CN100437265C - 显示器的制造方法、显示器及电子机器 - Google Patents

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Abstract

由于能够利用形成围堰(B1、B2)的围堰膜(71)，形成柱状调整垫(67)，所以不需要新的材料及工序，能够提高制造效率。由于能够在和存在象素电极(19)的显示区域不同的TFT元件(30)的形成区域形成柱状调整垫(67)，所以能够在获得上述效果的基础上，还提高显示区域中的光的透过效率或反射效率。提供提高了制造效率的显示器的制造方法、显示器及电子机器。

Description

显示器的制造方法、显示器及电子机器
技术领域
[0001]
本发明涉及显示器的制造方法、显示器及电子机器。
背景技术
[0002]
伴随着显示器的薄型化，对于画面的大面积化的要求也越来越高，对角线达到40英寸的大画面的显示器的需求量与日俱增。
在薄型化的显示器中，例如液晶显示器那样，大多采用在互相相对的扁平的基板之间，控制显示的结构。液晶显示器，利用透过液晶的光的偏振光状态随着液晶的取向而不同的性质进行显示。具体地说，液晶显示器在基板之间具有被密封的液晶，给在基板的相对的面上设置的电极外加电压后，控制液晶的取向。在这里，相对的基板之间的距离是数μm～数十μm，为了均匀地显示，其精度也要求在0.05μm以下。
基板之间的距离，取决于球状或纤维状的调整垫(Spacer)。可是，这些调整垫容易移动，基板上设置的电极、取向膜等被调整垫损伤后，会产生显示不良。
为了解决这些问题，利用树脂形成柱状的调整垫——所谓柱状调整垫(Column Spacer)，控制基板之间的距离的方法已经广为人知(例如参照专利文献1)。
[0003]
专利文献1：日本国特开平11-287983号公报(第7项，图4，段落号[0037])
[0004]
可是，替代球状或纤维状的调整垫，利用柱状调整垫控制基板之间的距离，也需要新的材料及工序，导致制造效率下降。
发明内容
[0005]
本发明的目的，在于提供提高了制造效率的显示器的制造方法、显示器及电子机器。
[0006]
本发明的显示器的制造方法，是具备控制开关元件基板和与所述开关元件基板相对的相对基板之间的距离的柱状调整垫的显示器的制造方法，其特征在于，包含：在所述开关元件基板上形成围堰膜的围堰膜形成工序；选择性地蚀刻所述围堰膜，形成围堰的凹部形成工序；选择性地蚀刻所述围堰膜，形成所述柱状调整垫的调整垫形成工序；在所述围堰之间的凹部，配置功能液的功能液配置工序。
[0007]
采用本发明后，由于利用形成围堰的围堰膜，也形成柱状调整垫，所以不需要新的材料及工序，提高了制造效率。
[0008]
在本发明中，最好在形成开关元件的区域上形成所述柱状调整垫。
在本发明中，因为在和显示区域不同的其它区域——形成开关元件的区域上形成柱状调整垫，所以在获得上述效果的基础上，还能够提高显示区域中的光的透过效率。
[0009]
在本发明中，最好在用所述围堰隔开的规定的位置，配置功能液，形成源电极或漏电极中的至少一个。
在本发明中，因为隔开配置至少形成源电极或漏电极中的一个的功能液的位置的围堰，还兼作柱状调整垫，所以能够高效率地形成开关元件。
[0010]
本发明的显示器，其特征在于，具备：开关元件基板(该开关元件基板具有旨在配置功能液的围堰)，相对基板(该相对基板与所述开关元件基板相对)，柱状调整垫(该柱状调整垫设置在所述开关元件基板和所述相对基板之间)；所述围堰的一部分，兼作所述柱状调整垫。
[0011]
采用本发明后，能够提供实现上述效果的显示器。
[0012]
在本发明中，所述柱状调整垫，最好在形成所述开关元件的区域形成。
采用本发明后，能够提供实现上述效果的显示器。
[0013]
在本发明中，最好在用所述围堰隔开的规定的位置，形成源电极或漏电极中的至少一个。
采用本发明后，能够提供实现上述效果的显示器。
[0014]
本发明的电子机器，其特征在于：具备所述的显示器。
采用本发明后，能够提供实现上述效果的电子机器。
附图说明
图1是表示第1实施方式中的液晶显示装置的简要俯视图。
图2是液晶显示装置的简要剖面图。
图3表示液晶显示装置的等效电路图。
图4是液晶显示装置的局部放大剖面图。
图5是表示包含TFT阵列基板的TFT元件的部分的放大俯视图。
图6(a)是TFT元件的放大剖面图，(b)是栅极布线和源极布线平面性交叉部分的放大剖面图。
图7是表示布线图案的形成方法的流程图。
图8是表示形成栅极布线的步骤的示意剖面图。
图9是表示TFT元件部分的形成方法的流程图。
图10表示从活性层形成工序到柱状调整垫形成工序的示意剖面图。
图11表示从斥液化处理工序到凹部形成工序的示意剖面图。
图12表示从功能液配置工序到烧成工序的示意剖面图。
图13表示直到液晶显示装置100完成为止的工序的示意剖面图。
图14是表示第2实施方式中的电子机器的图形。
具体实施方式
[0015]
下面，参照附图，讲述本发明的实施方式。
(第1实施方式)
图1是表示本实施方式中的显示器——液晶显示装置100的简要俯视图，图2是沿着图1的H～H’线的简要剖面图。
液晶显示装置100，作为开关元件，具备TFT(Thin Film Transistor)元件30。
此外，在以下的讲述中使用的各图，各层及各部件采用在图纸上能够识别的程度的大小，所以各层及各部件的比例互不相同。
[0016]
在图1及图2中，液晶显示装置100，具备作为阵列状地设置了TFT元件30的开关元件基板的TFT阵列基板10和相对基板20。这些基板，被光硬化性的密封材料——密封部件52粘贴到一起。密封部件52在TFT阵列基板10和相对基板20之间，形成框状。而且，向被该密封部件52包围的区域内，封入、保持液晶50。
[0017]
在图1中，在密封部件52的内侧，形成由遮光性材料构成的遮挡片53。遮挡片53的内侧的区域，是实际的图象显示区域203。
另外，在密封部件52的外侧的区域，沿着TFT阵列基板10的一个边，形成数据线驱动电路201及安装端子202；沿着与这个边邻接的两个边，形成扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10剩下的一个边上，设置着许多布线205，以便连接在图象显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204。另外，在相对基板20的拐角部，配置着基板间导通部件206，以便在TFT阵列基板10相对基板20设置的相对电极121之间实现电气性的导通。
[0018]
此外，可以取代在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204，通过各向异性导电膜做媒介，将安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT阵列基板10的周边部形成的端子组，电气性及机械性地连接。
另外，在液晶显示装置100中，按照动作模式即TN(Twisted Nematic)模式、STN(Super Twisted Nematic)模式等动作模式及常白模式/常黑模式的不同，朝着规定的方向配置着相位差板、偏振光板等(未图示)。
[0019]
图3表示液晶显示装置100的等效电路图。
在图1所示的图象显示区域203中，如图3所示，在矩阵状地构成许多象素100A的同时，还在这些象素100A的每一个上，形成TFT元件30。而且，在TFT元件30中，传输象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6A与TFT元件30的源极电连接。象素信号S1、S2、…、Sn，既可以按照该顺序传输，还可以向相邻接的多个数据线6A按照每个小组传输。另外，扫描线3A与TFT元件30的栅极电连接。而且在规定的时刻，将扫描信号G1、G2、…、Gm，按照这个顺序，脉冲状地外加给扫描线3A。
[0020]
象素电极19，与TFT元件30的漏极电连接，只在一定的时间使TFT元件30成为接通状态，从而在规定的时刻，将数据线6A传输来的象素信号S1、S2、…、Sn写入各象素。这样，通过象素电极19做媒介，写入液晶50的规定电平的象素信号S1、S2、…、Sn，就在和图2所示的相对电极121之间，保持一定时间。此外，为了防止被保持的象素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与在象素电极19和相对电极121之间形成液晶电容并列地附加积蓄电容60。例如：象素电极19和相对电极121之间的电压，在比外加源电压的时间长百倍的时间内，被积蓄电容60保持。这样，能够改善电荷的保持特性，实现对比度高的液晶显示装置100。
[0021]
图4是液晶显示装置100的局部放大剖面图。
液晶显示装置100，为了进行彩色显示，而在相对基板20上具备彩色滤波器13。在与图3所示的象素电极19对应的区域，和其保护膜18一起，形成红色滤波器13A、绿色滤波器13B、蓝色滤波器13C。另外，在红色滤波器13A、绿色滤波器13B、蓝色滤波器13C之间，还形成黑色矩阵9。
[0022]
在彩色滤波器13的保护膜18上，形成相对电极121；在相对电极121上，形成取向膜162。另外，在相对基板20形成彩色滤波器13的面的相反的面上，具备偏振光板175。
[0002]
TFT阵列基板10，由具有透明性的玻璃基板170、在玻璃基板170上形成的TFT元件30、在玻璃基板170和TFT元件30上形成的取向膜172等构成。另外，在玻璃基板170形成TFT元件30的面的相反的面上，具备偏振光板176。
[0024]
TFT阵列基板10和相对基板20的基板间距离，被柱状调整垫67控制。在这里，在形成TFT元件30的区域上，形成柱状调整垫67。
[0025]
图5是表示包含一个TFT阵列基板10的TFT元件30的部分的放大俯视图。另外，图6(a)是TFT元件30附近的放大剖面图，图6(b)是栅极布线12和源极布线16平面性交叉部分的放大剖面图。
[0026]
如图5所示，在具有TFT元件30的TFT阵列基板10上，形成栅极布线12、源极布线16、漏电极14、栅电极11、与漏电极14电连接的象素电极19、柱状调整垫67。
栅极布线12，向X轴方向延伸地形成，其一部分向Y轴方向延伸地形成。而且，向Y轴方向延伸的栅极布线12的一部分，作为栅电极11使用。此外，栅电极11的宽度，比栅极布线12的宽度狭窄。另外，向Y轴方向延伸地形成的源极布线16的一部分，向X轴方向延伸地形成，该源极布线16的一部分，作为源电极17使用。
[0027]
如图6(a)及(b)所示，在玻璃基板170上设置的围堰B之间，形成栅极布线12及栅电极11。栅极布线12、栅电极11及围堰B，被由SiNx构成的绝缘膜28覆盖。在绝缘膜28上，形成由非晶形硅(a-Si)层构成的半导体层——活性层63、源级布线16、源电极17、漏电极14和围堰B1。
[0028]
在图6(a)中，活性层63大致设置在与栅电极11相对的位置，活性层63的与栅电极11相对的部分，成为沟道区域。在活性层63上，为了获得电阻性的接合，而例如层叠由n+型a-Si层构成的接合层64A、64B，源电极17通过接合层64A做媒介，漏电极14则通过接合层64B做媒介，和活性层63接合。源电极17及接合层64A和漏电极14及接合层64B，在活性层63上设置的柱状调整垫67的作用下，互相绝缘。柱状调整垫67向和玻璃基板170相反的方向突出，控制和图4所示的相对基板20之间的基板之间的距离。
[0029]
如图6(a)及(b)所示，栅极布线12在绝缘膜28的作用下，和源极布线16绝缘；栅电极11在绝缘膜28的作用下，和源电极17及漏电极14绝缘。源极布线16、源电极17和漏电极14，被用绝缘膜29覆盖。在绝缘膜29的覆盖漏电极14的部分，形成接触孔，在绝缘膜29的上面，形成由通过接触孔做媒介和漏电极14连接的ITO(Indium Tin Oxide)构成的象素电极19。
[0030]
下面，讲述形成TFT元件30的栅极布线12的布线图案的过程。
本实施方式中的布线图案的形成方法，先在玻璃基板170上，包围薄膜形成区域地形成围堰B，再在被围堰B包围的凹部，配置布线图案形成用功能液40，最后在玻璃基板170上形成布线膜，从而形成布线图案。在这里，功能液40的配置，可以采用喷出液滴的液滴喷出法进行。
[0031]
首先，讲述使用的功能液40。液体材料——功能液40，由将导电性微粒分散到分散剂中的分散液构成。在本实施方式中，作为导电性微粒，例如除了可以使用包含金、银、铜、铝、钯及镍中至少1个的金属微粒之外，还可以使用它们的氧化物和导电性聚合物及超导电体的微粒等。为了提高这些导电性微粒的分散性，还可在其表面涂敷有机物等。
导电性微粒的粒径最好在1nm以上0.1μm以下。如果在1nm以上，涂敷剂对导电性微粒而言的体积比就小，获得的膜中的有机物的比例就会受到抑制。另外，如果在0.1μm以下，就不会使液滴喷出法使用的液滴喷出头的喷嘴出现堵塞的现象。
[0032]
作为分散剂，只要是能够将上述的导电性微粒分散并且不引起凝聚的物质即可，没有特别的限定。例如，除了水之外，还可以列举：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等酒精类，n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、暗煤、茚、双戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环已基苯等碳氢化合物，或乙二醇、二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、甲氧基乙烷、双(2一甲氧基)乙醇、P一二恶烷等乙醇类化合物，以及碳酸丙烯脂、r一丁内脂、N一甲基一吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。其中，在微粒的分散性和分散液的稳定性或者在液滴喷出法中使用的容易程度方面上说，最好使用水、酒精类、碳氢化合物、乙醇类化合物。作为更理想的分散剂，可以列举水、碳氢化合物。
[0033]
上述导电性微粒的分散液的表面张力，最好在0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。采用液滴喷出法，喷出功能液40之际，表面张力如果在0.02N/m以上，功能液40对于喷嘴面的润湿性就要减少，不容易出现液滴的飞行弯曲；如果在0.07N/m以下，喷嘴前端的弯液面的形状就稳定，容易控制喷出量及喷出时刻。
为了调整表面张力，可以在不使液滴和物体的接触角大大下降的范围内，向上述分散液中微量添加氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类表面张力调节剂，可以起到提高功能液40对基板的润湿性、改良膜的测平性、防止膜产生细微的凹凸等的作用。根据需要，上述表面张力调节剂也可以包含酒精、乙醚、脂、酮等有机化合物。
[0034]
上述分散液的粘度，最好在1mPa·s以上50mPa·s以下。采用液滴喷出法，将功能液40作为液滴喷出之际，如果粘度在1mPa·s以上时，喷嘴的周边部位就容易被功能液的流出污染；而如果粘度在50mPa·s以下时，喷嘴孔堵塞的频度就要变低，容易圆滑地喷出液滴。
[0035]
图7是表示本实施方式中的布线图案的形成方法的一个示例的流程图。
步骤S1，是为了在玻璃基板170上形成围堰B而形成围堰膜31的围堰膜形成工序；接着的步骤S2，是赋予围堰膜31的表面斥液性的斥液化处理工序；接着的步骤S3，是与栅极布线12的布线图案的形状对应，蚀刻围堰膜31，形成围堰B的凹部形成工序。另外，接着的步骤S4，是在赋予了斥液性的围堰B的凹部，配置功能液40的功能液配置工序；接着的步骤S5，是除去功能液40的液体成分中的至少一部分的中间干燥工序；接着的步骤S6，是功能液40包含的导电性微粒是有机银化合物时，为了获得导电性而进行热处理的烧成工序。
[0036]
下面，按照各步骤，详细讲述栅极布线12的形成过程。
图8是表示形成栅极布线12的步骤的一个示例的示意图。
首先，讲述步骤S1的围堰膜形成工序。
在图8(a)中，在涂敷形成围堰膜31的材料之前，作为表面改质处理，对玻璃基板170实施HMDS处理。HMDS处理是蒸气状涂敷六甲基二硅醚硅氧烷((CCH3)3siNHsi(CH3)3)的方法，这样，就在玻璃基板170上形成旨在提高围堰膜31和玻璃基板170的贴紧性的贴紧层——HDMS层32。
[0037]
由围堰膜31形成的围堰B，是作为隔离部件发挥作用的部件，形成围堰B，可以采用光刻蚀法及印刷法等任意的方法进行。例如，使用光刻蚀法时，采用自旋涂敷法、喷射涂敷法、滚子涂敷法、印染涂敷法、浸渍涂敷法等规定的方法，涂敷围堰膜31的形成材料。
在玻璃基板170的HDMS层32上，与围堰B的高度一致地涂敷围堰膜31的形成材料后，形成图8(a)所示的围堰膜31。
[0038]
作为围堰膜31的形成材料，可以使用对功能液40具有亲液性的材料。作为对功能液40具有亲液性的材料，例如可以列举在聚硅氨烷、聚硅氧烷、硅氧烷类抗蚀剂、聚硅烷类抗蚀剂等的骨架中包含了含硅的高分子无机材料及感光性无机材料、石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硫烷聚合物(アルキルシルセスキオキサンポリマ一)、氢化烷基硫烷聚合物(水素化アルキルシルセスキオキサンポリマ一)、聚芳基醚中的某一个的玻上自旋膜、金刚石膜及氟化非晶形碳膜等。进而，作为对功能液40具有亲液性的围堰膜31的材料，例如还可以使用气凝胶、多孔二氧化硅等。
[0039]
另外，作为围堰膜31的形成材料，还可以使用有机质的材料。例如可以使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
[0040]
围堰膜31的形成材料的亲液性的程度，最好是功能液40与围堰膜31的接触角小于40°，如果功能液40与围堰膜31的接触角小于40°，那么后文讲述的凹部34的侧面36与功能液40的接触角就小于40°，滴下的功能液40就容易在凹部34内散开。
[0041]
接着，讲述步骤S2的斥液化处理工序。在斥液化处理工序中，对围堰膜31进行斥液化处理，赋予其表面斥液性。作为斥液化处理，可以采用将四氟化碳(四氟合甲烷)作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理法的条件，例如是：等离子体功率为50～1000W、四氟化碳气体流量为50～100mL/min，对于等离子体放电电极而言的基体的输送速度为0.5～1020mm/sec、基体温度为70～90℃。此外，作为处理气体，不局限于四氟合甲烷，还可以使用其它氟代烃气体或SF6及SF5CF3等气体。
[0042]
经过这种斥液化处理工序后，如图8(b)所示，在围堰膜31的表面，形成向构成它的树脂中导入了氟基的斥液处理层37，赋予对于功能液而言的很高的斥液性。斥液处理层37的斥液性的程度，最好是功能液40的接触角为40°以上。接触角为40°以上时，功能液40难以在围堰B的上面残存。这样，滴下的功能液40就容易从围堰B的上面进入后文讲述的34。
[0043]
接着，讲述步骤S3的凹部形成工序。在凹部形成工序中，使用图刻蚀法，除去围堰膜31的一部分，形成被围堰B包围的凹部34。首先，向在步骤S1的围堰膜形成工序中形成的围堰膜31上，涂敷抗蚀剂层。接着，与围堰形状(布线图案形状)吻合，实施掩模，对抗蚀剂层进行曝光·显影，从而如图8(c)所示，形成与围堰B的形状吻合的抗蚀剂38。最后，进行蚀刻，除去被抗蚀剂38覆盖的以外部分的围堰膜31，除去剩余的抗蚀剂38。
[0044]
接着，在玻璃基板170上形成围堰B后，实施氟酸处理。氟酸处理，例如是用2.5％氟酸水溶液进行蚀刻，从而除去围堰B之间的HMDH层32的处理。在氟酸处理中，围堰B作为掩模发挥作用，如图8(d)所示，除去围堰B形成的凹部34的底部35的有机物——HMDH层32，露出玻璃基板170。作为形成布线图案的玻璃基板170而使用的玻璃及石英玻璃，对于功能液40具有亲液性，玻璃基板170露出的底部35，对于功能液40具有亲液性。
[0045]
这样，如图8(d)所示，形成被围堰B包围的凹部34，结束步骤S3的凹部形成工序。在用凹部形成工序形成的围堰B的上面，形成用上述斥液化处理工序形成的斥液处理层37，围堰B的上面，对于功能液40具有斥液性。作为对照，围堰B的侧面36直接露出对于功能液40具有亲液性的围堰膜31的形成材料，对于功能液40成为亲液性。如上所述，底部35对于功能液40成为亲液性，凹部34用亲液性的侧面36及底部35构成。
[0046]
接着，讲述步骤S4的功能液配置工序。
在功能液配置工序中，采用使用液滴喷出装置的液滴喷出法，将布线图案形成用功能液40的液滴配置在玻璃基板170上的围堰B之间的凹部34。在这里，喷出由有机银化合物构成的功能液40。该功能液40，作为导电性材料，使用有机银化合物；作为溶剂(分散剂)，使用二甘醇二乙醚。向围堰B的凹部34喷出功能液40的液滴，将功能液40配置在凹部34内。这时，如图8(e)所示，由于喷出液滴的预定布线图案形成区域(即凹部34)被围堰B包围，所以能够阻止液滴向规定位置以外扩散。
[0047]
接着，讲述步骤S5的中间干燥工序。
向玻璃基板170喷出液滴后，为了除去功能液40的分散剂及确保膜厚，根据需要进行干燥处理。干燥处理，例如除了采用将玻璃基板170加热的通常的热板及电炉等进行处理外，还可以采用灯泡退火进行。作为灯泡退火使用的光的光源，没有特别限定，可以将红外线灯泡、氙灯泡、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光器作为光源使用。这些光源，通常使用的是输出10W以上5000W以下的范围的产品，但在本实施方式中，100W以上1000W以下的范围就足够。
中间干燥工序结束后，就如图8(f)所示，形成栅极布线12及栅电极11。
[0048]
接着，讲述步骤S6的烧成工序。中间干燥工序后的干燥膜，是有机银化合物时，为了获得导电性，需要进行热处理，除去有机银化合物的有机成分，使银粒子保留下来。因此，对喷出工序后的基板实施热处理及/或光处理。
[0049]
通常在大气中进行热处理及/或光处理，但根据需要，也可以在氮、氩、氦等惰性气体介质中，或氢等还原气体介质中进行。热处理及/或光处理的处理温度，可考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气体介质的种类及压力、微粒的分散性及氧化性等热动态、涂敷材料的有无及数量、基材的耐热温度等适当决定。在本实施方式中，对于喷出的形成图案的功能液40，在大气中用无尘烘箱在280～300℃进行300分钟的烧成工序。例如，为了除去有机银化合物的有机成分，需要在200℃中烧成。另外，使用塑料等基板时，最好在室温以上、250℃以下进行。经过以上工序，能够确保喷出工序后的干燥膜的微粒间的电接触，使其变换成导电性膜。
[0050]
下面，根据附图，讲述TFT元件30及柱状调整垫67的制造方法。
图9是表示TFT元件30及柱状调整垫67的制造方法的流程图。
步骤S21，是形成半导体层——活性层63等的活性层形成工序；接着的步骤S22，是为了形成围堰B1等而形成围堰膜71的围堰膜形成工序。接着的步骤S23，是为了由围堰膜71形成柱状调整垫67的调整垫形成工序。接着的步骤S24，是赋予围堰膜71的表面斥液性的斥液化处理工序；接着的步骤S25，是蚀刻围堰膜71，以便形成与布线图案的形状对应的凹部74的凹部形成工序。接着的步骤S26，是在赋予了斥液性的围堰B1之间的凹部74，配置功能液81的功能液配置工序；接着的步骤S27，是除去功能液81的液体成分中的至少一部分的中间干燥工序；接着的步骤S28，是功能液81包含的导电性微粒是有机银化合物时，为了获得导电性而进行热处理的烧成工序。
[0051]
下面，按照各步骤的工序，详细讲述。
图10表示从活性层形成工序到柱状调整垫形成工序，图11表示从斥液化处理工序到凹部形成工序。另外，图12表示从功能液配置工序到烧成工序，图13表示直到液晶显示装置100完成为止的工序。
[0052]
如图10(a)所示，在步骤S21的活性层形成工序中，采用等离子体CVD法，进行作为栅极绝缘膜的绝缘膜28、半导体层——活性层63、接合层64的连续成膜。
使原料气体及等离子条件变化，从而作为绝缘膜28形成氮化硅膜、作为活性层63形成非晶形硅膜、作为接合层64形成n+型硅膜。采用CVD法形成时，需要300℃～350℃的热履历。但是在围堰中使用石英玻璃类的材料(这些材料在基本骨架的主链中，作为主要成分包含硅，在侧链中具有碳化氢等结构)后，能够避免有关透明性、耐热性的问题。
接着，蚀刻接合层64，将其分离成与源电极17接合的接合层64A、与漏电极14接合的接合层64B。
[0053]
接着，讲述步骤S22的围堰膜形成工序。
由围堰膜71形成的围堰B1、B2，能够用和围堰B同样的方法形成。在绝缘膜28上，涂敷围堰膜71的形成材料，达到能够覆盖活性层63及接合层64的高度，形成图10(b)所示的那种围堰膜71。
[0054]
在围堰膜形成工序中，作为围堰膜71的形成材料，和围堰膜31同样，使用对功能液81具有亲液性的材料，但是由于还同时成为柱状调整垫67的形成材料，所以前文讲述的能够吸收外力引起的冲击的有机质的材料，最理想。围堰形成材料的亲液性的程度，最好是功能液81的接触角小于40°。接触角为40°以上时，就有可能受到后文讲述的凹部74(参照图11(e))的形状的影响，得不到足够的亲液性。
[0055]
接着，讲述步骤S23的柱状调整垫形成工序。
在与接合层64A、64B之间对应的围堰膜71上的区域，形成抗蚀剂78。然后采用图刻蚀术，蚀刻围堰膜71，形成柱状调整垫67。柱状调整垫67的高度，成为与TFT阵列基板10和相对基板20的基板之间的距离对应的高度。这样，蚀刻到柱状调整垫67成为该高度为止(参照图10(c))。在这里，抗蚀剂78的平面形状，成为柱状调整垫67的断面形状。在本实施方式中，将抗蚀剂78的平面形状作为圆形。
[0056]
接着，讲述步骤S24的斥液化处理工序。在斥液化处理工序中，对围堰膜71进行斥液化处理，赋予其表面斥液性。作为斥液化处理，可以采用前文讲述的方法。
[0057]
经过这种斥液化处理工序后，如图10(c)所示，在围堰膜71的表面，形成向构成它的树脂中导入了氟基的斥液处理层77，赋予对于功能液81而言的很高的斥液性。斥液处理层77的斥液性的程度，最好是功能液81的接触角为40°以上。
[0058]
接着，讲述步骤S25的凹部形成工序。
在凹部形成工序中，使用图刻蚀法，除去围堰膜71的一部分，形成围堰B1及围堰B2和被围堰B1及围堰B2包围的凹部74。
首先，向形成柱状调整垫67的围堰膜71上，涂敷抗蚀剂层。接着，与围堰形状(布线图案形状)吻合，实施掩模，对抗蚀剂层进行曝光·显影，从而如图11(d)所示，形成与柱状调整垫67之上及围堰形状吻合的抗蚀剂78。然后，进行蚀刻。最后，除去抗蚀剂78。
[0059]
这样，如图11(e)所示，形成被围堰B1及围堰B2包围的凹部74，结束步骤S25的凹部形成工序。在用凹部形成工序形成的围堰B1及围堰B2的上面，形成用上述斥液化处理工序形成的斥液处理层77，围堰B1及围堰B2的上面，对于功能液具有斥液性。作为对照，围堰B1的侧面76直接露出对于功能液具有亲液性的围堰膜71的形成材料，对于功能液81成为亲液性。同样，围堰B2的侧面79直接露出对于功能液81具有亲液性的围堰膜71的形成材料，对于功能液81成为亲液性。此外，绝缘膜28的表面——底面75及活性层63、接合层64A、64B，对于功能液成为亲液性，凹部34用亲液性的侧面76、79、活性层63、接合层64及底面75构成。
[0060]
接着，讲述步骤S26的功能液配置工序。
在图12(a)中，在功能液配置工序中，采用液滴喷出法，在用围堰B1及B2形成的凹部74中，配置布线图案形成用功能液81的液滴。在这里，喷出由有机银化合物构成的功能液81。该功能液81，作为导电性材料，使用有机银化合物；作为分散剂，使用二甘醇二乙醚。在功能液配置工序中，向凹部74喷出功能液81的液滴，将功能液81配置在凹部74内。这时，由于喷出液滴的预定布线图案形成区域(即凹部74)被围堰B1及B2包围，所以能够阻止液滴向规定位置以外扩散。
[0061]
凹部74的宽度(在这里是凹部74的开口部中的宽度)，设定成和功能液81的液滴的直径大致相等。此外，喷出液滴的保护气，最好设定成温度60°以下、湿度80％以下。这样，就能够进行不堵塞喷嘴的、稳定的液滴喷出。
[0062]
另外，由于底面75及侧面76是亲液性，所以向凹部74内喷出的或者从围堰B1、B2的表面流入的功能液81，容易湿润散开，这样就能够更加均匀地将功能液81充填到凹部74内。
[0063]
接着，讲述步骤S27的中间干燥工序。
为了除去功能液81的分散剂及确保膜厚，根据需要进行干燥处理。步骤S27的中间干燥工序，和步骤S5的中间干燥工序基本相同。经过步骤S27的中间干燥工序结束后，就如图12(b)所示，形成形成布线图案的布线膜——电路布线膜73。在本实施方式中，由电路布线膜73形成布线图案，是图5及图6所示的源极布线16、源电极17及漏电极14。
[0064]
进行一次功能液配置工序和中间干燥工序能够形成的电路布线膜73的厚度，没有达到需要的膜厚时，反复进行该一次功能液配置工序和中间干燥工序。此外，根据一次功能液配置工序和中间干燥工序能够形成的电路布线膜73的厚度和需要的膜厚，适当地选择反复进行的次数，从而能够达到必要的厚度。另外，还可以根据需要，层叠形成不同的功能液81。
[0065]
接着，讲述步骤S28的烧成工序。
中间干燥工序后的干燥膜，是有机银化合物时，为了获得导电性，需要进行热处理，除去有机银化合物的有机成分，使银粒子保留下来。因此，对喷出工序后的基板实施热处理及/或光处理。
[0066]
步骤S28的烧成工序，和前文讲述的步骤S6的烧成工序基本相同。经过步骤S28的烧成工序，干燥膜能够确保微粒之间的电气性的接触，变换成导电性膜。经过以上的工序后，喷出工序后的干燥膜能够确保微粒之间的电气性的接触，变换成导电性膜。
[0067]
以下，讲述液晶显示装置100的形成工序。
在图13(c)中，除去斥液处理层77后，形成绝缘膜29，以便埋住配置了源电极17及漏电极14的凹部74。
接着，在绝缘膜29的覆盖漏电极14的部分，形成接触孔的同时，还在上面上形成布图的象素电极19，通过接触孔做媒介，连接漏电极14和象素电极19。
[0068]
最后，在TFT阵列基板10上形成取向膜172后，与相对基板20组合，封入液晶50。然后，将偏振光板175、176互相粘贴到一起，从而获得图13(d)所示的液晶显示装置100。
[0069]
采用这种实施方式后，可以获得以下效果。
(1)由于还可以利用形成围堰B1、B2的围堰膜71，形成柱状调整垫67，所以不需要新的材料及工序，能够提高制造效率。
[0070]
(2)由于能够在和存在象素电极19的显示区域不同的TFT元件30的形成区域形成柱状调整垫67，所以能够在获得上述效果的基础上，还提高显示区域中的光的透过效率或反射效率。
[0071]
(3)由于柱状调整垫67还兼作隔开配置至少形成源电极17或漏电极14中的一个的功能液81的位置的围堰B2，所以能够高效率地形成开关元件。
[0072]
(4)能够提供实现上述效果的液晶显示装置100。
[0073]
(第2实施方式)
下面，根据第2实施方式，讲述本发明涉及的电子机器。
本实施方式的电子机器，是具备第1实施方式讲述的液晶显示装置100的电子机器。下面，讲述本实施方式的电子机器的具体例子。
[0074]
图14(a)是表示电子机器的一个例子——手机600的一个例子的立体图。在图14(a)中，手机600具备装入第1实施方式的液晶显示装置100的液晶显示部601。
[0075]
图14(b)是表示文字处理机、个人用计算机等便携式信息处理装置700的一个例子的立体图。在图14(b)中，便携式信息处理装置700具备键盘701等输入部、信息处理本体703、装入第1实施方式的液晶显示装置100的液晶显示部702。
[0076]
图14(c)是表示手表型电子机器800的一个例子的立体图。在图14(c)中，手表型电子机器800具备装入第1实施方式的液晶显示装置100的液晶显示部801。
[0077]
图14(d)是表示大型液晶TV900的立体图。在图14(d)中，大型液晶TV900具备装入第1实施方式的液晶显示装置100的液晶显示部901。
[0078]
采用第2实施方式后，可以获得以下效果。
(5)能够提供实现上述效果的电子机器——手机600、便携式信息处理装置700、手表型电子机器800及大型液晶TV900。
[0079]
此外，本发明并不局限于上述实施方式，在能够达到本发明的目的的范围内的变形、改良等，均被本发明所包含。
例如，在所述实施方式中，蚀刻围堰膜71，在TFT元件30的形成区域上设置柱状调整垫67。但是也可以蚀刻围堰膜31，在黑色矩阵9的形成区域上设置柱状调整垫67。
[0080]
另外，以上讲述了为了实施本发明的最好的方法等。但本发明并不局限于此。就是说，本说明书主要对特定的实施方式，讲述了本发明。但是业内人士可以在不违背本发明的技术思想及目的的前提下，对于以上讲述的实施方式，在使用的材料、处理时间及其它事项中，添加各种变形。
这样，以上进行的限定材料、处理时间等的叙述，只是为了便于理解本发明而列举的例子，而不是限定本发明，所以去掉对那些材料、处理时间等的限定的部分或全部的限定的叙述，也为本发明所包含。

Claims (7)

1、一种显示器的制造方法，所述显示器具备柱状调整垫，该柱状调整垫，控制开关元件基板与和所述开关元件基板相对的相对基板之间的距离，其特征在于，所述显示器的制造方法，包含：
在所述开关元件基板上形成围堰膜的围堰膜形成工序；
选择性地对所述围堰膜进行蚀刻，形成围堰的凹部形成工序；
选择性地对所述围堰膜进行蚀刻，形成所述柱状调整垫的调整垫形成工序；以及
在所述围堰之间的凹部，配置功能液的功能液配置工序。
2、如权利要求1所述的显示器的制造方法，其特征在于：在形成开关元件的区域上，形成所述柱状调整垫。
3、如权利要求1或2所述的显示器的制造方法，其特征在于：在用所述围堰隔开的规定的位置，配置功能液，形成源电极和漏电极中的至少一方。
4、一种显示器，其特征在于，具备：
开关元件基板，该开关元件基板具有旨在配置功能液的围堰；
相对基板，该相对基板与所述开关元件基板相对；以及
柱状调整垫，该柱状调整垫设置在所述开关元件基板与所述相对基板之间，
所述围堰的一部分，兼作所述柱状调整垫。
5、如权利要求4所述的显示器，其特征在于：
所述柱状调整垫，在形成所述开关元件的区域形成。
6、如权利要求4或5所述的显示器，其特征在于：
在用所述围堰隔开的规定的位置，形成源电极和漏电极中的至少一方。
7、一种电子机器，其特征在于：具备权利要求4～6中任一项所述的显示器。
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