CN100422235C - 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 - Google Patents
用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100422235C CN100422235C CNB2003101118430A CN200310111843A CN100422235C CN 100422235 C CN100422235 C CN 100422235C CN B2003101118430 A CNB2003101118430 A CN B2003101118430A CN 200310111843 A CN200310111843 A CN 200310111843A CN 100422235 C CN100422235 C CN 100422235C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- epoxy
- electric insulation
- insulation resin
- resin slurry
- resins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Abstract
一种用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆，其组分按重量比，包括液体环氧树脂与固体环氧树脂的混合物100份；液体橡胶增韧剂10-20份；咪唑衍生物固化剂15-25份；硅粉填料40-60份；还包括不超过10份的活性稀释剂。所述混合物是指70%重量液体环氧树脂与30%重量固体环氧树脂的混合物；所述液体橡胶增韧剂是端羧基丁腈橡胶或端羟基丁腈橡胶；所述咪唑衍生物固化剂为含长链取代基咪唑类潜伏性固化剂；所述硅粉填料颗粒度0.1-1μm；所述活性稀释剂为乙二醇二缩水甘油醚。本电绝缘树脂浆，固化后有好的韧性和适当的内应力，不易出现开裂以至造成对芯片以及元器件损害。
Description
技术领域
本发明涉及聚合物胶状物的制备，尤其涉及芯片搭载及封装用的电绝缘树脂浆的制备。
背景技术
现有技术涉及芯片搭载及封装所用材料，由于目前芯片搭载封装有着许多方式，如：COB(Chip On Board：平板上封装)，TAB(Tape On Board：卷带上封装)，COG(Chip On Glass：玻璃上封装)，都是采用Au/Sn焊接或ACF(异方向导电膜)连接或ACP(导电胶)粘接，然后用塑封料包封，这些技术都存在一些缺陷和不足，如：Au/Sn焊接只能保证粗线路焊盘；ACF连接存在起泡、粒子导电不均匀；ACP粘接不能实现在X方向与Y方向呈现绝缘的同时，垂直Z方向导电。随着搭载封装技术发展，在TCP(卷带载体封装技术)的延伸，又出现了一种新的系统搭载封装COF(芯片安装在柔性电路上)技术，芯片直接搭载封装线路是通过NCP(电绝缘树脂浆)将芯片连接面向上放置在有吸附装置的加热体上，从上方将临时附着NCP通过摄像头和照像机自动对位系统，快速固化，制成COF芯片模组。采用NCP技术可以大大提高生产效率，其关键技术是配置一种固化速度快，热导率高，热膨胀系数和介电常数低，不开裂，电绝缘性能好的单组分糊状电绝缘树脂浆。
从日本住友电木株式会社最先公开使用不导电糊封装半导体装置的专利JP 62143P86，之后日本东芝化学株式会社，日立化成工业株式会社相继公开了一些专利技术，其中使用的环氧树脂种类很多，如：JP 04332754中的双酚A环氧树脂，JP 2002226675中的双酚F环氧树脂，JP 06096616中的酚醛环氧树脂，JP 0726235中的邻甲基酚醛环氧树脂，WO02/15259中的脂环族环氧树脂，JP 11199850的二聚酸环氧树脂，JP 10120873的含有机硅氧烷环氧树脂等。这些专利中使用的固化剂大多是潜伏性固化剂，如双氰胺咪唑衍生物：2MI-Arine，2E4MI-Arine己二酰肼和有机铝合物，如三乙酰丙酮铝。这些专利中加的绝缘填料，使用最多的是二氧化硅粉，平均粒度3μm，5μm都有，也有用纳米级超细硅粉，以及氮化硼的。
韩国现代科学技术研究所在世界专利WO 02/15259中公开了一种NCA(电绝缘树脂浆胶粘剂)的制造方法，是由固体双酚A环氧树脂、液体双酚F环氧树脂和固体酚氧树脂混合组成粘胶剂，采用液体咪唑类固化剂，采用颗粒度0.1-1μm的二氧化桂和碳化硅作为不导电填料。
现有的芯片搭载及封装用电绝缘树脂浆存在韧性不够和内应力较大的缺陷，较易出现开裂以致造成对芯片以及元器件损害。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处，而提出一种性能良好的芯片搭载及封装用电绝缘树脂浆。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，配制一种用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆，所述电绝缘树脂浆是由环氧树脂中添加液体橡胶增韧剂，咪唑衍生物固化剂，硅粉填料和活性稀释剂组成。
本发明所述环氧树脂采用液体环氧树脂和固体环氧树脂的混合物；其中，液体环氧树脂占重量70％，可以是E-44型环氧树、E-51环氧树脂、F-44型环氧树脂或F-51型环氧树脂，而所述固体环氧树脂占重量30％，可以是E-20型环氧树脂、E-12型环氧树脂或F-46型环氧树脂中一种或几种。为了固化后有好的韧性和适当的内应力，一方面，在环氧树脂中添加适量的液态橡胶增韧剂，其官能基团与环氧树脂的环氧基及固化剂反应，与环氧树脂形成立体网状结构，起到增韧和增强的作用。另一方面，采用带有长脂肪羟链的咪唑衍生物作为潜伏性固化剂，增加柔性，减少内应力。
本发明采用含长链取代基咪唑类潜伏性固化剂，如：2，4-二氨基-6-【-2-十一烷基(1)】-乙基一顺式三嗪，商品牌号为C11Z-AZINE、1-氰乙基-2-十一烷基一偏苯三酸咪唑盐，商品牌号为C11Z-AZINE，用量为环氧树脂的15-25％。
本发明使用的增韧剂是端羧基液体丁腈橡胶(CTBN)或端羟基液体丁腈橡胶(HTBN)，由兰州石油化工研究院生产，分子量3000左右，官能度为2，用量为环氧树脂的10-20％。
本发明使用的无机填料为超细硅微粉，平均粒径2μm，颗粒度0.1-1μm，用量为总量的20-30％。
本发明根据使用对粘度的要求加入一定量的活性稀释剂以保证使用时的工艺要求，活性稀释剂采用乙二醇二缩水甘油醚，用量为环氧树脂的的0-10％。
综上所述，本发明电绝缘树脂浆使用的基本配方按重量比，如下所示：
液体环氧树脂 70份；
固体环氧树脂 30份；
液体橡胶增韧剂 10-20份；
咪唑衍生物固化剂 15-25份；
二氧化硅粉 40-60份；
活性稀释剂 0-10份。
所述电绝缘树脂浆的物理特性有：
粘度 100pas；
粘接强度 ＞6(kg/tape)；
剥离强度 1.5(kg/tape)；
引脚宽度/间距 ＜40μm。
同现有技术相比较，本发明用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆，固化后有好的韧性和适当的内应力，不易出现开裂以致造成对芯片以及元器件损害。
具体实施方式
本发明用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆通过以下实施例予以详细说明。
实施例1
称取E-44环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：120Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.6kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
实施例2
称取E-51环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂15g、E-12环氧树脂15g，搅拌溶解加入端羟基液体丁腈橡胶12g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂6g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂16g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：100pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.5kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
实施例3
称取E-44环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈18g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂1g，微硅粉55g，加入1-氰乙基-2-十一烷基一偏苯三酸咪盐(C11-CNS)20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：80Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：0.8kg/tape；外部开裂数：5/10；引脚宽度/间距＜40μm。
比较例4
称取E-44环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：90Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.0kg/tape；外部开裂数：8/10；引脚宽度/间度＜40μm。
实施例5
称取F-44环氧树脂70g，加入F-12环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：120Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.6kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
实施例6
称取E-44环氧树脂70g，加入F-46环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：120Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.6kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
实施例7
称取F-51环氧树脂70g，加入EX-46环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：120Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.6kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
实施例8
称取E-44环氧树脂70g，加入F-46环氧树脂30g搅拌溶解，加入端羧基液体丁腈15g，乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：
粘度：120Pas；粘接强度：＞6kg/tape；剥离强度：1.6kg/tape；外部开裂数：0/10；引脚宽度/间距：＜40μm。
根据实例情况进行比较实施，对照如下：
比较例A
称取E-44环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂30g搅拌溶解，加乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入C11Z-AZINE咪唑衍生物固化剂20g，加热搅拌均匀，分装到特殊的容器中，在低温下贮存。
对该电绝缘树脂浆进行测试，结果为：剥离强度脆碎，局部剥离强度＜0.5kg/tape；外部开裂数10/10。
对比实施例1和比较例A
比较例A与实施例1配方基本相同，只是比较例A中没有加端羧基液体丁腈橡胶，结果是；韧性明显不够，外部开裂十分严重。
比较例B
称取E-44环氧树脂70g，加入E-20环氧树脂30g搅拌溶解加入乙二醇二缩水甘油醚活性稀释剂8g，微硅粉47g，加入双氰胺固化剂20g，加热搅拌均匀分装到特殊的容器中，在低温下贮存。
比较例B与比较例1的配方基本相同，只是比较例B中潜伏性固化剂选用双氰胺固化剂，结果是：使用时发现固化速度慢，反应速度延长，固化物柔性不够，电绝缘树脂浆颜色发黑，弯曲疲劳＜100次。
Claims (6)
1.一种用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆，其特征在于，其组分按重量比，包括：
液体环氧树脂 70份
固体环氧树脂 30份；
液体橡胶增韧剂 10-20份；
咪唑衍生物固化剂 15-25份；
活性稀释剂 0-10份；
二氧化硅粉 40-60份。
2.如权利要求1所述的电绝缘树脂浆，其特征在于：
所述液体环氧树脂为E-44型环氧树脂、E-51型环氧树脂、F-44型环氧树脂或F-51型环氧树脂。
3.如权利要求1所述的电绝缘树脂浆，其特征在于：
所述固体环氧树脂为E-20型环氧树脂、E-12型环氧树脂和F-46型环氧树脂中的一种或几种的混合物。
4.如权利要求1所述的电绝缘树脂浆，其特征在于：
所述液体橡胶增韧剂是端羟基丁腈橡胶或端羧基丁腈橡胶。
5.如权利要求1所述的电绝缘树脂浆，其特征在于：
所述咪唑衍生物固化剂为2，4-二氨基-6-【-2-十一烷基(1)】-乙基一顺式三嗪或1-氰乙基-2-十一烷基一偏苯三酸咪唑盐。
6.如权利要求1所述的电绝缘树脂浆，其特征在于：
所述活性稀释剂为乙二醇二缩水甘油醚。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2003101118430A CN100422235C (zh) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2003101118430A CN100422235C (zh) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1610103A CN1610103A (zh) | 2005-04-27 |
| CN100422235C true CN100422235C (zh) | 2008-10-01 |
Family
ID=34759481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2003101118430A Expired - Fee Related CN100422235C (zh) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100422235C (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101497774B (zh) * | 2009-03-04 | 2011-08-31 | 三友（天津）高分子技术有限公司 | 半导体芯片液体封装料 |
| CN101812217A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-08-25 | 河南许绝电工绝缘材料有限公司 | 抗局部放电环氧浇注树脂 |
| CN101974302A (zh) * | 2010-10-19 | 2011-02-16 | 烟台德邦电子材料有限公司 | 一种低粘度高导热环氧树脂电子灌封胶 |
| CN102061060B (zh) * | 2010-11-26 | 2013-01-09 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种高可靠性智能卡包封胶及其制备方法 |
| CN102660211B (zh) * | 2012-05-29 | 2013-10-16 | 四川力通复合材料科技有限公司 | 芳纶纸蜂窝用改性环氧粘结剂 |
| CN103436210B (zh) * | 2013-08-08 | 2015-10-28 | 深圳丹邦科技股份有限公司 | 一种用于芯片封装的电绝缘树脂浆及其制备方法 |
| CN103627360B (zh) * | 2013-11-28 | 2015-04-29 | 蓝星（成都）新材料有限公司 | 适用于电机适形毡和绑扎绳绝缘浸渍的潜伏性环氧树脂组合物及其制备方法 |
| CN103937432A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-07-23 | 上海禧合应用材料有限公司 | 密封胶 |
| CN104845041A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-08-19 | 无锡龙舜实业有限公司 | 一种g-20型环氧浇铸剂 |
| CN104845040A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-08-19 | 无锡龙舜实业有限公司 | 一种g-20型环氧浇铸剂的制备工艺 |
| CN105331049A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-17 | 苏州盖德精细材料有限公司 | 一种高弹性环氧树脂灌封材料及其制备方法 |
| CN209643071U (zh) | 2018-11-21 | 2019-11-15 | 奥特斯(中国)有限公司 | 一种部件载体 |
| CN114334220A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种低温固化型三防导电镍浆、制备方法及其用途 |
| CN115710480A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-02-24 | 合肥微晶材料科技有限公司 | 一种显示用单组分热固封装胶及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85100135A (zh) * | 1985-04-01 | 1986-08-13 | 清华大学 | 中温固化高强度环氧胶粘剂 |
| JP2002009091A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| WO2002031018A1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Die-attaching paste and semiconductor device |
| US20030143797A1 (en) * | 2000-08-02 | 2003-07-31 | Kyung-Wook Paik | High reliability non-conductive adhesives for non-solder flip chip bondings and flip chip bonding method using the same |
| US6632893B2 (en) * | 1999-05-28 | 2003-10-14 | Henkel Loctite Corporation | Composition of epoxy resin, cyanate ester, imidazole and polysulfide tougheners |
-
2003
- 2003-10-17 CN CNB2003101118430A patent/CN100422235C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85100135A (zh) * | 1985-04-01 | 1986-08-13 | 清华大学 | 中温固化高强度环氧胶粘剂 |
| US6632893B2 (en) * | 1999-05-28 | 2003-10-14 | Henkel Loctite Corporation | Composition of epoxy resin, cyanate ester, imidazole and polysulfide tougheners |
| JP2002009091A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| US20030143797A1 (en) * | 2000-08-02 | 2003-07-31 | Kyung-Wook Paik | High reliability non-conductive adhesives for non-solder flip chip bondings and flip chip bonding method using the same |
| WO2002031018A1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Die-attaching paste and semiconductor device |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| 工艺条件对CTBN增韧环氧树脂性能的影响. 梁伟荣，王惠民.中国胶粘剂，第3卷第3期. 1994 |
| 工艺条件对CTBN增韧环氧树脂性能的影响. 梁伟荣，王惠民.中国胶粘剂，第3卷第3期. 1994 * |
| 环氧树脂. 陈平 刘胜平 编著，72-79，118-121，化学工业出版社. 1999 |
| 环氧树脂. 陈平 刘胜平 编著，72-79，118-121，化学工业出版社. 1999 * |
| 环氧树脂/咪唑衍生物潜伏固化体系的研究. 公瑞煜，熊万斌.材料保护，第34卷第6期. 2001 |
| 环氧树脂/咪唑衍生物潜伏固化体系的研究. 公瑞煜，熊万斌.材料保护，第34卷第6期. 2001 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1610103A (zh) | 2005-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100422235C (zh) | 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆 | |
| CN101864147B (zh) | 一种低粘度、低线膨胀系数的底部填充胶 | |
| CN103717634A (zh) | 用于半导体封装的环氧树脂组合物、使用其的半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 | |
| JP2001519838A (ja) | エポキシシロキサン及びポリエポキシ樹脂のダイス接着剤又はカプセル材 | |
| JP2001270976A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| CN104673111A (zh) | 环氧树脂基各向异性导电胶膜的配方及制备方法 | |
| KR20120052358A (ko) | 액상 수지 조성물, 및 그것을 사용한 반도체 장치 | |
| JP4206631B2 (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 | |
| JP3826898B2 (ja) | 電子部品の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2013256584A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびフラックス組成物とそれを用いた半導体装置 | |
| KR101079068B1 (ko) | 에폭시 수지 조성물 | |
| JP2007023191A (ja) | 一液型エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001019745A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| CN103436210A (zh) | 一种用于芯片封装的电绝缘树脂浆及其制备方法 | |
| JP3446730B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| CN110692126B (zh) | 电子部件粘接用树脂组合物、小型芯片部件的粘接方法、电子电路基板及其制造方法 | |
| JP2000080341A (ja) | 異方性導電接着剤および基板搭載デバイス | |
| JPH1129624A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001131517A (ja) | 熱硬化性接着材料とその製造方法及び用途 | |
| JP4667588B2 (ja) | 接着・封止用樹脂組成物 | |
| KR101557123B1 (ko) | 언더필용 조성물 및 이를 이용한 전자 소자 실장 방법 | |
| JP2004256646A (ja) | アンダーフィル用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10287809A (ja) | シアン酸エステル液状樹脂組成物及び半導体封止装置 | |
| JP2008189760A (ja) | アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4940486B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN DANBANG SCIENCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN CITY DANNONG SCIENCE DEVELOPMENT CO., LTD. Effective date: 20070323 Owner name: SHENZHEN CITY DANNONG SCIENCE DEVELOPMENT CO., LT Free format text: FORMER OWNER: LIU PING Effective date: 20070323 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20070323 Address after: 518057 Guangdong province Shenzhen city Nanshan District high tech park, Long Hill Road Applicant after: Shenzhen Danbang Science & Technology Co.,Ltd. Address before: 518057 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Nantou Ma Liuzhou Industrial Zone thirty-second building four layer Applicant before: Shenzhen Lennon Technology Development Co.,Ltd. Effective date of registration: 20070323 Address after: 518057 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Nantou Ma Liuzhou Industrial Zone thirty-second building four layer Applicant after: Shenzhen Lennon Technology Development Co.,Ltd. Address before: Nanshan District Nantou Ma Liuzhou Industrial District of Shenzhen City, Guangdong province 518052 32 1 floor Applicant before: Liu Ping |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Guangdong province Shenzhen city Nanshan District high tech Industrial Park North Long Hill Road danbang Technology Building Patentee after: SHENZHEN DANBOND TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Guangdong province Shenzhen city Nanshan District high tech park, Long Hill Road Patentee before: Shenzhen Danbang Science & Technology Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081001 Termination date: 20211017 |