CN100476925C - 等离子体显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够与显示高精细图像对应的等离子体显示装置，具有：第一和第二基板；在所述第一基板上设置的多个X电极；在所述第一基板上与所述多个X电极并行设置，并在与所述多个X电极之间发生维持放电的多个Y电极；在所述第二基板上与所述X电极和所述Y电极交叉设置，并在与所述多个Y电极之间发生地址放电的多个地址电极；对所述多个Y电极顺次施加用于进行所述地址放电的扫描脉冲的扫描电路，其中所述扫描电路由第一和第二扫描IC(402a、402b)构成，所述第一和第二扫描IC分别安装在电路基板(401)的两面。

Description

等离子体显示装置
技术领域
本发明是涉及等离子体显示装置。
背景技术
等离子体显示装置具有生成用于选择显示的像素的扫描脉冲的扫描IC(集成电路：Integrated Circuit)。随着离子体显示装置的高精细化，开发了HDTV(高精细电视)。在HDTV中，供给扫描脉冲的电极数目增加。与此相伴，扫描IC输出扫描脉冲的端子数也增加。
发明内容
本发明的目的在于提供能够与高精细图像对应的等离子体显示装置。
本发明提供一种等离子体显示装置，具有：第一和第二基板；在上述第一基板上设置的多个X电极；在上述第一基板上与上述多个X电极并行设置，并在与上述多个X电极之间发生维持放电的多个Y电极；在上述第二基板上与上述X电极和上述Y电极交叉设置，并在与上述多个Y电极之间发生地址放电的多个地址电极；对上述多个X电极施加用于进行上述维持放电的电压的X电极驱动电路；对上述多个Y电极施加用于进行上述维持放电的电压的Y电极驱动电路；对上述多个地址电极施加用于进行上述地址放电的电压的地址电极驱动电路；和对上述多个Y电极顺次施加用于进行上述地址放电的扫描脉冲的扫描电路，其中上述扫描电路由第一和第二扫描IC构成，上述第一和第二扫描IC分别安装在电路基板的两面。
在本发明的一种优选方式中，上述第一与第二扫描IC的输出端子之间短路。
在本发明的另一种优选方式中，上述等离子体显示装置还具有防止上述第一与第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流的穿透电流防止电路。
此外，在本发明的另一种优选方式中，在上述第一与第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，上述穿透电流防止电路使上述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态。
在本发明的另一种优选方式中，上述穿透电流防止电路具有第一和第二穿透电流防止电路，在上述第一和第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，上述第一穿透电流防止电路使上述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态，在上述第一和第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，上述第二穿透电流防止电路使上述第二扫描IC的输出端子为高电阻状态。
而且，在本发明的另一种优选方式中，上述第一穿透电流防止电路设置在上述第一扫描IC内，上述第二穿透电流防止电路设置在上述第二扫描IC内。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一和第二扫描IC的端子配置相互线对称。
在本发明的又一种优选方式中，上述电路基板的表面内侧的第一层和背面内侧的第一层是屏蔽层。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一和第二扫描IC具有相同的结构，上述电路基板在表面内侧的第一层和背面内侧的第一层中进行上述第一和第二扫描IC的输出端子的切换(切り返し)连接。
而且，在本发明的另一种优选方式中，上述第一和第二扫描IC具有相同的结构，上述电路基板在表面内侧的第二层和背面内侧的第二层中进行上述第一和第二扫描IC的输出端子的切换连接，上述切换连接的部分被其它所有的层屏蔽。
在本发明的又一种优选方式中，上述第一扫描IC具有用于将高电平与上述输出端子连接的第一电场效应晶体管；和将低电平与上述输出端子连接的第二电场效应晶体管，上述穿透电流防止电路通过断开上述第一和第二电场效应晶体管，使上述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态。
此外，在本发明的另一种优选方式中，在上述第一电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时，上述穿透电流防止电路使上述第一电场效应晶体管断开。
在本发明的另一种优选方式中，上述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
而且，在本发明的另一种优选方式中，在上述第二电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时，上述穿透电流防止电路使上述第二电场效应晶体管断开。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
在本发明的又一种优选方式中，上述穿透电流防止电路，在上述第一电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时使上述第一电场效应晶体管断开，在上述第二电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时使上述第二电场效应晶体管断开。
在本发明的另一种优选方式中，上述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述电路基板具有屏蔽层、接地层和电源层。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述电路基板顺次具有第一屏蔽层、第一接地层、第一电源层、第二电源层、第二接地层和第二屏蔽层。
另外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一扫描IC的第一半导体芯片通过接合线与端子连接，上述第二扫描IC的第二半导体芯片通过接合线与端子连接，上述第一和第二半导体芯片具有相同的结构，表、背面相互相反地与上述端子连接。
通过将第一和第二扫描IC分别安装在电路基板的两面，能够增加扫描脉冲的输出端子数。由此，能够实现具有多个Y电极的高精细等离子体显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体显示装置的结构例的示意图。
图2是表示第一实施方式的等离子体显示面板的结构例的分解斜视图。
图3(A)是表示单面安装结构的刚性基板和扫描IC的结构例的侧面图，图3(B)是其立体图。
图4(A)是表示第一实施方式的两面安装结构的刚性基板和扫描IC的结构例的侧面图，图4(B)是其立体图。
图5是表示第一和第二扫描IC的结构例的电路图。
图6是表示第一扫描IC的输出端子电压V1和第二扫描IC的输出端子电压V2的波形例的示意图。
图7是表示第一实施方式中具有穿透电流防止电路的第一和第二扫描IC的结构例的电路图。
图8是表示第一和第二扫描IC的插头(端子)的配置的立体图。
图9是表示刚性基板的结构例的截面图。
图10是本发明第二实施方式的刚性基板的结构例的截面图。
图11是表示第二实施方式的刚性基板的第一到第四层的立体图。
图12是表示第二实施方式的刚性基板的第五到第八层的立体图。
图13是表示本发明第三实施方式的刚性基板的第一到第四层的立体图。
图14是表示第三实施方式的刚性基板的第五到第八层的立体图。
图15是表示图8的第一和第二扫描IC的结构例的截面图。
图16是表示第一实施方式的一帧图像的构成例的示意图。
符号说明
1前面玻璃基板
2背面玻璃基板
3等离子体显示面板
4X电极驱动电路
5Y电极驱动电路
6地址电极驱动电路
7驱动控制电路
8扫描电路
9隔壁(肋)
11总线电极
12透明电极
13、16介电体层
14保护层
15地址电极
18～20荧光体
21信号处理电路
401刚性基板
402a第一扫描IC
402b第二扫描IC
403a、403b输出端子
404输出线
具体实施方式
(第一实施方式)
图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体显示装置的结构例的示意图。信号处理电路21处理从输入端子IN输入的信号，输出至驱动控制电路7。驱动控制电路7控制X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5、扫描电路8和地址电极驱动电路6。X电极驱动电路4将规定的电压供给到多个X电极X1、X2、……。以下将各个X电极X1、X2、……或其总称称为X电极Xi，i表示附加字。Y电极驱动电路5通过扫描电路8将规定电压供给到多个Y电极Y1、Y2、……。以下将各个Y电极Y1、Y2、……或其总称称为Y电极Yi，i表示附加字。地址电极驱动电路6将规定电压供给到多个地址电极A1、A2、……。以下，将各个地址电极A1、A2、……或其总称称为地址电极Aj，j表示附加字。
在等离子体显示面板3中，X电极Xi和Y电极Yi形成为与水平方向并行延伸的行，地址电极Aj形成为与X电极Xi和Y电极Yi交叉的垂直方向上延伸的列。Y电极Yi和X电极Xi在垂直方向交互地配置。Y电极Yi和地址电极Aj形成i行j列的二维矩阵。显示单元Cij由Y电极Yi和地址电极Aj的交点和与它对应并相邻的X电极Xi形成。该显示单元Cij与像素对应，等离子体显示面板3可以显示二维图像，在全标准HDTV中具有1920(水平方向)×1080(垂直方向)个像素。
图2为表示本实施方式的等离子体显示面板3的结构例的分解透视图。总线电极11在透明电极12上形成。电极11和12的组成与图1的X电极Xi或Y电极Yi对应。X电极Xi和Y电极Yi在前面玻璃基板1上交互形成。在其上覆盖有与放电空间绝缘的介电体层13。另外，在其上面覆盖有MgO(氧化镁)保护层14。另一方面，地址电极15与图1的地址电极Aj对应，形成在与前面玻璃基板1相对配置的背面玻璃基板2上。在其上覆盖有介电体层16。再在其上覆盖有红色荧光体层18、绿色荧光层19和蓝色荧光体层20。在隔壁(肋)9的内面上，以带状对各种色中的每一个色配置涂布红、青、绿色荧光层18～20。利用X电极Xi和Y电极Yi之间的放电，激励荧光体层18～20，发出各色光。在前面玻璃基板1和背面玻璃基板2之间的放电空间中封入有Ne+Xe的阴极(Penning)气体等放电气体。
图16是表示本实施方式的一帧图像fk的构成例的示意图。图像由多帧fk-1、fk、fk+1构成。一帧fk例如由第一子帧sf11、第二子帧sf2、……、第八子帧sf8形成。以下将各个子帧sf11、sf12或其总称称为子帧sf。各子帧sf具有相当于灰度二进制位数的权重。
各个子帧sf由复位期间TR、地址期间TA和维持(sustain)放电期间TS构成。在复位期间TR中进行显示单元Cij的初始化。在Y电极Yi上施加正的钝波(具有正的倾斜的波形)Pr1和负的钝波(具有负的倾斜的波形)Pr2。
在地址期间TA中，利用地址电极Aj与Y电极Yi之间的放电可以选择各个显示单元Cij的发光或不发光。具体而言，通过依次将扫描脉冲Py施加在Y电极Y1、Y2、Y3、Y4、……等之上，与该扫描脉冲Py对应，将地址脉冲Pa施加在地址电极Aj上，可以选择期望的显示元件Cij的发光或不发光。
在维持期间TS中，在选择的显示单元Cij的X电极Xi与Y电极Yi之间进行维持放电，进行发光。在各个子帧sf中，由X电极Xi与Y电极Yi之间的维持放电脉冲Ps产生的发光次数(维持期间TS的长度)不同。这样，可以决定灰度值。维持放电脉冲Ps为0V和电压Vs的脉冲。
图1的扫描电路8在地址期间TA中对多个Y电极Yi顺次施加用于地址放电的扫描脉冲Py。地址电极驱动电路6在地址期间TA中对多个地址电极Aj施加用于地址放电的地址脉冲Pa。X电极驱动电路4在维持期间TS中对多个X电极Xi施加用于维持放电的维持放电脉冲Ps。Y电极驱动电路5在复位期间TR中对多个Y电极Yi施加复位电压Pr1、Pr2，在维持期间TS中对多个Y电极Yi施加用于维持放电的维持放电脉冲Ps。
图3(A)是表示单面安装结构的刚性(硬质)基板301和扫描IC302的结构例的侧面图，图3(B)是其立体图。在刚性基板(电路基板)301的单面上安装有扫描IC302。扫描IC302与图1的扫描电路8对应。扫描IC302具有用于输出多个扫描脉冲的多个输出端子303。各输出线304连接于邻接的两个输出端子303。多条输出线304分别与图1的多个Y电极Yi连接。
在驱动55英寸等大型等离子体显示面板3时，由于扫描IC302的驱动能力的问题，对于一个Y电极Yi，必须由扫描IC302的两个输出端子303驱动。这两个输出端子303输出相同的扫描脉冲。扫描IC302安装在刚性基板301的单面上。但是，随着等离子体显示装置的高精细化的进展，由于Y电极Yi的数目的增加，必须增加扫描IC302的输出端子数。因此，在本实施方式中，将扫描IC安装在刚性基板的两面。
图4(A)是表示本实施方式的两面安装结构的刚性基板401和扫描IC402a、402b的结构例的侧面图，图4(B)是其立体图。在刚性基板401的两面上，分别安装有扫描IC402a和扫描IC402b。第一扫描IC402a安装在刚性基板401的表面，第二扫描IC402b安装在刚性基板401的背面。扫描IC402a和扫描IC402b与图1的扫描电路8对应。扫描IC402a具有用于输出多个扫描脉冲的多个输出端子403a。扫描IC402b具有用于输出多个扫描脉冲的多个输出端子403b。对应的一个输出端子403a与一个输出端子403b成为一组，进行短路连接。各输出线404通过刚性基板401与扫描IC402a的一个输出端子403a和扫描IC402b的一个输出端子403b连接。连接的两个输出端子403a和403b输出相同的扫描脉冲。由此，如上所述，扫描IC402a和402b能够增大Y电极Yi的驱动能力。多条输出线404分别与图1的多个Y电极Yi连接。
通过使用两个扫描IC402a和402b，能够增加扫描脉冲的输出端子403a、403b。由此，能够实现具有多个Y电极Yi的高精细等离子体显示装置。HDTV具有1920(水平方向)×1080(垂直方向)个像素。而且，通过将两个扫描IC402a和402b安装在刚性基板401的两面，就能够使用与图3(A)和(B)的刚性基板301同样大小的刚性基板401，能够防止刚性基板401的面积的增大。
图5是表示扫描IC402a和402b的结构例的电路图。以下将MOS电场效应晶体管简称为晶体管。扫描IC402a具有N沟道晶体管501a、502a和输出端子403a。扫描IC402b具有N沟道晶体管501b、502b和输出端子403b。
晶体管501a的漏极连接高电平，源极连接输出端子403a。晶体管502a的漏极连接输出端子403a，源极连接低电平。晶体管501b的漏极连接高电平，源极连接输出端子403b。晶体管502b的漏极连接输出端子403b，源极连接低电平。输出线404连接输出端子403a和403b。
图6是表示扫描IC402a的输出端子403a的电压V1和扫描IC402b的输出端子403b的电压V2的波形例的示意图。电压V1和V2具有负的扫描脉冲。电压V1和V2的扫描脉冲的定时在论理上应该相同。但是，由于扫描IC402a与扫描IC402b之间的偏差，和/或扫描IC402a与扫描IC402b的温度差异，会产生扫描脉冲的传播延迟时间的不同。由于该理由，可能会产生电压V1与V2的扫描脉冲的定时的偏差。其中，在使用图3(A)和(B)的一个扫描IC302的情况下，不容易产生扫描脉冲的定时的偏差。
以电压V2的扫描脉冲比电压V1的扫描脉冲迟缓的情况为例进行说明。在时刻t1之前，由于晶体管501a为ON(接通)，晶体管502a为OFF(切断)，所以电压V1为高电平。而且，由于晶体管501b为ON，晶体管502b为OFF，所以电压V2为高电平。接着，在时刻t1，由于晶体管501a为OFF，晶体管502a为ON，所以电压V1为低电平。接着，在时刻t2，由于晶体管501b为OFF，晶体管502b为ON，所以电压V2为低电平。接着，在时刻t3，由于晶体管502a为OFF，晶体管501a为ON，所以电压V1为高电平。接着，在时刻t4，由于502b为OFF，晶体管501b为ON，所以电压V2为高电平。
穿透期间T1是时刻t1～t2的期间。在穿透期间T1中，由于电压V1为低电平，电压V2为高电平，所以有大的穿透电流I1流过晶体管501b和502a。而且，穿透期间T2是时刻t3～t4的期间。在穿透期间T2中，由于电压V1为高电平，电压V2为低电平，所以有大的穿透电流I2流过晶体管501a和502b。当穿透电流流过时，有晶体管被破坏，消耗无用的电力等问题。本实施方式具有用于防止扫描IC402a的输出端子403a和IC402b的输出端子403b之间流过穿透电流的穿透电流防止电路。
图7是表示本实施方式的具有穿透电流防止电路711a、711b、712a、712b的扫描IC402a和402b的结构例的电路图。晶体管501a、502a、501b、502b、输出端子403a、403b和输出线404都与图5的说明相同。
首先，对扫描IC402a内的穿透电流防止电路711a进行说明。差分检测器701a的非反转输入端子连接晶体管501a的漏极，反转输入端子连接晶体管501a的源极，输出晶体管501a的漏极与源极之间的电压。晶体管501a的漏极与源极之间的电压，在其漏极与源极之间有穿透电流I2流过时高，在没有穿透电流I2流过时低。比较仪702a在差分检测器701a的输出电压为规定电压Vth以上时输出高电平，在不到规定电压Vth时输出低电平。规定电压Vth例如为晶体管的阈值电压。N沟道晶体管703a的门极连接比较仪702a的输出端子，源极连接晶体管501a的源极，漏极连接晶体管501a的门极。
在期间T2中流过穿透电流I2时，晶体管501a的源极与漏极之间的电压为规定电压Vth以上，比较仪702a输出高电平。这样，使沟道晶体管703a为ON，晶体管501a为OFF。其结果是，通过晶体管501a、502a为OFF，使扫描IC402a的输出端子403a为高电阻状态(开路状态)，穿透电流I2不能流过。
反之，在时刻t4以后，由于不流过穿透电流I2，所以晶体管501a的源极与漏极之间的电压不到规定电压Vth，比较仪702a输出低电平。这样，能够维持晶体管703a为OFF，晶体管501a为ON。就是说，意味着穿透电流防止电路的功能为OFF。
接着，对扫描IC402b内的穿透电流防止电路712b进行说明。差分检测器701b的非反转输入端子连接晶体管502b的漏极，反转输入端子连接晶体管502b的源极，输出晶体管502b的源极与漏极之间的电压。晶体管502b的漏极与源极之间的电压，在其漏极与源极之间有穿透电流I2流过时高，在没有穿透电流I2流过时低。比较仪702b在差分检测器701b的输出电压为规定电压Vth以上时输出高电平，在不到规定电压Vth时输出低电平。规定电压Vth例如为晶体管的阈值电压。N沟道晶体管703b的门极连接比较仪702b的输出端子，源极连接晶体管502b的源极，漏极连接晶体管502b的门极。
在期间T2中流过穿透电流I2时，晶体管502b的源极与漏极之间的电压为规定电压Vth以上，比较仪702b输出高电平。这样，使沟道晶体管703b为ON，晶体管502b为OFF。其结果是，通过晶体管501b、502b为OFF，使扫描IC402b的输出端子403b为高电阻状态(开路状态)，穿透电流I2不能流过。
反之，在时刻t4以后，由于不流过穿透电流I2，所以晶体管502b的源极与漏极之间的电压不到规定电压Vth，比较仪702b输出低电平。这样，能够维持晶体管703b为OFF，晶体管502b为ON。就是说，意味着穿透电流防止电路的功能为OFF。
上述穿透防止电路711a和穿透防止电路712b并非一定是双方都要设置，即使是仅设置单方，也能够防止穿透电流I2。
而且，穿透电流防止电路712a设置在扫描IC402a内，与晶体管502a连接。穿透电流防止电路712a与穿透电流防止电路711b具有同样的结构，能够防止穿透电流I1。
而且，穿透电流防止电路711b设置在扫描IC402b内，与晶体管501b连接。穿透电流防止电路711b与穿透电流防止电路711a具有同样的结构，能够防止穿透电流I1。
上述穿透防止电路712a和穿透防止电路711b并非一定是双方都要设置，即使是仅设置单方，也能够防止穿透电流I1。
图8是表示扫描IC402a和扫描IC402b的插头(端子)的配置的立体图。扫描IC402a和IC402b的插头配置是相互线对称。由此，如图4(B)所示，在通过刚性基板401将扫描IC402a和402b连接的情况下，由于相互之间插头配置相同，所以容易连接。
图15是表示图8的扫描IC402a和IC402b的结构例的截面图。在扫描IC402a中，半导体芯片1501a通过接合线1502a连接于插头(端子)1503a。在扫描IC402b中，半导体芯片1501b通过接合线1502b连接于插头(端子)1503b。半导体芯片1501a与1501b具有相同的结构，表、背面相互相反地连接于端子1503a与1503b。这样，如图8所示，扫描IC402a和402b的插头配置为相互线对称。
图9是表示刚性基板401的结构例的截面图。刚性基板401具有八层L1～L8。第一层L1是部件层。第二层L2是屏蔽层。第三层L3是接地面(层)。第四层L4是电源层。第五层L5是电源层。第六层L6是接地面(层)。第七层L7是屏蔽层。第八层L8是焊接面。第一层L1是刚性基板401的表面，第八层L8是刚性基板401的背面。第二层L2是表面L1内侧的第一层。第三层L3是表面L1内侧的第二层。第四层L4是表面L1内侧的第三层。第七层L7是背面L8内侧的第一层。第六层L6是背面L8内侧的第二层。第五层L5是背面L8内侧的第三层。扫描IC402a安装在第一层L1上，扫描IC402b安装在第八层L8上。扫描IC402a的输出端子403a和扫描IC402b的403b通过刚性基板401的连接孔部901而相互短路，连接于输出线404。
以上，根据本实施方式，通过将扫描IC402a和402b安装在刚性基板401的两面，能够增加扫描脉冲的输出端子403a、403b的数目。由此，能够实现具有多个Y电极Yi的高精细等离子体显示装置。
(第二实施方式)
图10是本发明第二实施方式中刚性基板401的结构例的截面图，图11是刚性基板401的第一层L1～第四层L4的立体图，图12是表示刚性基板401的第五层L5～第八层L8的立体图。如图8所示，在第一实施方式中，是对扫描IC402a和402b的插头配置为线对称的情况进行的说明。以下说明本实施方式与第一实施方式的不同点。在本实施方式中，表示的是扫描IC402a和402b具有同样结构的情况下的刚性基板401的结构例。就是说，扫描IC402a和402b的插头配置相同。就是说，扫描IC402a和402b安装在刚性基板401的两面时，扫描IC402a和402b的端子配置相反。所以，在将扫描IC402a和402b各自对应的输出端子403a、403b通过刚性基板401而连接时，必须有连接的切换部1001。切换部1001设置在第三层(接地层)L3和第六层(接地层)L6上。为了屏蔽该切换部1001，在与该切换部1001对应的第四层(电源层)L4和第五层(电源层)L5的部分上设置屏蔽1002。屏蔽1002是接地层。由此，与切换部1001对应部分的其它全部的层L2、L4、L5、L7全部被接地层屏蔽，所以能够防止噪音。
(第三实施方式)
图13是表示本发明第三实施方式的刚性基板401的第一层L1～第四层L4的立体图，图14是表示第三实施方式中刚性基板401的第五层L5～第八层L8的立体图。对本实施方式与第二实施方式的不同点进行说明。切换部1001设置在第二层(屏蔽层)L2和第七层(屏蔽层)L7上。为了屏蔽该切换部1001，在与该切换部1001对应的第四层(电源层)L4和第五层(电源层)L5的部分上设置屏蔽1002。屏蔽1002是地面。由此，与切换部1001对应部分的其它全部的层L3、L4、L5、L6全部被地面屏蔽，所以能够防止噪音。
以上，根据第一～第三实施方式，具有将扫描IC402a和402b安装在刚性基板401的两面，使扫描IC402a和402b的输出端子403a、403b短路连接，用于防止扫描IC402a与402b之间的穿透电流的穿透电流防止电路。穿透电流防止电路通过检测出扫描IC402a与402b之间的穿透电流，使扫描IC402a或402b的输出晶体管为OFF，能够防止穿透电流。穿透电流的检测方法，例如能够通过检测扫描IC402a或402b的输出晶体管的源极与漏极之间的电压和穿透电流而进行。
由此，将扫描IC402a和402b安装在刚性基板401的两面，即使输出端子403a、403b短路，也能够防止扫描IC402a与402b之间的穿透电流。而且，通过将输出端子403a、403b短路，在尺寸不同的等离子体显示装置中选择是在刚性基板401的两面安装(图4(A)和(B))，还是单面安装(图3(A)和(B))，能够与等离子体显示装置的大小对应，使刚性基板401通用化。
其中，上述实施方式仅是为了实施本发明的具体化的例子，并不能由此对本发明的技术范围进行限定性的解释。就是说，本发明在不脱离其技术思想、或其主要特征的前提下，能够以各种方式进行实施。

Claims (18)

1.一种等离子体显示装置，具有：
第一和第二基板；
在所述第一基板上设置的多个X电极；
在所述第一基板上与所述多个X电极并行设置，并在与所述多个X电极之间发生维持放电的多个Y电极；
在所述第二基板上与所述X电极和所述Y电极交叉设置，并在与所述多个Y电极之间发生地址放电的多个地址电极；
对所述多个X电极施加用于进行所述维持放电的电压的X电极驱动电路；
对所述多个Y电极施加用于进行所述维持放电的电压的Y电极驱动电路；
对所述多个地址电极施加用于进行所述地址放电的电压的地址电极驱动电路；和
对所述多个Y电极顺次施加用于进行所述地址放电的扫描脉冲的扫描电路，其特征在于，
所述扫描电路由第一和第二扫描IC构成，所述第一与第二扫描IC的输出端子被短路，并分别安装在电路基板的两面，
而且，所述第一和第二扫描IC的至少一个设置有防止所述第一与第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流的穿透电流防止电路。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
在所述第一与第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，所述穿透电流防止电路使所述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述穿透电流防止电路具有第一和第二穿透电流防止电路，
在所述第一和第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，所述第一穿透电流防止电路使所述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态，
在所述第一和第二扫描IC的输出端子之间流过穿透电流时，所述第二穿透电流防止电路使所述第二扫描IC的输出端子为高电阻状态。
4.根据权利要求3所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一穿透电流防止电路设置在所述第一扫描IC内，所述第二穿透电流防止电路设置在所述第二扫描IC内。
5.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一和第二扫描IC的端子配置相互线对称。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述电路基板的表面内侧的第一层和背面内侧的第一层是屏蔽层。
7.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一和第二扫描IC具有相同的结构，
所述电路基板在表面内侧的第一层和背面内侧的第一层中进行所述第一和第二扫描IC的输出端子的切换连接。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一和第二扫描IC具有相同的结构，
所述电路基板在表面内侧的第二层和背面内侧的第二层中进行所述第一和第二扫描IC的输出端子的切换连接，所述切换连接的部分被其它所有的层屏蔽。
9.根据权利要求2所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一扫描IC具有用于将高电平与所述输出端子连接的第一电场效应晶体管；和将低电平与所述输出端子连接的第二电场效应晶体管，
所述穿透电流防止电路通过断开所述第一和第二电场效应晶体管，使所述第一扫描IC的输出端子为高电阻状态。
10.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，其特征在于：
在所述第一电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时，所述穿透电流防止电路使所述第一电场效应晶体管断开。
11.根据权利要求10所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
12.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，其特征在于：
在所述第二电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时，所述穿透电流防止电路使所述第二电场效应晶体管断开。
13.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
14.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述穿透电流防止电路，在所述第一电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时使所述第一电场效应晶体管断开，在所述第二电场效应晶体管的源极与漏极之间的电压为规定值以上时使所述第二电场效应晶体管断开。
15.根据权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述规定值是电场效应晶体管的阈值电压。
16.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述电路基板具有屏蔽层、接地层和电源层。
17.根据权利要求16所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述电路基板顺次具有第一屏蔽层、第一接地层、第一电源层、第二电源层、第二接地层和第二屏蔽层。
18.根据权利要求5所述的等离子体显示装置，其特征在于：
所述第一扫描IC的第一半导体芯片通过接合线与端子连接，所述第二扫描IC的第二半导体芯片通过接合线与端子连接，
所述第一和第二半导体芯片具有相同的结构，表、背面相互相反地与所述端子连接。
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