CN116865713A - 一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置，该混合滤波器结构包括基板，至少一个第一滤波器芯片以及一个第二滤波器芯片，在基板的第一表面的一侧的预设区域设置有凹槽，将至少一个第一滤波器芯片设置在凹槽中，并将第二滤波器芯片设置在基板第一表面的一侧，其中第二滤波器芯片在基板上的正投影完全覆盖凹槽在基板上的正投影，并且第一滤波器芯片与第二滤波器芯片连接，第二滤波器芯片与基板连接，形成了“3D”结构的混合滤波器，这种结构中由于第一滤波器芯片在凹槽中，且在垂直于第一表面的方向上第一滤波器芯片与第二滤波器芯片堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

Description

一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置

技术领域

本发明涉及射频技术领域，更具体地说，涉及一种混合滤波器。

背景技术

目前无线通信领域使用的滤波器多为SAW(Surface Acoustics Wave，声表面波滤波器)和BAW(Bulk Acoustics Wave，体声波滤波器)等，SAW与BAW使用半导体工艺进行制造，出于对进一步提高集成度和减小占用面积的需求，由谐振器组成的滤波器往往会根据实际需要集成在一颗或者几颗芯片上；此外5G通信中由于射频前端器件进一步模块化和高度集成化，因此需要进一步提高滤波器产品的集成度，同时也需要提高设计自由度以应对日趋复杂的模组产品设计。

集成无源器件(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器比起声学滤波器而言，在高频段、大带宽等应用领域往往有更佳的表现，其通常通过半导体晶圆制造工艺进行生产，尺寸较小、易于集成、一致性较好，成本也相对可控，但同时带外抑制也相对较差，不能应用于大功率场合等；而将集成无源器件滤波器与SAW或者BAW等声学滤波器进行混合设计得到的混合滤波器，往往可以结合二者的优点，虽然混合滤波器的滤波效果更好，但是相对的混合滤波器的所占用的面积也将进一步提升。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置，技术方案如下：

一种混合滤波器结构，所述混合滤波器结构包括：

基板；所述基板具有第一表面；

位于所述基板的第一表面一侧的预设区域的凹槽；

位于所述凹槽中的至少一个第一滤波器芯片；

位于所述基板的第一表面一侧的第二滤波器芯片，所述第二滤波器芯片在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；

其中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二滤波器芯片与所述第一滤波器芯片连接，且所述第二滤波器芯片与所述基板连接。

一种混合滤波器结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基板；所述基板具有第一表面；

在所述基板的第一表面一侧的预设区域形成凹槽；

在所述凹槽中焊接至少一个第一滤波器芯片；

在所述基板的第一表面一侧焊接第二滤波器芯片；所述第二滤波器芯片在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；其中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二滤波器芯片与所述第一滤波器芯片连接，且所述第二滤波器芯片与所述基板连接。

一种混合滤波装置，所述混合滤波装置包括：

至少一个上述所述的混合滤波器结构；其中，至少一个混合滤波器结构共用一个基板。

相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

本发明提供了一种混合滤波器结构，该混合滤波器结构包括基板，至少一个第一滤波器芯片以及一个第二滤波器芯片，在基板的第一表面的一侧的预设区域设置有凹槽，将至少一个第一滤波器芯片设置在凹槽中，并将第二滤波器芯片设置在基板第一表面的一侧，其中第二滤波器芯片在基板上的正投影完全覆盖凹槽在基板上的正投影，并且第一滤波器芯片与第二滤波器芯片连接，第二滤波器芯片与基板连接，形成了“3D”结构的混合滤波器，这种结构中由于第一滤波器芯片在凹槽中，且在垂直于第一表面的方向上第一滤波器芯片与第二滤波器芯片堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的封装结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种混合滤波器结构的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构制作方法的流程示意图；

图5为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的部分结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的另一部分结构示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种混合滤波器结构制作方法的流程示意图；

图8为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种混合滤波器结构制作方法的流程示意图；

图11为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种混合滤波器结构的封装结构示意图；

图16为本发明实施例提供的一种混合滤波装置的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的另一种混合滤波装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

基于背景技术中的内容而言，混合滤波器的设计方案相对不多见，由于5G高频段、大带宽、高功率的应用场景越来越多，IPD滤波器芯片与声学滤波器芯片的混合设计逐渐成为市场中的产品选择。

在一种混合滤波器结构的设计方案中，可以利用声学滤波器芯片形成信号的通带，同时利用IPD滤波器芯片提高陡峭度或者带外抑制等，此时IPD滤波器芯片的芯片面积相较于声学滤波器芯片的芯片面积往往更小；在另一种混合滤波器结构的设计方案中，也可以利用IPD滤波器芯片设计形成通带，而利用声学滤波器芯片提高带外抑制等，此时声学滤波器芯片的芯片面积更小。

基于此，本发明提供了一种混合滤波器结构，该混合滤波器结构包括基板，至少一个第一滤波器芯片以及一个第二滤波器芯片，在基板的第一表面的一侧的预设区域设置有凹槽，将至少一个第一滤波器芯片设置在凹槽中，并将第二滤波器芯片设置在基板第一表面的一侧，其中第二滤波器芯片在基板上的正投影完全覆盖凹槽在基板上的正投影，将第一滤波器芯片设置在凹槽中，且将第二滤波器芯片连接在第一滤波器芯片上，形成了“3D”结构的混合滤波器结构，这种结构中由于第一滤波器芯片在凹槽中，且在垂直于第一表面的方向上第一滤波器芯片与第二滤波器芯片堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本发明实施例提供的一种混合滤波器的结构示意图；该混合滤波器包括：基板01，该基板01包括第一表面01a，位于基板01的第一表面01a一侧的预设区域的凹槽02；该凹槽02中设置有至少一个第一滤波器芯片03，第一滤波器芯片03与其他结构连接的连接点位于背离基板01的一侧，也就是说，第一滤波器芯片03通过正装的方式设置在凹槽02中；在基板01的第一表面01a一侧设置有第二滤波器芯片04，在垂直于第一表面01a的方向上，第二滤波器芯片04与第一滤波器芯片03连接，以形成混合滤波器，其中，第一滤波器芯片03可以为IPD滤波器芯片或者声学滤波器芯片，第二滤波器芯片04也可以为IPD滤波器芯片或者声学滤波器芯片，但是第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04不同。

由于第二滤波器芯片04还需要与基板01连接，所以第二滤波器芯片04在基板01上的正投影面积要大于凹槽02在基板01上的正投影面积。

需要说明的是，预设区域根据设计需要进行选择，图1中以凹槽02设置在基板01中心区域为例进行说明，凹槽02的高度可以设置为基板01厚度的0％至90％之间，不包括0％，为了不影响形成的混合滤波器的结构稳定性，凹槽02的厚度不可以设置太薄，在基板01厚度的0％至90％之间可以进行选择性设置，并不做具体的限定。

在本发明实施例中，将第一滤波器芯片03设置在凹槽02中，将第二滤波器芯片04连接在第一滤波器芯片03上，形成了“3D”结构的混合滤波器结构，这种结构中由于第一滤波器芯片03在凹槽02中，且在垂直于第一表面01a的方向上第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

可选的，在本发明的另一实施例中，该混合滤波器结构还包括：位于基板01的第一表面01a的一侧，且靠近凹槽02边缘区域的多个第一焊盘05。

位于第一焊盘05背离基板01一侧的第一焊点06；基板01通过第一焊盘05和第一焊点06与第二滤波器芯片04连接。

具体的，第一焊盘05为基板01上用于电连接的区域，且第一焊盘05设置在基板01的第一表面01a，第一焊盘05的设置是为了连接外部器件，例如，将基板01中的连接电路通过第一焊盘05引出来，才能和外部器件进行连接，第二滤波器芯片04在基板01上的正投影面积大于凹槽02在基板01上的正投影面积，将第一焊盘05设置在靠近凹槽02的边缘区域，更方便于第二滤波器芯片04的连接。

需要说明的是，第一焊盘05的位置并不做具体的限定，需要依据第二滤波器芯片04的大小来进行设置，在第一焊盘05背离基板01的一侧设置有第一焊点06，第一焊点06的设置使得基板01与第二滤波器芯片04之间形成了稳定的电连接。

可选的，在本发明的另一实施例中，该混合滤波器结构还包括：位于第一滤波器芯片03背离基板01一侧的多个第二焊盘07。

位于第二焊盘07背离基板01一侧的第二焊点08；第一滤波器芯片03通过第二焊盘07和第二焊点08与第二滤波器芯片04连接。

具体的，第二焊盘07为第一滤波器芯片03用于电连接的区域，且第二焊盘07位于第一滤波器芯片03背离基板01的一侧，也就是说，第一滤波器芯片03为正装设置，将第一滤波器芯片03正装设置可以缩短第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04之间的连接距离，也相对减小了混合滤波器的面积，第二焊盘07将第一滤波器芯片03中的电路结构引出来，以便于与第二滤波器芯片04进行连接，在第二焊盘07背离基板一侧设置有第二焊点08，该第二焊点08的设置使得第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04之间形成了稳定的电连接。

设置有第一焊盘05与第一焊点06，使得基板01与第二滤波器芯片04电连接，设置有第二焊盘07与第二焊点08，使得第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04电连接，从而形成了“3D”结构的混合滤波器。

需要说明的是，第一焊盘05与第二焊盘07的材料可以为钢箔，对第一焊盘05与第二焊盘07的材料并不做具体的限定，也可以为其他金属材料，只需要选择导电性能良好的材料即可。

还需要说明的是，第一焊点06和第二焊点08的材料与第一焊盘05和第二焊盘07的材料可以相同，也可以不相同，并不做具体的限定，由于其主要是为了形成更好的电连接，所以只需要选择导电性能良好的材料即可。

还需要说明的是，第一焊盘05、第二焊盘07、第一焊点06以及第二焊点08的厚度、形状并不做具体的限定，设置时可以将第一焊点06以及第二焊点08背离基板的一侧的顶部设置在同一平面，这样更便于设置第二滤波器芯片04。

可选的，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种混合滤波器的封装结构示意图；在本发明的另一实施例中，该混合滤波器结构还包括：封装层09，封装层09与基板01构成封装腔室10，第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04位于封装腔室10内部。

具体的，封装层09用于对该混合滤波器进行封装，该封装层09与基板01之间形成了封装腔室10，图2中虚线仅为了更好的说明封装腔室10，封装腔室10中第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04根据上述实施例进行连接，从而形成混合滤波器结构的封装结构。

需要说明的是，所述封装层09可以采用有机高分子材料，设置该封装层09可以更好的保护和固定封装腔室10中的第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04，例如，在进行封装后对芯片进行切割时，该封装层09可以防止切割时的物理损伤。

可选的，参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种混合滤波器的结构示意图；在本发明的另一实施例中，第一滤波器芯片03与凹槽02的底部之间具有第一间距L1。

具体的，当封装时先将第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04进行连接，再将连接的结构与基板01进行连接时，为了防止第一滤波器芯片03与基板01接触后，导致第一滤波器芯片03受到外部应力受损，第一滤波器芯片03与基板01之间留有第一间距L1，该第一间距L1的距离不做具体的限定，只需要第一滤波器芯片03与基板01之间具有间隔即可，当然为了保证该混合滤波器结构可以实现，第一间距L1的距离也不能超过凹槽02的高度，对于该封装在后续进行说明。

可选的，在本发明的另一实施例中，第一滤波器芯片03为声学滤波器芯片且第二滤波器芯片04为集成无源器件滤波器芯片。

或，第一滤波器芯片03为集成无源器件滤波器芯片且第二滤波器芯片04为声学滤波器芯片。

具体的，当第一滤波器芯片03为声学滤波器芯片时，例如第一滤波器芯片03可以为声表面波滤波器或者体声波滤波器，第二滤波器芯片04可以为集成无源器件滤波器芯片，此时设计集成无源器件滤波器芯片形成信号的通带，声学滤波器芯片可以提高混合滤波器的带外抑制。

当第一滤波器芯片03为集成无源器件滤波器芯片时，第二滤波器芯片04可以为声学滤波器芯片，例如第一滤波器芯片03可以为声表面波滤波器或者体声波滤波器，此时设计声学滤波器芯片形成信号的通带，集成无源器件滤波器芯片提高了混合滤波器的带外抑制或者陡峭度。

基于上述实施例中的混合滤波器结构，本发明还提供了一种混合滤波器结构的制作方法，参考图4，图4为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构制作方法的流程示意图；参考图5，图5为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的部分结构示意图；参考图6，图6为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的另一部分结构示意图；所述制作方法包括：

S101：如图5所示，提供一基板01，该基板01具有第一表面01a。

S102：如图6所示，对该基板01进行处理，在基板01的第一表面01a的一侧的预设区域形成凹槽02。

在该步骤中，预设区域并不做具体的限定，根据混合滤波器结构的需要进行设定。

S103：如图1所示，在凹槽02中焊接至少一个第一滤波器芯片03；在基板01的第一表面01a一侧焊接第二滤波器芯片04。

在该步骤中，第二滤波器芯片04在基板01上的正投影完全覆盖凹槽02在基板01上的正投影，在垂直于第一表面01a的方向上，第二滤波器芯片04与第一滤波器芯片03连接，且第二滤波器芯片04与基板01连接。

具体的，该混合滤波器中将第一滤波器芯片03焊接在凹槽02中，将第二滤波器芯片04焊接在第一滤波器芯片03以及基板01上，形成了“3D”结构的混合滤波器结构，这种结构中由于第一滤波器芯片03在凹槽02中，且在垂直于第一表面01a的方向上第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

需要说明的是，在凹槽02中焊接至少一个第一滤波器芯片03；在基板01的第一表面01a一侧焊接第二滤波器芯片04包括两种不同的制作方式，下面将对两种不同的制作方式进行说明。

可选的，在本发明的另一实施例中，参考图7，图7为本发明实施例提供的另一种混合滤波器结构的制作方法的流程示意图；参考图8，图8为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；参考图9，图9为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；如图1所示，在凹槽02中焊接至少一个第一滤波器芯片03；在基板01的第一表面01a一侧焊接第二滤波器芯片04包括：

S201：如图8所示，将至少一个第一滤波器芯片03焊接在凹槽02中。

需要说明的是，由于先焊接第一滤波器芯片03，所以第一滤波器芯片03与基板01之间没有间隙。

S202：如图9所示，在基板01的第一表面01a一侧形成多个第一焊盘05；在第一滤波器芯片03背离基板01一侧形成多个第二焊盘07。

S203：如图9所示，在第一焊盘05背离基板01一侧形成第一焊点06；且在第二焊盘07背离基板01一侧形成第二焊点08。

在该步骤中，由于第一滤波器芯片03是正装设置的，所以第二焊盘07位于第一滤波器芯片03背离基板01的一侧，在第二焊盘07一侧形成第二焊点08，该第二焊点08可以使得第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04之间形成更好的电连接。

S204：如图1所示，在第一焊点06与第二焊点08背离基板01一侧焊接第二滤波器芯片04。

在该步骤中，将第二滤波器芯片04焊接在第一滤波器芯片03以及基板01上，从而形成了混合滤波器结构。

可选的，在本发明的另一实施例中，参考图10，图10为本发明实施例提供的又一种混合滤波器结构的制作方法的流程示意图；参考图11，图11为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；参考图12，图12为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；参考图13，图13为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；参考图14，图14为本发明实施例提供的一种混合滤波器结构的又一部分结构示意图；如图1所示，在凹槽02中设置至少一个第一滤波器芯片03；在基板01的第一表面01a一侧焊接第二滤波器芯片04包括：

S301：如图11所示，如图12所示，在基板01的第一表面01a一侧形成多个第一焊盘05，在第一滤波器芯片03一侧形成多个第二焊盘07。

S302：如图13所示，在第二滤波器芯片04一侧形成多个第一焊点06与多个第二焊点08。

在该步骤中，根据第一焊盘05与第二焊盘07的位置来设置第一焊点06与第二焊点08的位置，以保证第一焊盘05与第一焊点06可以一一对应，第二焊盘07与第二焊点08一一对应。

S303：如图14所示，第一滤波器芯片03焊接在第二滤波器芯片02上形成芯片连接结构。

在该步骤中，第二焊点08与第二焊盘07一一对应焊接。

S304：如图3所示，将芯片连接结构倒装焊接在基板01上。

在该步骤中，第一滤波器芯片03位于凹槽02中，且第一焊点06与第一焊盘05一一对应焊接。由于第一滤波器芯片03是通过芯片连接结构倒装设置与基板01焊接的，所以有可能会导致第一滤波器芯片03受到基板01处的应力而受损，因此，第一滤波器芯片03与凹槽02底部之间设置有第一间距L1，保证了第一滤波器芯片03的完好，此时形成了混合滤波器结构。

需要说明的是，两种制作方式不同，形成的混合滤波器的结构有部分差异，但是的得到的混合滤波器都是将第一滤波器芯片03设置在凹槽02中，且将第二滤波器芯片04连接在第一滤波器芯片03上，形成了“3D”结构的混合滤波器结构，这种结构中由于第一滤波器芯片03在凹槽02中，且在垂直于第一表面01a的方向上第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04堆叠设置，减小了混合滤波器的面积占比。

可选的，在本发明的另一实施例中，如图2所示且参考图15，图15为本发明实施例提供的另一种混合滤波器结构的封装结构示意图；制作方法还包括：制备封装层09，封装层09与基板01构成封装腔室10，第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04位于封装腔室10内部。

具体的，图2中表示了第一滤波器芯片03与凹槽02底部没有间隙的封装结构，图15中表示了第一滤波器芯片03与凹槽02底部设置有第一间距L1的封装结构。需要说明的是，设置该封装层09可以更好的保护和固定封装腔室10中的第一滤波器芯片03与第二滤波器芯片04。

本发明还提供了一种混合滤波装置，参考图16，图16为本发明实施例提供的一种混合滤波装置的结构示意图；参考图17，图17为本发明实施例提供的另一种混合滤波装置的结构示意图；该混合滤波装置中包括：至少一个上述实施例任一所述的混合滤波器结构；其中，至少一个混合滤波器结构共用一个基板01。

具体的，图16中的混合滤波装置以设置两个混合滤波器结构为例进行说明，其中混合滤波器结构包括两个第一滤波器芯片03，一个第二滤波器芯片04；图17中的混合滤波装置也以设置两个混合滤波器结构为例进行说明，其中混合滤波器包括一个第二滤波器芯片04，一个第一滤波器芯片03。

需要说明的是，至少一个第一滤波器芯片03对应一个第二滤波器芯片04；由于第一滤波器芯片03在基板01上的正投影面积小于第二滤波器芯片02在基板上的正投影面积，所以混合滤波装置设置有一个第二滤波器芯片04时，凹槽02中可以设置两个第一滤波器芯片03。

混合滤波装置中设置至少一个上述实施例所述的混合滤波器结构，可以灵活设置滤波装置的性能，由于混合滤波器结构的面积占比较小，得到的混合滤波装置的面积也相对较小，需要说明的是，当第一滤波器芯片03为声学滤波器芯片时第二滤波器芯片04为集成无源器件滤波器芯片；当第一滤波器芯片03为集成无源器件滤波器芯片时第二滤波器芯片为声学滤波器芯片04。

以上对本发明所提供的一种混合滤波器结构及制作方法、混合滤波装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

需要说明的是，本说明书中每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种混合滤波器结构，其特征在于，所述混合滤波器结构包括：

基板；所述基板具有第一表面；

位于所述基板的第一表面一侧的预设区域的凹槽；

位于所述凹槽中的至少一个第一滤波器芯片；

位于所述基板的第一表面一侧的第二滤波器芯片，所述第二滤波器芯片在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；

其中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二滤波器芯片与所述第一滤波器芯片连接，且所述第二滤波器芯片与所述基板连接。

2.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述混合滤波器结构还包括：

位于所述基板的第一表面的一侧，且靠近所述凹槽边缘区域的多个第一焊盘；

位于所述第一焊盘背离所述基板一侧的第一焊点；

所述基板通过所述第一焊盘和所述第一焊点与所述第二滤波器芯片连接。

3.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述混合滤波器结构还包括：

位于所述第一滤波器芯片背离所述基板一侧的多个第二焊盘；

位于所述第二焊盘背离所述基板一侧的第二焊点；

所述第一滤波器芯片通过所述第二焊盘和所述第二焊点与所述第二滤波器芯片连接。

4.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述混合滤波器结构还包括：

封装层，所述封装层与所述基板构成封装腔室，所述第一滤波器芯片与所述第二滤波器芯片位于所述封装腔室内部。

5.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述第一滤波器芯片与所述凹槽的底部之间具有第一间距。

6.根据权利要求1所述的混合滤波器结构，其特征在于，所述第一滤波器芯片为声学滤波器芯片且所述第二滤波器芯片为集成无源器件滤波器芯片；

或，所述第一滤波器芯片为集成无源器件滤波器芯片且所述第二滤波器芯片为声学滤波器芯片。

7.一种混合滤波器结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板；所述基板具有第一表面；

在所述基板的第一表面一侧的预设区域形成凹槽；

在所述凹槽中焊接至少一个第一滤波器芯片；

在所述基板的第一表面一侧焊接第二滤波器芯片；所述第二滤波器芯片在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；其中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二滤波器芯片与所述第一滤波器芯片连接，且所述第二滤波器芯片与所述基板连接。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽中焊接至少一个第一滤波器芯片；在所述基板的第一表面一侧焊接第二滤波器芯片包括：

将至少一个所述第一滤波器芯片焊接在凹槽中；

在所述基板的第一表面一侧形成多个第一焊盘；在所述第一滤波器芯片背离所述基板一侧形成多个第二焊盘；

在所述第一焊盘背离所述基板一侧形成第一焊点；且在所述第二焊盘背离所述基板一侧形成第二焊点；

在所述第一焊点与所述第二焊点背离所述基板一侧焊接所述第二滤波器芯片。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽中焊接至少一个第一滤波器芯片；在所述基板的第一表面一侧焊接第二滤波器芯片包括：

在所述基板的第一表面一侧形成多个第一焊盘，在所述第一滤波器芯片一侧形成多个第二焊盘；

在所述第二滤波器芯片一侧形成多个第一焊点与多个第二焊点；

将所述第一滤波器芯片焊接在所述第二滤波器芯片上形成芯片连接结构，其中所述第二焊点与所述第二焊盘一一对应焊接；

将所述芯片连接结构倒装焊接在所述基板上；其中所述第一滤波器芯片位于所述凹槽中，且所述第一焊点与所述第一焊盘一一对应焊接。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

形成封装层，所述封装层与所述基板构成封装腔室，所述第一滤波器芯片与所述第二滤波器芯片位于所述封装腔室内部。

11.一种混合滤波装置，其特征在于，所述混合滤波装置包括：至少一个权利要求1-6任一项所述的混合滤波器结构；

其中，至少一个混合滤波器结构共用一个基板。