CN100456635C - 电子器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括：由绝缘体制成的封装基板；器件芯片，倒装安装在封装基板上；以及密封该器件芯片的密封部分。该密封部分包括由焊料制成的侧壁。包括侧壁的整个密封部分由焊料制成。该电子器件可以包括在密封部分上提供的金属层。

Description

电子器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种电子器件以及制造该电子器件的方法，更具体地，涉及一种以倒装安装法将器件芯片(device chip)封装到封装基板上的技术。

背景技术

常规地，使用引线结合法(wiring bonding)在电子器件的芯片和封装之间进行机械连接和电连接。在引线结合法中，通过粘合剂将器件芯片机械连接到封装，并通过金属线与之电连接。近来，主流连接方法是倒装结合法，在倒装结合法中，用凸点连接芯片和封装。

图12示出了在日本特开2001-53577号公报(此后简称为文献1)或日本特开2001-110946号公报(文献2)中描述的常规技术。图12示出了通过倒装结合法制造的电子器件的典型结构。该电子器件具有这样的基本结构：通过使用金属线在器件芯片1上设置凸点2，并通过倒装结合器(bonder)将带有凸点2的器件芯片1安装在设置于陶瓷封装基板3的主表面上的布线图案4上。凸点2与布线图案4相结合。这种结合形成了器件芯片1与封装基板3之间的机械连接和电连接。随后，在制造电子器件的最后步骤中，使用金属盖10气密密封该器件芯片1。密封焊料层5和封装侧密封图案6插入在封装基板3与盖10之间。该器件具有中空部分8和电极图案9。

图13示出了在国际公开WO97/02596(文献3)中描述的另一常规技术。以与用于图12所示的器件的方式相同的方式，将器件芯片1和封装基板3机械连接和电连接在一起。随后，使用密封树脂11进行密封并形成外形，从而完成了该电子器件的制造。

图14也示出了在日本特开2004-129193号公报(文献4)中描述的又一常规技术。以与用于图12所示的器件的方式相同的方式，将器件芯片1和封装基板3机械连接和电连接在一起。在该工艺期间，预先在封装基板3的主表面上形成密封焊料5，并同时进行密封。随后，使用密封树脂11形成电子器件的外形，从而完成了该电子器件的制造。

以上提及的常规技术使用倒装结合法来连接器件芯片和封装基板，这些技术具有这样的可能性：异物可能与形成在芯片表面上的电极图案9接触，或者水分可能进入触点，使得该器件不工作。具体地，以上问题对于使用弹性波的滤声器而言是严重的，例如表面声波(SAW)器件和薄膜腔声谐振器(FBAR)。因而，气密密封中空区以防止电极图案9与外界空气接触是很重要的。

然而，常规技术分别具有下述的缺点。图12所示的器件采用金属盖10和密封焊料5以实现高度的气密密封和坚固的外形。然而，封装基板需要侧壁，这阻止了器件尺寸的减小、高度的减少以及成本的降低。

图13所示的器件采用密封树脂11，这有助于减小尺寸、降低高度。然而，该器件不具有良好的气密密封，并且可靠性相对较低。此外，由于不是整个芯片都被金属屏蔽，所以该器件可能容易受外部波的影响。具体地，较差的屏蔽会使高频(RF)成分的性能劣化。

图14所示的器件可以克服图12和图13所示的常规器件的缺点，其特征在于芯片被密封焊料层5密封，并随后用树脂11密封。然而，该器件使用两种不同的材料来密封和形成外形，因而具有成本方面的问题。其还需要在封装基板上预先形成密封焊料层。这可能会产生外形有误差的器件，并限制了热处理的时间。通过在板状多产品基板上倒装安装芯片，并同时进行焊接可以提高成批生产率。在该工艺中，整个板状基板不可避免地被加热到300℃或更高温度几分钟。这种热处理使得金属层被安装在器件芯片和封装基板上，并且该金属层易于熔化在焊料中，从而降低了可靠性。

发明内容

考虑上述情况作出了本发明，本发明提供了一种紧凑、较薄、成本低廉并且可靠的电子器件及其制造方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种电子器件，包括：由绝缘体制成的封装基板；器件芯片，该器件芯片通过凸点倒装安装在所述封装基板上；以及密封所述器件芯片的密封部分，所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：通过凸点将器件芯片倒装安装在封装基板上；以及向所述封装基板和器件芯片中的至少之一提供焊料，并且加热焊料使之熔化，从而在所述封装基板上形成由焊料制成的密封部分，所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

根据本发明的又一方面，提供了一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：通过凸点将器件芯片倒装安装在封装基板上；以及向所述封装基板和器件芯片中的至少之一提供焊料，并加热焊料使之熔化，从而在所述封装基板上形成由焊料制成的密封部分，以覆盖所述器件芯片，所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

附图说明

当结合附图阅读以下的详细说明时，本发明的其他目的、特征和优点将变得更显而易见。在附图中：

图1是根据本发明第一实施例的电子器件的截面图；

图2是根据本发明第二实施例的电子器件的截面图；

图3是根据本发明第三实施例的电子器件的截面图；

图4是根据本发明第四实施例的电子器件的截面图；

图5A到图5C示出了根据本发明第五实施例的电子器件的制造方法；

图6A到图6C示出了根据本发明第六实施例的电子器件的制造方法；

图7A到图7C示出了根据本发明第七实施例的电子器件的制造方法；

图8A到图8C示出了根据本发明第八实施例的电子器件的制造方法；

图9A到图9C示出了根据本发明第九实施例的电子器件的制造方法；

图10A到图10C示出了根据本发明第十实施例的电子器件的制造方法；

图11A到图11C示出了根据本发明第十一实施例的电子器件的制造方法；

图12是常规电子器件的截面图；

图13是另一常规电子器件的截面图；

图14是又一常规电子器件的截面图；

图15是根据本发明第十二实施例的电子器件的截面图，该电子器件是根据第一实施例的电子器件的变型；

图16是根据本发明第十二实施例的另一电子器件的截面图，该电子器件是根据第二实施例的电子器件的变型；

图17是根据本发明第十二实施例的又一电子器件的截面图，该电子器件是根据第三实施例的电子器件的变型；

图18是根据本发明第十二实施例的再一电子器件的截面图，该电子器件是根据第四实施例的电子器件的变型；

图19A到图19D示出了图17所示的电子器件的制造方法；

图20是根据本发明第十三实施例的电子器件的截面图；

图21是根据本发明第十三实施例的电子器件的变型的截面图；

图22A到图22C示出了图21所示的电子器件的制造工艺。

具体实施方式

现在参照附图描述本发明的优选实施例。

(第一实施例)

图1是根据本发明第一实施例的电子器件的截面图。该器件具有器件芯片21和封装基板23，它们通过由金或包含金铜的合金制成的凸点22电连接和机械连接。该器件芯片21具有所需的电特性。该封装基板23由诸如树脂或陶瓷的绝缘体制成。布线图案24形成在封装23的上表面上。该器件芯片21以面向下的状态通过凸点22倒装安装在该布线图案24上。该器件芯片具有电极图案29，其可以是表面声波器件的叉指换能器(梳状电极)。器件芯片21具有未示出的焊盘，凸点22设置在该焊盘上。利用由焊料制成的密封部分25密封器件芯片21和封装基板23。该焊料密封部分25覆盖整个芯片，并限定了该电子器件的外形。该焊料密封部分25与封装基板23一起形成了电子器件的封装。该焊料密封部分25形成了侧部25A和上部25B。该封装的侧面和上表面由焊料密封部分25的焊料形成。该焊料密封部分25在封装内形成了腔(中空部分)28。该器件芯片21被气密密封在腔28中。器件芯片21的外围部分和封装基板23的外围部分分别设置有芯片侧密封图案27和封装侧密封图案26，这些图案由金属制成，并且被设置在相应位置。芯片侧密封图案27与封装侧密封图案26的一部分交叠。在该制造工艺中，密封图案26和27用作便于焊料流动以形成焊料密封部分25的区域。因此，焊料密封部分25的端部结合到封装侧密封图案26和芯片侧密封图案27，并向腔28稍稍突起。该封装侧密封图案26和芯片侧密封图案27由对焊料具有良好浸润性能的金属制成。该密封图案26和27可以是单层金属，或可以由不同金属制成的多层组成。例如，图案26和27可以具有由镍层和金层组成的双层结构。

如上所述，本发明的第一实施例用与封装基板23相连接的焊料密封部分25密封整个器件芯片21。如此配置的电子器件具有高的气密性、良好的电屏蔽性、可靠的结合、坚固的外形，并减少了高度。如后所述，本电子器件可以通过简单的工艺制造，因此比较便宜。

该焊料密封部分25可以由锡-银焊料制成。其他任意的焊料可以用作焊料密封部分25。

(第二实施例)

图2是根据本发明第二实施例的电子器件的截面图，在该图中，与图1所示相同的部件被给予了与前述部件相同的附图标记。与图1所示的焊料密封部分25一样，此焊料密封部分25密封整个器件芯片21。图2所示的结构不具有图1所示的芯片侧密封图案27，并具有这样的形状：器件芯片21的外尺寸基本等于封装侧密封图案26的内尺寸。这防止了液化的密封焊料25沿器件芯片21的后侧流动，并形成了图2所示的具有密封中空区域的形状。在第二实施例中，整个器件芯片21被与封装基板23结合的焊料密封部分25密封。如此构成的电子器件具有高的气密性、良好的电屏蔽性、可靠的结合、牢固的外形，并减少了高度。

(第三实施例)

图3是根据本发明第三实施例的电子器件的截面图，在该图中，与图1所示相同的部件被给予了与前述部件相同的附图标记。第三实施例的电子器件具有这样的结构：在沿器件芯片21的外围部分设置的焊料密封部分25上设置了金属层32。即，焊料密封部分25和金属层32的组合限定了封装基板23上的密封部分。金属层32可以由柯伐合金(covaralloy)制成。金属层32用于保护整个电子器件并且用作用于焊料的辅助结构部件。柯伐合金具有接近于陶瓷的热膨胀系数，因此用于消减诸如SAW芯片的压电基板与封装基板23的陶瓷之间的热膨胀系数的差异。因此，可以防止将相当的应力施加到已完成的电子器件的SAW芯片，并极大地改善了可靠性和电性能。当然，第三实施例具有与第一实施例相同的优点。

(第四实施例)

图4是根据本发明第四实施例的电子器件的截面图，在该图中，与图1所示相同的部件被给予了与前述部件相同的附图标记。第四实施例的电子器件具有这样的结构：在设置于器件芯片21的外围部分上的焊料密封部分25上设置树脂层33。焊料密封部分25和树脂层33的组合在封装基板23上限定了密封区。该树脂层33可以是板状聚酰胺层(在其两侧上具有铜线)。该用于树脂层33的薄膜可以替换成玻璃环氧树脂薄膜层。

(第五实施例)

图5A到图5C示出了根据本发明第五实施例的电子器件的制造工艺。更具体地，第五实施例是制造具有第一或第二实施例的结构的电子器件的方法。参照图5A，多个器件芯片21成行成列地安装在多封装基板140上，并倒装结合到该多封装基板140。接着，将镍-银焊料板150设置在器件芯片21上。随后，从焊料板150的上侧对焊料板150进行加热和加压。该工艺可以在熔化焊料所需的温度和形成封装外形所需的压力下进行。插入到器件芯片21之间的焊料部分将封装侧密封图案26和未示出的芯片侧密封图案27(用于第一实施例)结合在一起。这种结合可以在氮气环境中在大约270℃的温度下进行。这产生了这样的封装基板140，在其上，器件芯片21的侧面和上表面覆盖着焊料，如图5B所示。最后，由切块机(dicer)等将封装基板140切割成分开的块，从而可以得到多个电子器件。

(第六实施例)

图6A到图6C示出了根据本发明第六实施例的电子器件的制造工艺。该工艺制造第一或第二实施例的电子器件。本工艺与第五实施例的差异在于预先从封装基板140的后面对封装基板140加热，并且板150布置在器件芯片21上，并从板150上侧向其施加压力。图6B和图6C的步骤与图5B和图5C的步骤类似。第二实施例的电子器件可以按照与图6A到图6C所示相同的方式制造。

(第七实施例)

图7A到图7C示出了根据本发明第七实施例的电子器件的制造工艺。该工艺制造第一或第二实施例的电子器件。如图7A所示，焊料粘结部件250设置在由相邻的器件芯片21限定的缝隙中，并被回流。接着，如图7B所示，研磨焊料粘合部件250，并由切块机将封装基板140切成块，因此，如图7C所示，获得了多个第一实施例的电子器件。

(第八实施例)

图8A到图8C示出了根据本发明第八实施例的电子器件的制造工艺。该工艺制造第一或第二实施例的电子器件。如图8A所示，设置垫圈(washer)350，以将封装基板140上的各器件芯片21插入相应的垫圈350中。该垫圈由焊料制成，并形成为框架。垫圈350可以应用于某些器件芯片21。例如，另选地，垫圈350可以在X方向或Y方向或这两个方向应用于器件芯片21。图8B和图8C的后续步骤与图7B和7C的相同。垫圈350可以替换成具有成行成列排列的开口的焊料板。将器件芯片21插入焊料板的开口中，随后回流。

(第九实施例)

图9A到图9C示出了根据本发明第九实施例的电子器件的制造工艺。如图9A所示，本实施例采用第七实施例中使用的焊料粘合部件250所用的焊料球450。将焊料球450布置在由相邻器件芯片21限定的间隙中，并随后回流。回流后的封装基板140在图9B中示出。封装基板140由切块机切成块。因此，如图9C所示，获得了多个电子器件，在这些电子器件中，器件芯片21被具有由焊料制成的侧部45的封装密封。本器件芯片在器件芯片21上没有设置任何焊料封装。

(第十实施例)

图10A到图10C示出了根据本发明第十实施例的电子器件的制造工艺。本工艺制造第三实施例的电子器件。参照图10A，在焊料板150上布置金属层132，并且将如此形成的叠片布置在封装基板140上的器件芯片21上。接着，从金属层132的上侧对该叠片进行加热和加压。该工艺可以在熔化焊料所需的温度以及在形成封装外形所需的压力下进行。进入相邻器件芯片21之间的间隙中的焊料结合封装侧密封图案26和未示出的芯片侧密封图案27(用于第一实施例)。从而，如图10B所示，金属层132通过焊料层设置在封装基板140上的器件芯片21上，并且器件芯片21的侧面和上表面都覆盖有焊料。如此形成的封装基板140被切块机切成块，从而如图10C所示，可以制造出多个第三实施例的电子器件。

在图10A的步骤中，如图6A所示那样，可以预先加热封装基板140。

(第十一实施例)

图11A到图11C示出了根据本发明第十一实施例的电子器件的制造工艺。本工艺制造第四实施例的电子器件。参照图11A，将树脂层133(其可以是聚酰胺层)布置在焊料板150上，并且将由此形成的叠片布置在器件芯片21上。从树脂层133的上侧对该叠片进行加热和加压。该工艺可以在熔化焊料所需的温度以及在形成封装外形所需的压力下进行。进入相邻器件芯片21之间的间隙中的焊料结合封装侧密封图案26和未示出的芯片侧密封图案27(用于第一实施例)。从而，如图11B所示，树脂层133通过焊料层设置在封装基板140上的器件芯片21上，并且器件芯片21的侧面和上表面都覆盖有焊料。如此形成的封装基板140被切块机切成块，从而如图11C所示，可以制造出多个第四实施例的电子器件。在图11A的步骤中，可以如图6A所示那样，预先加热封装基板140。

(第十二实施例)

本发明的第十二实施例具有这样的结构，在该结构中，对本发明的第一到第四实施例的电子器件设置保护膜。

图15是具有对第一实施例的电子器件设置有保护膜34的电子器件的截面图。保护膜34覆盖密封部分25的整个表面，并且覆盖封装侧密封图案26和封装基板23的表面。也就是说，保护膜34气密密封腔28。保护膜34可以是金属膜或树脂膜(绝缘膜)。对于金属膜，通过电解镀淀积10到20μm厚的镍形成保护膜34。可以使用镀铜膜(或气相淀积膜)替代镍而作为保护膜34。保护膜34防止保护膜34内的焊料密封部分25因外部压力或热而损坏，并提高了电子器件的耐热温度。镀镍层完全覆盖焊料部分，即使电子器件具有对于焊料的熔点的回流曲线(reflowprofile)，其也能防止电子器件的性能和外观被损坏。用于保护膜34的树脂例如可以是环氧树脂。可以通过喷溅淀积环氧树脂以形成保护膜34。

图16是图2所示的第二实施例被涂布了保护膜34的电子器件的截面图。图16所示的保护膜34的结构和功能与图15所示的保护膜34的结构和功能相同。

图17是图3所示的第三实施例被涂布了保护膜34的电子器件的截面图。设置保护膜34来覆盖焊料密封部分25、金属层32、封装侧密封图案26和封装基板23。图17所示的保护图案的结构和功能与图15所示的保护图案的结构和功能相同。

图18是图4所示的第四实施例被涂布了保护膜34的电子器件的截面图。设置保护膜34来覆盖焊料密封部分25、树脂层33、封装侧密封图案26和封装基板23。图18所示的保护图案的结构和功能与图15所示的保护图案34的结构和功能相同。

图19A到图19D示出了图17所示的电子器件的制造工艺。图19A和图19B的步骤分别与图5A和图5B所示的相同。参照图19C，在插入相邻器件芯片21之间的焊料部分中形成槽39。接下来，如图19C所示，形成保护膜34。随后，如图19D所示，按照与图5C所示相同的方式，将封装基板140切割成多块。通过这种方式，可一次获得多个图17所示的电子器件。除图17所示的电子器件之外，还可以对图15和图16所示的电子器件设置槽39。

(第十三实施例)

图20是根据本发明第十三实施例的电子器件的截面图。本电子器件是图3所示电子器件的变型。参照图20，多个金属球35共存在焊料密封部分25中。金属球35埋在焊料密封部分25的侧壁中。在图20所示的结构中，焊料密封部分25限定了封装的侧壁，并且金属球35被焊料密封部分25的焊料所覆盖。金属球35可以是直径为0.15mm的铜球。该铜球的表面镀有锡。该焊料密封部分25可以由锡-银制成。在金属球35的界面上，产生基于锡-铜的化合物以形成高熔点层。在使用金属球35时获得的耐热性优于没有金属球35时获得的耐热性。已经确认镍球可以带来与铜球一样的功能和效果。附带地，使用金属球35还可以减少焊料的体积。这有助于降低成本，在焊料密封部分25使用诸如金-锡焊料的贵重焊料时，尤其如此。

图21是其中用金属框36替换了金属球35的电子器件的截面图。该金属框36覆盖有焊料密封部分25的焊料。该金属框36埋在焊料密封部分25的侧壁中。金属框36设置在封装侧密封图案26上。金属框36形成为围绕器件芯片21。优选地，金属框36可以由对焊料具有良好浸润性的材料制成，诸如柯伐。另选地，对焊料具有较差浸润性的材料可以应用于金属框36。在这种情况下，可以对材料进行表面处理。金属框36产生了与金属球35相类似的功能和效果。

金属球35和金属框36不限于图3所示的结构，而可以应用于图1、图2和图4所示的、以及图15到图18所示的电子器件。

图22A到图22C示出了图21所示的电子器件的制造工艺。参照图22A，在多封装基板140上形成了通孔37。可以在相邻的器件芯片21之间形成一个或多个通孔37。当从器件芯片21的上表面提供的焊料板150与金属层132一起被加热和加压时，该通孔37用于便于硫气排放到器件外。随后，如图22B所示，该封装基板140被切块机切割成多块，从而如图22C所示，可以一次提供多个电子器件。已经确认，通孔37极大地提高了外径尺寸为1.4mm×1.0mm的电子器件的生产率。

本发明不限于所公开的具体实施例，可以在不脱离本发明范围的情况下产生其他的实施例和变型例。

本发明基于2004年12月24日提交的日本特开2004-374596号公报以及2005年3月1日提交的日本特开2005-056722号公报，在此通过引用并入其全部的公开。

Claims (23)

1、一种电子器件，包括：

由绝缘体制成的封装基板；

器件芯片，该器件芯片通过凸点倒装安装在所述封装基板上；以及

密封所述器件芯片的密封部分，

所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，

所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

2、根据权利要求1所述的电子器件，其中，包括所述侧壁的整个密封部分由焊料制成。

3、根据权利要求1所述的电子器件，还包括在所述密封部分上设置的金属层。

4、根据权利要求1所述的电子器件，还包括在所述密封部分上设置的树脂层。

5、根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述密封部分的侧壁限定了其中安装有所述器件芯片的腔。

6、根据权利要求1所述的电子器件，还包括分别设置在所述封装基板的外围部分和所述器件芯片的外围部分上的第一金属图案和第二金属图案，其中：

所述第二金属图案与所述第一金属图案的一部分交叠；并且

由焊料制成的所述侧壁与所述第一金属图案和第二金属图案接触。

7、根据权利要求1所述的电子器件，还包括在所述封装基板的外围部分上的金属图案，由焊料制成的所述侧壁与所述金属图案接触。

8、根据权利要求1所述的电子器件，还包括覆盖所述密封部分的保护膜。

9、根据权利要求1所述的电子器件，还包括对所述密封部分以及在所述密封部分上设置的金属层或树脂层进行覆盖的保护膜。

10、根据权利要求1所述的电子器件，还包括为金属膜或树脂膜之一的保护膜。

11、根据权利要求1所述的电子器件，其中，由焊料制成的所述侧壁包括埋于其中的金属球。

12、根据权利要求1所述的电子器件，其中，由焊料制成的所述侧壁包括埋于其中的框。

13、一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：

通过凸点将器件芯片倒装安装在封装基板上；以及

向所述封装基板和器件芯片中的至少之一提供焊料，并且加热焊料使之熔化，从而在所述封装基板上形成由焊料制成的密封部分，所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，

所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

14、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：向所述器件芯片提供焊料板，并对所述焊料板进行加热和加压。

15、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

加热所述封装基板；

向所述器件芯片提供焊料板，并对所述焊料板加压。

16、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

向所述器件芯片提供焊料板；以及

回流所述焊料板。

17、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

向所述器件芯片提供焊料浆糊；以及

回流所述焊料浆糊。

18、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

向所述器件芯片提供焊料垫圈；以及

回流所述焊料垫圈。

19、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

将具有成行成列布置的开口的焊料板提供给所述器件芯片，以将所述器件芯片装配到所述开口中；以及

回流所述焊料板。

20、根据权利要求13所述的方法，其中提供焊料的步骤包括以下步骤：

提供在所述器件芯片附近布置的焊料球；以及

回流所述焊料球。

21、一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：

通过凸点将器件芯片倒装安装在封装基板上；以及

向所述封装基板和器件芯片中的至少之一提供焊料，并加热焊料使之熔化，从而在所述封装基板上形成由焊料制成的密封部分，以覆盖所述器件芯片，所述密封部分具有侧壁，所述侧壁由焊料制成并且限定了所述电子器件的外形的至少一部分，所述侧壁具有所述电子器件的暴露的外侧表面并且与所述凸点隔离，

所述器件芯片与由焊料制成的所述侧壁相接触。

22、根据权利要求21所述的方法，还包括在所述封装基板中形成通孔的步骤，所述通孔形成在这样的位置，沿该位置，所述封装基板被切割成块。

23、根据权利要求21所述的方法，还包括以下步骤：

在位于相邻器件芯片之间的焊料部分中形成槽；以及

在所述密封部分上形成保护膜。

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