CN100442435C

CN100442435C - 电子束描绘装置和电子束描绘方法

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Publication number: CN100442435C
Application number: CNB2004100832273A
Authority: CN
Inventors: 早田康成; 上村理; 中山义则; 谷本明佳; 村木真人
Original assignee: Canon Inc; Hitachi Ltd
Current assignee: Canon Inc; Hitachi Ltd
Priority date: 2003-10-07
Filing date: 2004-09-29
Publication date: 2008-12-10
Anticipated expiration: 2024-09-29
Also published as: US20050072939A1; EP1523028A3; CN1606129A; US7098464B2; JP2005116731A; EP1523028A2

Abstract

提供一种电子束描绘装置和电子束描绘方法，能够进行高精度吻合。该电子束描绘装置，具有：电子源；电子光学系统，该电子光学系统使从上述电子源发射的电子束在试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元在与上述电子束的照射方向同一侧；光检测单元，该单元在与发射上述光束的单元同一侧且接收被上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该单元在相对于上述标记基板与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束朝向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且根据检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

Description

电子束描绘装置和电子束描绘方法

技术领域

本发明涉及光刻技术，特别涉及半导体工艺等中使用的电子束描绘技术。

背景技术

在电子束测量装置中，提出了利用光来检测晶片位置，利用电子束进行测量的装置。在日本专利申请特开平9-22676号公报中，通过利用光和电子束分别检测标记位置而知道两者的距离，之后，把利用光的标记检测值反馈到电子束的位置控制中。

此外，在特开平1-214117号公报中，报告了利用光来检测晶片位置，利用电子束进行描绘的方法。

另一方面，在特开平6-275500号公报中，提出了利用透过在台上的开口的透射电子类测量电子束的焦点和象散的方法。

发明内容

在上述现有例(专利文献1)的方法中，由于双方都使用来自标记的反射信号，所以在精度方面是有极限的。此外，在现有例(专利文献2)中，也由反射电子进行检测。因此，这两个现有例都很难说充分考虑了标记检测的精度。

另一方面，现有例(专利文献2)虽然在电子束的高精度调整方面是有效的，但是，对于在描绘时与基底晶片图形的位置吻合未作任何考虑。

因此，本发明的目的在于，提供在使用光进行标记检测时，能够进行高精度吻合描绘的电子束描绘技术。

为了达到上述目的，在本发明中，其特征在于：构成在台上具有由位置检测用的光束和描绘用的电子束从同一侧照射的、由支撑体和开口部构成的标记基板，并具有设置在与照射侧相反方向上的电子接收面(在此，使用基于光的术语，把接收电子束的面称为光接收面)和设置在与照射侧同一方向上的光接收面的电子束描绘装置，由此，电子束利用效率和对比度良好的透过射束测量，光束利用可谋求与晶片标记检测的互换性的反射光来进行测量。

在上述现有例(专例文献1)中，由于利用反射电子和二次电子来测量电子束在试样上的图形，所以希望电子束的标记检测也利用反射电子和2次电子进行。

与此不同，本发明由于是进行描绘的装置，所以电子束的标记检测利用透射电子进行，这对装置精度不造成坏影响。此外，由于利用电子束的标记检测在试样位置以外进行，所以可以在台上设置检测器，能够利用透射电子。这样，本发明的检测方式是通过活用描绘装置的特性而发现的。

此外，在现有的使用电子束反射的方式中，由于基板或其表面必须是传导性的，所以在进行利用光的检测时来自背景的反射增大，反射光信号的对比度降低。在使用由开口构成的标记基板时，由于能够使开口部的反射率为零，所以能够期待使反射光信号的对比度也同时提高的效果。

此外，为了更有效地使用本发明，在标记结构上想办法也是重要的。例如，作为标记基板在轻元素的支撑体上覆盖金属，由此，能够兼顾在电子束测量中是重要的高精度开口的形成、和在光测量中是重要的标记的反射。此外，还有覆盖以其原子序号比构成支撑体的主要原子的原子序号大的原子为主要原子的金属的方法。由此，可保持高精度开口的形成，同时，还能够增大电子束测量时的对比度。例如，可以考虑：构成支撑体的主要原子是加工性良好的硅，原子序号大的元素是重金属或贵金属。近年来，在位置测量中具有耐高精度的微细图形开口的模版基板的制作技术还在发展，在本发明中把利用该技术作为一个注意点。

为了谋求提高利用光的标记检测精度，还希望进一步提高对比度。例如，通过在标记基板与电子接收面之间设置吸收位置检测用的光的构件，来防止来自标记基板下方的光的反射。即，通过大幅度地降低通过开口部的光的反射率，能够提高反射光的对比度。与使用厚基板时相比较，这是很大的优点。

此外，把标记分离成电子束用和光用也有意义，可以在各个测量中取最佳的结构。此时，由于把各个标记配置在附近，所以使两个标记间的相对距离稳定化是重要的。把电子束用标记配置在比较大的、光用标记内部的方法，在使标记间的相对距离稳定化方向也是有利的。在分离成电子束用和光用时，在与光用标记照射侧相反的方向上设置光的吸收体，在防止来自标记基板以外的光的反射方面是有效的。

再有，在形成可以独立地消隐的多条电子束的、多射束电子束描绘装置中进行基线校正时，使用形成了具有大致为多射束间距的整数倍的间距的、光检测用的标记的、标记检测基板，由此，可以兼用为二者的标记，可期待高精度的校正。

本发明提供一种电子束描绘装置，其特征在于具有：电子源；电子光学系统，该电子光学系统使从上述电子源发射的电子束在试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元位于上述电子束照射方向的同一侧；光检测单元，该光检测单元与发射上述光束的单元位于同一侧且接收由上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该电子检测单元相对于上述标记基板位于与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且该电子束描绘装置构成为，根据检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

本发明提供一种电子束描绘方法，其特征在于具有：使从电子源发射的电子束在安装在台上的试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形的工序；从上述电子束照射方向的同一侧向设置在上述台上的标记基板照射位置检测用的光束，从上述光束的照射方向的同一侧接收由上述标记基板反射的反射光的工序；向上述标记基板照射上述电子束，在相对于上述标记基板与接收上述反射光的一侧相反的一侧检测透过上述标记基板的透射电子的工序；以及根据检测出的上述反射光和上述透射电子，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息的工序，且利用上述光束来检测上述试样上的标记位置，根据求出的上述相对的位置信息来进行上述电子束的描绘。

下面，描述本发明的有代表性的结构例。

(1)本发明的一种电子束描绘装置，其特征在于具有：电子源；电子光学系统，该电子光学系统使从上述电子源发射的电子束在试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元位于上述电子束照射方向的同一侧；光检测单元，该单元与发射上述光束的单元位于同一侧且接收被上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该单元相对于上述标记基板位于与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且该电子束描绘装置构成为，根据检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

(2)本发明的一种电子束描绘装置，其特征在于具有：电子源；电子光学系统，该电子光学系统使从上述电子源发射的电子束在试样上照射和扫描，在上述试样上描绘所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元位于上述电子束照射方向的同一侧；光检测单元，该单元与发射上述光束的单元位于同一侧且接收被上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该单元相对于上述标记基板位于与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且该电子束描绘装置构成为，通过并用检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

(3)本发明的一种电子束描绘装置，其特征在于具有：电子光学系统，该电子光学系统对按预定的间隔距离排列的多条电子束分别独立地通断控制，对被通断控制的上述电子束汇总进行偏转扫描，在上述试样上描绘所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元位于上述电子束照射方向的同一侧；光检测单元，该单元与发射上述光束的单元位于同一侧且接收被上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该单元相对于上述标记基板与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且构成为，根据检测出的上述反射光和上述透射电子，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

(4)本发明的一种电子束描绘方法，其特征在于具有：使从电子源发射的电子束在安装在台上的试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形的工序；从上述电子束照射方向的同一侧向设置在上述台上的标记基板照射位置检测用的光束，从上述光束照射方向的同一侧接收被上述标记基板反射的反射光的工序；向上述标记基板照射上述电子束，在相对于上述标记基板与接收上述反射光的一侧相反的一侧检测透过上述标记基板的透射电子的工序；以及根据检测出的上述反射光和上述透射电子，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息的工序，且利用上述光束来检测上述试样上的标记位置，根据求出的上述相对的位置信息来进行上述电子束的描绘。

按照本发明，能够进行电子束描绘装置的高精度吻合描绘，可形成高分辨率的器件图形。可以认为，在多射束电子描绘装置中特别有效。

附图说明

图1为说明本发明的实施例1和2中的装置结构的简图。

图2说明实施例1中的标记周边部。

图3说明进行本发明的吻合描绘的工序。

图4说明实施例2中的标记周边部。

图5为说明本发明的实施例3中的装置结构的简图。

图6说明实施例3中的标记基板的剖面结构。

图7为说明实施例3中的标记基板的、电子束用标记和光束用标记的形状的俯视图。

具体实施方式

(实施例1)

图1示出本实施例中的装置结构。在本实施例中，以可以并用可变矩形法和汇总图形照射法的电子束描绘装置为对象。

在电子源101中由50kV加速的电子束照射形成有矩形开口117的第1掩模102，通过两个转印透镜107、108向第2掩模111上形成矩形开口的像。在第2掩模111上，形成有可变矩形用矩形开口118和多个汇总图形用开口119。第2掩模上的第1掩模像的位置，由在两个掩模之间的偏转器106和射束形状控制电路133控制。利用两个缩小透镜112、113缩小由两个掩模形成的透射电子束，最终，利用物镜114、115将其转移到放置在台125上的试样124上。利用透镜控制电路135驱动这些透镜。同时，还利用对准控制电路134对电子束进行轴调整。电子束在试样124上的位置由物镜偏转器116控制。

在台125上，设置有位置检测用的标记基板126。通过使用测量该标记基板126和台125的位置的激光干涉仪(未图示)、透射电子检测器127、信号处理电路137和台控制电路138，能够测定电子束的位置。在装置中，除了在台125上设置的位置检测用的标记基板126以外，还设有反射光检测器123和光源128，能够测定光的位置。通过数据控制电路131汇总全部这些控制，还通过显示装置132显示控制结果和测量结果。

图2示出标记基板周边的扩大图。在此，使用的电子束201为描绘用的电子束，光束202为晶片标记检测用的光。实际上，光和电子在不同的部位入射，但是在此为了说明方便起见，示为同一位置。为了简明地示出图，图2中未示出光源和波导线路。把透射电子检测器127和透射电子的光接收面211设置在电子束201对标记基板126进行照射的面的相反一侧上，由此，可以作到高灵敏度和高对比度。另一方面，把反射光检测器123和反射的光的光接收面210设置在，与光束202照射到标记基板126上的面同一侧。由此，可以检测来自晶片标记的反射光。

因此可知，并用该透射电子和反射光，在利用光束检测晶片标记，利用电子束进行描绘的装置的基线校正中是重要的。特别是在多射束系统中，由于每一条射束的电流量减小了。故必须进行高灵敏度的透射电子的检测。

在本实施例中，如图2所示，作为支撑体选择了硅(模版)204。厚度为2μm。作为支撑体选择轻元素的理由，是由于开口的加工性良好，可谋求开口形状的高精度化。作为其它候补材料，可以考虑碳化硅和金刚石等。为了容易进行加工，还将其作成2μm厚的薄膜。这小于等于在描绘中使用的电子束行程的1/2。2μm厚的硅不能遮挡50kV的电子束，但是，比平均自由行程厚10倍以上时，能够使电子束散射。因此，如果设置散射电子光阑205以使散射电子不入射到透射电子检测器127中，就可以得到高的对比度。此外，由于通过了开口部的电子束201可直接入射到透射电子检测器127中，所以能够得到高的灵敏度。

在此，还把该散射电子光阑205作成光的的吸收体。具体地说，是碳的黑体。利用它来吸收透过了硅的光，作到检测部周边的乱反射光不入射到反射光检测器123中。还有利用铝等加工性好的材料制作散射电子光阑205，用碳覆盖其表面的方法。此外，把光吸收体212配置在电子接收面上的情况，因同样的理由，也是有效的。

此外，在图2中，在硅之上蒸镀作为贵金属的金(Au)203。由此，可以提高来自支撑体的光的反射率，能够把电子束用与光束用的标记基板共用化。这一点在保证基线校正的精度方面是很大的优点。此外，蒸镀像金那样的，其原子序号比构成支撑体的主要原子的原子序号大的原子的情况，在提高对于电子束的散射能方面也是有效的，能够得到双重的优点。图2中，只从表面蒸镀金，但因使光反射的功能是重要的，所以也可以从两面或只从下表面蒸镀。换言之，至少在对光束进行反射的单元侧或其相反侧的表面上覆盖金属，即可。本实施例中，金的厚度为40nm。这大于等于检测中使用的光的进入深度的2倍，由此，能够得到充分的反射率。相反地，在膜厚厚到大于等于开口图形的尺寸时，就对开口图形的形状造成坏影响。再有，作为覆盖的贵金属或重金属的其它候补可以举出：铂、钯、钨、钽等，是它们的合金也没关系。还有两层膜的形成方法：在硅系列的基板上制作开口之后蒸镀贵金属系列的膜的方法、用CVD法在硅系列的基板上制作重金属系列之后形成开口的方法等。再有，开口的形状为2μm间距的1μm直线。

标记检测用光的波长为590nm，通过图1示出的波导线路129、与标记基板126大致垂直地入射。支撑体某一部分的光的反射率大于等于90％、开口部的反射率为0％时，形成大的对比度。此外，由支撑体某一部分散射的电子束的检测概率小于等于1％。因此可知，能够得到在两种射束中近于理想的对比度的信号。

使用上述装置，按照图3的工序，向硅晶片进行了吻合描绘。首先，利用光和电子束来检测图2所示的标记位置(步骤301、302)，得到两者的相对位置信息(步骤303)。此时，活用光源128、反射光检测器123、信号处理电路137、台控制电路138等。接着，利用光进行晶片的标记检测(步骤304)，检测基底层的图形位置，通过数据控制电路131对于求出的相对位置信息进行处理，最终将其反馈到物镜偏转器116以利用电子束进行描绘(步骤305)。该结果，能够实现3σ为30nm的吻合精度。

通过迄今的说明可知，透射电子在开口部位上变多，反射光在开口以外的部位上增强，通过利用其反相可进行高速的基线校正。即，合成透射电子与反射光这两个信号并求出其对比度为最低的光和电子的相对距离，由此，可进行校正。该方法是本发明的一种应用方法。

(实施例2)

本实施例中，作为装置使用与图1同等的装置，但是，标记检测部使用图4所示的。图4中，把电子束用标记407和光用标记408分开。其目的在于，通过使用适合于各个的标记图形来提高精度。但是，由于标记间的相对距离必须对于热和应力稳定化，所以两者的位置必须尽可能靠近。本实施例中，作为标记基板在5μm厚的硅模版404上蒸镀有100nm厚的、作为金属的铝(Al)403。铝的电子束散射能与硅差不多、但可期待使光的反射率提高的效果。

一般地说，电子束401不擅于大的偏转，优选地，使用小的标记。与此不同，标记检测用的光束402由于分辨率不怎么好，所以优选地，使用大的标记。因此，光用标记408比电子束用标记407大。图4中，接在电子束用标记407的2μm间距、1μm直线的开口形状之后，形成有20μm间距、4μm直线的光用标记408。在此，还在光用标记408之下另外设有光的吸收体409，以预防光的乱反射。为了防止在附近通过的电子束所引起的带电，希望光的吸收体409为导电体。在此，作为光的吸收体也使用了碳。

此外，还有不但降低材料的反射率，而且作为设有凹凸的结构降低光的反射率的方法。首先，利用光束来检测光用标记，接着，利用电子束来检测电子束用标记，加进两图形间的距离，求出电子束与光束的相对关系。然后，利用光束来进行晶片的标记检测，检测基底层的图形位置，根据求出的相对位置信息利用电子束进行描绘。该结果，能够实现3σ为25nm的吻合精度。

还有，图中，405表示光检测器，406表示标记基板，410表示散射电子光阑，411表示电子检测器，420表示光的接收面，421表示电子的接收面。

(实施例3)

图5示出本实施例的装置结构。本实施例中，以多射束方式的电子束描绘装置为对象。在电子源510中由50kV加速的电子束511通过聚光镜512成为平行射束，通过多个孔的、空的开口阵列513分离成多个点射束，通过在其后级的透镜阵列514成像为点射束的中间像516。设有消隐阵列515和消隐光阑519，以便可以对多个点射束分开进行通断控制。这样制作的多点射束，通过由第1投影透镜518和第2投影透镜521构成的双合透镜522缩小，在试样524上成像。在双合透镜的两个透镜之间有偏转器520，用来确定在试样52A上的描绘位置。

在安装试样524的台525上有位置检测用的标记基板526，通过使用测量台525的位置的激光干涉仪(未图示)和透射电子检测器527，能够测定电子束的位置。在装置中，除了在台525上设置的位置检测用的标记基板526以外，还设有反射光检测器523和光源528，能够测定光的位置。

还在作为双合透镜522的第1个透镜的第1投影透镜518的上方设有由两级构成的对准仪517，通过使之连动能够调整朝向透镜的电子束的入射角和入射位置。利用对准控制电路504驱动对准仪517，利用透镜控制电路505驱动双合透镜522。具体地说，本例中是供给电流。各电流的设定值根据由数据控制电路501提供的信息来确定。通过供给电压，聚焦控制电路502和图形发生电路503同样使对应的光学元件工作。这些设定值也根据由数据控制电路501提供的信息来确定，该数据控制电路501具有显示装置509，还利用从信号处理电路507和台控制电路508得到的信息进行确定透镜和对准的操作量的计算。

本实施例中，作为把电子束用标记和光用标记分开的又一个例子，采用了具有图6所示那样的剖面结构的基板。从上面看到的形状示于图7。再有，图6中未图示反射光的接收面和光检测器、透射电子的接收面和电子检测器，但是，基本的结构与图2、图4中示出的一样。

本实施例中，电子束用标记605位于光束用标记604的内部，关于光602的检测，由于利用CCD等对反射像进行处理，所以使用来自大的2维区域的反射光较好，与此不同，关于电子束601的检测，由于能够使用的电流因库仑效应和象差而受到较大限制，所以使用来自大的2维区域的反射电子是困难的，与光用标记相比较，适合于使用小的标记，因此，如本实施例那样，通过把电子束用标记605做成包含在光束用标记604内的标记形状，能够确保各个的检测精度，同时，能够更好地保证两个标记相对距离的稳定性，此时，如果处理或反射光的信号避开中央的电子束用标记区域700(光测量未使用区域)，就可以预防两者的干涉。

使用本装置，检测基底层的图形位置，根据求出的相对位置信息利用电子来进行描绘。其结果，能够实现3σ为23nm的吻合精度。

在上述实施例中，作为位置检测用的能量射束，把光作为图形形成用的能量射束，使用了探针状的电子束，但是，显然也能够应用于使用了其它能量射束(例如，转印型的电子束和离子束、波长短的光等)的光刻装置中。

Claims

1.一种电子束描绘装置，其特征在于具有：电子源；电子光学系统，该电子光学系统使从上述电子源发射的电子束在试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形；安装上述试样的台；设置在上述台上的标记基板；发射照射上述标记基板的位置检测用的光束的单元，该单元位于上述电子束照射方向的同一侧；光检测单元，该光检测单元与发射上述光束的单元位于同一侧且接收由上述标记基板反射的反射光；以及电子检测单元，该电子检测单元相对于上述标记基板位于与上述光检测单元相反的一侧，且接收通过上述电子束向上述标记基板的照射而得到的透射电子，且该电子束描绘装置构成为，根据检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

2.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板由照射上述电子束的标记与照射上述光束的标记不同的图形构成。

3.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板中，照射上述电子束的标记配置在照射上述光束的标记的内部。

4.根据权利要求1、2或3所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板具有：支撑体以及按预定图形配设的开口部。

5.根据权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板的支撑体由轻元素构成，且上述支撑体的发射上述光束的单元侧和其相反侧的表面中的至少一个表面由金属覆盖。

6.根据权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板的支撑体的发射上述光束的单元侧和其相反侧的表面中的至少一个表面，由以其原子序号比构成上述支撑体的主要原子的原子序号大的原子为主要原子的金属覆盖。

7.根据权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板的支撑体的厚度小于等于描绘中使用的电子行程的1/2。

8.根据权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，构成上述标记基板的支撑体的主要原子为硅，且上述支撑体的发射上述光束的单元侧和其相反侧的表面中的至少一个表面由重金属或贵金属覆盖。

9.根据权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，在上述标记基板与上述电子检测单元之间设置吸收上述位置检测用的光束的构件。

10.根据权利要求2所述的电子束描绘装置，其特征在于，在上述标记基板的照射面的相反侧上，分别把透射电子光阑设置在与上述照射电子束的标记的位置对应的位置上，把光的吸收体设置在与上述照射光束的标记的位置对应的位置上。

11.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，并用上述检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息。

12.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于：所述电子光学系统对按预定的间隔距离排列的多条电子束分别独立地进行通断控制，对被通断控制的上述电子束汇总进行偏转扫描，在上述试样上描绘所希望的图形。

13.根据权利要求12所述的电子束描绘装置，其特征在于，上述标记基板包括光束用的标记，该光束用的标记是由具有为上述多条电子束的间隔距离的整数倍的间距的图形所形成的。

14.根据权利要求12或13所述的电子束描绘装置，其特征在于，构成为并用检测出的上述反射光和上述透射电子的信号，来进行基线校正。

15.一种电子束描绘方法，其特征在于具有：使从电子源发射的电子束在安装在台上的试样上照射和扫描，在上述试样上形成所希望的图形的工序；从上述电子束照射方向的同一侧向设置在上述台上的标记基板照射位置检测用的光束，从上述光束的照射方向的同一侧接收由上述标记基板反射的反射光的工序；向上述标记基板照射上述电子束，在相对于上述标记基板与接收上述反射光的一侧相反的一侧检测透过上述标记基板的透射电子的工序；以及根据检测出的上述反射光和上述透射电子，求出上述光束与上述电子束的相对的位置信息的工序，且利用上述光束来检测上述试样上的标记位置，根据求出的上述相对的位置信息来进行上述电子束的描绘。

16.根据权利要求15所述的电子束描绘方法，其特征在于，上述标记基板具有：支撑体以及按预定图形配设的开口部。

17.根据权利要求15所述的电子束描绘方法，其特征在于，上述电子束是由按预定的间隔距离排列的多条电子束构成的多射束，上述标记基板上形成了光束用的标记，该光束用的标记具有为上述多射束的间隔距离的整数倍的间距的图形。