CN100479323C - 振荡器、通信装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的振荡器包括：将交叉连接的第一晶体管及第二晶体管连接到谐振电路的第一振荡电路；以及将交叉连接的第三晶体管及第四晶体管连接到谐振电路的第二振荡电路，在上述第一晶体管的集电极端子和第四晶体管的基极端子之间连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第二晶体管的集电极端子和第三晶体管的基极端子之间连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第三晶体管的集电极端子和第一晶体管的基极端子之间连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第四晶体管的集电极端子和第二晶体管的基极端子之间连接用电容器及连接用电阻被串联连接。由此，可以抑制噪声及低消耗功率。

Description

振荡器、通信装置
技术领域
本发明涉及振荡器，特别涉及生成四相信号的电压控制振荡器(VoltageControlled oscillator)。
背景技术
携带电话等通信装置中，作为本机振荡器而设有电压控制振荡器。就这种电压控制振荡器而言，在要求信号(例如，相位偏移90°的四相信号)的生成精度的同时，伴随系统的移动，也要求电路的简化和省电。
图9～图15表示生成直角相位信号的振荡器的现有的结构。
图9(a)、图9(b)所示的振荡器(以下为第一现有技术)使用以要求的90°相位差信号的两倍的频率产生振荡的电压控制振荡器(VCO)和如图9(a)所示的二分割的分频电路。就该分频电路来说，一般使用数字主从触发器(digital master-slave flip-flop)电路。在这种数字主从触发器电路，主触发器的输出Q以及QB被分别作为从触发器电路的输入D以及DB，从触发器的输出Q以及QB被分别反馈到主触发器的输入DB以及D。另外，CLK信号使用来自上述VCO的振荡信号(具有要求信号的两倍频率的信号，参照图9(b))。由此，各触发器的输出(Q以及QB)相位相差180°，主触发器的输出Q(QB)和从触发器的输出Q(QB)相位相差90°(参照图9(b))。即，可以将主触发器的输出Q(QB)用作I信号，将从触发器的输出Q(QB)用作Q信号。
此外，专利文献1(美国专利第6、404、293B1)或非专利文献1(A.Rofougaran et al.“A 900MHz CMOS LC oscillator with quadrature outputs，”Int.Solid-State Circuits Conference，San Francisco，CA，1996，pp.316-317.)中公开的振荡器(以下为第二现有技术)为以下的结构。
如图10所示，成对的振荡电路A及B分别包括两个线圈(coil)、两个电容器、交叉连接的两个N沟道MOS晶体管、恒流源。
例如，在振荡电路A，在高电位侧电源和N沟道MOS晶体管818的漏极端子之间，并联连接线圈826及电容器827。此外，在高电位侧电源和N沟道MOS晶体管820的漏极端子之间，并联连接线圈828以及电容器829。此外，MOS晶体管818的栅极端子和MOS晶体管820的漏极端子被连接，MOS晶体管820的栅极端子和MOS晶体管818的漏极端子被连接。此外，MOS晶体管818的源极端子以及MOS晶体管820的源极端子被连接到恒流源810。
这里，两个振荡电路A及B用四个MOS晶体管(834、836、838、840)来连接。例如，N沟道MOS晶体管834中，其漏极端子连接到振荡电路A的MOS晶体管818的漏极端子，其栅极端子连接到振荡电路B的MOS晶体管824的漏极端子，其源极端子连接到恒流源。此外，N沟道MOS晶体管838中，其漏极端子连接到振荡电路B的MOS晶体管822的漏极端子，其栅极端子连接到振荡电路A的MOS晶体管818的漏极端子，其源极端子连接到恒流源。
此外，专利文献2(美国专利第5912596)中公开的振荡器(以下为第三现有技术)为以下的结构。
如图11所示，成对的振荡电路A以及B分别包括一个P沟道MOS晶体管、两个线圈、一个可变电容器、四个N沟道MOS晶体管、恒流源。
例如，在振荡电路A，在P沟道MOS晶体管82的漏极端子和N沟道MOS晶体管76之间连接线圈52，在MOS晶体管82的漏极和N沟道MOS晶体管74之间连接线圈50。该MOS晶体管82的源极端子连接到Vdd，其栅极端子连接到偏压(bias)。此外，在MOS晶体管74的漏极端子和MOS晶体管76的漏极端子之间设置可变电容器56。此外，MOS晶体管74的源极端子、MOS晶体管76的源极端子、N沟道MOS晶体管72的源极端子、N沟道MOS晶体管78的源极端子被连接，并连接到电流源。此外，MOS晶体管72的漏极端子连接到MOS晶体管76的栅极端子，MOS晶体管78的漏极端子连接到MOS晶体管74的栅极端子。
这里，两个振荡电路A以及B经由8个MOS晶体管(60、64、66、72、74、76、78)的电极以及两个可变电容器46、48连接。例如，振荡电路A的MOS晶体管78的栅极端子连接到振荡电路B的MOS晶体管62的漏极端子。振荡电路A的MOS晶体管72的栅极端子连接到振荡电路B的MOS晶体管64的漏极端子。此外，在MOS晶体管74的漏极端子和MOS晶体管64的漏极端子之间并列设置两个可变电容器46、48。
此外，专利文献3(美国专利第6639481 B1)中公开的振荡器(以下为第四现有技术)为以下的结构。
如图12所示，成对的振荡电路A及B分别包括交叉连接的两个P沟道MOS晶体管、6个可变电容器、交叉连接的两个N沟道MOS晶体管、可变恒流源。
例如，在振荡电路A，P沟道MOS晶体管54的源极端子和P沟道MOS晶体管56的源极端子被连接，该MOS晶体管54的栅极端子和MOS晶体管56的漏极端子被连接，MOS晶体管56的栅极端子和MOS晶体管54的漏极端子被连接。此外，N沟道MOS晶体管58的源极端子和N沟道MOS晶体管60的源极端子被连接，并与恒流源62连接，该MOS晶体管58的栅极端子和MOS晶体管60的漏极端子被连接，MOS晶体管60的栅极端子和MOS晶体管58的漏极端子被连接。此外，MOS晶体管56的漏极端子和MOS晶体管60的漏极端子被连接，MOS晶体管54的漏极端子和MOS晶体管58的漏极端子被连接。此外，在MOS晶体管54的漏极端子和MOS晶体管56的漏极端子之间串联连接两个可变电容器64、66。此外，在MOS晶体管54的漏极端子和MOS晶体管56的漏极端子之间串联连接4个可变电容器68、70、72、74。
这里，两个振荡电路A以及B由两个变压器25、27连接。例如，变压器25的两个绕组内，一个绕组的两端连接到振荡电路A中的可变电容器68和70之间、以及可变电容器72及74之间，另一个绕组的两端连接到振荡电路B中的N沟道MOS晶体管18的漏极端子及N沟道MOS晶体管20的漏极端子。
另外，图13、图14(a)～图14(d)、图15所示的专利文献4(美国专利第6、456、167 B1)以及非专利文献2(J.van der Tang，et al.，“Analysis anddesign of an optimally coupled 5-GHz quadrature LC oscillator，”IEEE Journal ofSolid-State Circuits，vol.37，No.5，May 2002，pp.657-661.)以及非专利文献3(P.Andreani et al.，“Analysis and design of a 1.8-GHz CMOS LC quadratureVCO，”IEEE Journal of Solid-State Circuits，vol.37，No.12，Dec.2002，pp.1737-1747.)中也公开了将成对的两个振荡电路由MOS晶体管连接的结构。
但是，第一现有技术需要以两倍的要求的频率进行动作的VCO。因此，振荡器中的消耗功率增加，而且电路(触发电路)设计也复杂化。
此外，第二以及第三现有技术、以及专利文献5～7中公开了的现有技术中，成对的两个振荡电路的连接使用作为有源元件的多个MOS晶体管。因此，容易发生噪声(相位噪声等)，此外，消耗功率也增大。此外，电路面积也增大。
此外，在第四现有技术中，两个振荡电路的连接使用可变电容器(变容二极管(varactor))以及变压器。因此，电路面积增大，此外消耗功率也增大。
发明内容
本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种噪声的发生少且低消耗功率的振荡器。
本发明的振荡器为了解决上述课题，包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一振荡电路及第二振荡电路，在上述第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子被连接到上述谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端的第一晶体管及第二晶体管，上述第一晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子直接或者经由电容器连接，同时第一晶体管的控制端子和第二晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，在上述第二谐振电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子连接到上述谐振电路的第三晶体管及第四晶体管，上述第三晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子直接或经由电容器连接，同时第三晶体管的控制端子和第四晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，在上述第一晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第三晶体管的第二导通端子和第一晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，在上述第四晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子之间，将连接用电容器及连接用电阻串联连接，各晶体管的所述控制端子控制各晶体管的所述第一及第二导通端子之间的导通电阻。
在上述结构中，谐振电路产生频率为谐振频率的交流信号。
此外，第一以及第二晶体管，第一导通端子(发射极端子和源极端子)之间被连接，同时第一晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子直接或经由电容器连接，并且第一晶体管的控制端子和第二晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接。这样交叉连接的第一以及第二晶体管构成负阻抗电路。而且，该负阻抗电路经由第一以及第二晶体管的各第二导通端子连接到谐振电路(属于第一谐振电路的谐振电路)。例如，在第一以及第二晶体管的各第二导通端子之间连接谐振电路。由此，谐振电路中的损失(寄生电阻等引起的损失)由负阻抗电路补偿，谐振电路引起的振荡继续。其结果，从第一振荡电路输出交流信号。
对于第二振荡电路也是同样。即，交叉连接的第三以及第四晶体管构成负阻抗电路。而且，该负阻抗电路经由第三以及第四晶体管的各第二导通端子连接到谐振电路(属于第二谐振电路的谐振电路)。例如，在第三以及第四晶体管的各第二导通端子之间连接谐振电路。由此，谐振电路中的损失(寄生电阻等引起的损失)由负阻抗电路补偿，谐振电路引起的振荡继续。其结果，从第二振荡电路输出交流信号。
而且，第一振荡电路的各晶体管和属于第二振荡电路的各晶体管通过由电阻以及电容构成的RC连接而被连接，因此，将来自第二振荡电路的信号的相位与来自第一振荡电路的信号的相位相比较，可以偏移90°。其结果，从第一以及第二振荡电路输出相位互相偏移90°的交流信号。
这里，如上所述，在本发明，属于第一振荡电路的各晶体管和属于第二振荡电路的各晶体管的连接使用直接连接的连接用电阻以及连接用电容器(电容)。从而，与该连接使用晶体管或变压器等的现有的结构相比较，可以抑制噪声的发生。此外，晶体管的数目少即可，因此也可以实现省电和电路面积的缩小。
另外，上述连接用电阻也可以是如寄生电阻这样的值极小的电阻。在该情况下，各振荡电路间的连接接近电容性的连接。
此外，为了解决上述课题，本发明的振荡器包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一振荡电路及第二振荡电路，在第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第一MOS晶体管及第二MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，上述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的各第二导通端子被连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子被连接，同时第二晶体管的控制端子和第三晶体管的第二导通端子被连接，在第二振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第五MOS晶体管及第六MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第七MOS晶体管及第八MOS晶体管，上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的各第二导通端子被连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第六晶体管的第二导通端子和第七晶体管的控制端子被连接，同时第六晶体管的控制端子和第七晶体管的第二导通端子被连接，在上述第五MOS晶体管及第六MOS晶体管的第二导通端子和第一MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，在上述第七MOS晶体管及第八MOS晶体管的第二导通端子和第四MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，在上述第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的第二导通端子和第五MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，在上述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管的第二导通端子和第八MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接。
上述各导通端子对应于MOS晶体管的源极端子或者漏极端子，控制端子对应于栅极端子。
根据上述结构，在属于第一振荡电路的各晶体管和属于第二振荡电路的各晶体管的连接上使用直接连接的电阻以及电容。因此，与该连接使用晶体管或变压器的现有的结构相比较，可以抑制噪声的发生。此外，晶体管的数目少即可，因此也可以实现省电和电路面积的缩小。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的振荡器的结构的电路图。
图2是表示本发明的另一实施方式的振荡器的结构的电路图。
图3是表示本发明的另一实施方式的振荡器的结构的电路图。
图4是表示使用本振荡器的通信装置的一般结构的电路图。
图5是表示使用本振荡器的通信装置(直接变频(direct conversion)方式)的结构的电路图。
图6是表示使用本振荡器的通信装置(双重变频(dual conversion)方式)的结构的电路图。
图7(a)、图7(b)是表示本振荡器振荡的四相信号的曲线图。
图8是表示本振荡器的振荡频率以及信号振幅的连接电阻依赖性的曲线图。
图9(a)、图9(b)是表示现有的振荡器的结构的说明图。
图10是表示现有的振荡器的结构的电路图。
图11是表示现有的振荡器的结构的电路图。
图12是表示现有的振荡器的结构的电路图。
图13是表示现有的振荡器的结构的电路图。
图14(a)～图14(d)是表示现有的振荡器的结构的电路图。
图15是表示现有的振荡器的结构的电路图。
具体实施方式
基于图1～图8说明本发明的一实施方式时如下所述。
首先，说明使用本发明的振荡器的数据传输系统(通信装置)。如图4所示，在携带电话等数据传输系统的RF发送接收部(无线频率信号发送接收部)中，使用时钟合成器(振荡器或混频器等)，用于将由天线接收的无线频率信号下变频为更低频率的信号(基带信号或中频信号)，或者将从基带处理器输出的信号上变频为从天线发送的无线频率信号。
在图5所示的直接变频方式的情况下，在RF发送部，首先来自天线的无线频率信号被发送到带通滤波器(BPF)，其高低频带分量被除去。通过了带通滤波器的信号被发送到低噪声放大器(LNA)，通过低NF(噪声指数)被放大。通过低噪声放大器的信号被分波为两个。被分波的一个信号与由连接到PLL电路的VCO(电压控制振荡器)22生成的基准相位的信号通过混频器21a混合，并被下变频(down conversion)为低频率的I信号。此外，被分波的另一个信号和与VCO22生成的上述基准相位偏移90°的信号由混频器21b混合，并被下变频为低频率的Q信号。被下变频的这些I信号以及Q信号被发送到用于除去不需要的分量的低通滤波器。此外，在RF发送部中，从低通滤波器(LPF)发送的I信号和VCO22生成的基准相位的信号通过混频器31a混合并被上变频(up conversion)，同时从低通滤波器(LPF)发送的Q信号和与VCO22生成的基准相位偏移90°的信号通过混频器31a混合并被上变频。来自混频器31a的I信号以及来自混频器31b的Q信号重合而作为RF(无线频率)信号。该RF信号由放大电路(PA)放大之后通过BPF而从天线被发送。
在图6所示的双重变频(double conversion)方式的情况下，在RF发送部，来自天线的无线频率信号由低噪声放大器(LNA)低NF放大之后，与来自VCO的信号(1.5GHz)混合，并被下变频为中频信号。进而，该中频信号被分波，一个信号和分频后的基准相位的信号(1.5/2GHz)通过混频器被混合，并被下变频为低频率的I信号。此外，另一个信号和与被分频的基准相位偏移90°的信号(1.5/2GHz)通过混频器被混合，并被下变频为低频率的Q信号。另外，被下变频为低频率的这些I信号以及Q信号分别被发送到信道选择滤波器。
此外，在RF发送部，从基带处理器传送的I信号和分频后的基准相位的信号(1.5/2GHz)通过混频器被混合，并被上变频为中频信号，同时从基带处理器发送的Q信号和与分频后的基准相位偏移90°的信号(1.5/2GHz)通过混频器被混合，并被上变频为中频信号。这些IQ信号(中频信号)被重叠之后与来自VCO的信号(1.5GHz)混合，并被上变频为RF(无线频率)信号。该RF(无线频率)信号由放大电路(PA)放大之后被发送到天线。
这样，在通信装置中，利用相位互相偏移90°的直角相位信号，并设置有生成它的振荡器(VCO、电压控制振荡器)。
[实施方式1]
图1是表示本实施方式的振荡器的结构的电路图。如该图所示，本实施方式的振荡器10(四相电压控制振荡器)包括成对的振荡电路A(第一振荡电路)以及B(第二振荡电路)，和四个RC连接网络562～565，由P1～P4生成相位互相偏移90°的四个信号(四相信号)。
振荡电路A包括LC谐振电路570和负阻抗电路571。LC谐振电路570包括线圈503(503a、503b)和变容二极管504(504a、504b)。负阻抗电路571包括：两个NPN晶体管501、502、四个电容器505(反馈用电容器)、506(反馈用电容器)、507、508、两个电阻Rb、恒流源Io。
线圈503a以及503b串联连接，它们的中点连接到Vcc。此外，变容二极管504a以及504b也串联连接，其中点被连接到Vo。而且，线圈503和变容二极管504并联连接。即，线圈503a的一个端部(连接到Vcc的端部的相反侧的端部)和变容二极管504a的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)被连接，线圈504b的一个端部(连接到Vcc的端部的相反侧的端部)和变容二极管504b的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)被连接。
而且，该变容二极管504a的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)连接到晶体管501的集电极端子，变容二极管504b的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)连接到晶体管502的集电极端子。
此外，晶体管501的基极端子经由电容器506与晶体管502的集电极端子连接，晶体管502的基极端子经由电容器505与晶体管501的集电极端子连接。即，电容器505的一个电极连接到晶体管501的集电极端子，另一个电极连接到晶体管502的基极端子。电容器506的一个电极连接到晶体管502的集电极端子，另一个电极连接到晶体管501的基极端子。
此外，晶体管501的基极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vb，晶体管502的基极端子也经由电阻Rb而连接到恒定电位源Vb。此外，晶体管501的基极端子经由电容器507接地，晶体管502的基极端子经由电容器508接地。即，电容器507的一个电极连接到晶体管501的基极端子，另一个电极接地。
而且，晶体管501的发射极端子和晶体管502的发射极端子连接，同时这些晶体管501、502的发射极端子连接到恒流源Io(上游端)。另外，该恒流源Io的下游端接地。
振荡电路B包括LC谐振电路560和负阻抗电路561。LC谐振电路560包括线圈513(513a、513b)和变容二极管514(514a、514b)。负阻抗电路561包括：两个NPN晶体管511、512、四个电容器515(反馈用电容器)、516(反馈用电容器)、517、518、两个电阻Rb、恒流源Io。
线圈513a及513b串联连接，其中点连接到Vcc。此外，变容二极管514a以及514b也串联连接，其中点连接到Vo。而且，线圈513和变容二极管514被并联连接。即，线圈513a的一个端部(连接到Vcc的端部的相反侧的端部)和变容二极管514a的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)被连接，线圈513b的一个端部(连接到Vcc的端部的相反侧的端部)和变容二极管514b的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)被连接。
而且，该变容二极管514a的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)连接到晶体管511的集电极端子，变容二极管514b的一个电极(连接到Vo的电极的相反侧的电极)连接到晶体管512的集电极端子。
此外，晶体管501的基极端子经由电容器516连接到晶体管512的集电极端子，晶体管512的基极端子经由电容器515连接到晶体管511的集电极端子。即，电容器515的一个电极连接到晶体管511的集电极端子，另一个电极连接到晶体管512的基极端子。电容器516的一个电极连接到晶体管512的集电极端子，另一个电极连接到晶体管511的基极端子。
此外，晶体管511的基极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vb，晶体管512的基极端子也经由电阻Rb连接到恒定电位源Vb。此外，晶体管511的基极端子经由电容器517接地，晶体管512的基极端子经由电容器518接地。即，电容器517的一个电极连接到晶体管511的基极端子，另一个电极接地。
而且，晶体管511的发射极端子和晶体管512的发射极端子连接，同时这些晶体管511、512的共用发射极端子连接到恒流源Io(上游端)。另外，该恒流源Io的下游端接地。
这里，在本振荡器10中，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络562～565接地。
在RC连接网络562中，在晶体管501的基极端子和晶体管511的集电极端子之间连接用电容器Cc520和连接用电阻Rc541串联连接。即，连接用电容器Cc520的一个电极连接到晶体管501的基极端子，连接用电阻Rc541连接在连接用电容器Cc520的另一个电极和晶体管511的集电极端子之间。在RC连接网络563中，在晶体管502的基极端子和晶体管512的集电极端子之间连接用电容器Cc521和连接用电阻Rc542串联连接。即，连接用电容器Cc521的一个电极连接到晶体管502的基极端子，连接用电阻Rc542连接在连接用电容器Cc521的另一个电极和晶体管512的集电极端子之间。在RC连接网络564中，在晶体管511的基极端子和晶体管502的集电极端子之间连接用电容器Cc522和连接用电阻Rc543串联连接。即，连接用电容器Cc522的一个电极连接到晶体管511的基极端子，连接用电阻Rc543连接在连接用电容器Cc522的另一个电极和晶体管502的集电极端子之间。在RC连接网络565中，在晶体管512的基极端子和晶体管501的集电极端子之间连接用电容器Cc523和连接用电阻Rc544串联连接。即，连接用电容器Cc523的一个电极连接到晶体管512的基极端子，连接用电阻Rc544连接在连接用电容器Cc523的另一个电极和晶体管501的集电极端子之间。
在振荡电路A，对LC谐振电路570施加任何电激励时，交流信号由于LC谐振电路570的谐振现象而振荡，并从输出端P1(晶体管501的集电极端子)以及P2(晶体管502的集电极端子)输出。此时，从输出端P1以及P2输出的信号是反相(互补)信号。交流信号的频率是LC谐振电路570的谐振频率，可通过电压控制的变容二极管504a、504b调节。
振荡电路B中也是同样，对LC谐振电路560施加任何电激励时，由于LC谐振电路560的谐振现象，在输出端P3(晶体管511的集电极端子)以及P4(晶体管512的集电极端子)产生(振荡)交流信号。输出端P3以及P4的交流信号互相反相，其频率是LC谐振电路560的谐振频率。另外，该谐振频率可通过电压控制的变容二极管514a、514b调节。
但是，在谐振电路A中，仅在LC谐振电路570产生寄生电阻等引起的能量损失，各电路中的振荡都停止。因此，对电源电位布线Vcc施加正的电源电位，同时将包含交叉连接晶体管501、502以及反馈用的电容器505、506的负阻抗电路571连接到LC谐振电路570，从而可以补偿LC谐振电路570的损失，并使该LC谐振电路570的振荡继续。其结果，可以从输出端P1/P2连续取出交流信号。
在振荡电路B中也是同样，通过设置对电源电位布线Vcc施加正的电源电位，同时将包含交叉连接晶体管511、512以及反馈用的电容器515、516的负阻抗电路561，从而可以补偿LC谐振电路560的损失，并使该LC谐振电路560的振荡继续。其结果，可以从输出端P3/P4连续取出交流信号。
在振荡电路A的负阻抗电路571，交叉连接晶体管501、502的发射极端子通过恒流源Io被偏置。可以通过该恒流源Io任意地设定负阻抗电路571的跨导。此外，交叉连接晶体管501、502的基极端子经由电阻器Rb从恒定电位源Vb接受偏置供给，并仅提高巩固规定的直流电压部分。由此，可以将晶体管501、502的偏置点维持在正常的状态。
在振荡电路B中也是同样，在该负阻抗电路561，交叉连接晶体管511、512的发射极端子通过恒流源Io被偏置。可以通过该恒流源Io任意地设定负阻抗电路561的跨导。此外，交叉连接晶体管511、512的基极端子经由电阻器Rb从恒定电位源Vb接受偏置供给，并仅提高巩固规定的直流电压部分。由此，可以将晶体管511、512的偏置点维持在正常的状态。
振荡电路A、B被设计为以相同的条件以及相同的振荡频率动作。例如，振荡电路A不互相作用而动作时的自由动作频率f0如下。
f O = 1 2 π × L × C eff C eff = C + C 1 × C 2 C 1 + C 2
其中，C是变容二极管504的电容，C1是电容器505或者506的电容，C2是电容器507或者508的电容。对于振荡电路B也同样。
各振荡电路的输出如上所述，相位偏移180度，例如，将P1(晶体管501的集电极端子)的输出设为X，则P2(晶体管502的集电极端子)的输出成为-X。同样，将P3(晶体管511的集电极端子)的输出设为Y，则P4(晶体管512的集电极端子)的输出成为-Y。另外，P1～P3中的各振荡电路的输出电压分别为与规定电压的差分电压信号。
这里，在本振荡器10中，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络562～565连接。这样，通过由四个RC连接网络(Rc541、Cc520、Rc542、Cc521、Rc543、Cc522以及Rc544、Cc523)连接振荡电路A、B，可以将各振荡电路的输出信号X以及Y的相位互相偏移±90°(设为X＝±jY的关系)(参照图7(a)、图7(b))。由此，从P1～P4输出相位互相偏移90°的四相信号。图7(a)表示振荡电路A的P1中的输出信号波形(Vx+)以及P2中的输出信号波形(Vx-)，图7(b)表示振荡电路B的P3中的输出信号波形(Vy+)以及P4中的输出信号波形(Vy-)，可知Vx以及Vy仅相位移动±90°。另外，该输出信号的频率(振荡器10的振荡频率)约为3.5GHz。
此时，例如，将比例常数设为α，晶体管501的基极端子的电压V1可以表示为V1＝α×X+k×Ye-jφ，将负阻抗电路571中的跨导设为gm，该集电极电流I1(流过P1的电流)可以表示为I1＝gm×V1。同样，将比例常数设为α，晶体管511的基极端子的电压V2可以表示为V2＝α×Y-k×Xe-jφ，将负阻抗电路561的跨导设为gm，该集电极电流I2(流过P3的电流)可以表示为I2＝gm ×V2。另外，比例常数α由RC连接网络中的Rc和/或Cc的设定条件决定。
此外，振荡器10的振荡频率fosc可以如下表示。
f OSC = f a × [ 1 + ( g m k 4 π f a C eq ) 2 ± ( g m k 4 π f a C eq ) ]
其中，fa(各振荡电路中的负载时的自由动作频率)以及k可以如下表示。
f a = 1 2 π × L × C eq
C eq = C + C c × ( C 1 + C 2 ) + C 1 × ( C c + C 2 ) C t
Ct＝C1+C2+Cc， k = C c C t
在振荡器10的设计时，可以将上述各方程式作为指针来使用。
各连接电阻器Rc(541、542、543、544)对信号X、Y的相位以及其振幅进行控制。从而，连接电阻Rc优选为可变电压控制电阻，以便可以调整信号X、Y的相位。这里，RC变得非常大时，双方的振荡电路接近于独立的状态。反之，Rc接近0时(例如，Rc为仅寄生电阻这样的情况)，各振荡电路的RC连接网络大致为电容性的连接。
图8表示连接电阻Rc对振荡器10的振动振幅Vopp以及振荡器10的振荡频率f的影响。根据该图，优选将连接电阻Rc的有效范围设为到振幅-连接电阻值的曲线图成为最小的值(大约300Ω)为止(0＜Rc＜300[Ω])。
如上所述，根据本实施方式，在属于振荡器A的各晶体管和属于振荡器B的各晶体管的连接上使用串联连接的电阻以及电容。从而，与该连接使用晶体管或变压器等的现有的结构相比较，可以抑制相位噪声等噪声的产生。此外，晶体管的数目少即可，也可以实现省电以及电路面积的缩小。
此外，通过对任意的连接用电阻Rc使用可变电阻，可以调整连接用电阻的电阻值，并控制各输出信号的相位。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
此外，通过对任意的连接用电容器Cc使用可变电容器(变容二极管)，可以调整连接用电容器的电容值，并控制各输出信号的相位。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
此外，通过调整LC谐振电路560、570的可变电容器(变容二极管)的电容，可以改变LC谐振电路560、570的谐振频率，并可以容易地设定输出的交流信号的频率。
此外，在交叉连接的晶体管501、502以及晶体管511、512的各晶体管对中，发射极端子连接到恒流源Io。从而，通过调整该恒流源Io的电流值，可以容易地设定各晶体管对构成的负阻抗电路561、571的跨导的值。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
另外，在本振荡器10，使用双极晶体管构成各振荡电路，但不限定于此。例如，也可以使用MOS晶体管、GaAs基极异质结双极晶体管(HBT)、或者GaAs基极的场效应晶体管(FET)来构成。
上述连接用电阻Rc(541～544)也可以是如寄生电阻那样的值极小的电阻。在该情况下，各振荡电路间的连接接近电容性的连接。此外，也可以用可变电阻构成任意的连接用电阻Rc，此外也可以用可变电容电容器构成任意的连接用电容器Cc(520～523)。
[实施方式2]
图2表示使用MOS晶体管的本振荡器的结构。
如该图所示，本实施方式的振荡器100包括：成对的振荡电路A(第一振荡电路)、振荡电路B(第二振荡电路)、四个RC连接网络162～165，由P1～P4生成相位互相偏移90°的四个信号(四相信号)。
振荡电路A包括LC谐振电路160和负阻抗电路161。LC谐振电路160包括线圈103a、103b和变容二极管104a、104b。负阻抗电路161包括：交叉连接用的两个N沟道MOS晶体管101、102、四个电容器105、106、107、108(反馈用电容器)、两个电阻Rb、N沟道MOS晶体管180。
线圈103a以及103b串联连接，其中点连接到Vcc。变容二极管104a以及104b反向对置地串联连接，阳极端子之间被连接，同时它们连接到Vcontrol(以下为Vco)。进而，线圈103a、103b和变容二极管104a、104b并联连接。
而且，该变容二极管104a的阴极连接到晶体管101的漏极端子，变容二极管104b的阴极连接到晶体管102的漏极端子。由此，在晶体管101的漏极端子以及晶体管102的漏极端子之间连接LC谐振电路160。
此外，晶体管101的栅极端子经由电容器106连接到晶体管102的漏极端子，晶体管102的栅极端子经由电容器105连接到晶体管101的漏极端子。
此外，晶体管101的栅极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vbias1(以下为Vb1)，晶体管102的栅极端子也经由电阻Rb连接到Vb1。此外，晶体管101的栅极端子经由电容器107接地，晶体管102的栅极端子经由电容器108接地。
进而，晶体管101的源极端子和晶体管102的源极端子被连接，同时这些晶体管101、102的源极端子连接到晶体管180的源极端子。另外，该晶体管180的漏极端子接地，栅极端子连接到恒定电位源Vbias2(以下为Vb2)。
振荡电路B包括LC谐振电路170和负阻抗电路171。LC谐振电路170包括线圈113a、113b和变容二极管114a、114b。负阻抗电路171包括：交叉连接用的两个N沟道MOS晶体管122、112、四个电容器115、116、117、118(反馈用电容器)、两个电阻Rb、N沟道MOS晶体管181。
线圈113a以及113b串联连接，其中点连接到Vcc。变容二极管114a以及114b反向串联连接，阳极端子之间被连接，同时它们连接到Vcontrol(以下为Vco)。进而，线圈113a、113b和变容二极管114a、114b连接。
而且，该变容二极管114a的阴极连接到晶体管122的漏极端子，变容二极管114b的阴极连接到晶体管112的漏极端子。由此，在晶体管122的漏极端子以及晶体管112的漏极端子之间连接LC谐振电路170。
此外，晶体管122的栅极端子经由电容器116连接到晶体管112的漏极端子，晶体管112的栅极端子经由电容器115连接到晶体管122的漏极端子。
此外，晶体管122的栅极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vbias1(以下为Vb1)，晶体管112的栅极端子也经由电阻Rb连接到Vb1。此外，晶体管122的栅极端子经由电容器117接地，晶体管112的栅极端子经由电容器118接地。
进而，晶体管122的源极端子和晶体管112的源极端子被连接，同时这些晶体管122、112的源极端子连接到晶体管181的源极端子。另外，该晶体管181的漏极端子接地，栅极端子连接到恒定电位源Vbias2(以下为Vb2)。
这里，在本振荡器100中，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络162～165接地。
在RC连接网络162中，在晶体管101的栅极端子和晶体管112的漏极端子之间连接用电容器Cc120和连接用电阻Rc141串联连接。即，连接用电容器Cc120的一个电极连接到晶体管101的栅极端子，连接用电阻Rc141连接在连接用电容器Cc120的另一个电极和晶体管112的漏极端子之间。
在RC连接网络163中，在晶体管102的栅极端子和晶体管122的漏极端子之间连接用电容器Cc121和连接用电阻Rc142串联连接。即，连接用电容器Cc121的一个电极连接到晶体管102的栅极端子，连接用电阻Rc142连接在连接用电容器Cc121的另一个电极和晶体管122的漏极端子之间。
在RC连接网络164中，在晶体管122的栅极端子和晶体管101的漏极端子之间连接用电容器Cc122和连接用电阻Rc143串联连接。即，连接用电容器Cc122的一个电极连接到晶体管122的栅极端子，连接用电阻Rc143连接在连接用电容器Cc122的另一个电极和晶体管101的漏极端子之间。
在RC连接网络165中，在晶体管112的栅极端子和晶体管102的漏极端子之间连接用电容器Cc123和连接用电阻Rc144串联连接。即，连接用电容器Cc123的一个电极连接到晶体管112的栅极端子，连接用电阻Rc144连接在连接用电容器Cc123的另一个电极和晶体管102的漏极端子之间。
在振荡电路A，对LC谐振电路160施加任何电激励时，交流信号由于LC谐振电路160的谐振现象而产生振荡，并从输出端P1、P2输出。此时，从输出端P1以及P2输出的信号是反相(互补)信号。交流信号的频率是LC谐振电路160的谐振频率，可通过电压控制的变容二极管104a、104b调节。该原理对于振荡电路B也是同样。
而且，包含了交叉连接晶体管101、102以及反馈用电容器105、106的负阻抗电路161连接到LC谐振电路160，因此LC谐振电路160中的损失被补偿，该LC谐振电路160的振荡继续。其结果，可以从输出端P1(晶体管101的漏极端子)、P2(晶体管102的漏极端子)连续地取出互相反相的交流信号。对于振荡电路B也同样，从输出端P3(晶体管122的漏极端子)、P4(晶体管112的漏极端子)连续地取出互相反相的交流信号。
这里，在本振荡器100，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络162～165连接。这样，通过由四个RC连接网络(Rc141、Cc120、Rc142、Cc121、Rc143、Cc122以及Rc144、Cc123)连接振荡电路A、B，可以将各振荡电路的输出信号X以及Y的相位互相偏移±90°(设为X＝±jY的关系)。由此，从P1～P4输出相位互相偏移90°的四相信号。
[实施方式3]
图3表示使用了MOS晶体管的本振荡器的其它的变形例。
如该图所示，本实施方式的振荡器200包括：成对的振荡电路A(第一振荡电路)、振荡电路B(第二振荡电路)、四个RC连接网络262～265，由P1～P4生成相位互相偏移90°的四个信号(四相信号)。
振荡电路A包括LC谐振电路260和负阻抗电路261。LC共振电路260包括线圈203a、203b和变容二极管204a、204b和变容二极管204a、204b。负阻抗电路261包括：交叉连接用的两个N沟道MOS晶体管201(第六MOS晶体管)、202(第七MOS晶体管)、耦合用的两个N沟道MOS晶体管251(第五MOS晶体管)、252(第八MOS晶体管)、两个电阻Rb、N沟道MOS晶体管280。
线圈203a以及203b串联连接，其中点连接到Vcc。变容二极管204a以及204b反向对置地串联连接，阳极端子之间被连接，同时它们连接到Vcontrol(以下为Vco)。而且，线圈203a、203b和变容二极管204a、204b并联连接。
此外，晶体管251的漏极端子和晶体管201的漏极端子被连接，晶体管251的源极端子和晶体管201的源极端子被连接。此外，晶体管252的漏极端子和晶体管202的漏极端子被连接，晶体管252的源极端子和晶体管202的源极端子被连接。
而且，该晶体管201、251的共用漏极端子连接到变容二极管204a的阴极，晶体管202、252的共用漏极端子连接到变容二极管204b的阴极。由此，在晶体管201、251的共用漏极端子以及晶体管202、252的共用漏极端子之间连接LC谐振电路260。
此外，晶体管201的栅极端子连接到晶体管202、252的共用漏极端子，晶体管202的栅极端子连接到晶体管201、251的共用漏极端子。
进而，晶体管251的栅极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vbias1(以下为Vb1)，晶体管252的栅极端子也经由电阻Rb连接到恒定电位源Vb1。
进而，晶体管201、251的共同源极端子和晶体管202、252的共同源极端子被连接，同时该连接点和晶体管280的源极端子被连接。另外，该晶体管280的漏极端子接地，栅极端子连接到恒定电位源Vbias2(以下为Vb2)。
振荡电路B包括LC谐振电路270和负阻抗电路271。LC谐振电路270包括线圈213a、213b和变容二极管214a、214b。负阻抗电路271包括：交叉连接用的两个N沟道MOS晶体管211(第二MOS晶体管)、212(第三MOS晶体管)、耦合用的两个N沟道MOS晶体管291(第一MOS晶体管)、292(第四MOS晶体管)、两个电阻Rb、N沟道MOS晶体管281。
线圈214a及214b串联连接，其中点连接到Vcc。变容二极管214a以及214b反向对置地串联连接，阳极端子之间被连接，同时它们连接到Vcontrol(以下为Vco)。而且，线圈213a、213b和变容二极管214a、214b并联连接。
此外，晶体管291的漏极端子和晶体管211的漏极端子被连接，晶体管291的源极端子和晶体管211的源极端子被连接。此外，晶体管292的漏极端子和晶体管212的漏极端子被连接，晶体管292的源极端子和晶体管212的源极端子被连接。
而且，该晶体管291、211的共用漏极端子连接到变容二极管214a的阴极，晶体管292、212的共用漏极端子连接到变容二极管214b的阴极。由此，在晶体管291、211的共用漏极端子以及晶体管292、212的共用漏极端子之间并联连接LC谐振电路270。
此外，晶体管211的栅极端子连接到晶体管212、292的共用漏极端子，晶体管212的栅极端子连接到晶体管211、291的共用漏极端子。
进而，晶体管291的栅极端子经由电阻Rb连接到恒定电位源Vbias1(以下为Vb1)，晶体管292的栅极端子也经由电阻Rb连接到恒定电位源Vb1。
进而，晶体管211、291的共同源极端子和晶体管212、292的共同源极端子被连接，同时该连接点和晶体管281的源极端子被连接。另外，该晶体管281的漏极端子接地，栅极端子连接到恒定电位源Vbias2(以下为Vb2)。
这里，在本振荡器200，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络262～265连接。
在RC连接网络262中，在晶体管251的栅极端子和晶体管212(292)的漏极端子之间连接用电容器Cc220和连接用电阻Rc241串联连接。即，连接用电容器Cc220的一个电极连接到晶体管201的栅极端子，连接用电阻Rc241连接在连接用电容器Cc220的另一个电极和晶体管212(292)的漏极端子之间。在RC连接网络263中，晶体管252的栅极端子和晶体管211(291)的漏极端子之间连接用电容器Cc221和连接用电阻Rc242串联连接。即，连接用电容器Cc221的一个电极连接到晶体管251的栅极端子，连接用电阻Rc242连接在连接用电容器Cc221的另一个电极和晶体管211(291)的漏极端子之间。在RC连接网络264中，在晶体管291的栅极端子和晶体管201(251)的漏极端子之间连接用电容器Cc222和连接用电阻Rc243串联连接。即，连接用电容器Cc222的一个电极连接到晶体管291的栅极端子，连接用电阻Rc243连接在连接用电容器Cc222的另一个电极和晶体管201(251)的漏极端子之间。在RC连接网络265中，在晶体管292的栅极端子和晶体管202(252)的漏极端子之间连接用电容器Cc223和连接用电阻Rc244串联连接。即，连接用电容器Cc223的一个电极连接到晶体管292的栅极端子，连接用电阻Rc244连接在连接用电容器Cc223的另一个电极和晶体管202(252)的漏极端子之间。
在振荡电路A，对LC谐振电路260施加任何电激励时，交流信号由于LC谐振电路260的谐振现象而振荡，并从输出端P1、P2输出。此时，从输出端P1以及P2输出的信号是反相(互补)信号。交流信号的频率是LC谐振电路260的谐振频率，可通过电压控制的变容二极管204a、204b调节。该原理对于振荡电路B也是同样。
而且，包含了交叉连接的耦合晶体管201、251以及202、252的负阻抗电路261连接到LC谐振电路260，因此LC谐振电路260中的损失被补偿，该LC谐振电路160的振荡继续。其结果，可以从输出端P1(晶体管201、251的共用漏极端子)、P2(晶体管202、252的共用漏极端子)连续地取出互相反相的交流信号。对于振荡电路B也是同样，从输出端P3(晶体管211、291的共用漏极端子)、P4(晶体管212、292的共用漏极端子)连续地取出互相反相的交流信号。
这里，在本振荡器200，这些振荡电路A和振荡电路B通过四个RC连接网络262～265连接。这样，通过由四个RC连接网络(Rc241、Cc220、Rc242、Cc221、Rc243、Cc222以及Rc244、Cc223)连接振荡电路A、B，可以将各振荡电路的输出信号X以及Y的相位互相偏移±90°(设为X＝±jY的关系)。由此，从P1～P4输出相位互相偏移90°的四相信号。
本振荡器的频率调整系统可应用于数据通信装置，例如进行IEEE802.11X标准的无线数据通信的携带电话用的收发器(transceiver)。
如上所述，根据本振荡器，在属于第一振荡电路的各晶体管和属于第二振荡电路的各晶体管的连接上使用串联连接的电阻以及电容。从而，与在该连接上使用多个晶体管或变压器等的现有的结构相比较，可以抑制噪声的产生。此外，晶体管的数目少即可，因此也可以实现省电和电路面积的缩小。
此外，在上述结构中，上述连接用电阻优选是可变电阻。根据该结构，通过调整连接用电阻的电阻值可以控制各输出信号的相位。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
此外，在上述结构中，上述连接用电容器优选为可变电容器。根据该结构，通过调整连接用电容器的电容值可以控制各输出信号的相位。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
在上述结构中，上述谐振电路优选是包含了可变电容器(例如变容二极管)的LC谐振电路。根据该结构，通过调整可变电容器的电容可以改变谐振电路的谐振频率，并可以容易地设定输出的交流信号的频率。
在上述结构中，在上述第一及第二晶体管和第三及第四晶体管的各晶体管对中，优选第一导通端子连接到恒流源。根据该结构，通过调整恒流源的电流值，可以设定各晶体管构成的负阻抗电路的跨导的值。由此，可以提高振荡信号的相位精度。
在上述结构中，也可以在各晶体管上使用NPN型的双极晶体管。在该情况下，上述第一以及第二导通端子分别是发射极端子及集电极端子，上述控制端子是基极端子。
在上述结构中，也可以在各晶体管上使用N沟道MOS晶体管。在该情况下，上述第一及第二导通端子分别是源极端子以及漏极端子，上述控制端子是栅极端子。
此外，包括本振荡器的通信装置包括如上述的优点。
另外，本实施方式不限定于上述实施方式，在权利要求所示的范围内可以进行各种变更，对于适当组合实施方式中公开的技术手段而获得的实施方式而言，也包含在本发明的技术范围内。

Claims (13)

1.一种振荡器，包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一振荡电路及第二振荡电路，其特征在于，
在上述第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子被连接到上述谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端的第一晶体管及第二晶体管，上述第一晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子直接或者经由电容器连接，同时第一晶体管的控制端子和第二晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，
在上述第二谐振电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子连接到上述谐振电路的第三晶体管及第四晶体管，上述第三晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子直接或经由电容器连接，同时第三晶体管的控制端子和第四晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，
在上述第一晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，
在上述第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，
在上述第三晶体管的第二导通端子和第一晶体管的控制端子之间，连接用电容器及连接用电阻被串联连接，
在上述第四晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子之间，将连接用电容器及连接用电阻串联连接，
各晶体管的所述控制端子控制各晶体管的所述第一及第二导通端子之间的导通电阻。
2.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，上述连接用电阻包含可变电阻。
3.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，上述连接用电容器包含可变电容器。
4.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，上述谐振电路是包含可变电容器的LC谐振电路。
5.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，在上述第一晶体管及第二晶体管和第三晶体管及第四晶体管的各晶体管对中，第一导通端子被连接到恒流源。
6.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，上述各晶体管是NPN型晶体管，上述第一导通端子及第二导通端子分别是发射极端子及集电极端子，上述控制端子是基极端子。
7.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，上述各晶体管是N沟道MOS晶体管，上述第一导通端子及第二导通端子分别是源极端子及漏极端子，上述控制端子是栅极端子。
8.一种振荡器，包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一振荡电路及第二振荡电路，其特征在于，
在第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第一MOS晶体管及第二MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，上述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的各第二导通端子被连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子被连接，同时第二晶体管的控制端子和第三晶体管的第二导通端子被连接，
在第二振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第五MOS晶体管及第六MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第七MOS晶体管及第八MOS晶体管，上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的各第二导通端子被连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第六晶体管的第二导通端子和第七晶体管的控制端子被连接，同时第六晶体管的控制端子和第七晶体管的第二导通端子被连接，
在上述第五MOS晶体管及第六MOS晶体管的第二导通端子和第一MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第七MOS晶体管及第八MOS晶体管的第二导通端子和第四MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的第二导通端子和第五MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管的第二导通端子和第八MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接。
9.如权利要求8所述的振荡器，其特征在于，上述连接用电阻包含可变电阻。
10.如权利要求8所述的振荡器，其特征在于，上述连接用电容器包含可变电容器。
11.如权利要求8所述的振荡器，其特征在于，上述谐振电路是包含可变电容器的LC谐振电路。
12.一种包括振荡器的通信装置，其中，
该振荡器包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一振荡电路及第二振荡电路，
在上述第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子被连接到上述谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端的第一晶体管及第二晶体管，上述第一晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子直接或者经由电容器连接，同时第一晶体管的控制端子和第二晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，
在上述第二谐振电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时各第二导通端子连接到上述谐振电路的第三晶体管及第四晶体管，上述第三晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子直接或经由电容器连接，同时第三晶体管的控制端子和第四晶体管的第二导通端子直接或经由电容器连接，
在上述第一晶体管的第二导通端子和第四晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第三晶体管的第二导通端子和第一晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第四晶体管的第二导通端子和第二晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接。
13.一种包括振荡器的通信装置，其中，
该振荡器包括分别具有谐振电路和多个晶体管的第一以及第二振荡电路，
在第一振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第一MOS晶体管及第二MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，上述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第二以及第三MOS晶体管的被各第二导通端子连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第二晶体管的第二导通端子和第三晶体管的控制端子被连接，同时第二晶体管的控制端子和第三晶体管的第二导通端子被连接，
在第二振荡电路中，设置第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子之间被连接的第五MOS晶体管及第六MOS晶体管，以及第一导通端子之间被连接、同时第二导通端子被连接的第七MOS晶体管及第八MOS晶体管，上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的第一导通端子之间被连接，同时上述第六MOS晶体管及第七MOS晶体管的各第二导通端子被连接到谐振电路所包含的被串联连接的线圈的两端，并且第六晶体管的第二导通端子和第七晶体管的控制端子被连接，同时第六晶体管的控制端子和第七晶体管的第二导通端子被连接，
在上述第五MOS晶体管及第六MOS晶体管的第二导通端子和第一MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第七MOS晶体管及第八MOS晶体管的第二导通端子和第四MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的第二导通端子和第五MOS晶体管的控制端子之间，连接用电容器以及连接用电阻被串联连接，
在上述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管的第二导通端子和第八MOS晶体管的控制端子之间连接用电容器以及连接用电阻被串联连接。
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