CN112366184A - 一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法 - Google Patents

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Abstract

一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法,包括芯片,该芯片设有第一表面、第二表面,该第一表面具有焊盘和功能区,芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封;芯片的第一表面设置布线层,该布线层与焊盘电性连接并延伸至包封材料第一表面;设置墙体位于芯片第一表面外露部分、布线层表面和包封材料第一表面外露部分,且在布线层的外连区域、芯片的功能区设置开口;墙体表面的功能区开口处覆盖盖板形成空腔;外连区域的开口处设置连接端口,并与布线层电性连接实现扇出。本发明工艺简单、成本低、体积薄、提高封装可靠性。

Description

一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,特别是指一种滤波器的扇出封装结构及其封装方法。
背景技术
一些半导体器件,功能元件需要空腔作为工作环境,以声表面滤波设备为例,被广泛用于射频RF和中频IF技术,其应用包括便携式电话机、无线电话机以及各种无线电设置。通过使用声表面滤波,对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因声表面滤波产品性能和设计功能需求,需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即芯片功能区需要提供空腔的工作环境。
然而,滤波器目前主要的封装技术还是用引线键合的陶瓷、金属、塑料封装形式,现有的这类滤波器封装结构存在以下缺点:
1、表面密封盖成本较高;
2、产品的可靠性对基板及密封盖平整度要求严苛,容易引起失效。
3、器件安装准确性、信号导线的影响、焊接的角度等这一系列的不确定性便造成了器件性能的不一致性,甚至对滤波器造成破坏。
4、现有封装厚度较厚,不满足当前射频模块的要求。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术中的上述缺陷,提出一种工艺简单、成本低、提高封装可靠性的滤波器的扇出封装结构及其封装方法。
本发明采用如下技术方案:
一种滤波器的扇出封装结构,包括芯片,该芯片设有第一表面、第二表面,该第一表面具有焊盘和功能区,其特征在于:芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封;芯片的第一表面设置布线层,该布线层与焊盘电性连接并延伸至包封材料第一表面;设置墙体位于芯片第一表面外露部分、布线层表面和包封材料第一表面外露部分,且在布线层的外连区域、芯片的功能区设置开口;墙体表面的功能区开口处覆盖盖板以形成空腔;外连区域的开口处设置连接端口,并与布线层电性连接实现扇出。
优选的,所述包封材料采用环氧树脂类的塑封料。
优选的,所述盖板为玻璃、干膜或硅。
优选的,所述墙体为光刻胶或干膜。
优选的,所述连接端口焊盘或焊球,材质为铜、铜镍金、镍钯金、镍金或钛铜。
优选的,所述盖板通过键合贴于所述墙体表面。
一种滤波器的扇出封装方法,其特征在于:包括如下步骤
1)将芯片通过键合胶倒装到临时键合载片上;
2)将芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封;
3)解键合,去除临时键合载片,在芯片第一表面制作布线层;
4)通过光刻在芯片第一表面、布线层表面和包封材料第一表面制作墙体,且在布线层的外连区域、芯片的功能区开口;
5)采用贴片将盖板贴于墙体表面功能区开口处,使功能区形成空腔;
6)在墙体相对外连区域的开口处制作连接端口,并与布线层电性连接。
优选的,所述临时键合载片的材质为玻璃或硅或陶瓷。
优选的,所述墙体采用压膜或涂布后,进行光刻制作所述开口。
由上述对本发明的描述可知,与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1、本发明通过包封材料对芯片表面进行塑封,并采用墙体配合盖板使芯片功能区形成空腔,并将连接端口进行扇出,获得更多的使用面积,产生更多价值,采用这种结构可靠性高、成本低。
2、本发明中,其盖板可通过键合增加与墙体之间的结合力,玻璃材质的盖板,强度高、不容易造成墙体塌陷,提高可靠性,实现更优的性能。
3、本发明中,将焊盘通过扇出的方式引出连接端口,使得制作的墙体和盖板没有增加整体的封装高度,整个封装结构更薄,可靠性更好。
4、本发明采用晶圆级工艺,避免使用金属/金属圆片键合工艺,工艺简单,成本低。
5、本发明通过重构圆片,使其属性不再脆弱,有利于提高产品的制程良率、易于加工、降低破片风险。
附图说明
图1为本发明结构图;
图2为本发明芯片倒装于临时键合载片示意图;
图3为芯片塑封示意图;
图4为制作布线层示意图;
图5为制作墙体示意图;
图6为制作盖板示意图;
图7为切割示意图;
其中:10、芯片,11、焊盘,12、功能区,13、布线层,20、包封材料,30、墙体,31、开口,40、盖板,41、空腔,50、连接端口,60、临时键合载片,61、键合胶。
以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详述。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
参见图1,一种滤波器的扇出封装结构,包括芯片10,该芯片10设有第一表面、第二表面,该第一表面具有焊盘11和功能区12,还包括包封材料20、墙体30、盖板40和连接端口50;芯片10除第一表面以外区域通过包封材料20进行塑封;芯片10的第一表面设置布线层13,该布线层13与焊盘11电性连接并延伸至包封材料20第一表面;墙体30设置于芯片10的第一表面外露部分、布线层13表面和包封材料20第一表面外露部分,且在布线层13的外连区域、芯片10的功能区12设置开口31;盖板40覆盖于墙体30表面的功能区开口以使功能区12形成空腔41;连接端口50位于外连区域的开口31处并与布线层13电性连接实现扇出。
芯片10的数量为至少一个,芯片10可为滤波器,优选为声表面滤波器,但不限于此。包封材料20采用环氧树脂类的塑封料,通过塑封工艺包封于芯片10的第二表面及侧表面,包封材料20厚度大于芯片10厚度。则包封材料20也具有第一表面和第二表面,其第一表面与芯片10第一表面相对应即处于同一平面上,第二表面与第一表面平行。
布线层13用于重新布线,其与焊盘11电性连接,且局部延伸至包封材料20的第一表面,外连区域位于布线层13表面。布线层13可采用导电金属材质,例如铜,但不限于此。
墙体30为光刻胶或干膜,通过压膜或涂布后,进行光刻形成开口31,其中,功能区12的开口31可大于或等于功能区面积,外连区域处的开口31可大于或等于或小于外连区域。墙体30的厚度可根据需要设定,在此不作限定。
盖板40通过键合贴于墙体30表面上,位于芯片10的功能区12所在位置。该盖板40采用玻璃、干膜或硅等材料。连接端口50为焊盘或焊球,材质为铜、铜镍金、镍钯金、镍金或钛铜等。
本发明还提出一种滤波器的扇出封装方法,包括如下步骤:
1)将芯片10通过键合胶61倒装到临时键合载片60上,芯片10数量为至少一个,间隔放置,芯片10的第一表面通过键合胶61粘贴于临时键合载片60表面,参见图2。临时键合载片60的材质为玻璃或硅或陶瓷。
2)将芯片10除第一表面以外区域通过包封材料20进行塑封,参见图3。封材料采用环氧树脂类的塑封料。
3)解键合,去除临时键合载片60,在芯片10第一表面制作布线层13,参见图4。具体的,通过PVD,光刻,电镀,去胶,蚀刻制作布线层13实现重新布线。
4)通过光刻在芯片10的第一表面、布线层13表面和包封材料20第一表面制作墙体30,且在布线层13的外连区域、芯片10的功能区12设置开口31,参见图5。墙体30采用压膜或涂布后,进行光刻制作开口31。
5)采用贴片将盖板40贴于墙体30表面,位于功能区12所在位置,使其形成空腔41,参见图6。该步骤中,使用贴片将已切割好的盖板40贴在墙体30表面,并通过键合增加盖板40和墙体30的结合力。
6)在墙体30相对外连区域的开口31处制作连接端口50,并与布线层13电性连接,例如,采用植球。最后,进行切割,参见图7。
上述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。

Claims (9)

1.一种滤波器的扇出封装结构,包括芯片,该芯片设有第一表面、第二表面,该第一表面具有焊盘和功能区,其特征在于:芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封;芯片的第一表面设置布线层,该布线层与焊盘电性连接并延伸至包封材料第一表面;设置墙体位于芯片第一表面外露部分、布线层表面和包封材料第一表面外露部分,且在布线层的外连区域、芯片的功能区设置开口;墙体表面的功能区开口处覆盖盖板以形成空腔;外连区域的开口处设置连接端口,并与布线层电性连接实现扇出。
2.如权利要求1所述的一种滤波器的扇出封装结构,其特征在于:所述包封材料采用环氧树脂类的塑封料。
3.如权利要求1所述的一种滤波器的扇出封装结构,其特征在于:所述盖板为玻璃、干膜或硅。
4.如权利要求1所述的一种滤波器的扇出封装结构,其特征在于:所述墙体为光刻胶或干膜。
5.如权利要求1所述的一种滤波器的扇出封装结构,其特征在于:所述连接端口为焊盘或焊球,材质为铜、铜镍金、镍钯金、镍金或钛铜。
6.如权利要求1所述的一种滤波器的扇出封装结构,其特征在于:所述盖板通过键合贴于所述墙体表面。
7.一种滤波器的扇出封装方法,其特征在于:包括如下步骤
1)将芯片通过键合胶倒装到临时键合载片上;
2)将芯片除第一表面以外区域通过包封材料进行塑封;
3)解键合,去除临时键合载片,在芯片第一表面制作布线层;
4)通过光刻在芯片第一表面、布线层表面和包封材料第一表面制作
墙体,且在布线层的外连区域、芯片的功能区开口;
5)采用贴片将盖板贴于墙体表面中功能区开口处,使功能区形成空腔;
6)在墙体相对外连区域的开口处制作连接端口,并与布线层电性连接。
8.如权利要求7所述的一种滤波器的扇出封装方法,其特征在于:所述临时键合载片的材质为玻璃或硅或陶瓷。
9.如权利要求7所述的一种滤波器的扇出封装方法,其特征在于:所述墙体采用压膜或涂布后,进行光刻制作所述开口。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113451237A (zh) * 2021-07-01 2021-09-28 广东省科学院半导体研究所 扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011153800A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 上海丽恒光微电子科技有限公司 微机电装置及其制造方法
CN109860126A (zh) * 2019-02-13 2019-06-07 中国科学院微电子研究所 一种大尺寸扇出封装结构及方法
CN110164841A (zh) * 2019-04-30 2019-08-23 厦门云天半导体科技有限公司 一种含空腔的多芯片扇出封装结构及其制作方法
CN110729255A (zh) * 2019-08-08 2020-01-24 厦门云天半导体科技有限公司 一种键合墙体扇出器件的三维封装结构和方法
CN110877892A (zh) * 2019-10-25 2020-03-13 厦门云天半导体科技有限公司 一种带有空腔的器件封装结构和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011153800A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 上海丽恒光微电子科技有限公司 微机电装置及其制造方法
CN109860126A (zh) * 2019-02-13 2019-06-07 中国科学院微电子研究所 一种大尺寸扇出封装结构及方法
CN110164841A (zh) * 2019-04-30 2019-08-23 厦门云天半导体科技有限公司 一种含空腔的多芯片扇出封装结构及其制作方法
CN110729255A (zh) * 2019-08-08 2020-01-24 厦门云天半导体科技有限公司 一种键合墙体扇出器件的三维封装结构和方法
CN110877892A (zh) * 2019-10-25 2020-03-13 厦门云天半导体科技有限公司 一种带有空腔的器件封装结构和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113451237A (zh) * 2021-07-01 2021-09-28 广东省科学院半导体研究所 扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备
CN113451237B (zh) * 2021-07-01 2024-04-26 广东省科学院半导体研究所 扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备

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