1290416 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於振盪器，尤其是有關於生成4相訊號 的電壓控制振盪器（Voltage Controlled oscillator)。 【先前技術】 行動電話等通訊裝置中，係設有電壓控制振盪器以作 φ 爲本機振盪器。該電壓控制振盪器中，除了期望訊號（例 如相位90°錯開的4相訊號）的生成精度，隨著系統的可 攜化，還期望電路的簡易化和省電化。 圖9〜圖1 5中，圖示了生成直角相位訊號的振盪器的 先前之構成。 圖9 ( a ) ( b )所示的振盪器（以下稱第1先前技術
)，係採用了以所望之直角相位訊號的2倍頻率而振盪之 電壓控制振盪器（VCO )，和圖9 ( a )所示的2分割之分 φ 頻電路。該分頻電路中，一般會使用數位主僕式正反器電 路。該數位主僕式正反器電路中，主正反器的輸出Q及 QB係分別成爲僕正反器電路的輸入D及DB，僕正反器的 輸出Q及QB係分別回饋至主正反器的輸入D及DB。此 外，CLK訊號中係使用來自上記VCO的振盪訊號（具有 所望訊號之2倍頻率的訊號，參照圖9(b))。藉此，各 正反器的輸出（Q及QB)係呈180°的相位差，主正反器 的輸出Q(QB)，和僕正反器的輸出Q(QB)係呈90。的 相位差（參照圖9 ( b ))。亦即，可將主正反器的輸出Q -4- (2) 1290416 (QB )用於I訊號，將僕正反器的輸出Q ( QB )用於Q 訊號。 又，專利文獻1 (美國專利第6,404,293 B1)或非專 利文獻 1 ( A. Rofougaran et al.， u A 900MHz CMOS LC oscillator with quadrature outputs， Int. Solid-State Circuits Conference, San Francisco, CA，1 9 9 6, pp.316-317 )所揭露的振盪器（以下稱第2先前技術），係構成如下 •。 如圖1 〇所示，成對的振盪電路A及B，係分別具備 :2個線圈、2個電容、交叉連接的2個N通道MO S電晶 體、定電流源。 例如，振盪電路A中，高電位側電源與N通道MOS 電晶體818的汲極端子之間，有線圈826及電容827呈並 聯。又，高電位側電源與N通道MOS電晶體820的汲極 端子之間，有線圈82 8及電容829呈並聯。又，MOS電晶 φ 體818的閘極端子與MOS電晶體820的汲極端子係爲連 接，MOS電晶體820的閘極端子和MOS電晶體818的汲 極端子係爲連接。又，MOS電晶體818的源極端子及 MOS電晶體820的源極端子係連接至定電流源810。 此處，2個振盪電路A及B，係連接著4個MOS電晶 體（834· 836· 838· 840)。例如，N通道MOS電晶體 83 4，其汲極端子係連接至振盪電路A的MOS電晶體818 的汲極端子，其閘極端子係連接至振盪電路B的MOS電 晶體824的汲極端子，其源極端子係連接至定電流源。又 (3) 1290416 ，N通道M〇S電晶體8 3 8 ’其汲極端子係連接至振盪 B的MOS電晶體822的汲極端子’其閘極端子係連 振盪電路A的MOS電晶體818的汲極端子’其源極 係連接至定電流源° 又，專利文獻2 (美國專利第5,9 1 2,5 96 )所揭露 盪器（以下稱第3先前技術）’係構成如下。如圖1 示，成對的振盪電路A及B，係分別具備：1個P φ MOS電晶體、2個線圈、1個可變電容、4個N通道 電晶體、定電流源。 例如，振盪電路A中，P通道MOS電晶體82的 端子與N通道MOS電晶體76之間係連接有線圈 MOS電晶體82的汲極端子與N通道MOS電晶體74 係連接有線圈50。該MOS電晶體82，其源極端子係 著Vdd，其閘極端子係連接著偏壓。又，在MOS電 74的汲極端子與MOS電晶體76的汲極端子之間設有 _ 電容56。又，MOS電晶體74的源極端子、MOS電 76的源極端子、N通道MOS電晶體72的源極端子、 道MOS電晶體78的源極端子係爲連接，而連接至電 。又，MOS電晶體72的汲極端子係連接著MOS電 76的閘極端子，MOS電晶體78的汲極端子係連接著 電晶體74的閘極端子。 此處，2個振盪電路A及B，係隔著8個MOS電 (60· 62· 64· 66· 72· 74· 76· 78)的電極及 2 個 電容46 · 48而連接。例如，振盪電路A的MOS電 電路 接至 端子 之振 1所 通道 MOS 汲極 5 2 ； 之間 連接 晶體 可變 晶體 N通 流源 晶體 MOS 晶體 可變 晶體 (4) 1290416 78的閘極端子，係連接至振盪電路B的m〇S電晶體62 的汲極端子。振盪電路A的MOS電晶體72的閘極端子， 係連接至振盪電路B的MOS電晶體64的汲極端子。又， 在MOS電晶體74的汲極端子與MOS電晶體64的汲極端 子之間，並聯著2個可變電容46· 48。 又，專利文獻3 (美國專利第6,63 9,48 1 B1 )所揭露 之振盪器（以下稱第4先前技術），係構成如下。 φ 如圖12所示，成對的振盪電路A及B，係分別具備 :交叉連接的2個P通道MOS電晶體、6個可變電容、交 叉連接的2個N通道MOS電晶體、可變定電流源。例如 ，振盪電路A中，P通道MOS電晶體54的源極端子與P 通道MOS電晶體56的源極端子係爲連接，該MOS電晶 體54的閘極端子與MOS電晶體56的汲極端子係爲連接 ，MOS電晶體56的閘極端子與MOS電晶體54的汲極端 子係爲連接。又，N通道MO S電晶體5 8的源極端子與N φ 通道MOS電晶體60的源極端子係爲連接而銜接定電流源 62，該MOS電晶體58的閘極端子與MOS電晶體60的汲 極端子係爲連接，MOS電晶體60的閘極端子與MOS電晶 體58的汲極端子係爲連接。又，MOS電晶體56的汲極端 子與MOS電晶體60的汲極端子係爲連接，MOS電晶體 54的汲極端子和MOS電晶體58的汲極端子係爲連接。又 ，在MOS電晶體54的汲極端子與MOS電晶體56的汲極 端子之間，串聯著2個可變電容64 · 66。又，在MOS電 晶體54的汲極端子與MOS電晶體56的汲極端子之間， (5) 1290416 串聯著4個可變電容68· 70· 72· 74。 此處，2個振盪電路Α及Β，係錯由2個變壓器25· 2 7而連接。例如，變壓器2 5的2個線圈中，其中一方之 線圈其兩端係連接著振盪電路Α的可變電容68與70之間 及可變電容7 2及7 4之間，另一方線圈其兩端係連接著振 盪電路B的N通道MOS電晶體1 8的汲極端子及N通道 MOS電晶體20的汲極端子。 0 此外，圖13·圖14(a)〜（d) •圖15所示之專利 文獻4 (美國專利第6,456，167 )以及非專利文獻2 ( J· van der Tang，et al·，’’Analysis and design of an optimally coupled 5-GHz quadrature LC oscillator, IEEE Journal of Solid- State Circuits, νο1·37，No. 5 ? May 2002，pp.657-66 1. )及非專利文獻 3(P. Andreani et al. "Analysis and design of a 1.8-GHz CMOS L C quadrature VCO，IEEE Journal of Solid-State Circuits，vol.37，N o. 1 2 5 Dec. 2002, φ pp.1 737- 1 747.)中，也揭露了將成對之振盪電路藉由MOS 電晶體而連結之構成。 可是在此同時，第1先前技術係需要以所望頻率的2 倍而動作之VCO。因此，振盪器上的消費電力會增加，又 ，電路（正反器電路）設計也變得複雜。 又，第2及第3先前技術，以及專利文獻5〜7所揭 露的先前技術中，成對的2個振盪電路的連接中，使用了 屬於主動元件的多數MOS電晶體。因此，容易產生雜訊 (相位雜音等），又，消費電力亦變大。還有，電路面積 -8 - (6) 1290416 也會變大。 又，第4先前技術中，2個振盪電路的連結中，是使 用可變電容（變容器，varactor )及變壓器。因此，電路 面積會變大，又，消費電力也會增大。 【發明內容】 本發明係有鑑於上記課題而硏發，其目的在於，提供 φ 雜訊發生少，且消費電力低的振盪器。 本發明之振盪器爲了解決上記課題，係屬於具備第1 及第2振盪電路之振盪器，該第1及第2振盪電路係分別 具有共振電路和複數之電晶體，其特徵爲，上記第1振盪 電路中，設有第1導通端子爲彼此連接且各第2導通端子 是連接著上記共振電路的第1及第2電晶體，上記第1電 晶體的第2導通端子與第2電晶體的控制端子係爲直接或 隔著電容而連接，同時，第1電晶體的控制端子與第2電 • 晶體的第2導通端子係爲直接或隔著電容而連接；上記第 2振盪電路中，設有第1導通端子爲彼此連接且各第2導 通端子是連接著上記共振電路的第3及第4電晶體，上記 第3電晶體的第2導通端子與第4電晶體的控制端子係爲 直接或隔著電容而連接，同時，第3電晶體的控制端子與 第4電晶體的第2導通端子係爲直接或隔著電容而連接； 上記第1電晶體的第2導通端子，和第4電晶體的控制端 子之間，串聯著連結用電容及連結用電阻；上記第2電晶 體的第2導通端子，和第3電晶體的控制端子之間，串聯 -9 - (7) 1290416 著連結用電容及連結用電阻；上記第3 端子，和第1電晶體的控制端子之間， 及連結用電阻；上記第4電晶體的第2 電晶體的控制端子之間，串聯著連結用 〇 上記構成中，共振電路，係爲發出 交流訊號。 φ 又，第1及第2電晶體，係第1導 或源極端子）爲彼此連接，同時，第1 端子與第2電晶體的控制端子爲直接或 且，第1電晶體的控制端子與第2電晶 爲直接或隔著電容而連接。如此交叉連 晶體係構成了負性阻抗電路。然後，該 透過第1及第2電晶體的各第2導通端 路（隸屬於第1振盪電路的共振電路） φ 2電晶體的各第2導通端子間連接著共 振電路上的損失（寄生阻抗等所導致的 抗電路加以補償，共振電路所致的振盪 爲，從第1振盪電路會輸出交流訊號。 關於第2振盪電路也是同樣如此。 第3及第4電晶體係構成了負性阻抗電 阻抗電路，係透過第3及第4電晶體的 連接至共振電路（隸屬於第2振盪電路 如，第3及第4電晶體的各第2導通端 電晶體的第2導通 串聯著連結用電容 導通端子，和第2 電容及連結用電阻 頻率爲共振頻率的 通端子（射極端子 電晶體的第2導通 隔著電容而連接， 體的第2導通端子 結的第1及第2電 負性阻抗電路，係 子而連接至共振電 。例如，第1及第 振電路。藉此，共 損失）可被負性阻 可以持續。其結果 亦即，交叉連結的 路。然後，該負性 各第2導通端子而 的共振電路）。例 子間連接著共振電 -10- 1290416
路。藉此，共振電路上的損失（寄生阻抗等所導致的損失 )可被負性阻抗電路加以補償，共振電路所致的振盪可以 持續。其結果爲，從第2振盪電路會輸出交流訊號。 再者，由於第1振盪電路的各電晶體，和第2振盪電 路中所屬之各電晶體，是藉由由電阻及電容所成之RC連 結而連接，因此，可使來自第2振盪電路的訊號的相位， 相較於來自第1振盪電路的訊號的相位，是錯開90°。其 φ 結果爲，從第1及第2振盪電路，會輸出彼此相位相差90° 的交流訊號。 此處，本發明中，如上記，第1振盪電路中所屬的各 電晶體，和第2振盪電路中所屬之各電晶體的連結中，使 用了串聯之連結用電阻及連結用電容（電容）。因此，相 較於在該連結中使用電晶體或變壓器的先前構成，可以抑 制雜訊的產生。除此，由於電晶體的數量可以較少，因此 也可實現省電力化或電路面積的縮小化。 φ 此外’上記連結用電阻，係只需要像是寄生阻抗那樣 値爲極小者即可。此時，各振盪電路間的連結係近似於電 容性之連結。 又’本發明之振盪器爲了解決上記課題，係屬於具備 第1及第2振盪電路之振盪器，該第1及第2振盪電路係 分別具有共振電路和複數之電晶體，其特徵爲，第i振盪 電路中’設有第1導通端子爲彼此連接且第2導通端子爲 彼此連接的第1及第2MOS電晶體以及第1導通端子爲彼 此連接且第2導通端子爲彼此連接的第3及第4MOS電晶 -11 - 1290416 Ο) 體，上記第2及第3MOS電晶體的第1導通端子爲彼此連 接且上記第2及第3MOS電晶體的各第2導通端子係連接 著共振電路，且，第2電晶體的第2導通端子與第3電晶 體的控制端子爲連接且第2電晶體的控制端子與第3電晶 體的第2導通端子爲連接；第2振盪電路中，設有第1導 通端子爲彼此連接且第2導通端子爲彼此連接的第5及第 6MOS電晶體以及第1導通端子爲彼此連接且第2導通端 φ 子爲彼此連接的第7及第8MOS電晶體，上記第6及第 7MOS電晶體的第1導通端子爲彼此連接且上記第6及第 7MOS電晶體的各第2導通端子係連接著共振電路，且， 第6電晶體的第2導通端子與第7電晶體的控制端子爲連 接且第6電晶體的控制端子與第7電晶體的第2導通端子 爲連接；上記第5及第6MOS電晶體的第2導通端子，和 第1MOS電晶體的控制端子之間，串聯著連結用電容及連 結用電阻；上記第7及第8MOS電晶體的第2導通端子， φ 和第4MOS電晶體的控制端子之間，串聯著連結用電容及 連結用電阻；上記第3及第4MOS電晶體的第2導通端子 ，和第5MOS電晶體的控制端子之間，串聯著連結用電容 及連結用電阻；上記第1及第2MOS電晶體的第2導通端 子，和第8MO S電晶體的控制端子之間，串聯著連結用電 容及連結用電阻。 上記各導通端子，係對應於Μ Ο S電晶體的源極端子 或汲極端子；控制端子則對應於閘極端子。 若根據上記構成，第1振盪電路中所屬的各電晶體， -12- (10) 1290416 和第2振盪電路中所屬之各電晶體的連結中，使用了串聯 之電阻及電容。因此，相較於在該連結中使用電晶體或變 壓器的先前構成，可以抑制雜訊的產生。除此，由於電晶 體的數量可以較少，因此也可實現省電力化或電路面積的 縮小化。 【實施方式】 φ 將本發明之實施之一型態基於圖1〜圖8而說明如下 〇 首先，針對會使用本發明之振盪器的資料傳送系統（ 通訊裝置）加以說明。如圖4所示，行動電話等之資料傳 送系統的RF收送訊部（無線射頻訊號收送訊部）中，天 線所收到的無線射頻訊號，降頻成較低頻率之訊號（基頻 訊號或中頻訊號），或者，將基頻處理器所輸出之訊號升 頻成從天線發送之無線射頻訊號，需要用到時脈合成器（ φ 振盪器或混頻器）。 圖5所示之直接轉換方式的情況中，rf送訊部中， 首先，來自天線的無線射頻訊號會被送往帶通濾波器（ BPF )’將其高低頻帶成份加以去除。通過帶通濾波器的 訊號係被送往低雜音增幅器（LNA)，在低NF(雜音指 數）下進行增幅。通過低雜音增幅器後的訊號係被分波成 2個。被分波之一方的訊號，係與連接Pll電路的VCO( 電壓控制振盪器）22所生成之基準相位訊號，在混波器 21 a中被混合，使其降頻成低頻的I訊號。又，被分波的 -13- (11) 1290416 另一方之訊號，係與VC022所生成之和上記基準相位錯 開9 0 °的訊號，在混波器2 1 b中被混合’使其降頻成低頻 的Q訊號。已被降頻的這些1訊號及Q訊號’係爲了除去 多餘成份而被送至低通濾波器。又，RF送訊部中’從低 通濾波器（LPF)送來之I訊號會與VC 0 22所生成之基準 相位訊號在混波器3 1 a中被混合、升頻，同時’從低通濾 波器（LPF)送來之Q訊號會與VC022所生成之和基準相 φ 位錯開90°之訊號在混波器3 la中被混合、升頻。來自混 波器3 1 a的I訊號及來自混波器3 1 b的Q訊號係被重疊而 成爲RF (無線射頻）訊號。該RF訊號，係被增幅電路（ PA )增幅後，通過BPF而從天線發送。 圖6所示之雙重轉換方式的情況中，RF送訊部中， 來自天線的無線射頻訊號是在低雜音增幅器（LN A )中被 低NF增幅後，和來自VCO的訊號（1.5GHz )混合，而被 降頻成中頻訊號。然後，該中頻訊號係被分波’一方之訊 φ 號，係和已被分頻之基準相位訊號（1.5GHz/2GHz)在混 波器中被混合，而降頻成低頻的I訊號。又’被分波的另 一方之訊號，係與已被分頻之和基準相位錯開90°之訊號 (1.5 GHz/2 GHz)在混波器中被混合，使其降頻成低頻的 Q訊號。此外，被降頻成低頻的這些I訊號及Q訊號，係 分別被送至頻道選擇濾波器。又，RF送訊部中，從基頻 處理器送來之I訊號會與已被分頻之基準相位訊號（ 1 .5 GHz/2 GHz )在混波器中被混合、升頻成中頻訊號，同 時，從基頻處理器送來之Q訊號會與已被分頻之和基準相 -14- (12) 1290416 位錯開90°之訊號（1.5GHz/2GHz)在潛 頻中頻訊號。這些IQ訊號（中頻訊號 會和來自VCO的訊號（1.5 GHz)混合 射頻）訊號。該RF (無線射頻）訊號 PA)增幅後，從天線發送。 如此，通訊裝置中，會利用到相ίϊ 直角相位訊號，因而設有用來產生這 φ VCO、電壓控制振盪器）。 [實施形態1] 圖1係本實施形態所論之振盪器5 同圖所示，本實施形態所論之振盪器1 盪器），係具備成對的振盪電路Α (第 (第2振盪電路）、4個RC連結網路 〜P4上生成相位彼此錯開90°的4個訊 • 振盪電路A，係具備LC共振電路 路57 1。LC共振電路5 70，係具備線目 )與變容器504 (504a· 504b)。負性 備：2個NPN電晶體501· 502、4個Ϊ 容）· 5 06 (回饋用電容）· 5 07 · 508 電流源1〇。 線圈5 03 a及5 03b係呈串聯，其t： 又，變容器504a及504b係亦呈串職 Vo。然後，線圈5 03與變容器504係i ϊ波器中被混合、升 )係在被重合後， ，升頻成RF (無線 ，係被增幅電路（ 〔逐一呈90°錯開的 些訊號的振盪器（ :構成的電路圖。如 〇 ( 4相電壓控制振 1振盪電路）及B 562〜565，而於P1 號（4相訊號）。 5 70和負性阻抗電 Ϊ 503 ( 503a · 503b 阻抗電路5 7 1係具 i容5 0 5 (回饋用電 、2個電阻Rb、定 Θ點係連接著Vcc。 ί，其中點係連接著 i並聯。亦即，線圈 -15- (13) 1290416 5 0 3 a之一方的端部（連接Vc c之端部的相反側端邰）’和 變容器5〇4a之一方的電極（連接Vo之電極的相反側電極 )係爲連接，線圈5 0 3 b之一方的端部（連接V c c之端部 的相反側端部），和變容器5 04b之一方的電極（連接Vo 之電極的相反側電極）係爲連接。 然後，該變容器504a之一方的電極（連接Vo之電極 的相反側電極）是被連接至電晶體5 0 1的集極端子’變容 φ 器5 04b之一方的電極（連接Vo之電極的相反側電極）是 被連接至電晶體502的集極端子。 又，電晶體5 0 1的基極端子，係隔著電容5 0 6而連接 至電晶體502的集極端子’電晶體502的基極端子’係隔 著電容5 05而連接至電晶體501的集極端子。亦即，電容 5 05之一方的電極係連接至電晶體501的集極端子，另一 方之電極係連接至電晶體502的基極端子。電容506之一 方的電極係連接至電晶體502的集極端子，另一方之電極 φ 係連接至電晶體501的基極端子。 又，電晶體5 0 1的基極端子係隔著電阻Rb而連接至 定電位源Vb，電晶體502的基極端子亦隔著電阻Rb而連 接至定電位源Vb。又，電晶體501的基極端子係隔著電 容5 07而接地，電晶體5 02的基極端子係隔著電容5 08而 接地。亦即，電容507之一方的電極係連接至電晶體501 的基極端子，另一方之電極係接地。 然後，電晶體501的射極端子與電晶體502的射極端 子係爲連接，同時，這些電晶體501 · 5 02的射極端子係 -16- (14) 1290416 連接至定電流源Ιο (上流側）。此外，該定電流源Ιο的 下流側係爲接地。 振盪電路Β，係具備LC共振電路5 60和負性阻抗電 路561。LC共振電路5 60，係具備線圈513 ( 513a · 513b )與變容器514 ( 514a · 514b)。負性阻抗電路561係具 備：2個NPN電晶體511· 512、4個電容515 (回饋用電 容）.516(回饋用電容）·517·518、2個電阻Rb、定 φ 電流源I 〇。 線圈513a及5 13b係呈串聯，其中點係連接著Vcc。 又，變容器514a及514b係亦呈串聯，其中點係連接著 V 〇。然後，線圈5 1 3與變容器5 1 4係呈並聯。亦即，線圈 5 1 3 a之一方的端部（連接Vcc之端部的相反側端部），和 變容器5 1 4 a之一方的電極（連接V 〇之電極的相反側電極 )係爲連接，線圈513b之一方的端部（連接Vcc之端部 的相反側端部），和變容器5 14b之一方的電極（連接Vo φ 之電極的相反側電極）係爲連接。 然後，該變容器514a之一方的電極（連接Vo之電極 的相反側電極）是被連接至電晶體5 1 1的集極端子，變容 器5 04b之一方的電極（連接Vo之電極的相反側電極）是 被連接至電晶體5 1 2的集極端子。 又，電晶體5 0 1的基極端子，係隔著電容5 1 6而連接 至電晶體5 1 2的集極端子，電晶體5 1 2的基極端子，係隔 著電容5 1 5而連接至電晶體5 1 1的集極端子。亦即，電容 5 1 5之一方的電極係連接至電晶體5 1 1的集極端子，另一 -17- (15) 1290416 方之電極係連接至電晶體512的基極端子。電容516之一 方的電極係連接至電晶體5 1 2的集極端子，另一方之電極 係連接至電晶體5 1 1的基極端子。 又，電晶體511的基極端子係隔著電阻Rb而連接至 定電位源Vb，電晶體5 1 2的基極端子亦隔著電阻Rb而連 接至定電位源Vb。又，電晶體5 1 1的基極端子係隔著電 容5 1 7而接地，電晶體5 1 2的基極端子係隔著電容5 1 8而 φ 接地。亦即，電容5 1 7之一方的電極係連接至電晶體5 1 1 的基極端子，另一方之電極係接地。 然後，電晶體5 1 1的射極端子與電晶體5 1 2的射極端 子係爲連接，同時，這些電晶體5 1 1 · 5 1 2的共通射極端 子係連接至定電流源I 〇 (上流側）。此外，該定電流源I 〇 的下流側係爲接地。 此處，本振盪器1 〇中，這些振盪電路A與振盪電路 B係藉由4個RC連結網路562〜565而連接。 φ RC連結網路562中，電晶體501的基極端子與電晶 體511的集極端子之間，串聯著連結用電容Cc5 20和連結 用電阻Rc541。亦即，連結用電容Cc520之一方的電極係 連接著電晶體501的基極端子，連結用電容Cc520的另一 方之電極與電晶體511的集極端子之間，係連接有連結用 電阻Rc54 1。RC連結網路5 63中，電晶體5 02的基極端 子與電晶體5 1 2的集極端子之間，串聯著連結用電容 Cc521和連結用電阻RC542。亦即，連結用電容Cc521之 一方的電極係連接著電晶體502的基極端子，連結用電容 -18- (16) 1290416 C c 5 2 1的另一方之電極與電晶體5 1 2的集極端子之 連接有連結用電阻Rc542。RC連結網路564中， 51 1的基極端子與電晶體5 02的集極端子之間，串 結用電容Cc5 22和連結用電阻Rc5 43。亦即，連結 C c 5 2 2之一方的電極係連接著電晶體5 1 1的基極端 結用電容Cc522的另一方之電極與電晶體502的集 之間，係連接有連結用電阻Rc543。RC連結網路 φ ，電晶體5 1 2的基極端子與電晶體5 0 1的集極端子 串聯著連結用電容Cc5 23和連結用電阻RC544。亦 結用電容Cc5 23之一方的電極係連接著電晶體5 12 端子，連結用電容Cc523的另一方之電極與電晶體 集極端子之間，係連接有連結用電阻Rc5 44。 振盪電路A中，LC共振電路5 70上若施加了 氣性刺激，則會藉由LC共振電路5 70的共振現象 出交流訊號，且從輸出端P 1 (電晶體5 0 1的集極 Φ 及P2 (電晶體5 02的集極端子）輸出。此時，從 P1及P2所輸出的訊號係爲逆相（互補）訊號。交 的頻率係爲LC共振電路5 70的共振頻率，是可藉 控制之變容器504a · 5 04b來調節。 振盪電路B亦相同，LC共振電路560上若施 何電氣性刺激，則會藉由L C共振電路5 6 0的共振 ，而在輸出端P3 (電晶體51 1的集極端子）及P4 體5 12的集極端子）上會產生（振盪）出交流訊號 端P3及P4的交流訊號係彼此爲逆相，其頻率係爲 間，係 電晶體 聯著連 用電容 子，連 極端子 5 6 5中 之間， 即，連 的基極 50 1的 任何電 而振盪 端子） 輸出端 流訊號 由電壓 加了任 現象而 (電晶 。輸出 LC共 -19- (17) 1290416 振電路560的共振頻率。此外，該共振頻率係可藉由電壓 控制的變容器514a · 514b而調節。 原本，在振盪電路A中，只以LC共振電路5 70，則 會產生因寄生阻抗等所致之能量損失，使得各電路上的振 盪終將停止。於是，藉由在電源電位配線Vcc上施加正的 電源電位，同時，將含有交叉連結電晶體501· 502及回 饋用電容50 5 · 5 06的負性阻抗電路571連接至LC共振電 φ 路570，藉此可補償LC共振電路570的損失，可使該LC 共振電路5 70的振盪能夠持續下去。其結果爲，可從輸出 端P 1 · P2持續地取出交流訊號。 振盪電路B也是同樣地，藉由在電源電位配線Vcc上 施加正的電源電位，同時，還設置含有交叉連結電晶體 5 1 1 · 5 1 2及回饋用電容5 1 5 · 5 1 6的負性阻抗電路5 6 1， 藉此可補償LC共振電路5 60的損失，可使LC共振電路 5 60的振盪能夠持續下去。其結果爲，可從輸出端P3 · P4 • 持續地取出交流訊號。 振盪電路A的負性阻抗電路5 7 1中，交叉連結電晶體 50 1 · 5 02的射極端子是被定電流源1〇所偏壓。藉由該定 電流源1〇就可將負性阻抗電路5 7 1的跨導做任意設定。 又，交叉連結電晶體501.502的基極端子，係隔著電阻 器Rb而接受來自定電位源Vb的偏壓供給，而重疊上所定 的電流電壓份。藉此，就可將電晶體5 0 1 · 5 0 2的偏壓點 維持在正常狀態。 振盪電路B也是同樣地，其負性阻抗電路5 6 1中，交 -20- (18) (18) C^ff:C + 1290416 叉連結電晶體5 1 1 · 5 1 2的射極端子是被定電流源 壓。藉由該定電流源1〇就可將負性阻抗電路561 做任意設定。又，交叉連結電晶體5 1 1 · 5 1 2的基 •，係隔著電阻器Rb而接受來自定電位源Vb的偏壓 而重疊上所定的電流電壓份。藉此，就可將 5 1 1 · 5 1 2的偏壓點維持在正常狀態。 振盪電路A · B，係被設計成在同條件及同振 φ 下動作。例如，振盪電路A沒有交互作用而動作時 動作頻率fG，係如以下。 C'乂 C2 C] +C2 其中，C係爲變容器5 04的靜電容量，Cl係爲電？ 506的容量，C2係爲電容507或508的容量。振！ φ 也是同樣如此。 各振盪電路的輸出，係如上記，相位爲1 80 S 例如，若令P 1 (電晶體5 01的集極端子）的輸出j P2 (電晶體5 02的集極端子）的輸出係爲-X。同韦 令P3 (電晶體5 1 1的集極端子）的輸出爲γ，則 晶體5 1 2的集極端子）的輸出係爲-Y。此外，P 1 的各振盪電路的輸出電壓，係分別爲和所定電位白 壓訊號。
此處，本振盪器1 0中，這些振盪電路A與J Ιο所偏 的跨導 極端子 ;供給， 電晶體 盪頻率 =的自由 5 05或 電路Β 錯開， X，則 地，若 Ρ4 (電 ^ Ρ3中 差分電 盪電路 -21 - (19) 1290416 B係藉由4個RC連結網路5 62〜5 6 5而連接。如此，藉由 4 個 RC 連結網路（Rc541 · Cc520、Rc542 · Cc521、 Rc543 · Cc522及Rc544· Cc523)而連結振盪電路，就可 使各振盪電路的輸出訊號X及Y的相位彼此呈±90°錯開（ X = ±jY之關係）（參照圖7 ( a) ( b))。藉此，從P1〜 P4會輸出彼此相位錯開90°的4相訊號。圖7 ( a )係圖示 了振盪電路A的P1上的輸出訊號波形（Vx+)及P2上的 輸出訊號波形（Vx-)，圖7 ( b )係圖示了振盪電路B的 P3上的輸出訊號波形（Vy+)及P4上的輸出訊號波形（ Vy-)，可知Vx及Vy係恰好爲錯開士90°的相位平移。此 外，該輸出訊號的頻率（振盪器10的振盪頻率）係爲約 3.5GHz 〇 此時，例如，電晶體5 01的基極端子的電壓V1，若 令比例常數爲α，則可表示成Vl = axX + kxYe·*^ ;其集極 電流11 (通過P1的電流），若令負性阻抗電路5 71中的 跨導爲gm，則可表示成Il=gmxVl。同樣地，電晶體51 1 的基極端子的電壓V2，若令比例常數爲α，則可表示成 V2=axY-kxXe^ ;其集極電流12(通過Ρ3的電流），若 令負性阻ί几電路5 6 1中的跨導爲g m，則可表示成12 = g m X V2。此外，比例常數α，係隨著RC連結網路中的RC及/ 或Cc的設定條件而決定。又，振盪器10的振盪頻率fosc ，係可表示如下。 -22- (20) 1290416
fa 1 + gmk faCeq faCeqj 其中，fa (各振盪電路中的負荷時的自由動作頻率）及k ’係可表示如下。 1 ° 2 ttxJLxC叫 ^ r . QX(Cl+C2)+ClXfc+C2) • C，C+ ^ C^q+Q+C,， k = ^ 在振盪器1 0的設計時，可將上記各方程式當成指針 來利用。 各連結電阻器Rc ( 541 · 542 · 543 · 544 )，係控制 著訊號X · Y的相位及其振幅。因此，連結電阻Rc，爲了 能夠調整訊號X · Y的相位，理想是爲可變電壓控制電阻 。此處，Rc若爲非常大，則雙方之振盪電路就接近獨立 狀態。反面，Rc若接近0 (例如Rc是只有寄生阻抗的這 類情況），則各振盪電路的RC連結網路係呈近乎電容性 的連結。 圖8係圖示了，連結電阻Rc，對振盪器i 〇的振動振 幅Vopp及振盪器10的振盪頻率f所帶來的影響。由同圖 可知，令連結電阻Rc的有效範圍，至振幅-連結電阻値之 圖形爲最小値（大約3 00 Q )爲止（〇<Rc<3〇〇[ Q ])則較 佳。 -23- (21) 1290416 如以上，若根據本實施形態，則振盪器A中所屬的各 電晶體，和振盪器B中所屬之各電晶體的連結中，使用了 串聯之電阻及電容。因此，相較於在該連結中使用電晶體 或變壓器的先前構成，可以抑制相位雜音等雜訊的產生。 除此，由於電晶體的數量可以較少，因此也可實現省電力 化或電路面積的縮小化。 又，藉由在任意的連結用電阻Rc中使用可變電阻， % 就可調整連結用電阻的阻抗値，而可控制各輸出訊號的相 位。藉此，振盪訊號的相位精度就可提高。 又，藉由在任意的連結用電容Cc中使用可變電容（ 變容器），就可調整連結用電容的電容値，而可控制各輸 出訊號的相位。藉此，振盪訊號的相位精度就可提高。 又，藉由調整LC共振電路5 60 · 570的可變電容（變 容器）的容量，就可改變LC共振電路5 60 · 570的共振頻 率，可容易地設定所輸出之交流訊號的頻率。 % 又，交叉連接的電晶體501.502及電晶體511.512 的各電晶體對中，射極端子彼此是連接至定電流源1〇。因 此，藉由調整該定電流源1〇的電流値，就可容易地設定 各電晶體對所構成之負性阻抗電路5 6 1 · 5 7 1的跨導値。 藉此，振盪訊號的相位精度就可提高。
I 此外，本振盪器1 〇中，雖然各振盪電路是以雙極電 晶體來構成，但並非侷限於此。例如，亦可採用MOS電 晶體、GaAs-基礎之異質接合雙極電晶體（HBT )、或 GaAs基礎之電解效應電晶體（FET )來構成。 -24- (22) 1290416 上記連結用電阻Rc ( 541〜544 )，亦可爲像是寄生 阻抗那樣値爲極小者即可。此時，各振盪電路間的連結係 近似於電容性之連結。又，亦可將任意之連結用電阻Rc 以可變電阻來構成，或亦可將任意的連結用電容Cc ( 520 〜5 23 )以可變電容來構成。 [實施形態2] 圖2所示係使用了 Μ Ο S電晶體的本振盪器之構成。 如同圖所示，本實施形態所論之振盪器1 〇〇，係具備 成對的振盪電路Α (第1振盪電路）、B (第2振盪電路 .)、4個RC連結網路162〜165，而於P1〜P4上生成相 位彼此錯開90°的4個訊號（4相訊號）。振盪電路A ’係 具備LC共振電路160和負性阻抗電路161。LC共振電路 160，係具備線圈103a· 103b)與變容二極體l〇4a· 104b。 負性阻抗電路161係具備：交叉連接用的2個N通道 MOS 電晶體 101· 102、4 個電容 105· 106 · 107 · 108 ( 回饋用電容）、2個電阻Rb、N通道MOS電晶體180。 線圈l〇3a及103b係呈串聯，其中點係連接著Vcc。 變容二極體l〇4a及104b係被反向串聯，陽極端子彼此連 接，同時它們還連接著Vcontrol (以下稱Vco )。然後， 線圏103a· 103b，和變容二極體104a· 104b係爲並聯。 然後，該變容二極體l〇4a的陰極是被連接至電晶體 1〇1的汲極端子，變容二極體l〇4b的陰極是被連接至電晶 體1 02的汲極端子。藉此，在電晶體1 0 1的汲極端子及電 -25- (23) 1290416 晶體102的汲極端子間，連接著LC共振電路160。 又，電晶體1 0 1的閘極端子，係隔著電容1 06而連接 至電晶體1 02的汲極端子，電晶體1 02的閘極端子，係隔 著電容105而連接至電晶體101的汲極端子。 又，電晶體1 〇 1的閘極端子係隔著電阻Rb而連接至 定電位源Vbiasl (以下稱Vbl )，電晶體102的閘極端子 亦隔著電阻Rb而連接至定電位源Vbl。又，電晶體101 φ 的閘極端子係隔著電容1 07而接地，電晶體1 02的閘極端 子係隔著電容108而接地。 然後，電晶體1 〇 1的源極端子與電晶體1 02的源極端 子係爲連接，同時，這些電晶體1 0 1 · 1 0 2的源極端子係 連接至電晶體1 8 0的源極端子。此外，該電晶體1 8 0的汲 極端子係接地，閘極端子係連接至定電位源Vbias2 (以下 稱 V b 2 )。 振盪電路B，係具備LC共振電路170和負性阻抗電 _ 路171。LC共振電路170，係具備線圈113a · 113b)與變 容二極體114a · 114b。負性阻抗電路171係具備：交叉連 接用的2個N通道MOS電晶體122· 112、4個電容115 • 116· 117· 118(回饋用電容）、2個電阻Rb、N通道 MOS電晶體181。 線圈1 1 3 a及1 1 3 b係呈串聯，其中點係連接著V c c。 變容二極體1 14a及1 14b係被反向串聯，陽極端子彼此連 接，同時它們還連接著Vcontrol (以下稱Vco )。然後， 線圈113a · 113b，和變容二極體114a · 114b係爲並聯。 -26- (24) 1290416 然後，該變容二極體114a的陰極是被連接至電 122的汲極端子，變容二極體1 14b的陰極是被連接至 體1 1 2的汲極端子。藉此，在電晶體1 22的汲極端子 晶體1 1 2的汲極端子間，連接著LC共振電路1 70。 又，電晶體1 22的閘極端子，係隔著電容1 1 6而 至電晶體1 1 2的汲極端子，電晶體1 1 2的閘極端子， 著電容1 1 5而連接至電晶體1 22的汲極端子。 φ 又，電晶體122的閘極端子係隔著電阻Rb而連 定電位源Vbiasl (以下稱Vbl )，電晶體1 12的閘極 亦隔著電阻Rb而連接至定電位源Vb 1。又，電晶體 的閘極端子係隔著電容1 1 7而接地，電晶體1 1 2的閘 子係隔著電容1 1 8而接地。 然後，電晶體1 22的源極端子與電晶體1 1 2的源 子係爲連接，同時，這些電晶體122 · 1 12的源極端 連接至電晶體181的源極端子。此外，該電晶體181 φ 極端子係接地，閘極端子係連接至定電位源Vbias2 ( 稱 Vb2) 〇 此處，本振盪器100中，這些振盪電路A與振盪 B係藉由4個RC連結網路162〜165而連接。 RC連結網路162中，電晶體101的閘極端子與 體112的汲極端子之間，串聯著連結用電容Cc 120和 用電阻Rcl41。亦即，連結用電容Ccl20之一方的電 連接著電晶體101的閘極端子，連結用電容Cc 120的 方之電極與電晶體1 1 2的汲極端子之間，係連接有連 晶體 電晶 及電 連接 係隔 接至 端子 122 極端 極端 子係 的汲 以下 電路 電晶 連結 極係 另一 結用 -27- (25) 1290416 電阻R c 1 4 1。 RC連結網路163中，電晶體102的閘極端子與電晶 體1 2 2的汲極端子之間，串聯著連結用電容C c 1 2 1和連結 用電阻Rc 142。亦即，連結用電容Cel 21之一方的電極係 連接著電晶體102的閘極端子，連結用電容Ccl21的另一 方之電極與電晶體1 22的汲極端子之間，係連接有連結用 電阻Rcl42 。 φ RC連結網路164中，電晶體122的閘極端子與電晶 體1 〇 1的汲極端子之間，串聯著連結用電容Cc 1 22和連結 用電阻Rc 143。亦即，連結用電容Cc 122之一方的電極係 連接著電晶體122的閘極端子，連結用電容Cc 122的另一 方之電極與電晶體1 〇 1的汲極端子之間，係連接有連結用 電阻Rcl43 。 RC連結網路165中，電晶體112的閘極端子與電晶 體102的汲極端子之間，串聯著連結用電容Cc 123和連結 φ 用電阻Rcl44。亦即，連結用電容Ccl23之一方的電極係 連接著電晶體1 12的閘極端子，連結用電容Cc 123的另一 方之電極與電晶體1 02的汲極端子之間，係連接有連結用 電阻Rcl44 。 振盪電路A中，LC共振電路160上若施加了任何電 氣性刺激，則會藉由LC共振電路1 60的共振現象而振盪 出交流訊號，且從輸出端P1 · P2輸出。此時，從輸出端 P1及P2所輸出的訊號係爲逆相（互補）訊號。交流訊號 的頻率係爲LC共振電路160的共振頻率，是可藉由電壓 -28- (26) 1290416 控制之變容二極體l〇4a · 104b來調節。該原理在振盪電 路B上也是同樣如此。 然後，因爲含有交叉連結電晶體101 · 102及回饋用 電容1 0 5 · 1 0 6的負性阻抗電路1 6 1是被連接至L C共振電 路160，所以LC共振電路160上的損失可獲得補償，該 LC共振電路160的振盪可以持續下去。其結果爲，可從 輸出端P1 (電晶體101的汲極端子）· P2 (電晶體102 φ 的汲極端子）持續地取出互爲逆相的交流訊號。振盪電路 B也是同樣地，可從輸出端P3 (電晶體122的汲極端子） • P4 (電晶體1 1 2的汲極端子）持續地取出互爲逆相的交 流訊號。 此處，本振盪器1〇〇中，這些振盪電路A與振盪電路 B係藉由-4個RC連結網路162〜165而連接。如此，藉由 4 個 RC 連結網路（Rcl41 · Ccl20、RC142 · Ccl21、 Rcl43· Ccl22 及 Rcl44· Ccl23)而連結振盪電路 Α· B • ，就可使各振盪電路的輸出訊號X及Υ的相位彼此呈9 0 ° 錯開（X = ±j Υ之關係）。藉此，從Ρ1〜Ρ4會輸出彼此相 位錯開90°的4相訊號。 [實施形態3] 圖3所示係使用了 Μ Ο S電晶體的本振盪器之更加變 形例。 如同圖所示，本實施形態所論之振盪器2 0 0，係具備 成對的振盪電路Α (第1振盪電路）、B (第2振盪電路 -29- (27) 1290416 )、4個RC連結網路262〜265，而於P1〜P4上生成相 位彼此錯開90°的4個訊號（4相訊號）。 振盪電路A，係具備LC共振電路260和負性阻抗電 路261。LC共振電路260，係具備線圈203a· 203b)與變 容二極體204a · 204b。負性阻抗電路261，係具備：交叉 連接用之2個N通道MOS電晶體201 (第6電晶體）· 202 (第7電晶體）、耦合用之2個N通道MOS電晶體 φ 251 (第5電晶體）· 252 (第8電晶體）、2個電阻Rb、 N通道MOS電晶體280。 線圈203 a及203b係呈串聯，其中點係連接著Vcc。 變容二極體204a及204b係被反向串聯，陽極端子彼此連 接，同時它們還連接著Vcontrol (以下稱Vco )。然後， 線圏203a· 203b，和變容二極體204a· 204b係爲並聯。 又，電晶體251的汲極端子與電晶體201的汲極端子 係爲連接，電晶體251的源極端子和電晶體201的源極端 φ 子係爲連接。又，電晶體252的汲極端子與電晶體202的 汲極端子係爲連接，電晶體252的源極端子和電晶體202 的源極端子係爲連接。 然後，該電晶體201 · 251的共通汲極端子是被連接 至變容二極體204a的陰極，該電晶體202· 252的共通汲 極端子是被連接至變容二極體2 0 4b的陰極。藉此，在電 晶體20 1 · 251的共通汲極端子及電晶體202 · 25 2的共通 汲極端子間，連接著L C共振電路2 6 0。 又，電晶體201的閘極端子係連接至電晶體202 · 252 -30- (28) 1290416 的共通汲極端子，電晶體202的閘極端子係連接至電晶體 201 · 251的共通汲極端子。 然後，電晶體251的閘極端子係隔著電阻Rb而連接 至定電位源Vbiasl (以下稱Vbl )，電晶體252的閘極端 子亦隔著電阻Rb而連接至定電位源Vbl。 然後，電晶體201 · 251的共通源極端子與電晶體202 • 252的共通源極端子係爲連接，同時，該連接點和電晶 φ 體280的源極端子係爲連接。此外，該電晶體280的汲極 端子係接地，閘極端子係連接至定電位源Vbias2 (以下稱 Vb2 )。 振盪電路B，係具備LC共振電路270和負性阻抗電 路271。LC共振電路270，係具備線圈213a · 213b )與變 容二極體2 1 4 a · 2 1 4b。負性阻抗電路2 7 1，係具備：交叉 連接用之2個N通道MOS電晶體211 (第2電晶體）· 212(第3電晶體）、耦合用之2個N通道MOS電晶體 φ 291 (第1電晶體）· 292 (第4電晶體）、2個電阻Rb、 N通道MOS電晶體281。 線圈214a及2 14b係呈串聯，其中點係連接著Vcc。 變容二極體214a及214b係被反向串聯，陽極端子彼此連 接，同時它們還連接著Vcontrol (以下稱Vco )。然後， 線圈213a · 213b，和變容二極體214a · 214b係爲並聯。 又，電晶體291的汲極端子與電晶體211的汲極端子 係爲連接，電晶體29 1的源極端子和電晶體2 1 1的源極端 子係爲連接。又，電晶體292的汲極端子與電晶體212的 -31 - (29) 1290416 汲極端子係爲連接，電晶體292的源極端子和電晶體212 的源極端子係爲連接。 然後，該電晶體291 · 211的共通汲極端子是被連接 至變容二極體214a的陰極，該電晶體292 · 212的共通汲 極端子是被連接至變容二極體214b的陰極。藉此，在電 晶體29 1 · 21 1的共通汲極端子及電晶體292 · 212的共通 汲極端子間，連接著LC共振電路270。 φ 又，電晶體21 1的閘極端子係連接至電晶體212 · 292 的共通汲極端子，電晶體2 1 2的閘極端子係連接至電晶體 211 · 291的共通汲極端子。 然後，電晶體29 1的閘極端子係隔著電阻Rb而連接 至定電位源Vbiasl (以下稱Vbl )，電晶體292的閘極端 子亦隔著電阻Rb而連接至定電位源Vb 1。然後，電晶體 211· 291的共通源極端子與電晶體212· 292的共通源極 端子係爲連接，同時，其連接點和電晶體2 8 1的源極端子 φ 係爲連接。此外，該電晶體2 8 1的汲極端子係接地，閘極 端子係連接至定電位源Vbias2 (以下稱Vb2 )。 此處，本振盪器200中，這些振盪電路A與振盪電路 B係藉由4個RC連結網路262〜265而連接。 RC連結網路262中，電晶體251的閘極端子與電晶 體2 1 2 ( 292 )的汲極端子之間，串聯著連結用電容Cc220 和連結用電阻Rc241。亦即，連結用電容Cc220之一方的 電極係連接著電晶體201的閘極端子，連結用電容Cc220 的另一方之電極與電晶體212 (292)的汲極端子之間，係 -32- (30) 1290416 連接有連結用電阻Rc241。RC連結網路263中，電晶體 252的閘極端子與電晶體211 ( 291)的汲極端子之間，串 聯著連結用電容Cc221和連結用電阻Rc242。亦即，連結 用電容Cc221之一方的電極係連接著電晶體251的閘極端 子，連結用電容Cc221的另一方之電極與電晶體21 1 ( 291 )的汲極端子之間，係連接有連結用電阻Rc242。RC 連結網路264中，電晶體291的閘極端子與電晶體201 ( φ 251 )的汲極端子之間，串聯著連結用電容Cc222和連結 用電阻Rc243。亦即，連結用電容Cc222之一方的電極係 連接著電晶體291的閘極端子，連結用電容Cc222的另一 方之電極與電晶體2 0 1 ( 2 5 1 )的汲極端子之間，係連接有 連結用電阻Rc243。RC連結網路265中，電晶體292的 閘極端子與電晶體202 ( 252 )的汲極端子之間，串聯著連 結用電容Cc223和連結用電阻Rc244。亦即，連結用電容 Cc223之一方的電極係連接著電晶體292的閘極端子，連 φ 結用電容Cc223的另一方之電極與電晶體202 (252)的 汲極端子之間，係連接有連結用電阻Rc244。 振盪電路A中，LC共振電路260上若施加了任何電 氣性刺激，則會藉由LC共振電路260的共振現象而振盪 出交流訊號，且從輸出端P1及P2輸出。此時，從輸出端 P 1及P2所輸出的訊號係爲逆相（互補）訊號。交流訊號 的頻率係爲LC共振電路260的共振頻率，是可藉由電壓 控制之變容二極體204a · 204b來調節。該原理在振盪電 路B上也是同樣如此。 -33- (31) 1290416 然後，因爲含有交叉連結之耦合電晶體201 · 251及 202 · 25 2的負性阻抗電路261是被連接至LC共振電路 260，所以LC共振電路260上的損失可獲得補償，該LC 共振電路260的振盪可以持續下去。其結果爲，可從輸出 端Pl(電晶體20 1 . 25 1的共通汲極端子）·Ρ2(電晶體 2 02 · 25 2的共通汲極端子）持續地取出互爲逆相的交流訊 號。振盪電路Β也是同樣地，可從輸出端Ρ3 (電晶體 φ 211.291的共通汲極端子）·Ρ4(電晶體212· 292的共 通汲極端子）持續地取出互爲逆相的交流訊號。 此處，本振盪器200中，這些振盪電路Α與振盪電路 B係藉由4個RC連結網路262〜265而連接。如此，藉由 4 個 RC 連結網路（Rc241 · Cc220、Rc242 · Cc221、 Rc24 3 · Cc222 及 Rc244· Cc223)而連結振盪電路 Α·Β， 就可使各振盪電路的輸出訊號X及Υ的相位彼此呈±90°錯 開（X=±jY之關係）。藉此，從P1〜P4會輸出彼此相位 φ 錯開90°的4相訊號。 本振盪器所致之頻率調整系統，係可適用於資料通訊 裝置，例如進行IEEE8 02.1 IX規格之無線資料通訊的行動 電話用之收發訊器。 如上，若根據本振盪器，則第1振盪電路中所屬的各 電晶體，和第2振盪電路中所屬之各電晶體的連結中，使 用了串聯之電阻及電容。因此，相較於在該連結中使用複 數電晶體或變壓器的先前構成，更可以抑制雜訊的產生。 除此，由於電晶體的數量可以較少，因此也可實現省電力 -34 - (32) 1290416 化或電路面積的縮小化。 又，上記構成中，上記連結用電阻理想係爲可變電阻 。若根據此構成，則藉由調整連結用電阻的阻抗値，就可 控制各輸出訊號的相位。藉此，振盪訊號的相位精度就可 提局。 又，上記構成中，上記連結用電容理想係爲可變電容 。若根據此構成，則藉由調整連結用電容的電容値，就可 φ 控制各輸出訊號的相位。藉此，振盪訊號的相位精度就可 提高。 又，上記構成中，上記共振電路理想係爲，含有可變 電容（例如變容器）的LC共振電路。若藉由該當構成， 則藉由調整可變電容的電容量，就可改變共振電路的共振 頻率’可容易地設定所輸出之交流訊號的頻率。 上記構成中，上記第1及第2電晶體以及第3及第4 電晶體的各電晶體對當中，第1導通端子彼此連接著定電 φ 流 '源者較佳。若依據此構成，則藉由調整該定電流源的電 淀L値’就可容易地設定各電晶體對所構成之負性阻抗電路 的跨導値。藉此，振盪訊號的相位精度就可提高。 上記構成中，各電晶體中亦可採用NPN型的雙極電 晶體°此時，上記第1及第2導通端子係分別爲射極端子 及集極端子，上記控制端子則爲基極端子。 上記構成中，各電晶體中亦可採用N通道MOS電晶 胃°此時’上記第1及第2導通端子係分別爲源極端子及 汲極端子，上記控制端子則爲閘極端子。 -35- (33) 1290416 又，具備本振盪器的通訊裝置，可具備如上記的優點 〇 此外，本實施形態係並非侷限於上述實施形態，在申 請專利範圍內可做各種變更，對於實施形態所揭露的技術 手段做適宜組合所得之實施形態，亦包含在本發明的技術 範圍。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之實施之一形態所論之振盪器之構成的 電路圖。 圖2係本發明之實施之其他形態所論之振盪器之構成 的電路圖。 圖3係本發明之實施之其他形態所論之振盪器之構成 的電路圖。 圖4係使用本振盪器之通訊裝置的一般構成之電路圖 〇 圖5係使用本振盪器之通訊裝置（直接轉換方式）的 構成之電路圖。 圖6係使用本振盪器之通訊裝置（雙重轉換方式）的 構成之電路圖。 圖7 ( a ) · ( b )係本振盪器所振盪出之4相訊號的 圖形。 圖8係本振盪器的振盪頻率及訊號振幅的連結阻抗依 存性的圖形。 -36- (34) 1290416 圖9 ( a ) · ( b )係表示先前之振盪器構成的說明圖。 圖1〇係表示先前之振盪器構成的電路圖。 圖1 1係表示先前之振盪器構成的電路圖。 圖12係表示先前之振盪器構成的電路圖。 圖1 3係表示先前之振盪器構成的電路圖。 圖14( a)〜（d)係表示先前之振盪器構成的電路圖。 圖15係表示先前之振盪器構成的電路圖。 【主要元件符號說明】 50 1 NPN電晶體（第1電晶體） 5 02 NPN電晶體（第2電晶體） 5 0 3 線圏 5 04 變容器 505〜506 電容 511 NPN電晶體（第1電晶體） φ 512 NPN電晶體（第2電晶體） 5 13 線圏 514 變容器 5 1 5〜5 1 6 電容 560〜570 LC共振電路（共振電路） 5 6 1〜5 7 1 負性阻抗電路 Rc541〜5 44 連結用電阻 Cc5 20〜5 2 3 連結用電容 5 62〜5 6 5 RC連結網路 -37- (35) (35)1290416 201 N通道MOS電晶體（第6MOS電晶體） 202 N通道MOS電晶體（第7MOS電晶體） 211 N通道MOS電晶體（第2MOS電晶體） 212 N通道MOS電晶體（第3MOS電晶體） 251 N通道MOS電晶體（第5MOS電晶體） 252 N通道MOS電晶體（第8MOS電晶體） 260〜270 LC共振電路（共振電路） 26 1〜27 1 負性阻抗電路 291 N通道MOS電晶體（第1MOS電晶體） 292 N通道MOS電晶體（第4MOS電晶體） Rc241〜244 連結用電阻
Cc220〜223 連結用電容 262〜265 RC連結網路
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