CN100489726C - 低供应电压的能隙参考电路与供应能隙参考电流的方法 - Google Patents

Abstract

一种低供应电压的能隙参考电路。此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元以及负温度系数电流产生单元，并以电流加总方式来实现。本发明采用电流模式的温度补偿技术，可减少传统因电压加总方式而需求的电压顶部空间与运算放大器的数量，并降低偏移电压对输出电压的影响，进而产生低电压而稳定的能隙参考电压电平。再者，因为减少运算放大器与高阻值电阻的数量，因此节省电路面积并降低晶片成本。

Description

低供应电压的能隙参考电路与供应能隙参考电流的方法

技术领域

本发明涉及一种能隙参考电路，且特别涉及一种低供应电压的能隙参考电路。

背景技术

在许多超大型集成电路系统中，往往内建极基本且极重要的半导体能隙(BandGap)电路。由于能隙电路负责产生根源参考电流(或电压)，因此其决定整体系统的精确性。

图1A是说明传统能隙参考电路的电路图。图1B是说明图1A所示传统能隙参考电路所输出电压与温度的关系图。请同时参照图1A与图1B，若流经二极管D1与D2的电流均为I，二极管D1与D2的元件面积比例为1:n，且电阻值R1＝R3，则运算放大器110的输出电压 $V_{\mathrm{BG}}=V_{\mathrm{BE}1}+\frac{R_1}{R_2}(V_{\mathrm{BE}1}-V_{\mathrm{BE}2})=V_{\mathrm{BE}1}+\frac{R_1}{R_2}\left(\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{BE}}\right)=V_{\mathrm{BE}1}+$ $\frac{R_1}{R_2}(V_T\·\ln \left(n\right))=V_{\mathrm{BE}1}+K\·V_T\≈1.205V.$ 通过适当地调整R1与R2的阻值比例与二极管D1与D2的元件面积比例(亦即决定二者之间电流密度比例n)，此输出电压V_BG将可以不受温度影响而维持于固定电压。

现今基于低电压与低功率的考虑，许多需求供应电压低于1.5V的系统往往需要低于1V的能隙参考电压。图1A所示传统能隙参考电路无法产生低能隙电压。为了满足低电压与低功率的需求，美国专利公告第US6052020号专利案披露一种以电压平均技术产生低输出电压的能隙参考电路，请参照图2A。此能隙参考电路可以产生低于1.205V的低能隙电压。图2B是说明图2A所示公知能隙参考电路所输出电压与温度的关系图。请同时参照图2A与图2B，此能隙参考电路利用传统正温度系数电流产生单元210提供其内部负温度系数的电压V_BE与正温度系数的电压K·V_T，然后再通过电压平均电路220将电压V_BE与K·V_T二者平均后输出低于1V的能隙电压V_BG。此公知能隙参考电路是通过调整电阻值R1与R2的比例，来产生所需要的输出电压电平。

此公知技术因需要超过3个运算放大器与具有大阻值的电阻R1、R2、R3A与R3B，因此大幅提高图2A中能隙参考电路的复杂度。尤其，由于实际运算放大器都具有大小不一的偏移电压V_OS，因此使用越多个运算放大器，则会有越多的偏移电压V_OS来影响能隙参考电路的精确性。再者，为了低静态电流的考虑，电阻R3A与R3B的阻值便须设定为大阻值(例如为96KΩ)。大阻值的电阻R1、R2、R3A与R3B需要较大面积，因此将会增加晶片面积与成本。

发明内容

本发明的目的就是提供一种低供应电压的能隙参考电路，在降低电路面积与成本的前提下产生具有负温度系数的电流，并且在低供应电压的环境中，以产生稳定的低能隙电压，并降低电路面积与成本。

本发明的再一目的为提供一种供应能隙参考电流的方法，以产生稳定且低电压的能隙参考电流。

基于上述及其他目的，本发明提出一种低供应电压的能隙参考电路。此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元以及负温度系数电流产生单元。正温度系数电流产生单元依据其内部的第一内部电压与第二内部电压而产生正系数电流。负温度系数电流产生单元包括电压电流转换器以及电流镜。电压电流转换器依据正温度系数电流产生单元的第一内部电压，而产生对应的第一电流。电流镜的主电流端连接至电压电流转换器以接收第一电流，并依预定比例复制第一电流而于电流镜的从电流端提供负系数电流。其中，该正系数电流与该负系数电流的加总即为能隙参考电路的输出。其中该正温度系数电流产生单元包括：第一运算放大器，其第一输入端与第二输入端分别接收该第一内部电压与该第二内部电压，并输出一偏压电压；第一晶体管，其栅极连接至该第一运算放大器的输出端以接收该偏压电压，其第一源/漏极连接至第二定电压，其第二源/漏极输出该正系数电流；第四晶体管，其基极与第一射/集极均连接至第一定电压，而其第二射/集极提供该第一内部电压；第五晶体管，其第一源/漏极连接至该第四晶体管的第二射/集极，该第五晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第五晶体管的栅极接收该偏压电压；第六晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压；第二电阻，其第一端连接至该第六晶体管的第二射/集极，该第二电阻的第二端提供该第二内部电压；以及第七晶体管，其第一源/漏极连接至该第二电阻的第二端，该第七晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第七晶体管的栅极接收该偏压电压。其中该电压电流转换器包括：第四电阻，其第一端连接至该第一定电压；第五电阻，其第一端连接至该第一定电压；第六电阻，其第一端连接至该第五电阻的第二端；第九晶体管，其第一源/漏极连接至该第四电阻的第二端，该第九晶体管的第二源/漏极连接至该电流镜的主电流端；第十晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压，而其第二射/集极连接至该第六电阻的第二端；第十一晶体管，其第一源/漏极连接至该第十晶体管的第二射/集极，该第十一晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第十一晶体管的栅极接收该偏压电压；以及第三运算放大器，其第一输入端连接至该第五电阻的第二端，该第三运算放大器的第二输入端连接至该第九晶体管的第一源/漏极，而该第三运算放大器的输出端连接至该第九晶体管的栅极

本发明提出一种供应能隙参考电流的方法，包括形成具有正温度系数的正系数电流，形成具有负温度系数的负系数电流，以及加总该正系数电流与该负系数电流。其中形成正系数电流的步骤包括：形成具有负温度系数的第一内部电压；形成具有负温度系数的第二内部电压；以及依据第一内部电压与第二内部电压而形成正系数电流。其中形成负系数电流的步骤包括：将第一内部电压转换为具有负温度系数的第一电流；以及依预定比例复制该第一电流，而形成负系数电流，其中该第一内部电压转换为具有负温度系数的第一电流的步骤包括：将该第一内部电压分压；以及将被分压的第一内部电压转换为该第一电流。

基于上述及其他目的，本发明提出一种低供应电压的能隙参考电路。此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元以及负温度系数电流产生单元。正温度系数电流产生单元依据其内部的第一内部电压与第二内部电压而产生正系数电流。负温度系数电流产生单元包括电压电流转换器以及电流镜。电压电流转换器依据正温度系数电流产生单元的第一内部电压，而产生对应的第一电流。电流镜的主电流端连接至电压电流转换器以接收第一电流，并依预定比例复制第一电流而于电流镜的从电流端提供负系数电流。其中，该正系数电流与该负系数电流的加总即为能隙参考电路的输出。其中该正温度系数电流产生单元包括：第一运算放大器，其第一输入端与第二输入端分别接收该第一内部电压与该第二内部电压，并输出一偏压电压；第一晶体管，其栅极连接至该第一运算放大器的输出端以接收该偏压电压，其第一源/漏极连接至第二定电压，其第二源/漏极输出该正系数电流；第四晶体管，其基极与第一射/集极均连接至第一定电压，而其第二射/集极提供该第一内部电压；第五晶体管，其第一源/漏极连接至该第四晶体管的第二射/集极，该第五晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第五晶体管的栅极接收该偏压电压；第六晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压；第二电阻，其第一端连接至该第六晶体管的第二射/集极，该第二电阻的第二端提供该第二内部电压；第七晶体管，其第一源/漏极连接至该第二电阻的第二端，该第七晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第七晶体管的栅极接收该偏压电压；第七电阻，其第一端连接至该第四晶体管的第二射/集极；第八电阻，其第一端连接至该第七电阻的第二端，而该第八电阻的第二端连接至该第六晶体管的第二射/集极；第九电阻，其第一端连接至该第一定电压；以及第十电阻，其第一端连接至该第九电阻的第二端，而该第十电阻的第二端连接至该第七电阻的第二端。

本发明为一种低供应电压的能隙参考电路。此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元以及负温度系数电流产生单元，并以电流加总方式来实现。本发明因采用电流模式的温度补偿技术，因此可减少传统因电压加总方式而需求的电压顶部空间与运算放大器的数量，并降低偏移电压对输出电压的影响，进而产生低电压而稳定的能隙参考电压电平。再者，因为减少运算放大器与高阻值电阻的数量，因此节省电路面积并降低晶片成本。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A是说明传统能隙参考电路的电路图。

图1B是说明图1A所示传统能隙参考电路所输出电压与温度的关系图。

图2A是说明美国专利公告第US6052020号专利案披露的能隙参考电路。

图2B是说明图2A所示公知能隙参考电路所输出电压与温度的关系图。

图3A是依照本发明说明一种低供应电压的能隙参考电路实施例。

图3B是图3A中能隙电压V_BG与温度的特性曲线图。

图4是依照本发明说明另一种低供应电压的能隙参考电路实施例。

图5是依照本发明说明再一种低供应电压的能隙参考电路实施例。

主要元件标记说明

110、316、324、428、524：运算放大器

210：传统正温度系数电流产生单元

220：电压平均电路

310、410、510：正温度系数电流产生单元

311、312、313、314、323、325、326、327、425、426、427、429、515、516：晶体管

315、321、322、421、422、423、424、511、512、513、514、R1～R5、R3A、R3B：电阻

320、420、520：负温度系数电流产生单元

D1、D2：二极管

I_NTC：负系数电流

I_BG：加总电流

I_PTAT：正系数电流

Va：第一内部电压

Vb：第二内部电压

V_OUT：偏压电压

V_OS：偏移电压

V_BG：能隙电压

具体实施方式

在许多超大型集成电路系统中，往往内建负责产生根源参考电压的能隙(BandGap)参考电路。现今基于低电压与低功率的考虑，往往需要能隙参考电路提供低于1.205V的低能隙电压。图3A是依照本发明说明一种低供应电压的能隙参考电路实施例。请参照图3A，此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元310与负温度系数电流产生单元320。正温度系数电流产生单元310中，第一运算放大器316输出电压Vout调整P型晶体管312与314，使Va＝Vb，进而依据电阻315的两端跨压而产生具有正温度系数的正系数电流I_PTAT。负温度系数电流产生单元320则将第一内部电压Va转换为具有负温度系数的负系数电流I_NTC。其中，正系数电流I_PTAT与负系数电流I_NTC的加总即为本能隙参考电路的输出I_BG。于本实施例中，更利用电阻321将带隙电流I_BG转换为带隙电压V_BG。

于本实施例中，正温度系数电流产生单元310包括第一晶体管327、第四晶体管311、第五晶体管312、第六晶体管313、第七晶体管314、第二电阻315以及第一运算放大器316。在此以PNP型双极结型晶体管(BJT)实施晶体管311与313，而以P型金氧半场效晶体管(MOSFET)实施晶体管312与314。晶体管311与313的基极与集极均连接至第一定电压(例如接地电压)。晶体管311的射极连接至晶体管312的漏极并提供第一内部电压Va。电阻315的第一端连接至晶体管313的射极而提供第三内部电压，而电阻315的第二端连接至晶体管314的漏极并提供第二内部电压Vb。上述晶体管312与314的源极均连接至第二定电压(例如系统电压)V_DD。运算放大器316的第一输入端(例如负输入端)与第二输入端(例如正输入端)分别连接至晶体管312与314的漏极，而依据第一内部电压Va与第二内部电压Vb输出偏压电压V_OUT。在此第一晶体管327可以是P型晶体管。晶体管327的栅极接收运算放大器316输出的偏压电压V_OUT，其源极连接至第二定电压V_DD，其漏极输出正系数电流I_PTAT。

负温度系数电流产生单元320包括电压电流转换器以及电流镜。于本实施例中，由第三电阻322、第八晶体管323以及第二运算放大器324所组成的电压电流转换器依据正温度系数电流产生单元310的第一内部电压Va而产生对应的第一电流I_NTC′。其中，电阻322与晶体管323串接于电流镜的主电流端与接地电压之间。运算放大器324的第一输入端(例如正输入端)连接至第四晶体管311的射极。运算放大器324的第二输入端(例如负输入端)连接至第八晶体管323的源极。运算放大器324的输出端连接至晶体管323的栅极。于本实施例中，第八晶体管323可以是N型金氧半场效晶体管(MOSFET)。另外，设计者亦可视需要将运算放大器324改连接至电阻315，以接收第二内部电压Vb，而使电压电流转换器依据第二内部电压Vb产生对应的第一电流I_NTC′。前述实施方式的变化亦属本发明的范畴。

上述电流镜的主电流端连接至电压电流转换器以接收第一电流I_NTC′，并依预定比例复制第一电流I_NTC′而于电流镜的从电流端提供负系数电流I_NTC。电流镜包含第二晶体管325与第三晶体管326。晶体管325与326的漏极分别为该电流镜的主电流端与从电流端。晶体管325与326的源极接连接至第二定电压V_DD。晶体管325的漏极还连接至晶体管325与326的栅极。于本实施例中，第二晶体管325与第三晶体管326可以是P型金氧半场效晶体管。另外，前述预定比例可以是1:1，亦即第一电流I_NTC′与负系数电流I_NTC的电流量相等。

于本实施例中将第一电阻321的第一端连接至电流镜与正温度系数电流产生单元310而接收负系数电流I_NTC与正系数电流I_PTAT，而第一电阻321的第二端连接第一定电压(例如接地)。通过电阻321将电流I_NTC与I_PTAT的加总电流I_BG转换为低能隙电压V_BG。若电阻315、321、322的阻值分别为R₃₁₅、R₃₂₁、R₃₂₂，则

能隙电压 $V_{\mathrm{BG}}=R_{321}\·I_{\mathrm{BG}}$

$=R_{321}\·(I_{\mathrm{NTC}}+I_{\mathrm{PTAT}})$

$=R_{321}\·(\frac{V_{\mathrm{BE}1}}{R_{322}}+\frac{\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{BE}1}}{R_{315}})$

$=\frac{R_{321}}{R_{322}}\·(V_{\mathrm{BE}1}+\frac{R_{322}}{R_{315}}\·V_T\ln \left(n\right))$

假设电流I_PTAT＝6.75uA，R₃₁₅＝8KΩ，而R₃₂₁＝58.2KΩ。在室温条件下，V_BE1约为733mV。通过将电阻322的阻值选择为100KΩ，使得电流 $I_{\mathrm{NTC}}=\frac{V_{\mathrm{BE}1}}{R_{322}}=7\mathrm{uA}.$ 最后，能隙电压V_BG＝R₃₂₁·(I_NTC+I_PTAT)＝58.2KΩ·(7uA+6.75uA)＝0.80025V。因此，本实施例可以产生稳定且低于1V的低能隙电压。本实施例可以通过调整电阻321的阻值R₃₂₁，而简单地调整理想的能隙电压V_BG的电平。与公知技术相比较，本实施例不必调整图2A中具有大阻值电阻R1、R2之间的阻值比例，因此可以更精准且更简易地调整理想的能隙电压V_BG的电平。图3B是图3A中能隙电压V_BG与温度的特性曲线图。

若能隙参考电路所需最低供应电压大约为1.0V，则电压电流转换器因受限于双极结型晶体管(BJT)物理特性(尤其在-40℃环境下V_BE1＝0.83V)而受限。为解决此现象，所属技术领域的技术人员可以于能隙参考电路中加入一简单的电阻网路，以便将V_BE1的电平分压。

图4是依照本发明说明另一种低供应电压的能隙参考电路实施例。请参照图4，此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元410与负温度系数电流产生单元420。负温度系数电流产生单元420包括电压电流转换器以及电流镜。其中，正温度系数电流产生单元410、负温度系数电流产生单元420中的电流镜以及第一电阻421可以与图3A的正温度系数电流产生单元310、电流镜以及第一电阻321相同，故不在此赘述。

图4中电压电流转换器包括第四电阻422、第五电阻423、第六电阻424、第九晶体管425、第十晶体管426、第十一晶体管427以及第三运算放大器428。于本实施例中，第九晶体管425为N型金氧半场效晶体管，第十晶体管426为PNP型双极结型晶体管，第十一晶体管427为P型金氧半场效晶体管。电阻422的第一端连接至第一定电压(在此为接地电压)，而电阻422的第二端则连接至晶体管425的源极。晶体管425的漏极连接至电流镜的主电流端(即晶体管429的漏极)。电阻423的第一端接地。电阻424连接于电阻423第二端与晶体管426射极之间。晶体管426的基极与集极均接地。晶体管427的漏极连接至晶体管426的射极。晶体管427的源极连接至第二定电压(在此为系统电压)V_DD。晶体管427的栅极接收偏压电压V_OUT。运算放大器428的第一输入端(在此为正输入端)连接至电阻423的第二端，第二输入端(在此为负输入端)连接至晶体管425的源极，而输出端连接至晶体管425的栅极。

通过第五电阻423与第六电阻424将V_BE1分压，而使得跨于电阻422的电压不至于太大(例如在-40℃环境下可以小于V_BE1＝0.83V)。因此本实施例的能隙参考电路可以操作于供应电压小于1.0V的环境中。

为了使能隙参考电路可以操作于供应电压小于1.0V的环境中，亦可参照图5来实施本发明。图5是依照本发明说明再一种低供应电压的能隙参考电路实施例。请参照图5，此能隙参考电路包括正温度系数电流产生单元510与负温度系数电流产生单元520。图5的能隙参考电路与图3A相似，故二者之间相同部分将不在此重述。与图3A相比，图5的正温度系数电流产生单元510还包括第七电阻511、第八电阻512、第九电阻513以及第十电阻514。电阻511与512串接于晶体管515射极与晶体管516射极之间。电阻513的第一端连接至第一定电压(在此为接地)，第二端则连接至电阻514的第一端。电阻514的第二端则连接至电阻511的第二端。不同于图3A中运算放大器324的正输入端接收电压V_BE1，本实施例中先利用电阻网路(包含电阻511～514)将V_BE1分压后才提供给运算放大器524的正输入端。因此，本实施例的能隙参考电路可以操作于供应电压小于1.0V的环境中。上述电阻511、512、513以及514可以依设计者的需求而改设置在负温度系数电流产生单元520中。

表1是图2A的公知电路与本发明实施例图3A、图4、图5电路之间的比较表。由表1中可以看出本发明诸实施例所需的电阻与运算放大器的数量比图2A的公知电路还少。因为减少了运算放大器的数量，因此亦减轻偏移电压V_OS影响能隙参考电路精确性的可能。另外，亦可由表1中可以看出本发明诸实施例所需的总电阻值比图2A的公知电路更节省。例如，图3A的实施例即比图2A的公知电路节省达422KΩ(即约节省79.2％晶片面积与成本)。

表1

 

	电阻(Ω)	运算放大器	方法
				图2A	R1＝78KΩR2＝240KΩR3A＝96KΩR3B＝96KΩR4＝70.4KΩR5＝8KΩ	4个	电压加总
图3A	R<sub>322</sub>＝100KΩR<sub>321</sub>＝58.2KΩR<sub>315</sub>＝8KΩ	2个	电流加总
				图4	R<sub>423</sub>+R<sub>424</sub>＝200KΩR<sub>422</sub>＝21KΩR<sub>421</sub>＝29.8KΩR<sub>415</sub>＝8KΩ	2个	电流加总

 

图5

R<sub>511</sub>+R<sub>512</sub>＝200KΩR<sub>513</sub>+R<sub>514</sub>＝200KΩR<sub>522</sub>＝20KΩR<sub>521</sub>＝35.5KΩR<sub>515</sub>＝8KΩ

2个

电流加总

综上所述，本发明因采用电流模式的合成技术，因此可以产生稳定的低能隙电压，并减少运算放大器的数量，进而降低因偏移电压而影响能隙电压的精确性。再者，因为减少运算放大器与高阻值电阻的数量，因此节省电路面积并降低晶片成本。因此，本实施例的能隙参考电路可以操作于供应电压小于1.0V的环境中。所以，本发明可轻易地实作于任何低压CMOS工艺(例如0.25um、0.18um、0.13um等)。

虽然本发明已以较佳实施例揭露披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与改进，因此本发明之保护范围当视后附权利要求所界定者为准。

Claims (7)

1.一种低供应电压的能隙参考电路，其特征是包括：

正温度系数电流产生单元，用以依据其内部的第一内部电压与第二内部电压而产生正系数电流；以及

负温度系数电流产生单元，包括：

电压电流转换器，用以依据该正温度系数电流产生单元的该第一内部电压，而产生对应的第一电流；以及

电流镜，其主电流端连接至该电压电流转换器以接收该第一电流，并依预定比例复制该第一电流而于该电流镜的从电流端提供负系数电流；

其中该正系数电流与该负系数电流的加总即为该能隙参考电路的输出；

其中该正温度系数电流产生单元包括：

第一运算放大器，其第一输入端与第二输入端分别接收该第一内部电压与该第二内部电压，并输出一偏压电压；

第一晶体管，其栅极连接至该第一运算放大器的输出端以接收该偏压电压，其第一源/漏极连接至第二定电压，其第二源/漏极输出该正系数电流；

第四晶体管，其基极与第一射/集极均连接至第一定电压，而其第二射/集极提供该第一内部电压；

第五晶体管，其第一源/漏极连接至该第四晶体管的第二射/集极，该第五晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第五晶体管的栅极接收该偏压电压；

第六晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压；

第二电阻，其第一端连接至该第六晶体管的第二射/集极，该第二电阻的第二端提供该第二内部电压；以及

第七晶体管，其第一源/漏极连接至该第二电阻的第二端，该第七晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第七晶体管的栅极接收该偏压电压；

其中该电压电流转换器包括：

第四电阻，其第一端连接至该第一定电压；

第五电阻，其第一端连接至该第一定电压；

第六电阻，其第一端连接至该第五电阻的第二端；

第九晶体管，其第一源/漏极连接至该第四电阻的第二端，该第九晶体管的第二源/漏极连接至该电流镜的主电流端；

第十晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压，而其第二射/集极连接至该第六电阻的第二端；

第十一晶体管，其第一源/漏极连接至该第十晶体管的第二射/集极，该第十一晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第十一晶体管的栅极接收该偏压电压；以及

第三运算放大器，其第一输入端连接至该第五电阻的第二端，该第三运算放大器的第二输入端连接至该第九晶体管的第一源/漏极，而该第三运算放大器的输出端连接至该第九晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的低供应电压的能隙参考电路，其特征是还包括：

第一电阻，其第一端连接至该电流镜与该正温度系数电流产生单元而接收该正系数电流与该负系数电流，该第一电阻的第二端接地。

3.根据权利要求1所述的低供应电压的能隙参考电路，其特征是该电流镜包括：

第二晶体管，其第一源/漏极为该电流镜的主电流端，该第二晶体管的第二源/漏极连接至第二定电压，该第二晶体管的栅极连接至该第二晶体管的第一源/漏极；以及

第三晶体管，其第一源/漏极为该电流镜的从电流端，该第三晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第三晶体管的栅极连接至该第二晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的低供应电压的能隙参考电路，其特征是该第一定电压为接地电压，而该第二定电压为系统电压。

5.一种低供应电压的能隙参考电路，其特征是包括：

正温度系数电流产生单元，用以依据其内部的第一内部电压与第二内部电压而产生正系数电流；以及

负温度系数电流产生单元，包括：

电压电流转换器，用以依据该正温度系数电流产生单元的该第一内部电压，而产生对应的第一电流；以及

电流镜，其主电流端连接至该电压电流转换器以接收该第一电流，并依预定比例复制该第一电流而于该电流镜的从电流端提供负系数电流；

其中该正系数电流与该负系数电流的加总即为该能隙参考电路的输出；

其中该正温度系数电流产生单元包括：

第一运算放大器，其第一输入端与第二输入端分别接收该第一内部电压与该第二内部电压，并输出一偏压电压；

第一晶体管，其栅极连接至该第一运算放大器的输出端以接收该偏压电压，其第一源/漏极连接至第二定电压，其第二源/漏极输出该正系数电流；

第四晶体管，其基极与第一射/集极均连接至第一定电压，而其第二射/集极提供该第一内部电压；

第五晶体管，其第一源/漏极连接至该第四晶体管的第二射/集极，该第五晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第五晶体管的栅极接收该偏压电压；

第六晶体管，其基极与第一射/集极均连接至该第一定电压；

第二电阻，其第一端连接至该第六晶体管的第二射/集极，该第二电阻的第二端提供该第二内部电压；

第七晶体管，其第一源/漏极连接至该第二电阻的第二端，该第七晶体管的第二源/漏极连接至该第二定电压，而该第七晶体管的栅极接收该偏压电压；

第七电阻，其第一端连接至该第四晶体管的第二射/集极；

第八电阻，其第一端连接至该第七电阻的第二端，而该第八电阻的第二端连接至该第六晶体管的第二射/集极；

第九电阻，其第一端连接至该第一定电压；以及第十电阻，其第一端连接至该第九电阻的第二端，而该第十电阻的第二端连接至该第七电阻的第二端。

6.根据权利要求5所述的低供应电压的能隙参考电路，其特征是该电压电流转换器包括：

第十一电阻，其第一端连接至该第一定电压；

第十二晶体管，其第一源/漏极连接至该第十一电阻的第二端，该第十二晶体管的第二源/漏极连接至该电流镜的主电流端；以及

第四运算放大器，其第一输入端连接至该第九电阻的第二端，该第四运算放大器的第二输入端连接至该第十二晶体管的第一源/漏极，而该第四运算放大器的输出端连接至该第十二晶体管的栅极。

7.一种供应能隙参考电流的方法，其特征是包括：

形成具有正温度系数的正系数电流，其中形成该正系数电流的步骤包括：

形成具有负温度系数的第一内部电压；

形成具有负温度系数的第二内部电压；以及

依据该第一内部电压与该第二内部电压而形成该正系数电流；

形成具有负温度系数的负系数电流，其中形成该负系数电流的步骤包括：

将该第一内部电压转换为具有负温度系数的第一电流；以及

依预定比例复制该第一电流，而形成该负系数电流；以及

加总该正系数电流与该负系数电流；

其中该第一内部电压转换为具有负温度系数的第一电流的步骤包括：

将该第一内部电压分压；以及

将被分压的第一内部电压转换为该第一电流。

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