CN100519823C - 清洗装置 - Google Patents

清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100519823C
CN100519823C CNB2005100936972A CN200510093697A CN100519823C CN 100519823 C CN100519823 C CN 100519823C CN B2005100936972 A CNB2005100936972 A CN B2005100936972A CN 200510093697 A CN200510093697 A CN 200510093697A CN 100519823 C CN100519823 C CN 100519823C
Authority
CN
China
Prior art keywords
washing fluid
scavenging solution
temperature
mask
washing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005100936972A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1746330A (zh
Inventor
木野村芳孝
平冈照雄
大川光治郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mogikiri Technology Co ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Ohkawa and Co Ltd
Original Assignee
Mogikiri Technology Co ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Ohkawa and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mogikiri Technology Co ltd, Sanyo Electric Co Ltd, Ohkawa and Co Ltd filed Critical Mogikiri Technology Co ltd
Publication of CN1746330A publication Critical patent/CN1746330A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100519823C publication Critical patent/CN100519823C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/10Vacuum distillation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/02Devices for holding articles during cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种能去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机材料的清洗装置。本发明的清洗装置具有:由预定的清洗液清洗处理掩膜10的第1及第2清洗槽21、22;用以真空蒸馏该清洗槽21、22的清洗液的真空蒸馏器30;将真空蒸馏的清洗液冷却至室温的第1冷却器31;使由第1冷却器31所冷却的清洗液回流至第2清洗槽22的第1回流管101;利用预定的冲洗液对掩膜10进行冲洗处理的第1及第2冲洗槽51、52;在常压下蒸馏该冲洗槽51、52的清洗液的常压蒸馏器60;将常压蒸馏的冲洗液冷却至室温的第2冷却器61;使由第2冷却器61所冷却的冲洗液回流至第2冲洗槽52的第2回流管102。

Description

清洗装置
技术领域
本发明涉及一种清洗装置,特别是涉及在有机EL(ElectroLuminescence,电致发光)用的有机材料的蒸镀步骤中,用以去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机材料的清洗装置(cleaningdevice)。
背景技术
近年来,使用有机电致发光元件的有机EL显示装置已取代CRT及LCD的显示装置而受到瞩目,现正研究开发一种具有例如用以驱动该有机EL元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的有机EL显示装置。
有机EL组件被依序层积形成:由ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等的透明电极所形成的阳极;由MTDATA(4,4-双(3-甲基苯基苯氨基)联苯)等第1空穴输送层、TPD(4,4,4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺)等第2空穴输送层所构成的空穴输送层;包含啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯弁[h]X林酚-铍络合物,(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex)所形成的发光层;由Bebq2所形成的电子输送层;及由铝合金所形成的阴极的构造。
如上所述的有机EL组件是通过用以驱动该有机EL组件的驱动用TFT供给电流而发光的。也就是,从阳极所注入的空穴与从阴极所注入的电子在发光层内部再结合,激发用以形成发光层的有机分子而产生激发子(exciton)。在该激发子放射失活的过程中由发光层发光,该光会从透明的阳极通过透明的阳极及玻璃衬底等绝缘性衬底放出至外部而进行发光。
上述有机EL组件的各层中,用于形成空穴输送层、发光层、电子输送层的有机材料具有耐溶剂性低、不耐水分的特性。因此无法利用半导体工艺的光刻技术。所以,通过使用以例如金属薄膜所构成的光罩(掩膜)的蒸镀法,使上述有机材料选择性地蒸镀在具有驱动用TFT的绝缘性衬底上,以形成有机EL组件的空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极的图案。
图15至图17显示了使用在该有机材料的蒸镀的掩膜(mask)的例子。图15是说明传统例子的有机EL用的掩膜的俯视图。图16是沿图15的X-X线的剖面图。图17是沿图15的Y-Y线的剖面图。如图15至17所示,掩膜10是由具有例如纵横各数微米程度的多个细微孔11的、例如镍(Ni)及铁(Fe)等的金属薄膜所构成的。通过这些孔11,使上述有机材料选择性地蒸镀在绝缘性衬底上。由所述金属薄膜所构成的掩膜10固定在由例如镍(Ni)及铁(Fe)所构成的金属框12上。该掩膜10的边缘由该金属框12所支持。另外,在金属框12的边缘形成用以保持该金属框12的多个扣止部13。以下,将固定在金属框12的掩膜10简称为“掩膜10”。
另外,相关的技术文献是列举例以下的专利文献。
(专利文献1)
日本特开2004—103269号公报
发明内容
发明所欲解决的问题
当有机EL组件对应于彩色显示具有3原色的红、绿、蓝的各发光层时,有机材料的蒸镀步骤一般是反复使用各色用的掩膜而进行。因此,随着反复蒸镀的次数越多,有机材料是以积层在几层的方式附着在掩膜10的表面。也就是,如蒸镀有图18所示的有机材料的遮罩的剖面图所示,有机材料1不仅形成在掩膜10的表面上,还以塞住本来应使有机材料1通过的多个孔11的方式而在孔11的周边形成突缘部1a。
这样,掩膜10的孔11会因由有机材料所构成的突缘部而变窄,因而存在着该有机材料蒸镀于绝缘衬底上的精密度降低的问题。
作为解决所述问题的相应措施,有一种不多次使用同一掩膜,而是在每预定的蒸镀次数后即废弃使用过的掩膜,换为未使用的掩膜的方法。但是,使用该方法时,使用在所述有机EL用的有机材料的蒸镀时未使用过的掩膜较昂贵,因此存在着成本增大的问题。
因此,本发明提供一种可去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机EL用的有机材料的清洗装置。
解决问题的手段
本发明的清洗装置是针对上述问题而研创的,该清洗装置是用以去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机EL用的有机材料的清洗装置,具有以下的特征。(本文中:清洗装置为cleaning device,冲洗装置为rinsing device)
也就是,本发明的清洗装置具有:清洗槽(cleaning tank),由预定的清洗液来清洗处理掩膜;真空蒸馏器,真空蒸馏从清洗槽溢流的清洗液;第1冷却器,将由真空蒸馏器真空蒸馏的清洗液冷却至室温;第1回流管,使由第1冷却器所冷却的清洗液回流至清洗槽;冲洗槽(rinsing tank),利用预定的冲洗液(rinsing liquid)对掩膜进行冲洗处理;常压蒸馏器,在常压下蒸馏从冲洗槽溢流的清洗液;第2冷却器,将由常压蒸馏器常压蒸馏的冲洗液冷却至室温;及第2回流管,使由第2冷却器所冷却的冲洗液回流至冲洗槽。再者,本发明的清洗装置除了上述构成以外,还具有在清洗槽内将清洗液振动的第1超声波振动器,并且具有:第1温度传感器,用以感测出清洗槽内的清洗液的温度;及第1温度调整器,依该第1温度传感器的感测结果使清洗槽内的清洗液的温度调整在室温。在此,第1温度调整器具有第1热交换器,该第1温度调整器通过使由该第1热交换器所冷却的清洗液流入清洗槽,而调整该清洗槽内的清洗液的温度。
再者,本发明的清洗装置除了上述构成以外,在冲洗槽内也具有将所述冲洗液振动的第2超声波振动器,并且具有:第2温度传感器,用以感测出冲洗槽内的冲洗液的温度;及第2温度调整器,依第2温度传感器的感测结果使冲洗槽内的冲洗液的温度调整在室温。在此,第2温度调整器具有第2热交换器,该第2温度调整器是通过使由该第2热交换器所冷却的冲洗液流入冲洗槽,而调整该冲洗槽内的冲洗液的温度。
再者,本发明的清洗装置除了上述构成以外,还具备具有第3冷却器的回收槽,回收槽通过该第3冷却器冷却,而回收在冲洗槽内所蒸发的冲洗液,并使该回收的冲洗液通过第2回流管回流至冲洗槽。在此,回收槽具有感测出该回收槽内温度的第3温度传感器,第3冷却器使用第3温度传感器冷却回收槽内,以便在冲洗槽内与回收槽内产生蒸气压差。
再者,本发明的清洗装置除了上述构成以外,还具有将由回收槽所回收的冲洗液中的水分予以分离的水分离槽,并且使通过水分离槽的冲洗液,通过第2回流管回流至冲洗槽。
再者,本发明的清洗装置除了上述构成以外,还具有:分离器,将含有清洗液的冲洗液分离为清洗液与冲洗液;以及蓄积槽,用以蓄积由该分离器所分离的清洗液及利用常压蒸馏器所蒸馏的清洗液的冲洗液,再流入分离器。在此,蓄积槽具有检测出清洗液及所述冲洗液的液面下限的下限传感器,依该下限传感器的检测结果,使分离的清洗液流入真空蒸馏器。
发明的效果
依据本发明的清洗装置,在有机EL用的有机材料的蒸镀步骤中,可适当地去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机材料。
因此,即使重复使用同一掩膜,在掩膜孔的周缘不会形成由该有机材料所构成的突缘部,因此孔不会变窄。结果,可尽量抑制有机材料的蒸镀的精密度降低。
并且,在有机材料的蒸镀步骤中,可使用同一掩膜,因此可尽量避免如传统蒸镀步骤中因交换未使用的掩膜而造成的成本增大。由于无须将使用过的遮罩废弃掉,因此可尽量抑制因该废弃所造成的环境污染。
附图说明
图1是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图。
图2是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图。
图3是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图。
图4是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。
图5是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。
图6是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。
图7是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。
图8是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。
图9是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图10是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图11是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图12是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图13是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图14是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。
图15是说明传统例子的有机EL用的掩膜的俯视图。
图16是沿图15的X-X线的剖面图。
图17是沿图15的Y-Y线的剖面图。
图18是蒸镀有机材料的掩膜的剖面图。
主要组件符号说明
1   有机材料                     1a   突缘部
10  掩膜                         11   孔
12  金属框                       13   扣止部
21  第1清洗槽                    22   第2清洗槽
21a、22a   第1超声波振动器
21b、22b   第1搅拌器             21c、21c   第1温度传感器
21d、22d   第1液中载体           23、53     溢流槽
30   真空蒸馏器                  30r        冷却锅
40   第1温度调整器               42、47     泵
51a、52a   第2超声波振动器
52b、52b   第2搅拌器             51c、52c   第2温度传感器
51d、52d   第2液中载体           52   第1冲洗槽
52   第2冲洗槽                   54   回收槽
55   第3冷却器                   60   常压蒸馏器
61   第2冷却器                   70   第2温度调整器
70h   第2热交换器7           80   水分离槽
90    分离器                 91   蓄积槽
91f   上限传感器             91e  下限传感器
101   第1回流管              102  第2回流管
200   台                     210  盒匣
221   第1臂部                222  第2臂部
230   第2移载装置            240  搬送装置
241   保持具                 242  钩部
具体实施方式
现在说明本发明实施例的清洗装置。作为被清洗体的掩膜是与在图15至图17所示的传统蒸镀步骤中所使用的同样的掩膜10。也就是,该掩膜是沿着形成有机材料的预定图案,由形成有纵横各数微米程度的孔11的金属薄膜所构成的。该金属薄膜是由例如镍(Ni)及铁(Fe)所构成的。另外,在该掩膜的缘部固定有由镍(Ni)及铁(Fe)所构成的金属框12。该金属框12具有扣止部13。以下,将固定在金属框12的掩膜10简称为“掩膜10”。
本实施例的清洗装置在使有机EL用的有机材料蒸镀在形成有驱动TFT的绝缘性衬底上的蒸镀步骤中,去除附着在由用于蒸镀的金属薄膜所构成的掩膜10上的所述有机材料。本实施例的清洗装置的整体构成与用以去除附着在掩膜10上的有机EL用的有机材料的清洗系统、以及用以搬送掩膜10的搬送系统大不相同。
首先,参照附图来说明本实施例的清洗装置的清洗系统的构成。图1是本实施例的清洗装置的清洗系统的说明图。在图1中省略了搬送系统的构成要素。
如图1所示,本实施例的清洗装置的清洗系统具有:由预定的清洗液来清洗处理掩膜10的第1及第2清洗槽21、22;以及利用预定的冲洗液对由第1及第2清洗槽21、22予以清洗处理的掩膜10进行冲洗处理的第1及第2冲洗槽51、52。
所述预定的清洗液是例如碳化氢(HC)系的清洗液。另外,所述预定冲洗液是具有沸点比所述清洗液低的包含氟(F)的溶媒,例如氢氟醚(hydrofluoroether,HFE)。该冲洗液的比重比水分大。而且,通过利用表面张力小的所述冲洗液对表面张力大的所述清洗液进行冲洗,具有冲洗液进入更细微之处且确实捕捉清洗液的效果。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中第1及第2清洗槽21、22的构成。
该清洗装置在第1清洗槽21处具有蓄积从该第1清洗槽21溢流的清洗液的溢流槽23。并且,该清洗装置具有用以从包含以清洗装置自掩膜10去除的有机材料的清洗液,利用真空蒸馏仅抽出清洗液的真空蒸馏器30。包含有机材料的清洗液从第1清洗槽21溢流至溢流槽23,并从该溢流槽23流入真空蒸馏器30。沉淀在真空蒸馏器30处的有机材料在冷却锅30r处冷却并排出至外部。
所述清洗液的蒸馏中,在真空状态下加热该清洗液并予以蒸馏。由此,可使该清洗液的155℃左右的沸点降低,使蒸馏时的加热温度尽量降低。
该清洗装置具有将由真空蒸馏器30所真空蒸馏的清洗液冷却至室温的第1冷却器31。由所述第1冷却器31冷却至室温的清洗液通过第1回流管101回流至第2清洗槽22。
在本发明中,室温在“10℃至40℃”,优选为“20℃至30℃”,更优选为25℃。
通过所述清洗液的真空蒸馏、冷却及回流,可在室温进行掩膜10的处理。因此,可尽量抑制因热应力所产生的张力或损伤。
再者,所述第1及第2清洗槽21、22具有用以使所述清洗液振动的未图标的第1超声波振动器,以使清洗液确实到达掩膜10的表面。再者,为了应对由该第1超声波振动器的振动所造成的清洗液的温度上升,第1及第2清洗槽21、22具有将清洗液的温度予以微调整的第1温度调整器40。
这里,第1温度调整器40具有第1热交换器40h及泵42,由该第1热交换器40h冷却第1及第2清洗槽21、22的清洗液。并且第1温度调整器40是依据是否使由该第1热交换器40h所冷却的清洗液通过泵42流入第1及第2清洗槽21、22,而将该各槽的清洗液的温度微调整在室温。
再者,清洗液是循环由过滤器所过滤的。如图1所示,在其循环经路,也就是清洗槽21、第1温度调整器40、泵42、清洗槽21的路径上设置有过滤器,但该过滤器是与该路径不同的其它路径,也可设置与该路径并设的路径,即清洗槽21、过滤器、泵42、清洗槽21的路径。
如上所述,通过第1温度调整器40可对第1及第2清洗槽21、22的清洗液进行微调整。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中第1及第2冲洗槽51、52的构成。
该清洗装置在第1冲洗槽51处具有蓄积从该第1冲洗槽51溢流的冲洗液的溢流槽53。
该清洗装置具备用以从包含通过掩膜10进入第1冲洗槽51的第2清洗槽22的微量清洗液或微量有机材料等的杂质的冲洗液,利用常压下的常压蒸馏去除该杂质的常压蒸馏器60。冲洗液从第1冲洗槽51溢流至溢流槽53,并从该溢流槽53流入常压蒸馏器60。
所述冲洗液的沸点为例如60℃程度时,如具有约160℃程度的沸点的清洗液的蒸馏,无须进行用以使该沸点降低的真空蒸馏。因此,利用常压蒸馏器60进行常压(大气压)下的常压蒸馏。蒸馏时所蒸发的冲洗液是通过使冲洗液液化的温度的凝汽管圈(trap coil)60t而液化的。
该清洗装置具有将由常压蒸馏器60所常压蒸馏的冲洗液冷却至室温的第2冷却器61。由所述第2冷却器61所冷却至室温的冲洗液通过第2回流管102回流至第2冲洗槽52。
这里,在第2冷却器与第2回流管102之间具有水分离槽80,该水分离槽80将经过常压蒸馏而含有水分的冲洗液中的水分与冲洗液相分离。冲洗液经过水分离后,通过第2回流管102而回流至第2冲洗槽52。
另外,该清洗装置具有回收从第1冲洗槽51或第2冲洗槽52所蒸发的冲洗液的回收槽54。例如,将回收槽54内的温度设定为使得第2冲洗槽52内的蒸气压与回收槽54内的蒸气压之比为150:1至10:1的温度即可。回收槽54具有第3冷却器55。该第3冷却器55使回收槽54冷却至例如零下25℃左右,这样回收槽54内的蒸气压会低到第1冲洗槽51或第2冲洗槽52内的大约100分之1左右,且蒸发的冲洗液会流入回收槽54。流入回收槽54的冲洗液流入水分离槽80,在含有的水分分离后,通过第2回流管回流至第2冲洗槽52。
通过所述清洗液的真空蒸馏、冷却及回流,可在室温进行掩膜10的冲洗处理。因此,可尽量抑制因热应力所产生的张力或损伤。
另外,在上述清洗装置中,由于将浸渍在清洗液中的掩膜10浸渍在冲洗液中,因此将有微量的清洗液通过掩膜10移动至第1冲洗槽51的冲洗液,而与该冲洗液相混合。因此,该清洗装置具有将含有清洗液的冲洗液分离为清洗液与冲洗液的分离器90。该分离器90是通过在使含有清洗液的冲洗液蒸发后,利用冷却器等冷却所蒸发的冲洗液而液化回收的。如此分离的冲洗液流入水分离槽80,将所含的水分经分离后,通过第2回流管102回流至第2冲洗槽52。
再者,该清洗装置具有蓄积槽91,该蓄积槽91蓄积由该分离器90所分离的清洗液及从常压蒸馏器60流入的经常压蒸馏前的冲洗液(含有清洗液),再流入分离器90。
这里,蓄积槽91具有检测出流入蓄积的清洗液及冲洗液的液面上限的上限传感器91f,以及检测出该液面下限的下限传感器91e。通过阀60b的开闭,使来自常压蒸馏器60的冲洗液流入蓄积槽91,直到上限传感器91f检测出液面。随着反复进行该清洗液与冲洗液的分离的次数增加,蓄积在蓄积槽91内的冲洗液包含有许多从分离器90流入且在蓄积槽91蓄积的清洗液。因此,含有该清洗液的冲洗液是在分离器90处蒸发的,并且分离的速度会变慢。
因此,在蓄积槽91内,依据下限传感器91e的检测结果,来计测从分离器90的分离开始时间点至冲洗液的液面到达下限的时间,该到达时间比预定时间长时,包含在该蓄积槽内的冲洗液中的清洗液被视为是饱和状态的,而结束分离器90的分离。结束分离器90的分离后,在蓄积槽91内分离的清洗液流入真空蒸馏器30。
通过以上的处理,分离包含于冲洗液中的清洗液,可仅对冲洗液加以再利用。
此外,所述第1冲洗槽51及第2冲洗槽52具有用以使所述冲洗液振动的未图标的第2超声波振动器,以使该冲洗液确实到达掩膜10的表面。再者,为了应对由该第2超声波振动器的振动所造成的清洗液的温度上升,第1及第2冲洗槽51、52具有将清洗液的温度予以微调整的第2温度调整器70。
这里,第2温度调整器70具有第2热交换器70h及泵72,由该第2热交换器70h冷却第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液。并且,第2温度调整器70依据是否使由该第2热交换器70h所冷却的冲洗液通过泵72流入第1及第2清洗槽51、52,而将该各槽的冲洗液的温度微调整在室温。
如上所述,通过第2温度调整器70可对第1及第2冲洗槽51、52的清洗液进行微调整。
其次,说明第1及第2清洗槽21、22以及第1及第2冲洗槽51、52的各槽内的详细构成。图2是说明第1及第2清洗槽21、22的剖面图。图3是说明第1及第2冲洗槽51、52及回收槽54的剖面图。在图2及图3中省略了溢流槽23、53的图式。
如图2所示,第1及第2清洗槽21、22分别具有第1超声波振动器21a、22a,第1搅拌器21b、22b,第1温度传感器21c、21c,以及可动式第1液中载体21d、22d。这里,第1超声波振动器21a、22a使该清洗液产生振动即可,以使清洗液确实到达遮罩10的表面,并使其与遮罩正对向,但1个1个清洗遮罩10的表面的枚举式与清洗多枚的总括式的情形相比较,前者的第1超声波振动器21a、22a的效果较大。且第1搅拌器21b、22b是用以搅拌该清洗液的,以使清洗液在第1及第2清洗槽21、22内流动。
此外,第1温度传感器21c、21c是在以第1温度调整器40对第1及第2清洗槽21、22内的清洗液进行温度调整时,检测出该清洗液的温度,以作为参考温度。另外,第1液中载体21d、22d具有在对掩膜10进行清洗处理时保持该掩膜10且浸渍在清洗液中的功能。且第1液中载体21d、22d优选具有使掩膜10整体朝垂直方向振动的振动功能,以使冲洗液确实到达掩膜10的表面。
如上所述,在第1及第2清洗槽21、22中,通过以第1超声波振动器21a、22a进行清洗液的振动,以第1搅拌器21b、22b进行清洗液的搅拌,以第1液中载体21d、22d进行掩膜10的摇动,而确实可利用该清洗液对掩膜10进行清洗处理。
同样地,如图3所示,第1及第2冲洗槽51、52分别具有第2超声波振动器51a、52a,第2搅拌器52b、52b,第2温度传感器51c、52c,以及可动式第2液中载体51d、52d。这里,第2超声波振动器51a、52a是使该冲洗液产生振动的振动器。且第1搅拌器51b、52b是用以搅拌该冲洗液的,以使冲洗液在第1及第2冲洗槽51、52内流动。
第2温度传感器51c、52c是在以第2温度调整器70对第1及第2冲洗槽51、52内的冲洗液进行温度调整时,检测出该冲洗液的温度,以作为参考温度。另外,第2液中载体51d、52d具有在对掩膜10进行冲洗处理时保持该掩膜10且浸渍在冲洗液中的功能。且第2液中载体51d、52d优选具有使掩膜10整体朝垂直方向振动的振动功能,以使冲洗液确实到达掩膜10的表面。
再者,与第2冲洗槽52导通的回收槽54具有第3冷却器55及第3温度传感器54c。第3冷却器55使回收槽54冷却至比第1及第2冲洗槽51、52低的温度。该冷却温度如前所述在例如零下25℃左右。导入回收槽54的经蒸发的冲洗液通过所谓凝汽管圈54t而液化并回收在该回收槽54内。
此外,在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方,具有第3及第4温度调整器57、58以及2个第4温度传感器50c。第3温度调整器57通过使第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方的温度冷却至例如零下10℃左右,而形成用以抑制所蒸发的冲洗液扩散至第1及第2冲洗槽51、52的外部的第1空气层59a。另外,第4温度调整器58将第1空气层59a的上方温度调整在比室温略高的温度,而形成用以抑制第1及第2冲洗槽51、52的外部大气流入该槽内的第2空气层59b。
这里,第3及第4温度调整器57、58的所述温度调整优选依据2个第4温度传感器50c的温度检测结果来进行。且所述第3及第4温度调整器57、58的所述温度调整是调整为预设的预定温度时,也可省略2个第4温度传感器50c的任1个或全部。
如上所述,第1及第2冲洗槽51、52中,通过以第2超声波振动器51a、52a进行清洗液的振动,以第2搅拌器51b、52b进行冲洗液的搅拌,以第2液中载体51d、52d进行掩膜10的摇动,而确实可利用该冲洗液对掩膜10进行冲洗处理。
在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方,具有第3及第4温度调整器57、58,因此可以在不会使从第1及第2冲洗槽51、52蒸发的冲洗液扩散至大气中的状态下,通过回收槽54进行回收。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中清洗液的流动。在第1清洗槽21及第2清洗槽22浸渍掩膜10并进行清洗处理时,从掩膜10去除的有机材料会混入清洗液中。并且,在通过第1回流管101而回流的清洗液流入第2清洗槽时,第1及第2清洗槽21、22的清洗液会溢流至第1溢流槽23。溢流的清洗液流入真空蒸馏器30。这里,真空蒸馏器30内减压至0.8气压左右,且加热至例如120℃左右,以进行清洗液的真空蒸馏。沉淀在真空蒸馏器30的底部的有机材料在冷却锅30r处冷却并定期性地排出至外部。
该清洗液的沸点是例如160℃左右,但在真空状态中加热并蒸馏该清洗液,这样可使该沸点降低,并使蒸馏时的加热温度降低至例如120℃左右。而且,上述蒸馏是真空蒸馏,因此在蒸馏的过程中在清洗液中不会含有水分。
经真空蒸馏且去除有机材料的清洗液由第1冷却器31冷却至室温,且通过第1回流管101而回流至第2清洗槽。
另外,第1及第2清洗槽21、22的清洗液的一部分是通过装设在第1温度调整器40的第1热交换器40h而冷却的,该冷却的清洗液通过泵42而适当地流入第2清洗槽22。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中冲洗液的流动。在第1冲洗槽51、第2冲洗槽52浸渍掩膜10并进行冲洗处理时,从掩膜10去除的有机材料会混入冲洗液中。并且,在通过第2回流管102而回流的冲洗液流入第2冲洗槽52时,第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液会溢流至第2溢流槽53。
该溢流的冲洗液流入真空蒸馏器60。这里,冲洗液的沸点为例如60℃程度,因此如具有约160℃程度的沸点的清洗液的蒸馏,无须进行用以使该沸点降低的真空蒸馏。因此,常压蒸馏器60是在常压(大气压)下被加热至超过该沸点的例如65℃左右,以进行冲洗液的常压蒸馏。
通过常压蒸馏,去除包含在冲洗液中的有机材料(透过附着有清洗液的遮罩10搬送)等杂质。经常压蒸馏的冲洗液是在常压蒸馏的过程中混合有水分,但利用比该水分大的比重而分离为水分与冲洗液。该冲洗液通过第2冷却液62冷却至室温,而流入至水分离槽80。
在水分离槽80处去除水分的冲洗液通过第2回流管102而回流至第2冲洗槽52。
另外,虽流入常压蒸馏器60但未经常压蒸馏的冲洗液的一部分,也就是包含微量的清洗液(通过掩膜10而混合在冲洗液中)的冲洗液是依据阀60b的开闭,流入蓄积槽91,在到达蓄积槽91的上限后,阀60b会关闭,而停止冲洗液的流入。且蓄积槽91内的冲洗液流入分离器90,开始冲洗液与清洗液的分离。
通过下限传感器91e检测出蓄积槽91内的冲洗液的液面时,再打开阀60b,使冲洗液从常压蒸馏器60流入蓄积槽91内。
由分离器90所分离的冲洗液利用比该水分大的比重,在利用水分离槽80去除水分后,通过第2回流管102而回流至第2清洗槽52。由分离器90所分离的清洗液流入蓄积槽91。
随着反复进行该清洗液与冲洗液的分离,蓄积在蓄积槽91内的冲洗液包含有许多从分离器90流入且在蓄积槽91内蓄积的清洗液。因此,含有该清洗液的冲洗液是在分离器90蒸发的,且分离的速度会变慢。
因此,在蓄积槽91内,依据下限传感器91e对蓄积槽91的冲洗液的液面的检测结果,来计测从分离器90的分离开始时间点至冲洗液的液面到达下限的时间,该到达时间比预定时间长时,包含在该蓄积槽91内的冲洗液中的清洗液被视为是饱和状态的,而结束分离器90的分离。然后打开原本关闭的阀91b,使在蓄积槽91内分离的清洗液流入真空蒸馏器30。
再者,从第1及第2冲洗槽51、52所蒸发的冲洗液通过第3冷却器55,导入冷却至比第1及第2冲洗槽51、52更低的例如零下25℃左右的回收槽54,并予以回收。回收至回收槽54的冲洗液流入水分离槽80,并利用1.5左右的比重来去除水分,通过第2回流管102而回流至第2清洗槽52。
其次,参照附图说明本实施例的清洗装置的搬送系统。图4至图8、图11至图14是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。图9及图10是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。在图4至图14中,清洗系统的构成要素仅仅是附图搬送系统的说明所需的一部分构成要素。
如图4至图14所示,本实施例的清洗装置的搬送系统具有:设置在台200上且将多个掩膜10收纳在水平方向的盒匣210;具有从盒匣210取出1个掩膜10的第1臂部221的第1移载装置220;具有握持掩膜10的第2臂部222的第2移载装置230;将掩膜10搬送至第1及第2清洗槽21、22和第1及第2冲洗槽51、52的搬送装置240。这里,搬送装置240在搬送掩膜10时,具有保持掩膜10的一边的钩部242。
其次,说明本实施例的清洗装置的搬送系统的动作。如图4所示,第1移载装置220的第1臂部221会伸缩,从盒匣210取出1个掩膜10。其次,如图5所示,第1移载装置220使第1臂部221下降,并将遮罩10载置在台200的预定位置。其次,如图6所示,第2移载装置230利用第2臂部222握持遮罩10,并且如图7所示,将遮罩10载置在搬送装置240上。
再者,如图8所示,载置有掩膜10的搬送装置240在垂直方向旋转90度左右,且立起至垂直状态。并且在搬送装置240上载置的掩膜10也同时朝垂直方向旋转90度而立起。此时的搬送装置240及载置在搬送装置240上的掩膜10的状态是显示在图9中的立体图。
这样,为了使搬送装置240及掩膜10成为垂直状态,在构成掩膜10的金属薄膜施加应力(对金属薄膜施加的重力所产生的应力或由液体的摇动所产生的应力),可尽量避免金属疲劳或损伤。此外,通过使掩膜10靠在垂直方向上,也具有不错的去除液体的效果。
所述搬送装置240与掩膜10旋转时的角度不一定为90度左右。也就是,只要利用因重力所产生的应力构成掩膜10的金属薄膜尽量不会产生金属疲劳或损伤的角度,搬送装置240与掩膜10也可旋转至水平及垂直以外的角度。
另外,如图10的立体图所示,预先装设在搬送装置240的保持具是以与掩膜10的扣止部13嵌合的方式而压接在该掩膜10的扣止部13。由此,掩膜10不会对其金属薄膜的表面造成损伤,而由搬送装置240的保持具241与钩部242所挟持保持。
上述保持在该搬送装置240处的掩膜10与搬送装置240一同搬送至清洗装置的清洗系统,也就是第1及第2清洗槽21、22(以及第1及第2冲洗槽51、52)。在此,搬送时,搬送装置240如图11的剖面图所示,连续地进行垂直方向及水平方向的移动,如该图中轨迹1及8所示,依据近似圆弧状的曲线状的预定轨迹而移动。另外,图11中的A、B、C是显示清洗液或冲洗液的液面情报的垂直方向的位置(高度)。
通过具有预定轨迹的搬送装置240的移动,可尽量避免因该移动从垂直方向切换至水平方向或从水平方向切换至垂直方向时的冲击所产生的应力,造成在由金属薄膜所构成的掩膜10处产生金属疲劳或损伤。
另外,搬送装置240是以预定的速度而移动的。该预定的速度是通过搬送装置240移动时的风压或冲击所产生的应力,在由金属薄膜所构成的掩膜10处不会产生金属疲劳或损伤的程度的速度。或者,所述预定的速度是通过搬送装置240移动时所产生的乱流,不会促使第1及第2冲洗槽51、52内的冲洗液的蒸发的预定速度。
其次,如图12所示,载置遮罩10的搬送装置240搬送至第1清洗槽21上。且如图3所示,装设在第1清洗槽21的第1液中载体21d会上升至清洗液的液面上方。且第1液中载体21d上升至与搬送装置240同一位置后,或搬送装置240移动到与上升至清洗液的液面上方的第1液中载体21d同一位置后,解除搬送装置240的保持具241的压接,且掩膜10会位移至液中载体21d。
然后,如图14所示,载置有掩膜10的第1液中载体21d会下降至清洗液中,掩膜10会浸渍在清洗液中。并且,将遮罩10从清洗液取出时,依序进行图14、图13、图12所示的过程。与图12至图14所示的第1清洗槽21同样地,载置有掩膜10的搬送装置240搬送到第2清洗槽22上。且在掩膜10通过第1液中载体21d浸渍在清洗液后,予以取出。
如上所述,在第1及第2清洗槽21、22的清洗液浸渍掩膜10时,在未将搬送装置240浸渍在清洗液中的情况下,可进行清洗处理。也就是,可尽量避免清洗液附着在搬送装置240上。因此,可尽量避免第1及第2清洗槽21、22的清洗液通过搬送装置240而被搬送至第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液。
与图12至图14所示的第1清洗槽21同样地,载置有掩膜10的搬送装置240搬送到第1冲洗槽51上。且在掩膜10通过第2液中载体51d浸渍在冲洗液中后,予以取出。再者,载置有掩膜10的搬送装置240搬送到第2冲洗槽52上。且在掩膜10通过第2液中载体52d浸渍在冲洗液中后,予以取出。
如上所述,在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液浸渍掩膜10时,在未将搬送装置240浸渍在冲洗液中的情况下,可进行冲洗处理。也就是,可尽量避免冲洗液附着在搬送装置240上。因此,可尽量避免在进行清洗处理时,冲洗液附着在搬送装置240上,该冲洗液被搬送至第1及第2冲洗槽51、52内的清洗液。
此外,所述搬送装置240在将掩膜10浸渍在清洗液或冲洗液中时,优选依图11的轨迹1至4而移动。也就是,最初搬送装置240依轨迹1从A移动至B的高度再暂时停止。在停止时,并非突然停止,而是缓慢地減速同时使之停止,以便不会对遮罩10施加应力。而且,在未图示的液中载体21d、22d、51d、52d上升至B的高度后,搬送装置240在液中载体21d、22d、51d、52d交付遮罩10,同时从B移动至C的高度。然后,搬送装置240以返回A的高度的方式而依轨迹4朝垂直方向移动。
再者,所述搬送装置240在将掩膜10从清洗液或冲洗液的液中取出时,优选依图11的轨迹5至8而移动。也就是,最初搬送装置240依轨迹5从A移动至C的高度。其次,以接近液中载体21d、22d、51d、52d的方式,依轨迹6朝水平方向移动。然后,搬送装置240依轨迹7从C移动至B的高度再暂时停止。接着,搬送装置240是以从上升至B的高度的液中载体21d、22d、51d、52d将掩膜10捞起的方式位移,同时依轨迹8从B移动至A的高度。此时,为了使搬送装置240不会急剧朝上方向移动,优选缓慢地增加移动速度。通过以上方式,搬送装置240可在不对掩膜施加所述应力的状态下移动。
这里,搬送装置240在将1个掩膜10搬送至第1及第2清洗槽21、22或第1及第2冲洗槽51、52的任一槽后,也可将与完成该搬送的掩膜10不同的其它掩膜10搬送至其它槽。
最后,载置有掩膜10的搬送装置240搬送至图1所示的真空干燥器99并予以干燥。
如上所述,通过在图11所示的轨迹1或8中以圆弧状的方式移动,且在轨迹1中缓慢地将移动速度(下方向)予以减速,且在轨迹8中缓慢地将移动速度(上方向)予以加速,可使施加在掩膜10的应力减少。另外,未搬送掩膜10时的搬送装置240的动作只要不会与液槽的液壁或液中载体碰撞即可,可为圆弧状,也可急剧地移动。
并且,在所述实施例中,是将清洗液及冲洗液作为碳化氢系的清洗液及氟系的冲洗液,但本发明并不限定于此。也就是,所述清洗液及冲洗液可对掩膜10进行清洗处理(有机EL用的有机材料的去除)及冲洗处理,只要具有与碳化氢系的清洗液及氟系的冲洗液同样的沸点、以及相对于水分的比重,即可作为所述以外的清洗液及冲洗液。

Claims (14)

1.一种清洗装置,用以去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜上的有机EL用的有机材料,其特征为具有:
清洗槽,由预定的清洗液清洗处理所述掩膜;
真空蒸馏器,真空蒸馏从所述清洗槽溢流的所述清洗液;
第1冷却器,将由所述真空蒸馏器真空蒸馏的所述清洗液冷却至室温;
第1回流管,使由所述第1冷却器所冷却的所述清洗液回流至所述清洗槽;
冲洗槽,利用预定的冲洗液对通过所述清洗槽清洗的所述掩膜进行冲洗处理;
常压蒸馏器,在常压下蒸馏从所述冲洗槽溢流的所述冲洗液;
第2冷却器,将由所述常压蒸馏器常压蒸馏的所述冲洗液冷却至室温;及
第2回流管,使由所述第2冷却器所冷却的所述冲洗液回流至所述冲洗槽。
2.如权利要求1所述的清洗装置,其中,在所述清洗槽内具有使所述清洗液振动的第1超声波振动器。
3.如权利要求2所述的清洗装置,其中,具有:
第1温度传感器,用以感测出所述清洗槽内的清洗液的温度;及
第1温度调整器,依所述第1温度传感器的感测结果,使所述清洗槽内的所述清洗液的温度调整至室温。
4.如权利要求3所述的清洗装置,其中,在所述第1温度调整器处具有第1热交换器,该第1温度调整器是通过使利用该第1热交换器冷却的所述清洗液流入所述清洗槽,而调整该清洗槽内的所述清洗液的温度。
5.如权利要求1所述的清洗装置,其中,在所述冲洗槽内具有使所述冲洗液振动的第2超声波振动器。
6.如权利要求5所述的清洗装置,其中,具有:
第2温度传感器,用以感测出所述冲洗槽内的所述冲洗液的温度;及
第2温度调整器,依所述第2温度传感器的感测结果,使所述冲洗槽内的所述冲洗液的温度调整至室温。
7.如权利要求6所述的清洗装置,其中,在所述第2温度调整器处具有第2热交换器,
该第2温度调整器是通过使利用该第2热交换器冷却的所述冲洗液流入所述冲洗槽,而调整所述冲洗槽内的所述冲洗液的温度。
8.如权利要求1所述的清洗装置,其中,具备具有第3冷却器的回收槽,
所述回收槽是通过该第3冷却器冷却,回收在所述冲洗槽内蒸发的所述冲洗液,并使该回收的所述冲洗液通过所述第2回流管回流至所述冲洗槽。
9.如权利要求8所述的清洗装置,其中,在所述回收槽处具有检测出该回收槽内的温度的第3温度传感器,
所述第3冷却器是利用所述第3温度传感器冷却所述回收槽内,以使在所述冲洗槽内与所述回收槽内产生蒸气压差。
10.如权利要求1所述的清洗装置,其中,具有将由所述第2冷却器所冷却的所述冲洗液中的水分予以分离的水分离槽,
并且使通过所述水分离槽的所述冲洗液,通过所述第2回流管回流至所述冲洗槽。
11.如权利要求8或9所述的清洗装置,其中,具有将由所述回收槽所回收的所述冲洗液中的水分予以分离的水分离槽,
并且使通过所述水分离槽的所述冲洗液,通过所述第2回流管回流至所述冲洗槽。
12.如权利要求1所述的清洗装置,其中,具有:
分离器,将含有清洗液的冲洗液分离为清洗液与冲洗液;及
蓄积槽,蓄积由该分离器所分离的清洗液及含有所述常压蒸馏器的清洗液的冲洗液,再流入所述分离器。
13.如权利要求12所述的清洗装置,其中,在所述蓄积槽处具有检测出所述清洗液及所述冲洗液的液面下限的下限传感器,
依该下限传感器的检测结果,使分离的清洗液流入所述真空蒸馏器。
14.如权利要求1至13中任一项所述的清洗装置,其中,所述预定冲洗液是包含氟的溶媒。
CNB2005100936972A 2004-09-01 2005-09-01 清洗装置 Active CN100519823C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004254655 2004-09-01
JP2004254655 2004-09-01
JP2005249430 2005-08-30
JP2005249430A JP4267604B2 (ja) 2004-09-01 2005-08-30 洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1746330A CN1746330A (zh) 2006-03-15
CN100519823C true CN100519823C (zh) 2009-07-29

Family

ID=36239841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100936972A Active CN100519823C (zh) 2004-09-01 2005-09-01 清洗装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4267604B2 (zh)
KR (1) KR100661409B1 (zh)
CN (1) CN100519823C (zh)
TW (1) TWI290005B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5067060B2 (ja) * 2007-07-31 2012-11-07 凸版印刷株式会社 キャップ式部分洗浄除去装置
KR100891067B1 (ko) 2007-12-03 2009-03-31 주식회사 동부하이텍 웨트 스테이션 장치
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機elディスプレイ
KR101231774B1 (ko) * 2011-11-16 2013-02-08 주식회사 케이씨텍 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정장치
KR101235837B1 (ko) * 2011-11-17 2013-02-21 주식회사 케이씨텍 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정장치
KR101271120B1 (ko) * 2011-11-17 2013-06-04 주식회사 케이씨텍 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정방법
KR101246288B1 (ko) * 2011-11-30 2013-04-01 주식회사 케이씨텍 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정장치
CN103469152A (zh) * 2013-08-11 2013-12-25 唐军 掩模板清洗系统
CN104858178A (zh) * 2014-09-15 2015-08-26 杜正阔 一种清洗液可以汽化加压液化再生的超声清洗机技术
JP2017170425A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 株式会社クリンビー ワーク洗浄方法およびワーク洗浄装置
DE102016115320A1 (de) * 2016-08-18 2018-02-22 Vorwerk & Co. Interholding Gmbh Feuchtreinigungsgerät mit einem Schmutzflüssigkeitstank
KR101902102B1 (ko) * 2017-02-27 2018-09-27 문태주 진공 증류 재생장치
JP7126830B2 (ja) * 2018-01-19 2022-08-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フッ素化液体の再生方法、及び該方法を用いる再生装置
JP7008291B1 (ja) 2020-10-14 2022-01-25 大日本印刷株式会社 マスクの洗浄方法、洗浄液、洗浄装置、及び有機デバイスの製造方法
CN114995052A (zh) * 2022-05-18 2022-09-02 上海图灵智算量子科技有限公司 光罩版清洁装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4867186A (en) * 1988-08-15 1989-09-19 Shigeo Otsuka Chloro-fluoro-carbon liquid jetting immersion cleaning apparatus
CN2136064Y (zh) * 1992-09-16 1993-06-16 河南中医学院 多功能闪蒸装置
US5937675A (en) * 1994-11-09 1999-08-17 R.R. Street & Co. Inc. Method and system for rejuvenating pressurized fluid solvents used in cleaning substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4867186A (en) * 1988-08-15 1989-09-19 Shigeo Otsuka Chloro-fluoro-carbon liquid jetting immersion cleaning apparatus
CN2136064Y (zh) * 1992-09-16 1993-06-16 河南中医学院 多功能闪蒸装置
US5937675A (en) * 1994-11-09 1999-08-17 R.R. Street & Co. Inc. Method and system for rejuvenating pressurized fluid solvents used in cleaning substrates

Also Published As

Publication number Publication date
CN1746330A (zh) 2006-03-15
TW200618665A (en) 2006-06-01
JP4267604B2 (ja) 2009-05-27
JP2006100263A (ja) 2006-04-13
TWI290005B (en) 2007-11-11
KR100661409B1 (ko) 2006-12-27
KR20060050923A (ko) 2006-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100519823C (zh) 清洗装置
CN100567553C (zh) 清洗装置
US7073518B2 (en) Cleaning solution and cleaning method for mask used in vacuum vapor deposition step in production of low molecular weight organic EL device
US7461663B2 (en) Cleaning apparatus
TW201117267A (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
KR20220133831A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액
WO2005015625A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US20130034708A1 (en) Method of preparing thin film, thin film, apparatus for preparing thin film, and electronic device including thin film
US20130143357A1 (en) Method of forming organic thin film and organic thin film forming apparatus, as well as method of manufacturing organic device
US7581551B2 (en) Cleaning apparatus
US7282099B2 (en) Dense phase processing fluids for microelectronic component manufacture
US6918192B2 (en) Substrate drying system
CN104099572B (zh) 沉积装置、形成薄膜的方法及制造显示装置的方法
JP2003297794A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20070004224A (ko) 유기 발광 다이오드의 섀도우 마스크 세정 장치 및 방법
EP0428784B1 (en) Process for drying surfaces
KR102168153B1 (ko) 건조액 액화회수장치 및 이를 이용한 반도체 건조시스템
JP3877758B2 (ja) 低分子型有機el素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物および洗浄方法
JP2636319B2 (ja) 有機溶剤を用いる洗浄装置に於ける有機溶剤蒸気の回収方法
CN117012679A (zh) 一种用于清洗晶圆的装置和方法
KR101963144B1 (ko) 에이치에프이계 건조액을 이용한 건조시스템
JP2010046581A (ja) 被処理物洗浄方法及び被処理物洗浄装置
JP2004119591A (ja) 基板処理装置
JP2000164548A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP4444892B2 (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant