JPH11186422A - 金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置 - Google Patents
金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH11186422A JPH11186422A JP9348062A JP34806297A JPH11186422A JP H11186422 A JPH11186422 A JP H11186422A JP 9348062 A JP9348062 A JP 9348062A JP 34806297 A JP34806297 A JP 34806297A JP H11186422 A JPH11186422 A JP H11186422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- ceramic base
- metal cap
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属キャップとセラミックベースとを接着さ
せる封止ろう材の量を制御し、弾性表面波素子が短絡す
ることを防ぐことができる金属キャップ及びその製造方
法、並びにそれを用いた弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置１０は、セラミックベー
ス１１と、弾性表面波素子１２と、金属キャップ１３と
を備える。セラミックベース１１は、その表面に凹部１
４を備えるとともに、その内部に配線などの導体（図示
せず）を備えた多層セラミックからなり、金属キャップ
１３と接する部分は、合金化された銅の上にＮｉとＡｕ
とがこの順でメッキされ、封止電極１５が形成されてい
る。そして、セラミックベース１１の凹部１４内に弾性
表面波素子１２を搭載した後、平板状の金属キャップ１
３のはんだ１７側を上にして、セラミックベース１１の
封止電極１５側を金属キャップ１３上にのせ、加熱し
て、はんだ１７を溶融させることにより、セラミックベ
ース１１の封止電極１５と金属キャップ１３とを接着さ
せ、弾性表面波素子１２をセラミックベース１１の凹部
１４内に気密封止する。
せる封止ろう材の量を制御し、弾性表面波素子が短絡す
ることを防ぐことができる金属キャップ及びその製造方
法、並びにそれを用いた弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置１０は、セラミックベー
ス１１と、弾性表面波素子１２と、金属キャップ１３と
を備える。セラミックベース１１は、その表面に凹部１
４を備えるとともに、その内部に配線などの導体（図示
せず）を備えた多層セラミックからなり、金属キャップ
１３と接する部分は、合金化された銅の上にＮｉとＡｕ
とがこの順でメッキされ、封止電極１５が形成されてい
る。そして、セラミックベース１１の凹部１４内に弾性
表面波素子１２を搭載した後、平板状の金属キャップ１
３のはんだ１７側を上にして、セラミックベース１１の
封止電極１５側を金属キャップ１３上にのせ、加熱し
て、はんだ１７を溶融させることにより、セラミックベ
ース１１の封止電極１５と金属キャップ１３とを接着さ
せ、弾性表面波素子１２をセラミックベース１１の凹部
１４内に気密封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属キャップ及び
その製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置に関
する。
その製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電波を利用する電子機器のフィル
タ、発振器などに、多くの弾性表面波装置が用いられて
いる。特に、小形・軽量でかつフィルタとしての急峻遮
断性能が高い弾性表面波フィルタは、移動体通信分野に
おいて、携帯端末装置のＲＦ段、ＩＦ段のフィルタとし
て多用されるようになってきており、通過帯域近傍の帯
域外減衰量などの特性改善とともに、使用環境の変化に
対応できる信頼性の高い弾性表面波装置が要求されてい
る。そして、このような弾性表面波装置は、セラミック
ベースに搭載される弾性表面波素子の表面に空間を確保
する必要がある。
タ、発振器などに、多くの弾性表面波装置が用いられて
いる。特に、小形・軽量でかつフィルタとしての急峻遮
断性能が高い弾性表面波フィルタは、移動体通信分野に
おいて、携帯端末装置のＲＦ段、ＩＦ段のフィルタとし
て多用されるようになってきており、通過帯域近傍の帯
域外減衰量などの特性改善とともに、使用環境の変化に
対応できる信頼性の高い弾性表面波装置が要求されてい
る。そして、このような弾性表面波装置は、セラミック
ベースに搭載される弾性表面波素子の表面に空間を確保
する必要がある。
【０００３】図５に、従来のろう付法による封止を行な
った弾性表面波装置５０を示す。５１は、表面に凹部５
２を有するセラミックベースを示し、その凹部５２内に
は弾性表面波素子５３が収納されている。セラミックベ
ース５１の封止部分には、金属薄膜５４が形成されてお
り、封止はセラミックベース５１上の金属薄膜５４と金
属キャップ５５との間に、封止用リング５６をはさみ、
固定して、加熱溶融することにより達成される。この
際、セラミックベース５１にはアルミナやガラスセラミ
ックが、金属キャップ５５には４２アロイやコバール
が、封止用リング５６にはＡｕ−Ｓｎ，Ａｕ層を表面に
形成したＰｂ−Ａｇ−Ｓｎなどからなる封止ろう材が、
それぞれ用いられている。
った弾性表面波装置５０を示す。５１は、表面に凹部５
２を有するセラミックベースを示し、その凹部５２内に
は弾性表面波素子５３が収納されている。セラミックベ
ース５１の封止部分には、金属薄膜５４が形成されてお
り、封止はセラミックベース５１上の金属薄膜５４と金
属キャップ５５との間に、封止用リング５６をはさみ、
固定して、加熱溶融することにより達成される。この
際、セラミックベース５１にはアルミナやガラスセラミ
ックが、金属キャップ５５には４２アロイやコバール
が、封止用リング５６にはＡｕ−Ｓｎ，Ａｕ層を表面に
形成したＰｂ−Ａｇ−Ｓｎなどからなる封止ろう材が、
それぞれ用いられている。
【０００４】しかしながら、封止用リングを用いている
ため、封止用リングを位置決めする工程と、その後の金
属キャップを位置決めする工程との２度の位置決めする
工程が必要になり、工程が複雑かつ煩雑になるためコス
トアップになっていた。そこで、低コスト化を図るため
に、特開平９−１６２６８７号に開示されたような弾性
表面波装置が提案されている。具体的には、図６に示す
ように、積層体からなるセラミックベース６１の金属キ
ャップ６２と接する部分は、合金化された金属薄膜６３
が設けられている。セラミックベース６１内に弾性表面
波素子６４をダイボンド、ワイヤボンドした後、金属キ
ャップ６２の高温はんだ６５を全面に付着させた側をセ
ラミックベース６１側に向けて、セラミックベース６１
上の金属薄膜６３と金属キャップ６２とを重ね、加熱し
て、高温はんだ６４を溶融させることにより、セラミッ
クベース６１と金属キャップ６２とを接着させ、弾性表
面波素子６４をセラミックベース６１の表面に設けた凹
部６６内に気密封止する。
ため、封止用リングを位置決めする工程と、その後の金
属キャップを位置決めする工程との２度の位置決めする
工程が必要になり、工程が複雑かつ煩雑になるためコス
トアップになっていた。そこで、低コスト化を図るため
に、特開平９−１６２６８７号に開示されたような弾性
表面波装置が提案されている。具体的には、図６に示す
ように、積層体からなるセラミックベース６１の金属キ
ャップ６２と接する部分は、合金化された金属薄膜６３
が設けられている。セラミックベース６１内に弾性表面
波素子６４をダイボンド、ワイヤボンドした後、金属キ
ャップ６２の高温はんだ６５を全面に付着させた側をセ
ラミックベース６１側に向けて、セラミックベース６１
上の金属薄膜６３と金属キャップ６２とを重ね、加熱し
て、高温はんだ６４を溶融させることにより、セラミッ
クベース６１と金属キャップ６２とを接着させ、弾性表
面波素子６４をセラミックベース６１の表面に設けた凹
部６６内に気密封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の弾性表面波装置では、金属キャップの全面に高温はん
だを付着させているため、実際にセラミックベース上の
金属薄膜と金属キャップとが接触する面積よりも高温は
んだの面積の方が非常に広くなり、高温はんだが過剰に
なる。この結果、過剰の高温はんだは、セラミックベー
ス上の金属薄膜の方へ移動することなく、図６に示すよ
うに、金属キャップの中央部付近に溜り、この溜まった
はんだが弾性表面波素子とセラミックベースとを接続す
るワイヤに接触し、弾性表面波素子が短絡するにともな
い、弾性表面波装置が不良となるという問題があった。
の弾性表面波装置では、金属キャップの全面に高温はん
だを付着させているため、実際にセラミックベース上の
金属薄膜と金属キャップとが接触する面積よりも高温は
んだの面積の方が非常に広くなり、高温はんだが過剰に
なる。この結果、過剰の高温はんだは、セラミックベー
ス上の金属薄膜の方へ移動することなく、図６に示すよ
うに、金属キャップの中央部付近に溜り、この溜まった
はんだが弾性表面波素子とセラミックベースとを接続す
るワイヤに接触し、弾性表面波素子が短絡するにともな
い、弾性表面波装置が不良となるという問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、金属キャップとセラミックベ
ースとを接着させる封止ろう材の量を制御し、弾性表面
波素子が短絡することを防ぐことができる金属キャップ
及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置
を提供することを目的とする。
めになされたものであり、金属キャップとセラミックベ
ースとを接着させる封止ろう材の量を制御し、弾性表面
波素子が短絡することを防ぐことができる金属キャップ
及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の金属キャップは、セラミックベースと接
触する側の面に、略中央部に穴を有する枠状の封止ろう
材を備えることを特徴とする。
るため本発明の金属キャップは、セラミックベースと接
触する側の面に、略中央部に穴を有する枠状の封止ろう
材を備えることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の金属キャップの製造方法
は、複数の前記穴を形成した封止ろう材板を、金属板の
一方面に圧着させた後、前記金属板を切断することを特
徴とする。
は、複数の前記穴を形成した封止ろう材板を、金属板の
一方面に圧着させた後、前記金属板を切断することを特
徴とする。
【０００９】また、本発明の弾性表面波装置は、前記金
属キャップを用いたことを特徴とする。
属キャップを用いたことを特徴とする。
【００１０】本発明の金属キャップによれば、枠状の封
止ろう材を備えているため、封止ろう材の幅を所望の幅
にすることができる。
止ろう材を備えているため、封止ろう材の幅を所望の幅
にすることができる。
【００１１】また、本発明の金属キャップの製造方法に
よれば、複数の穴を形成した封止ろう材板を、金属板の
一方面に圧着させた後、金属板を切断するため、金属キ
ャップを、きわめて作業性よく大量に生産することがで
きる。
よれば、複数の穴を形成した封止ろう材板を、金属板の
一方面に圧着させた後、金属板を切断するため、金属キ
ャップを、きわめて作業性よく大量に生産することがで
きる。
【００１２】また、本発明の弾性表面波装置によれば、
上記の金属キャップを用いているため、はんだと、弾性
表面波素子とセラミックベースとを接続するワイヤとが
接触することを防ぐことができる。
上記の金属キャップを用いているため、はんだと、弾性
表面波素子とセラミックベースとを接続するワイヤとが
接触することを防ぐことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る金属キャップを
用いた弾性表面波装置の一実施例の断面図を示す。弾性
表面波装置１０は、セラミックベース１１と、弾性表面
波素子１２と、金属キャップ１３とを備える。セラミッ
クベース１１は、その表面に凹部１４を備えるととも
に、その内部に配線などの導体（図示せず）を備えた多
層セラミックからなり、金属キャップ１３と接する部分
は、合金化された銅の上にＮｉとＡｕとがこの順でメッ
キされ、封止電極１５が形成されている。
施例を説明する。図１に、本発明に係る金属キャップを
用いた弾性表面波装置の一実施例の断面図を示す。弾性
表面波装置１０は、セラミックベース１１と、弾性表面
波素子１２と、金属キャップ１３とを備える。セラミッ
クベース１１は、その表面に凹部１４を備えるととも
に、その内部に配線などの導体（図示せず）を備えた多
層セラミックからなり、金属キャップ１３と接する部分
は、合金化された銅の上にＮｉとＡｕとがこの順でメッ
キされ、封止電極１５が形成されている。
【００１４】そして、セラミックベース１１の凹部１４
内に弾性表面波素子１２をダイボンド、ワイヤボンドし
た後、実際には、略中央部に穴１６を有する枠状の封止
ろう材、例えばはんだ１７を備えた平板状の金属キャッ
プ１３のはんだ１７側を上にして、セラミックベース１
１の封止電極１５側を金属キャップ１３上にのせ、加熱
して、はんだ１７を溶融させることにより、セラミック
ベース１１の封止電極１５と金属キャップ１３とを接着
させ、弾性表面波素子１２をセラミックベース１１の凹
部１４内に気密封止する。
内に弾性表面波素子１２をダイボンド、ワイヤボンドし
た後、実際には、略中央部に穴１６を有する枠状の封止
ろう材、例えばはんだ１７を備えた平板状の金属キャッ
プ１３のはんだ１７側を上にして、セラミックベース１
１の封止電極１５側を金属キャップ１３上にのせ、加熱
して、はんだ１７を溶融させることにより、セラミック
ベース１１の封止電極１５と金属キャップ１３とを接着
させ、弾性表面波素子１２をセラミックベース１１の凹
部１４内に気密封止する。
【００１５】上述の実施例の金属キャップを用いた弾性
表面波装置によれば、弾性表面波素子を覆う金属キャッ
プが枠状のはんだを備えているため、封止ろう材の幅を
所望の幅、例えばセラミックベース上の金属薄膜の幅と
をほぼ同じ幅にすることができる。したがって、金属キ
ャップとセラミックベースとを接着させるはんだの量を
制御し、セラミックベースと金属キャップとを接着させ
る際に、はんだを加熱溶融しても、過剰のはんだが発生
するのを防ぐことができる。
表面波装置によれば、弾性表面波素子を覆う金属キャッ
プが枠状のはんだを備えているため、封止ろう材の幅を
所望の幅、例えばセラミックベース上の金属薄膜の幅と
をほぼ同じ幅にすることができる。したがって、金属キ
ャップとセラミックベースとを接着させるはんだの量を
制御し、セラミックベースと金属キャップとを接着させ
る際に、はんだを加熱溶融しても、過剰のはんだが発生
するのを防ぐことができる。
【００１６】また、はんだと、弾性表面波素子とセラミ
ックベースとを接続するワイヤとが接触しないため、弾
性表面波素子の短絡を防止し、その結果、弾性表面波装
置が不良となることを防ぐことができる。
ックベースとを接続するワイヤとが接触しないため、弾
性表面波素子の短絡を防止し、その結果、弾性表面波装
置が不良となることを防ぐことができる。
【００１７】図２に、本発明に係る金属キャップの製造
方法の一実施例の斜視図を示す。金属キャップ１３（図
１）の母材となる金属板２１には、厚さ約０．１ｍｍの
コバールを使用し、その表面には、厚さ約１μｍのＮｉ
メッキ（図示せず）を施してある。
方法の一実施例の斜視図を示す。金属キャップ１３（図
１）の母材となる金属板２１には、厚さ約０．１ｍｍの
コバールを使用し、その表面には、厚さ約１μｍのＮｉ
メッキ（図示せず）を施してある。
【００１８】その金属板２１の一方面に、厚さ約３０μ
ｍで、約３ｍｍ□の穴２２を金型により打ち抜いた封止
ろう材板、例えばはんだ板２３を乗せ、２つの圧着ロー
ル２４ａ，２４ｂの間を通すことにより、金属板２１と
はんだ板２３とを圧着接合させる。
ｍで、約３ｍｍ□の穴２２を金型により打ち抜いた封止
ろう材板、例えばはんだ板２３を乗せ、２つの圧着ロー
ル２４ａ，２４ｂの間を通すことにより、金属板２１と
はんだ板２３とを圧着接合させる。
【００１９】そして、はんだ板２３が圧着接合された金
属板２１を、適当な方法で位置合わせした後、金型によ
り約３．８ｍｍ□に打ち抜いて切断する。その結果、図
３に示すような、約０．４ｍｍの幅を有する枠状のはん
だ１７を備えた金属キャップ１３が得られる。
属板２１を、適当な方法で位置合わせした後、金型によ
り約３．８ｍｍ□に打ち抜いて切断する。その結果、図
３に示すような、約０．４ｍｍの幅を有する枠状のはん
だ１７を備えた金属キャップ１３が得られる。
【００２０】上述の実施例の金属キャップの製造方法に
よれば、あらかじめはんだ板に穴を開けておき、そのは
んだ板を金属板に圧着ロールで圧着させ、その金属板を
金型で打ち抜いて切断することにより、容易に枠状のは
んだを付着させた金属キャップを形成することができる
ため、金属キャップをきわめて作業性よく大量に生産す
ることができる。それに伴ない、金属キャップの低コス
ト化が実現する。
よれば、あらかじめはんだ板に穴を開けておき、そのは
んだ板を金属板に圧着ロールで圧着させ、その金属板を
金型で打ち抜いて切断することにより、容易に枠状のは
んだを付着させた金属キャップを形成することができる
ため、金属キャップをきわめて作業性よく大量に生産す
ることができる。それに伴ない、金属キャップの低コス
ト化が実現する。
【００２１】なお、上述の実施例では、セラミックベー
ス内に弾性表面波素子をダイボンドし、平板状の金属キ
ャップで覆う場合について説明したが、図４に示す弾性
表面波素子３０のように、セラミックベース３１上に弾
性表面波素子１２をダイボンドし、略中央部に穴を有す
る枠状の封止ろう材３２を備えた帽子状の金属キャップ
３３で覆っても同様の効果が得られる。この金属キャッ
プ３３の場合には、図２に示すように、金属板に穴を備
えたはんだ板を圧着接合し、凹部を形成することにより
帽子状にした後、適当な方法で位置合わせした後、金型
により打ち抜いて切断すればよい。
ス内に弾性表面波素子をダイボンドし、平板状の金属キ
ャップで覆う場合について説明したが、図４に示す弾性
表面波素子３０のように、セラミックベース３１上に弾
性表面波素子１２をダイボンドし、略中央部に穴を有す
る枠状の封止ろう材３２を備えた帽子状の金属キャップ
３３で覆っても同様の効果が得られる。この金属キャッ
プ３３の場合には、図２に示すように、金属板に穴を備
えたはんだ板を圧着接合し、凹部を形成することにより
帽子状にした後、適当な方法で位置合わせした後、金型
により打ち抜いて切断すればよい。
【００２２】また、セラミックベースが多層セラミック
からなる場合について説明したが、単層セラミックで構
成されていてもよい。
からなる場合について説明したが、単層セラミックで構
成されていてもよい。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の金属キャップによれば、略中
央部に穴を有する枠状のはんだを備えているため、封止
ろう材の幅を所望の幅にすることができる。したがっ
て、金属キャップとセラミックベースとを接着させるは
んだの量を制御し、セラミックベースと金属キャップと
を接着させる際に、はんだを加熱溶融しても、過剰のは
んだが発生するのを防ぐことができる。
央部に穴を有する枠状のはんだを備えているため、封止
ろう材の幅を所望の幅にすることができる。したがっ
て、金属キャップとセラミックベースとを接着させるは
んだの量を制御し、セラミックベースと金属キャップと
を接着させる際に、はんだを加熱溶融しても、過剰のは
んだが発生するのを防ぐことができる。
【００２４】請求項２の金属キャップの製造方法によれ
ば、複数の穴を形成した板状の封止ろう材を、金属板の
一方面に圧着させた後、金属板を切断することにより形
成されるため、金属キャップを、きわめて作業性よく大
量に生産することができる。それに伴ない、金属キャッ
プの低コスト化が実現する。
ば、複数の穴を形成した板状の封止ろう材を、金属板の
一方面に圧着させた後、金属板を切断することにより形
成されるため、金属キャップを、きわめて作業性よく大
量に生産することができる。それに伴ない、金属キャッ
プの低コスト化が実現する。
【００２５】請求項３の弾性表面波装置によれば、請求
項１に記載の金属キャップを用いているため、はんだ
と、弾性表面波素子とセラミックベースとを接続するワ
イヤとが接触するのを防ぐことができ、その結果、弾性
表面波素子の短絡が防止でき、弾性表面波装置が不良と
なることを防ぐことができる。
項１に記載の金属キャップを用いているため、はんだ
と、弾性表面波素子とセラミックベースとを接続するワ
イヤとが接触するのを防ぐことができ、その結果、弾性
表面波素子の短絡が防止でき、弾性表面波装置が不良と
なることを防ぐことができる。
【図１】本発明の金属キャップを用いた弾性表面波装置
に係る一実施例の断面図である。
に係る一実施例の断面図である。
【図２】本発明の金属キャップの製造方法に係る一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】本発明の金属キャップに係る一実施例の斜視図
である。
である。
【図４】図１の弾性表面波装置の変形例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図６】従来の別の弾性表面波装置を示す断面図であ
る。
る。
１０，３０ 弾性表面波装置 １１，３１ セラミックベース １２ 弾性表面波素子 １３，３３ 金属キャップ １４ 凹部 １６ 穴 １７ 封止ろう材（はんだ） ２１ 金属板 ２３ 封止ろう材板（はんだ板）
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックベースと接触する側の面に、
略中央部に穴を有する枠状の封止ろう材を備えることを
特徴とする金属キャップ。 - 【請求項２】 複数の前記穴を形成した封止ろう材板
を、金属板の一方面に圧着させた後、前記金属板を切断
することを特徴とする請求項１に記載の金属キャップの
製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の金属キャップを用いた
ことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348062A JPH11186422A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348062A JPH11186422A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186422A true JPH11186422A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18394496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9348062A Pending JPH11186422A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035025A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Kyocera Kinseki Corp | 蓋部材の製造方法 |
| US10574209B2 (en) | 2014-10-24 | 2020-02-25 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Wafer level packaging approach for semiconductor devices |
-
1997
- 1997-12-17 JP JP9348062A patent/JPH11186422A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035025A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Kyocera Kinseki Corp | 蓋部材の製造方法 |
| US10574209B2 (en) | 2014-10-24 | 2020-02-25 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Wafer level packaging approach for semiconductor devices |
| US11336257B2 (en) | 2014-10-24 | 2022-05-17 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Wafer level packaging for semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1458086B1 (en) | Piezoelectric Oscillator | |
| KR100744353B1 (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법, ｉｃ 카드, 휴대용전자 기기 | |
| US7528523B2 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
| KR20010067344A (ko) | 전자 부품 및 그 조립 방법 | |
| JPH05206356A (ja) | 集積回路用パッケージ | |
| JPH08298345A (ja) | チップ型発光ダイオード | |
| US10991671B2 (en) | Multi-piece wiring substrate, electronic component housing package, and electronic device | |
| JP3660663B2 (ja) | チップパッケージの製造方法 | |
| JP4511278B2 (ja) | セラミックパッケージ | |
| JP6279857B2 (ja) | 電子装置、多数個取り枠体および多数個取り電子装置 | |
| JP2763446B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH11186422A (ja) | 金属キャップ及びその製造方法、並びにそれを用いた弾性表面波装置 | |
| JPH0730215A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3546506B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2006279483A (ja) | 表面実装型弾性表面波デバイス | |
| JP3538774B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2008186917A (ja) | 電子部品収納用パッケージ、電子装置、およびその製造方法 | |
| JP2000134055A (ja) | 圧電体用気密容器 | |
| JP4355097B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2009147976A (ja) | 電子部品 | |
| JP4511335B2 (ja) | 多数個取り配線基板および電子装置 | |
| JP2002330050A (ja) | 中空樹脂モールド弾性表面波フィルタ | |
| JP2002118193A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN116865713A (zh) | 一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置 | |
| JP2003133482A (ja) | チップ部品およびその製造方法 |