CN100442574C - 沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP-CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过表面波等离子体化学气相沉积生长用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，本发明还涉及一种有机电致发光系统。
背景技术
近来，通过有机化合物显示图像的自发光型显示器件、即利用所谓的有机电致发光(以下称作“有机EL”)的显示元件受到关注。有机EL显示元件在一些方面优于常规的液晶显示器件。具体地说，与液晶显示器件不同，有机EL显示器件由于其自发光的特点而无需使用背光就能显示图像。另外，有机EL显示器件结构非常简单，因此显示器可以做得很薄、很小巧且重量很轻。而且由于其功耗很小，使得有机EL显示器件适于用作小信息设备、如便携式蜂窝电话的显示器。
有机EL装置的基本结构通过在透明玻璃基底上形成有机EL层并在有机EL层上形成金属电极层实现，其中透明玻璃基底上由氧化铟锡(ITO)形成透明电极。有机化合物、如三苯基二胺用于有机EL层。这种有机化合物存在非常容易与湿气或氧气反应的问题，这样就会由于显示故障而结束并缩短有机EL装置的寿命。
因此，一种结构是通过用防潮聚合物薄膜覆盖有机EL层并在有机EL层上形成氧化硅薄膜(SiOx)或氮化硅薄膜(SiNx)来对有机EL层进行密封。可以说氮化硅薄膜尤其适于做防潮或抗氧化的保护薄膜，因为氮化硅薄膜中Si3N4的比例越高，薄膜的密度越大，而且硅EL薄膜可成为优良的保护薄膜。至于生长氮化硅薄膜的制造方法，通常采用RF等离子体CVD或ECR-CVD，如JP-A-10-261487中所公开的那样。
当试图通过RF等离子体CVD形成一种具有高比例Si3N4的高密度氮化硅薄膜时，基底的温度必须高到足以沉积薄薄膜，例如应达300℃或更高。但从热损伤的技术观点看不推荐这种高温，高温可能对有机EL层产生热损伤，因此应该在较低的温度(如，80℃或更低)下生长薄膜。但在这种低温的情况下，如以上所述的致密氮化硅薄膜不能通过RF等离子体CVD形成。转过来看采用ECR-CVD，等离子体密度高于RF等离子体的密度，因而可以在较低的温度下形成高密度的氮化硅薄膜，但在ECR-CVD方法中，要设置大尺寸的待处理基底是非常困难的。
高密度氮化硅薄膜还存在高内应力的缺点。如前所述，在有机EL层上形成金属电极层。但有机EL层不是一种机械耐用薄膜，因而可能为一种不稳定结构，从其概念图像(concePtual image)上看好象金属电极层浮在EL层上一样。因此，如果氮化硅薄膜的形成在其中包含高内应力，则金属电极层可能被这种内应力分离，因此氮化硅薄膜可能会成片地剥离。
本发明提供了一种不使有机EL装置遭受热损伤地沉积SiNx薄膜的设备和方法。
发明内容
根据本发明第一方面的薄膜沉积设备，其特点在于包括：微波发生装置；一具有一介电材料窗的处理腔；微波发射装置，该装置将微波发生装置发出的微波导向介电材料窗，由此使微波辐射到处理腔中；和用于冷却上面形成有机EL器件的基底的冷却装置，其中，通过利用向处理腔中发射微波而产生的表面波等离子体离解并激发薄膜沉积气体，同时通过冷却装置冷却基底，由此通过表面波等离子体(SWP)CVD的有效作用在有机EL器件上形成充当保护薄膜的氮化硅薄膜。
本发明的第二方面的特点在于：在包括微波发生装置；一具有一介电材料窗的处理腔；微波发射装置，该装置将由所述微波发生装置发出的微波导向所述介电材料窗，由此使所述微波辐射到所述处理腔中；和用于冷却上面形成一有机电致发光器件的一基底的冷却装置；利用向所述处理腔中发射所述微波而产生的表面波等离子体离解并激发薄膜沉积气体，同时通过所述冷却装置冷却所述基底，由此通过表面波等离子体化学气相沉积在所述有机电致发光器件上形成用作保护薄膜的氮化硅薄膜的薄膜沉积设备中，所述薄膜沉积气体由至少包含氮气并在等离子体中产生基团的第一气体和包含硅烷气体的第二气体组成；气体供给装置具有一第一供给部分和一第二供给部分，第一供给部分将第一气体供给处理腔，第二供给部分将第二气体供给到比离第一气体供给部位更接近基底的部位。
本发明第三方面的特点在于利用一种薄膜沉积设备制造有机EL的保护薄膜的方法，该设备包括微波发生装置；一具有一介电材料窗的处理腔；微波发射装置，该装置将由所述微波发生装置发出的微波导向所述介电材料窗，由此使所述微波辐射到所述处理腔中；和用于冷却上面形成一有机电致发光器件的一基底的冷却装置；利用向所述处理腔中发射所述微波而产生的表面波等离子体离解并激发薄膜沉积气体，同时通过所述冷却装置冷却所述基底，由此通过表面波等离子体化学气相沉积在所述有机电致发光器件上形成用作保护薄膜的氮化硅薄膜，所述薄膜沉积气体由至少包含氮气并在等离子体中产生基团的第一气体和包含硅烷气体的第二气体组成；所述气体供给装置具有一第一供给部分和一第二供给部分，所述第一供给部分将所述第一气体供给所述处理腔，所述第二供给部分将所述第二气体供给到比离供给所述第一气体的部位更接近所述基底的部位，在本方法中通过交替叠置氮化硅薄膜形成保护薄膜，该保护薄膜是通过将所述薄膜沉积气体中的氮气浓度设定到第一预定浓度而生长其中的一种氮化硅薄膜并使其具有压缩应力、通过将所述薄膜沉积气体中的氮气浓度设定到第二预定浓度而生长另一种氮化硅薄膜并使其具有拉伸应力而形成的。
附图说明
图1是本发明薄膜沉积设备的一实施方式的视图，它示出了SWP-CVD设备的概略结构；
图2是气体入口系统的另一实例的视图；
图3是介电部件30a、30b的细部透视图；
图4示出了薄膜沉积期间N2气流的流率与生长的SiNx薄膜的内应力之间的关系；
图5是有机EL器件的概略结构的截面图；
图6示出了用本实施方式的SWP-CVD设备生长的高密度SiNx薄膜的透射率的测量结果；
图7是保护薄膜45的另一实例的截面图；和
图8是有机EL器件的第二实施方式的视图。
具体实施方式
下面参看附图描述本发明的实施方式。图1示出了本发明的用于生长薄膜的设备(以下简称“薄膜沉积设备”)的第一实施方式，它示出了通过SWP-CVD形成SiNx薄膜(氮化硅薄膜)的SWP-CVD(表面波等离子体化学气相沉积)设备的基本结构。该SWP-CVD设备配备有用于进行CVD的处理腔3；用于产生2.45GHz的微波产生部分1；和用于向处理腔3发射微波的波导2。
微波功率源12向设置在微波发生部分1中的微波发射器11提供功率。在微波发射器11和波导2之间夹置隔离器13、定向耦合器14和调谐器15。由微波发射器11产生的微波MW通过这些器件传递给波导2。处理腔3构成真空腔，隔离壁的一部分形成为由介电材料如石英构成的微波入射窗3a。
微波入射窗3a可以为矩形或圆形形状。波导2设置在微波入射窗3a上方的位置。在波导2的与微波入射窗3a相对的表面上形成多个向处理腔3辐射微波MW的隙缝天线2a。具体地说，该表面可以是波导2的底面。
在处理腔3中设置基底支架8，在基底支架8的顶部放置上面形成有机EL层的基底9。在本实施方式中，基底9由透明的玻璃基底构成，并且有机EL层形成在基底9上。基底9设置成与处理腔3的微波入射窗3a相对。在这种情况下，可以沿附图的垂直方向升高或降低基底支架8。
在基底支架8内形成用于循环冷却剂的冷却剂通道81，并且冷却剂经冷却器4冷却之后被提供到冷却剂通道81中。另外，在基底支架8的被放置基底的表面中形成螺旋槽82。通过气体管道83将氦气(He)供给到槽82中。附图标记5表示用于供气的氦气源。供给的气体的流率由质量流量控制器6控制。
流经冷却剂通道81的冷却剂冷却基底支架8，并且基底支架8冷却流经槽82的He气。冷却的氦气与放置在基底支架8上的基底9的背面直接接触，从而冷却基底9。具体地说，基底9的热量通过基底支架8和He气传递给冷却剂通道81中的冷却剂。如上所述，基底9通过He气冷却，使得基底温度可以维持在较低的水平。
在处理腔3中，至少独立设置两根管，一根是向处理腔3的内部供给氮气(N2)、氢气(H2)和氩气(Ar)的供气管16，另一根是供给硅烷气(SiH4)的供气管17。N2、H2和Ar气分别通过质量流量控制器18、19和20从供气源22被提供给供气管16。另一方面，SiH4气通过质量流量控制器21从供气源22提供给供气管17。
每根供气管16、17做成环形形状以围绕处理腔3中产生的等离子体P。由N2、H2和Ar气组成的混合气体均匀地从供气管16注入，同时SiH4气均匀地从供气管17注入到等离子体区域。环形供气管16、17的直径D1、D2设置成大于微波入射窗3a的直径，并假设呈D2≥D1的关系。
借助于涡轮式分子泵(TMP)23对处理腔3的内部抽真空。在处理腔3和TMP 23之间设置一个可变热导阀(variable conductance valve)25和主阀26。TMP23和处理腔3之间的导热率通过可变热导阀改变，由此改变处理腔3的泵送速度。附图标记24表示TMP23的后泵(back PumP)，油封的旋转真空泵RP或干式真空泵DrP可用于TMP 23的后泵24。
当从波导2中的隙缝天线2a辐射的微波通过微波入射窗3a输入到处理腔3中时，处理腔3中的气体被微波电离并离解，由此产生等离子体。当等离子体P的电子密度超过微波截止密度时，微波作为表面波沿微波入射窗3a传播，从而分布在微波入射窗3a的全部表面上。因此，由表面波激励的等离子体P的密度在微波入射窗3a的附近变高。
从供气管16供给的N2、H2和Ar气被等离子体P离解和激励，由此产生基团(radicals)。从供气管17注入等离子体P的下游的SiH4气被基团离解和激励，且Si和N在基底9上结合为氮化硅薄膜(SiNx薄膜)。
SiNx薄膜的沉积速率取决于加工气体(processing gases)(如SiH4气体和N2气体)的沉积速率和微波功率。供给的微波功率达到可以离解所有为薄膜沉积提供的气体的水平。但是，如果对微波功率的提供设置一些限制，则可以根据微波功率控制并提供薄膜加工气体的量。
因为在薄膜沉积期间已知所需的最佳压力范围，所以应该控制排气系统的泵送速度，使得可以根据为薄膜沉积提供的气体量使处理压力达到最佳。简而言之，可以通过调节可变热导阀25的导热率进行所述控制。在薄膜沉积期间监测处理腔3的内部压力，并且调节可变热导阀25，使得在所有时间内处理压力最佳，借此可稳定地沉积高密度的SiNx薄膜。
除了前述要求之外，还需要在优化微波入射窗3a到供气管16的距离S1、供气管16到供气管17的距离S2以及微波入射窗3a到基底9的距离L所需的最佳条件下在基底9上沉积SiNx薄膜。利用等离子体中产生的基团促进SiH4气体的离解。在这方面，相对于距离S1和S2而言，优选将供气管16设置在比离设置供气管17的位置更接近开口部分3a的位置(S1＜S2)。在图1所示的SWP-CVD设备中，最好将距离S1设置为30mm至100mm的值。
图2示出了气体入口系统的另一实例。图2是在微波通过波导2传递的方向上看到的薄膜沉积设备的视图，即从图1中右手侧看到的薄膜沉积设备的视图。将波导2设置成插入处理腔3的凸缘31中的开口31a中。微波入射窗30由两个部件：即上介电部件30a和下介电部件30b构成，并有气流通道32、33和34。在图2所示的设备中，供气管16设置在凸缘31中，并保持与形成在介电部件30a中的气流通道32互通。这些供给的N2、H2和Ar气在一系列气流通道32、33和34中流动，从介电部件30b的下表面注入处理腔3的内部。
图3是介电部件30a、30b的细部透视图。在介电部件30a中，气流通道32是一个垂直穿过介电部件30a与形成在介电部件30a下表面中的槽33A相连的穿孔。槽33B形成在介电部件30b的上表面中。另一方面，从槽33B穿到介电部件30b的下表面的多个孔形成为气流通道34。使微波入射窗30形成为使得介电部件30a的下表面保持与介电部件30b的上表面紧密接触。槽33A、33B彼此相对形成。当介电部件30a、30b上下彼此叠置时，槽33A、33B构成气流通道33。
形成表面波等离子体P，使之与微波入射窗30下侧的几乎整个面积相对。如图3所示，可以在介电部件30b的整个下侧均匀地形成起气体出口作用的气流通道34，使得可以在基底9上形成均匀的薄膜。
众所周知，SWP-CVD产生的等离子体密度高于由RF等离子体CVD或其它CVD产生的等离子体密度。SWP-CVD期间在基底附近产生的电子密度处于5×109至1012(cm3)的范围，而电子温度范围为1至20(eV)，或大约在此范围。因此，无需利用加热器等加热基底9就可形成高密度的SiNx薄膜。高密度SiNx薄膜是一种包含很大比例的Si3N4键(Si3N4 bond)的氮化硅薄膜，其特点可能是Si3N4-键的比例越大，氮化硅薄膜的透明度越高。因此，可以形成一种具有优良的防潮特性的保护薄膜。然而由于基底9朝上面向高密度等离子体，本实施方式通过用He气冷却基底9可确保基底9保持在低温。
基底9的冷却
在本实施方式中，槽82形成在基底支架8的所述表面中，基底被放置在该表面(以下称作基底安置面)上，并且最好使作为热传导气体的He气流进槽82中，从而有效地冷却基底9。例如，如果把基底支架8的所述表面看作是一个平面，则基底9的背面看上去似乎该表面与所述安置面接触。而实际上对在基底的背面和安置面之间的情形而言，只是点接触，因此，尽管企图冷却基底支架8本身，但基底9很难被有效冷却。相反，在此实施方式中，通过使He气流经槽82大大提高了基底支架8和基底9之间的热传导性能，从而实现高效热传导。
例如，如果氦气的流率取1(sccm)左右，则槽82中的压力可能落在粘性流的压力范围内，在该范围内He气可以用作起传热作用的冷却剂气体。供给到槽82中心的He气经螺旋槽82向周边方向流动并注入到处理腔3的内部，如图1中箭头所示。因此，He气的流率应该设置为对薄膜沉积过程不产生影响的值。当然，如上所述，1(sccm)的流率不会造成这种问题。
He气在槽82中是否为粘性流取决于槽的横截面积以及He气的流率。因此，He气的流率应设置在不影响薄膜沉积过程的范围，但应该在保持流率的同时进一步调整槽82的横截面积，使得He气为粘性流。
SiNx薄膜上的应力
当在SWP-CVD设备中沉积SiNx薄膜时，SiNx薄膜中Si3N4的比例可以通过改变N2气的浓度比(the concentyation of the N2 gas rate)来控制。具体地说，通过增大原料气体中氮气的浓度来形成具有高比例Si3N4的高密度SiNx薄膜。相反，减小N2气体的浓度将形成具有低比例Si3N4的低密度SiNx薄膜。
图4示出了沉积薄膜时所需的N2气流率与沉积的SiNx薄膜上施加的内应力之间的关系。图4的垂直轴代表内应力，内应力的单位是(dyn/cm2)。正值意味着内应力是拉伸应力，而负值意味着内应力是压缩应力。图4的水平轴表示N2气的流率，流率的单位表示为“sccm”。当通过改变N2气的流率而以各种N2气浓度值形成SiNx薄膜时，施加到形成的SiNx薄膜上的应力随N2气的浓度而变。当N2气的流率减小时，可以看到在N2气的一定流率限度时(如一定的N2浓度)SiNx薄膜上的应力从压缩应力变为拉伸应力。
图4所示的数据涉及厚度为0.5(μm)的SiNx薄膜。除上述N2气的流率外，沉积薄膜还要求SiH4气的流率为75(sccm)；H2气的流率为52(sccm)；薄膜沉积压力为50(mTorr)；以及微波功率为1.3kW。在图4所示的实施方式中，当N2气的流率从170(sccm)减小时，压缩应力减小。可以看到应力在155(sccm)的限度值时由压缩应力变为拉伸应力。
这意味着可以通过调节N2气的流率来调节SiNx薄膜上的内应力。具体地说，通过优化N2气的流率可以沉积内应力小的SiNx薄膜。图5示出了利用本实施方式的薄膜沉积装置形成具有保护薄膜的有机EL器件的实例，该图示出了有机EL器件的概略结构。构造成阳极、用作提供空穴的源的透明电极42以预定的图案形成在由透明玻璃基底形成的基底9上。称作ITO(氧化铟锡)的由铟和锡组成的氧化物通常用作透明电极42。
在透明电极42上设置有机EL层43。在有机EL层43上形成构成阴极的金属电极44。形成保护薄膜45以覆盖金属电极44和有机EL层43。金属电极44的引线部分44a从保护薄膜45中暴露出来。金属电极44由镁和银组成的合金或铝制成。金属电极44用作提供电子的阴极。
当在电极42、44之间施加电压时，空穴从透明电极42植入到有机EL层43。另一方面，电子从金属电极44植入到有机EL层43中。这些植入的空穴和电子又在有机EL层43中耦合到一起。有机材料在重新耦合时被激励。于是，在有机材料从激发态返回到基态时产生荧光。为了促进上述反应，有机EL层43通常由空穴植入传输层、光发射层和电子植入传输层构成。
因为现有技术中已知的保护薄膜45的透明度不够，所以常规的有机EL器件使产生的光从透明玻璃基底9中分出。但在本实施方式中，可以将具有高透明度的高密度SiNx薄膜当作可由SWP-CVD法制造的保护薄膜45。因此，使得有机EL器件成为顶部发射型器件，光从保护薄膜中分出，如图5中虚线所示，从而可以显著提高有机EL器件的亮度。
图6示出了本实施方式的SWP-CVD设备生长的高密度SiNx薄膜的透射率测量结果。在图6中，竖直轴代表透射率(％)，水平轴代表光的波长(nm)。曲线L1表示在基底上生长高密度SiNx薄膜之前玻璃基底的透射率。曲线L2、L3表示生长的高密度SiNx薄膜的透射率。曲线L2、L3就N2气的流率而言彼此不同。从图6中明显看出，可获得与玻璃基底相当的透射率。因为透射率随波长的变化不大，所以不会将保护薄膜45认作着色薄膜。
在图5所示的实施方式中，保护薄膜45为单层结构。当然，如图7所示，保护薄膜可以形成为三层结构。图7是保护薄膜45的放大的横截面图。保护薄膜由顺序的三层有机EL层组成：即具有拉伸应力的SiNx薄膜451、具有压缩应力的SiNx薄膜452和具有拉伸应力的SiNx薄膜453。
图4中在N2气体流率大于155(sccm)的条件下沉积具有压缩应力的SiNx薄膜452。另一方面，在N2气体流率低于155(sccm)的条件下生长具有拉伸应力的SiNx薄膜451、453。更具体地说，在沉积SiNx薄膜452时，将图1中的质量流量控制器18的流率设置为大于155(sccm)的值。在沉积SiNx薄膜451、453时，将质量流量控制器18的流率设置为低于155(sccm)的值。此时参见图4给予解释，图4中将155(sccm)值作为应力从压缩应力变为拉伸应力时的流率，当然，此值也可以随其它气体的流率而变。
通过调节N2气体流率，本实施方式的薄膜沉积设备很容易有选择地沉积具有压缩应力层和拉伸应力层的SiNx薄膜。换言之，可以通过交替层叠具有压缩应力的SiNx薄膜和具有拉伸应力的另一SiNx薄膜而在有机EL器件上形成剩余应力很小的保护薄膜(即SiNx薄膜)。
在前面的描述中，通过在单个处理腔3中改变N2气体的流率可顺序地生长SiNx薄膜451至453。当然，例如利用将N2气体流率设置成大于155(sccm)的值的第一SWP-CVD设备和将N2气体流率设置成低于155(sccm)的值的第二SWP-CVD设备也可形成具有三层结构的保护薄膜45。换言之，就SiNx薄膜452的薄膜沉积而论，在用于形成该薄膜的第一SWP-CVD设备中将该薄膜452转移到基底9中，而就SiNx薄膜451、453而论，在第二SWP-CVD设备中将薄膜451、453转移到基底9中。
如上所述，在本实施方式中，交替地形成具有拉伸应力的SiNx薄膜和具有压缩应力的SiNx薄膜的叠层，从而形成保护薄膜45。结果，可以降低保护薄膜45的剩余应力，并且可以防止金属电极44的浮置或保护薄膜45的脱落。
在图7所示的实施方式中以三层交错为例进行了说明。但对于保护薄膜45的唯一条件是具有多层结构，其中具有压缩应力的SiNx薄膜和具有拉伸应力的另一SiNx薄膜交替叠置。例如，可以省去图7所示的SiNx薄膜453，并可以由SiNx薄膜451和SiNx薄膜452构成保护薄膜45。另外，所述的保护薄膜也可以相反的顺序形成，如从有机EL层43出发形成SiNx薄膜452和SiNx薄膜451。
图8示出了有机EL器件的第二实施方式。在图8中，与图5所示的相同器件采用相同的附图标记，并且下面的说明只集中在它们的不同方面。图5中所示的有机EL器件采用玻璃基底作为基底9。但在此第二实施方式中，用透明的树脂基底50代替玻璃基底。当在透明树脂基底50上形成有机EL器件时，通过利用图1所示的薄膜沉积设备在透明树脂基底50上形成高密度SiNx薄膜51。在高密度SiNx薄膜51上形成有机EL器件的构件，如透明电极42、有机EL层43和金属电极44，并且由高密度SiNx薄膜形成保护薄膜45，从而密封有机EL层43。
与上述玻璃基底9相比，透明树脂基底50没有足够的防潮性，因此设置高密度SiNx薄膜51以补偿透明树脂基底50的防潮性。因为高密度SiNx薄膜51的透明度很高，所以透明树脂基底50不影响光的分离。另外，就热阻而言，透明树脂基底50也低于玻璃基底9，因此，透明树脂基底50将因在形成高密度SiNx薄膜51过程中温度上升引起的温度急剧增高而劣化。
但是，在本实施方式的薄膜沉积设备中，透明树脂基底50可以通过使He气流过被冷却的基底支架8的槽82而被He气冷却。结果，可以提前抑制透明树脂基底50中温度的升高。因此，尽管透明树脂基底的热工特性较差，仍可以在透明树脂基底50上完成有机EL元件的制造。
与上述实施方式之间的对应部分有关的是，图1中微波发生装置由微波发生部分1表示；微波发射装置由波导2表示；冷却装置由冷却支架8、冷却器4和氦气源5表示；第一供给部分由供气管16表示；第二供给部分由供气管17表示；第一气体由供气管16供给的气体表示；第二气体由供气管17供给的气体表示。此外，与图4中示出的N2气流率大于155(sccm)的氮气浓度相应的氮气浓度对应于第一预定浓度。与图4中示出的N2气流率小于155(sccm)的氮气浓度相应的氮气浓度对应于第二预定浓度。只要不省略本发明的特征，本发明不限于这些实施方式。
如上所述，根据本发明，在采用所述SWP-CVD的薄膜沉积设备中配置用于冷却基底的冷却装置。因此，在不导致设置在基底上的有机EL器件热损伤的前提下，可将高密度SiNx薄膜形成为保护薄膜。
Claims (5)
1.一种薄膜沉积设备，包括：
微波发生装置；
一具有一介电材料窗的处理腔；
微波发射装置，其将由所述微波发生装置发出的微波导向所述介电材料窗，由此使所述微波辐射到所述处理腔中；和
用于冷却上面形成一有机电致发光器件的一基底的冷却装置，
其中，利用向所述处理腔中发射所述微波而产生的表面波等离子体离解并激发薄膜沉积气体，同时通过所述冷却装置冷却所述基底，由此通过表面波等离子体化学气相沉积在所述有机电致发光器件上形成用作保护薄膜的氮化硅薄膜。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，所述薄膜沉积气体由至少包含氮气并在等离子体中产生基团的第一气体和包含硅烷气体的第二气体组成，其中，所述气体供给装置具有一第一供给部分和一第二供给部分，所述第一供给部分将所述第一气体供给所述处理腔，所述第二供给部分将所述第二气体供给到比离供给所述第一气体的部位更接近所述基底的部位。
3.如权利要求1或2所述的薄膜沉积设备，其中，所述冷却装置包括至少一个在一表面上形成有槽的冷却支架，所述槽用于馈送冷却气体以冷却所述基底。
4.一种制造有机电致发光器件的保护薄膜的方法，包括步骤：
第一薄膜形成步骤，用于形成内部产生压缩应力的一氮化硅薄膜；
第二薄膜形成步骤，用于形成内部产生拉伸应力的另外的氮化硅薄膜；以及
保护薄膜形成步骤，通过在一基底上交替叠置所述氮化硅薄膜和所述另外的氮化硅薄膜形成保护薄膜，其中，
通过包括至少预定浓度被设定成彼此不同的氮气的薄膜沉积气体实现所述氮化硅薄膜和所述另外的氮化硅薄膜的每一层薄膜的沉积。
5.如权利要求4所述的制造有机电致发光器件的保护薄膜的方法，其中，利用表面波等离子体化学气相沉积法离解并激励所述薄膜沉积气体。
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