954623B2 (zh)
EP (1) EP1604509B1 (zh)
JP (1) JP2006521060A (zh)
KR (1) KR101088227B1 (zh)
CN (1) CN100542182C (zh)
AT (1) ATE480857T1 (zh)
DE (1) DE602004029013D1 (zh)
WO (1) WO2004084422A2 (zh)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6904296B2 (en) * 2001-02-09 2005-06-07 Nokia Mobile Phones Limited Internal antenna for mobile communications device
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
WO2004072613A2 (en) * 2003-02-07 2004-08-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Multi-shell microspheres with integrated chomatographic and detection layers for use in array sensors
US6954623B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Load variation tolerant radio frequency (RF) amplifier
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
JP2005143089A (ja) * 2003-10-15 2005-06-02 Sharp Corp バランス型増幅回路および高周波通信装置
US7102444B2 (en) * 2004-01-20 2006-09-05 Anadigics, Inc. Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
WO2006002347A1 (en) 2004-06-23 2006-01-05 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated rf front end
US7313416B1 (en) * 2004-09-01 2007-12-25 Rockwell Collins, Inc. Scalable power amplifier
US7663555B2 (en) * 2004-10-15 2010-02-16 Sky Cross Inc. Method and apparatus for adaptively controlling antenna parameters to enhance efficiency and maintain antenna size compactness
US7834813B2 (en) * 2004-10-15 2010-11-16 Skycross, Inc. Methods and apparatuses for adaptively controlling antenna parameters to enhance efficiency and maintain antenna size compactness
CN2749181Y (zh) * 2004-12-28 2005-12-28 精恒科技集团有限公司 多天线接收输出处理装置
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US8515342B2 (en) * 2005-10-12 2013-08-20 The Directv Group, Inc. Dynamic current sharing in KA/KU LNB design
DE102005058875B4 (de) * 2005-12-09 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Anpassnetzwerk
EP2002511A4 (en) * 2006-03-08 2012-02-29 Wispry Inc TUNABLE IMPEDANCE ADAPTATION NETWORKS AND ACCORDABLE DIPLEX ADAPTATION SYSTEMS
EP2005578B1 (en) * 2006-03-09 2013-01-09 Skyworks Solutions, Inc. High efficiency load insensitive power amplifier
US20070270110A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Infinet Wireless Limited Analog front end for a wireless device
JP2008035487A (ja) 2006-06-19 2008-02-14 Renesas Technology Corp Rf電力増幅器
JP4859049B2 (ja) * 2006-11-27 2012-01-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Rf電力増幅装置およびそれを搭載した無線通信端末装置
US7538609B2 (en) * 2007-01-26 2009-05-26 Infineon Technologies Ag Amplifier, transmitter arrangement having an amplifier and method for amplifying a signal
US7876160B2 (en) 2008-02-04 2011-01-25 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode high efficiency linear power amplifier
US8130057B2 (en) * 2008-04-30 2012-03-06 Rf Micro Devices, Inc. Lumped cross-coupled Wilkinson circuit
CN101304257B (zh) * 2008-06-16 2011-06-29 清华大学 一种便于片内集成的射频信号移相方法
US8354882B2 (en) * 2008-07-09 2013-01-15 St-Ericsson Sa Doherty amplifier with input network optimized for MMIC
JP2011528870A (ja) 2008-07-18 2011-11-24 ペレグリン セミコンダクター コーポレーション 低ノイズ高効率バイアス生成回路及び方法
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US8854019B1 (en) 2008-09-25 2014-10-07 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid DC/DC power converter with charge-pump and buck converter
US7863979B2 (en) * 2009-01-26 2011-01-04 Skyworks Solutions, Inc. High efficiency power amplifier having embedded switching
US9166471B1 (en) 2009-03-13 2015-10-20 Rf Micro Devices, Inc. 3D frequency dithering for DC-to-DC converters used in multi-mode cellular transmitters
US8315576B2 (en) 2009-05-05 2012-11-20 Rf Micro Devices, Inc. Capacitive compensation of cascaded directional couplers
US8477832B2 (en) * 2010-01-18 2013-07-02 Skyworks Solutions, Inc. Load insensitive quadrature power amplifier power detector
US8548398B2 (en) 2010-02-01 2013-10-01 Rf Micro Devices, Inc. Envelope power supply calibration of a multi-mode radio frequency power amplifier
US8538355B2 (en) 2010-04-19 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature power amplifier architecture
US9214900B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Interference reduction between RF communications bands
US8913967B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Feedback based buck timing of a direct current (DC)-DC converter
US9008597B2 (en) 2010-04-20 2015-04-14 Rf Micro Devices, Inc. Direct current (DC)-DC converter having a multi-stage output filter
US8712349B2 (en) 2010-04-20 2014-04-29 Rf Micro Devices, Inc. Selecting a converter operating mode of a PA envelope power supply
US9184701B2 (en) 2010-04-20 2015-11-10 Rf Micro Devices, Inc. Snubber for a direct current (DC)-DC converter
US8565694B2 (en) 2010-04-20 2013-10-22 Rf Micro Devices, Inc. Split current current digital-to-analog converter (IDAC) for dynamic device switching (DDS) of an RF PA stage
US9553550B2 (en) 2010-04-20 2017-01-24 Qorvo Us, Inc. Multiband RF switch ground isolation
US8811920B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter semiconductor die structure
US9077405B2 (en) 2010-04-20 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency path based power amplifier circuitry
US8831544B2 (en) 2010-04-20 2014-09-09 Rf Micro Devices, Inc. Dynamic device switching (DDS) of an in-phase RF PA stage and a quadrature-phase RF PA stage
US8542061B2 (en) 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
US8892063B2 (en) 2010-04-20 2014-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Linear mode and non-linear mode quadrature PA circuitry
US8942650B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. RF PA linearity requirements based converter operating mode selection
US8515361B2 (en) 2010-04-20 2013-08-20 Rf Micro Devices, Inc. Frequency correction of a programmable frequency oscillator by propagation delay compensation
US9900204B2 (en) 2010-04-20 2018-02-20 Qorvo Us, Inc. Multiple functional equivalence digital communications interface
US8913971B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Selecting PA bias levels of RF PA circuitry during a multislot burst
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US9214865B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Voltage compatible charge pump buck and buck power supplies
US8989685B2 (en) 2010-04-20 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of multi-mode multi-band radio frequency power amplifier circuitry
US8842399B2 (en) 2010-04-20 2014-09-23 Rf Micro Devices, Inc. ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die
US8699973B2 (en) 2010-04-20 2014-04-15 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply efficiency optimization
US9030256B2 (en) 2010-04-20 2015-05-12 Rf Micro Devices, Inc. Overlay class F choke
US8983407B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Selectable PA bias temperature compensation circuitry
US9577590B2 (en) 2010-04-20 2017-02-21 Qorvo Us, Inc. Dual inductive element charge pump buck and buck power supplies
US8731498B2 (en) 2010-04-20 2014-05-20 Rf Micro Devices, Inc. Temperature correcting an envelope power supply signal for RF PA circuitry
US8559898B2 (en) 2010-04-20 2013-10-15 Rf Micro Devices, Inc. Embedded RF PA temperature compensating bias transistor
US8811921B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. Independent PA biasing of a driver stage and a final stage
US8571492B2 (en) 2010-04-20 2013-10-29 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter current sensing
US8706063B2 (en) 2010-04-20 2014-04-22 Rf Micro Devices, Inc. PA envelope power supply undershoot compensation
US8958763B2 (en) 2010-04-20 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply undershoot compensation
US8983410B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Configurable 2-wire/3-wire serial communications interface
US8942651B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. Cascaded converged power amplifier
US9362825B2 (en) 2010-04-20 2016-06-07 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of a DC-DC converter
US8947157B2 (en) 2010-04-20 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Voltage multiplier charge pump buck
US8421547B2 (en) 2010-05-20 2013-04-16 Csr Technology Inc. System and method for retaining a desired return loss when dynamically varying a number of active paths
US8319557B2 (en) 2010-06-18 2012-11-27 Skyworks Solutions, Inc. Integrated linear power detection in an RF power amplifier
WO2011159308A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Skyworks Solutions, Inc. Integrated linear power detection in an rf power amplifier
US8350624B2 (en) 2010-09-01 2013-01-08 Peregrine Semiconductor Corporation Amplifiers and related biasing methods and devices
US8368462B2 (en) 2010-10-06 2013-02-05 Peregrine Semiconductor Corporation Method, system, and apparatus for RF switching amplifier
WO2012067796A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Rambus Inc. Integrated phase-shifting-and-combining circuitry to support multiple antennas
US9264053B2 (en) 2011-01-18 2016-02-16 Peregrine Semiconductor Corporation Variable frequency charge pump
US8773218B2 (en) 2011-02-07 2014-07-08 Triquint Semiconductor, Inc. Ladder quadrature hybrid
US8811531B2 (en) * 2011-03-23 2014-08-19 Triquint Semiconductor, Inc. Quadrature lattice matching network
US20120280755A1 (en) * 2011-05-04 2012-11-08 Triquint Semiconductor, Inc. Flip-chip power amplifier and impedance matching network
US8634789B2 (en) 2011-11-10 2014-01-21 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode power amplifier
US8670732B2 (en) 2011-11-11 2014-03-11 Hbc Solutions, Inc. Broadband amplifier system using a 3dB quadrature combiner to dynamically modulate load impedance
US8718580B2 (en) 2011-11-11 2014-05-06 Hbc Solutions, Inc. Broadband high efficiency amplifier system incorporating dynamic modulation of load impedance
JP5720545B2 (ja) * 2011-11-24 2015-05-20 富士通株式会社 電力増幅器
US9065505B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Rf Micro Devices, Inc. Optimal switching frequency for envelope tracking power supply
US8989683B2 (en) * 2012-03-27 2015-03-24 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Ultra-wideband high power amplifier architecture
US9667235B1 (en) * 2012-12-13 2017-05-30 Rockwell Collins, Inc. Ultra-precision linear phase shifter with gain control
US8760225B1 (en) 2013-01-08 2014-06-24 Lsi Corporation BiCMOS gate driver for class-S radio frequency power amplifier
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US8952754B2 (en) 2013-03-15 2015-02-10 Imagine Communications Corp. Linearization of heterogeneous power amplifier systems
US9544002B2 (en) * 2014-01-16 2017-01-10 Intel IP Corporation Concurrent transmit and receive
US9991856B2 (en) * 2014-09-25 2018-06-05 Skyworks Solutions, Inc. Variable load power amplifier supporting dual-mode envelope tracking and average power tracking performance
US9882587B2 (en) * 2015-03-31 2018-01-30 Skyworks Solutions, Inc. Multi-band power amplifier
JP2018050159A (ja) 2016-09-21 2018-03-29 株式会社村田製作所 送受信モジュール
US10411658B2 (en) 2016-12-14 2019-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
CN108400774B (zh) * 2018-03-22 2020-06-02 上海唯捷创芯电子技术有限公司 一种平衡式射频功率放大器、芯片及通信终端
US11329615B2 (en) * 2020-05-28 2022-05-10 Psemi Corporation Balanced amplifier arrangement for power control and improved deep back-off efficiency
US11811438B2 (en) 2020-08-21 2023-11-07 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for magnitude and phase trimming
CN112653403B (zh) * 2020-12-24 2023-03-14 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 降低负载变化敏感度的射频功率放大器、芯片及通信终端
US11742807B1 (en) * 2023-02-14 2023-08-29 Guangdong University Of Technology Dual-band coupling low-noise amplifying circuit and amplifier

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0767057B2 (ja) * 1987-04-10 1995-07-19 三菱電機株式会社 マイクロ波電力合成fet増幅器
JPH0472822A (ja) * 1990-07-12 1992-03-06 Toshiba Corp 送信システム
US5126704A (en) * 1991-04-11 1992-06-30 Harris Corporation Polyphase divider/combiner
JPH08195638A (ja) * 1995-01-18 1996-07-30 Kokusai Electric Co Ltd 自動インピーダンス整合方法
JPH08195684A (ja) * 1995-01-18 1996-07-30 Anritsu Corp 空中線自動整合装置
JPH0964758A (ja) 1995-08-30 1997-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディジタル携帯無線機の送信装置とそれに用いる高周波電力増幅装置
US5786727A (en) * 1996-10-15 1998-07-28 Motorola, Inc. Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor
JP3391658B2 (ja) * 1997-05-21 2003-03-31 シャープ株式会社 高周波回路
US5996059A (en) * 1997-07-01 1999-11-30 National Semiconductor Corporation System for monitoring an execution pipeline utilizing an address pipeline in parallel with the execution pipeline
US5966059A (en) * 1997-09-02 1999-10-12 Motorola, Inc. Phase shifting power coupler with three signals of equal amplitude
WO2000007296A1 (fr) * 1998-07-29 2000-02-10 Hitachi, Ltd. Telephone portable
SE513136C2 (sv) * 1998-11-20 2000-07-10 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande och anordning vid radiokommunikation
JP2001267857A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Samsung Electronics Co Ltd 電力増幅器
JP3664657B2 (ja) * 2001-02-21 2005-06-29 アールエフ・チップス・テクノロジー株式会社 ローノイズアンプ回路
US6650200B2 (en) * 2001-04-20 2003-11-18 Anaren Microwave, Inc. Dynamic combiner/splitter for RF signal systems
US6515541B2 (en) 2001-06-13 2003-02-04 Skyworks Solutions, Inc. Multi-level power amplifier
JP2003037459A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Asahi Kasei Microsystems Kk バランス型増幅器
US6954623B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Load variation tolerant radio frequency (RF) amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
EP1604509A4 (en) 2008-08-27
DE602004029013D1 (de) 2010-10-21
US6954623B2 (en) 2005-10-11
EP1604509B1 (en) 2010-09-08
KR101088227B1 (ko) 2011-11-30
WO2004084422A2 (en) 2004-09-30
KR20050119127A (ko) 2005-12-20
CN1778093A (zh) 2006-05-24
WO2004084422A3 (en) 2005-05-26
EP1604509A2 (en) 2005-12-14
ATE480857T1 (de) 2010-09-15
JP2006521060A (ja) 2006-09-14
US20040185916A1 (en) 2004-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100542182C (zh) 具有负载变化容限的射频(rf)放大器
US6996379B2 (en) Linear high powered integrated circuit transmitter
US7567782B2 (en) Re-configurable impedance matching and harmonic filter system
US8498584B2 (en) Frequency agile duplex filter
TWI672904B (zh) 具有可調輸入網路之多厄悌功率放大器
WO2019103898A1 (en) Quadrature combined doherty amplifiers
US8639286B2 (en) RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support
CN103684289B (zh) 推挽式放大器和差动推挽式放大器
US20140152389A1 (en) Actively Tuned Circuit Having Parallel Carrier and Peaking Paths
US6798294B2 (en) Amplifier with multiple inputs
JP2002171194A (ja) 無線装置、並びにそれを備える携帯情報端末および無線基地局、並びにそれらを含む無線通信システム
JP5582782B2 (ja) 分散デュプレクサを使用した基地局アーキテクチュア
JP7174078B2 (ja) 非同期tddマルチ帯域動作のための無線ユニット
WO2022202048A1 (ja) 高周波回路
US20240079998A1 (en) Combiners for doherty power amplifier systems
US20230378918A1 (en) Amplifier circuit and communication device
US20240080005A1 (en) Doherty power amplifier systems with envelope controlled state
WO2023272671A1 (en) Multiband doherty power amplifier arrangements with hybrid combiners
JPH08186455A (ja) アナログおよびディジタル携帯用の電話機兼用の電力増幅器
CN116114174A (zh) 使用有源电感器的滤波器电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090916

CX01 Expiry of patent term