CN100396815C - 用于操作直列式涂敷装备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于操作直列式涂敷结构的方法,该结构包括2n+1个室,其中n为整数,并且其优选值为2。因此,在该装置的两个室之间至少有一个门可以被打开和关闭两次,也有可能涂敷同样装备的尺寸过大的衬底。门的打开和关闭促使压强过程与标准操作相比发生改变。

Description

用于操作直列式涂敷装备的方法
技术领域
本发明涉及一种用于操作直列式涂敷装备的方法。
背景技术
为了涂敷衬底,使用了溅射装备,其中粒子在真空条件下从所谓的目标物上溅射出去,并且该粒子接着淀积于衬底上。
在该处理中,如果衬底持续通过互锁被转移到溅射装备中,并且再通过互锁被转移出溅射装备,则将谈及直列式(in-line)涂敷装备或“穿通式(pass-through)”涂敷装备。
这种装备要么由相对较小的但相互连接的单室形成的线性结构组成,要么由在线路每一端具有真空转换锁的两个大室组成。所提供的该处理室或沿着一个大室,或位于每一个单室中。
已知直列式溅射系统,它包括三个同心圆柱,内部圆柱和外部圆柱形成带有圆柱壁的环形室(US 5 753 092)。中间的圆柱位于内外圆柱之间,具有开口支持衬底,作为圆柱支持物,它基本上填充了环形转换室,并且是逐梯级可旋转的。
进而可知用于带有涂敷片段的衬底的免缺陷涂敷的设备,它包括真空涂敷部件和出入口互锁(DE 200 22 564 U1)。另外,这里提供了运送器,它包括用于容纳衬底的运送器插件。所实施的运送器路径为封闭的路径。
在直列式涂敷装备中,为了节约空间,人门知道通过提供回收室来减少所需支持物的数量(JP 2002309372A)。该支持物在这里与衬底一起在第一个方向移动,旋转大约180度,然后在第二个方向移动。
将已知设备的室裁剪到衬底的特定尺寸。如果要处理尺寸过大的衬底,则必须使用带有更大室的不同设备。
因此,本发明提出了仅使用一个涂敷设备就能够涂敷正常的衬底以及尺寸过大的衬底这一问题。
该问题通过本发明的特征得以解决。
发明内容
因此,本发明涉及用于操作直列式涂敷装置的方法,该装置由2n+1个室组成,其中n为整数,优选为2。通过能够打开和关闭位于该装备的两个室之间的至少一个门,使得有可能用同样的装备来涂敷尺寸过大的衬底。通过与标准操作相比较,打开和关闭这些门促使了压强过程的改变。
本发明的第一方面提供了一种用于操作直列式涂敷装备的方法,该直列式涂敷装备带有向内转移室、邻接的第一缓冲室、与之邻接的处理室、与之邻接的再一个第二缓冲室,以及与之邻接的向外转移室,其中在各个室之间提供有门,这些门可以被打开和关闭,并且向内转移室、第一缓冲室、第二缓冲室和向外转移室被设计成相同的模块,用于容纳大到指定最大尺寸的衬底,其中,对于大于这些模块的衬底的涂敷,位于向内转移室和第一缓冲室之间的门以及位于第二缓冲室和向外转移室之间的门被打开,并且第一缓冲室、第二缓冲室的压强条件与向内转移室或向外转移室的压强条件相互适应。
本发明的第二方面提供了根据本发明第一方面的方法,其中各个室都装备有它们自己用于衬底的传送设备,并且这些传送设备的传送率相匹配。
本发明第三方面提供了根据本发明第一方面的方法,其中处理室包括至少两个缝隙光阑,其中一个缝隙光阑适当地形成处理室的左边界,而另一个缝隙光阑适当地形成处理室的右边界。
本发明的第四方面提供了根据本发明第一方面的方法,包括如下步骤:
第一缓冲室入口处的门,以及位于第二缓冲室和向外转移室之间的门被打开,
位于向内转移室入口处的门被打开,
其长度超过向内转移室或第一缓冲室长度的衬底被传送到向内转移室和第一缓冲室,
位于向内转移室入口处的门被关闭,
在处理室入口处的门被关闭情况下,由向内转移室和第一缓冲室形成的空间被抽到特定的压强,
一旦到达特定的压强,在处理室入口处的门被打开,
衬底被传送到处理室,并且位于处理室入口处的门被再次关闭,
衬底在处理室中操作,
位于处理室出口处的门被打开,
操作过的衬底被移动到由第二缓冲室和向外转移室所形成的空间中,
位于处理室出口处的门被关闭,
位于向外转移室出口处的门被打开,
操作过的衬底被移动到外部,
位于向外转移室出口处的门被关闭。
本发明的第五方面提供了根据本发明第四方面的方法,其中,在将衬底向内转移到由向内转移室和第一缓冲室所形成的空间中之后,以及在向内转移室入口处的门被关闭之后,首先与向内转移室有关的泵进行抽取,从大气压下降到第一指定气压,并且接着与第一缓冲室有关的泵进行抽取,使压强达到近似对应于处理室压强的压强。
本发明的第六方面提供了根据本发明第五方面的方法,其中,在由向内转移室和第一缓冲室形成的空间中的压强从大气压首先下降到大约7mbar,并且接着,在同一空间中的压强下降到大约0.05mbar。
本发明的第七发明提供了根据本发明第一方面的方法,其中,向内转移室的传送设备和邻接的第一缓冲室的传送设备同步工作。
本发明的第八方面提供了根据本发明第七方面的方法,其中,处理室的传送设备的工作速率与向内转移室和第一缓冲室的传送设备的速率一样。
本发明的第九方面提供了根据本发明第一方面的方法,其中,所有的室中都提供有压强计,压强计的压强通过控制部件查询得到,并且当到达指定压强时,该控制部件执行切换动作。
本发明的第十方面提供了根据本发明第九方面的方法,其中,切换动作是打开或关闭门,或打开或关闭位于室和泵之间的阀门。
本发明所取得的优势特别包括对可用装备的较好利用。
附图说明
附图示出了本发明的实施例例子,下面将对附图作进一步详细讲述。在附图中:
图1为三室涂敷装备的侧视图,
图2为五室涂敷装备的侧视图,
图3为三室涂敷装备的平面图,
图4为五室涂敷装备的平面图,
图5为五室涂敷装备的截面侧视图的一部分。
具体实施方式
图1示出了涂敷装备1的侧视图。该涂敷装备1包括三个室:向内转移室2、处理室3和向外转移室4。总共有四个门位于不同的室2、3、4之间和室2、4的入口处,这些门能够在真空密闭的情况下被打开和关闭。在图1中这些门自身不可见,但是内外螺纹头5至8可见,用以指示这些门的位置。待涂敷的衬底,例如,扁平的建筑玻璃、金属板、Si晶片、合成材料板及其类似物,引入到向内转移室2中,然后在处理室3中得到涂敷,并且经由向外转移室4将其导出。该衬底的移动可以有或没有这些室2、3、4的支持。不过,在任何情况下,在室2、3、4中都提供有用于传送衬底的传送系统。
9至17表示抽气泵,它将室2、3、4抽至特定的压强值,这些泵放置于室的侧壁上。不过,它们也可以被放置于室的顶壁上。
室2至4的尺寸由最大衬底尺寸来决定,例如在建筑玻璃情况下,尺寸为2.54m×3.66m或3.21m×6.00m。室的个数决定于预想的最小循环时间。从将第一衬底输入到室2中直到将第二衬底输入到同一个室2中为止的时间消耗,可以通过循环时间来理解。通常,对于最长达到约90秒的循环时间,使用了所谓的三室原理,如图1中所示。
当门开时,这里在内外螺纹头5处将衬底引入到室2中,当门再次在内外螺纹头5处关闭和在内外螺纹头6处关闭,通过泵9至11将室2的内部压强减少到例如0.05mbar。由于在内外螺纹头6处的门开始也是关闭的,并且必须通过该门使衬底停止移动,因此通常位于支持物或运送器上的衬底的移动是不连续的。
当向内转移室2中的压强达到例如0.05mbar的特定值,则在内外螺纹头6处的门被打开,并且衬底被连续移动通过室3,其中获得有真空。在室3中,涂敷因此得以实现。在涂敷之后,衬底通过向外转移室4被转移到外部。
由于衬底必须在向内转移室2中保留相对长的时间,因此在三室涂敷装备中的循环时间相对较长,以便在室中能够取得特定的低压。
使用如图2所示的五室涂敷装备20能够获得更短的循环时间。与三室涂敷装备1相比较,该五室涂敷装备20在带有相应的泵23、24的内外螺纹头25、26处,包括两个额外的缓冲室21、22。由于在五室涂敷装备20中的衬底可以被更快地移动通过室2、21、3、22、4,因此循环时间会更短。这种更快的移动是由于室2、21或22、4被抽成真空不同于图1的三室系统中的室2、4被抽成真空这一事实。
在五室涂敷装备20中,衬底在装入时,被不连续地移动到向内转移室2中,在向内转移室2中的压强减少到约15mbar,而不是想在三室装备中的那样被减少到0.05mbar。在下一时刻,衬底通过互锁被转移到缓冲室21中,并且使缓冲室21中的压强接近于处理室3中的压强。在衬底被连续移动通过处理室3时,衬底经由缓冲室22和向外转移室4获得大气压后,被拿到外面。
在五室涂敷装备20的情况下,循环时间基本上被减少到小于90秒,因此使得进入涂敷装备的衬底的向内转移处理被划分到向内转移室2和缓冲室21,并且因此能够在两个室中并行发生处理,例如,在衬底从向内转移室2被传送到缓冲室21中之后,就有可能将另一个衬底引入到向内转移室2中。为了能够将衬底引入到处理室3中,位于处理室3前面的室中的压强必须被减少到约0.05mbar。在三室涂敷装备1中,这种到0.05mbar的压强下降仅发生在向内转移室2中。
与之相对照的是,在五室涂敷装备20的情况下,向内转移室2的压强仅从大气压被抽到约15mbar,并且使用的衬底因此被转移到缓冲室21中。当在位于向内转移室2和缓冲室21之间的内外螺纹头6处的门打开时,压强得到均衡。在缓冲室21中,该压强严重低于0.05mbar。该室先前朝向处理室3开放,其中,例如获得了3×10-3mbar的压强。因此,缓冲室21自身最初根本不需要被抽成低压。因此,其中获得了15mbar压强的向内转移室2,当在内外螺纹头6处的门已被打开后,与其中仅获得了3×10-3mbar压强的缓冲室21相连,因此在相等尺寸的室2和21中的总压强减少到大约7mbar的平均压强值。当在内外螺纹头6处的门已被关闭后,通过从大约7mbar抽空到大约0.05mbar来使缓冲室21中的压强得到减少。当将衬底从缓冲室21带入到处理室3中时,在向内转移室2已被充满和接着在内外螺纹头5处的门已被打开之后,用于下一个衬底的向内转移处理在向内转移室2中已经可以被再次启动。由于门被打开,在向内转移室2中再次获得大气压,向内转移室2的大气压随后再次下降到15mbar。因此,向内转移室2的压强在大气压和约15mbar之间波动。与此相对照,缓冲室21仅经历从7mbar到0.05mbar的压强改变。
当对真空装备的室中进行抽空时,压强下降的发生依据的是指数函数。从大约1000mbar到大约15mbar的压强改变发生得相对较快。与此相对照,进一步抽成低压,例如0.05mbar,将需要更长的时间。
不同类型的真空泵,例如叶片式旋转(vane-type rotory)泵、罗茨(Roots)泵或涡轮分子(turbomolecular)泵,在不同的压强范围内具有它们各自最优的真空性能。叶片式旋转泵可以从大气压抽到大约0.005mbar。但是为了获得这个终点压强需要很长的抽取时间。罗茨泵的使用高度随意化,它具有的最优真空性能在1~0.1mbar的范围内。涡轮分子泵仅在0.1mbar以下才被连接,但是它们仅具有低于10-2mbar的有用的真空性能。
泵9~17,或9~17和23;24,它们的选择根据的是它们不得不执行的任务。用于向内转移室2和缓冲室21的泵的布局使得两个室2、21的抽取时间大致相等。
三室装备1的向内转移室2通过叶片式旋转泵和罗茨泵类型的泵9~11被抽成真空。罗茨泵将低压范围内的真空性能增加到0.05mbar的切换点,从该点开始,打开朝向处理室3的内外螺纹头6处的门。这里当抽取时间约为30~60秒时,一般的循环时间为60~90秒。
不过,五室装备20的向内转移室2通过全部是叶片式旋转泵的泵9~11被抽成真空。用于缓冲室21的泵站23可以包括叶片式旋转泵和罗茨泵。在现有的五室操作期间,当抽取时间为15~20秒时,循环时间约为45秒。除其它条件外,循环时间和抽取时间之间需要有不同,以用于移动玻璃板和用于打开和关闭门。
在图3中,以平面图的形式再次示出了三室涂敷装备1,而图4则以平面图的形式示出了五室涂敷装备20。
在图3中可以看到室2、3、4,以及带有相关门60、61、62、63的内外螺纹头5、6、7、8。另外,在处理室3中可以看到两个缝隙光阑(slit diaphragm)18、30或19、29,它们限定了转移室31、33。缝隙光阑通过30、29来表示,它们垂直放置于片状金属部件18、19上。
图4以平面图的形式示出了五室装备。该五室装备包括两个额外的门64、65,它们分别位于室21、31和33、22之间。
在标准操作期间,例如,当没有过长的衬底被涂敷时,在根据图4的装备20中,执行了下面的抽取处理:内向转移室2被充满,门60被打开,并且衬底被传送到内向转移室2中。因此,门60被再次关闭。在室2中达到约15mbar的压强切换点时,门61被再次打开,并且衬底被传送到室21中。然后门61被再次关闭。在缓冲室21中,当压强被减少到约0.05mbar时,向内转移室2被充满,并且然后门60被打开。现在新的衬底被引入到内向转移室2中,并且门60再次关闭。同时,当在缓冲室21中达到大约0.05mbar的压强切换点时,门64被打开,并且第一个衬底经由转移室31移动到处理室3中。一般地,在该操作期间,总是只有门60、61、64中的一个被打开。需要指出的是,在室和泵之间,以及在室和大气环境之间放置有阀门。为了切换抽取功率,在室和泵之间的阀门被关闭;但是泵持续不断地运行。在向室中充满期间,在朝向环境空气的室前面的阀门被打开,以便空气能够流入室中,并且在该室中的压强上升到大气压。
然后,在根据图4的五室装备的标准操作期间,室2被从大气压一直抽到大约15mbar,并且由于在先前被打开朝向室3的室21中的压强(大约3×10-3mbar)严重低于0.05mbar,因此当打开门61时,达到压强均衡。因此,在两个同样尺寸的室2、21中的总压强减少到大约7mbar。因此,室21被从大约7mbar抽到大约0.05mbar。由于在该室中的压强仅在大约7mbar和小于0.05mbar之间变化,所以在室21中的罗茨泵可以不间断地工作。
在五室装备20的标准操作期间,传送系统仅在衬底从向内转移室2到缓冲室21的转移期间同步运行。在剩余的移动阶段期间,两个传送系统都能够独立地传送特定的衬底。
在图5的左侧,再次示出了类似于根据图4的装备20的装备截面图。该装备不同于图4的装备之处在于,除了缝隙光阑30,进一步还有缝隙光阑28。在向内转移室2中的滚筒或圆柱34至37是显然的,在缓冲室21中的滚筒或圆柱38至41以及在处理室3中的滚筒或圆柱42至53是显然的。衬底55放置于这些滚筒或圆柱上,并且从左至右移动。
缝隙光阑30、28悬置于金属片18、27上,并且在它的下侧留有隙缝,其尺寸能够允许衬底55从缝隙光阑下面通过。在处理室32中,溅射阴极56位于合适的位置。衬底55涂敷有该阴极溅射的粒子。
缝隙光阑30、28延伸至处理室3的整个深度中。这也应用于这些缝隙光阑的悬挂物18、19。
为了改善室与室之间的气体分隔,传送系统可额外用金属片来涂敷,该金属片图5中未示出,只有传送滚筒的上部分从传送系统投射出来。
因此,衬底传送设备包括许多滚筒或圆柱34至53,它以同样的旋转数目来旋转并传送衬底。在提供有门61、64、65、62的那些地方,传送设备在滚筒或圆柱之间有间隔或更大的空间。在室2、21、22和4中的传送设备间歇式操作,在室3中的部件连续式工作。
在标准操作中,在参考图4和图5的五室装置中的衬底传送工作如下:在室2中的传送设备被打开,为了在内部转移衬底55。一旦衬底55到达它在室2中的指定位置,传送设备被停止。为了将衬底55从室2转移到室21,两个带有圆柱34至37或38至41的传送设备同时工作,并且只有当衬底55到达它在室2中的端点位置才被停止。为了将衬底55传送到室3中,在室21中的传送设备38至41被打开,在室3中的传送设备42至53在任何情况下都在没有间断地运行着。对于从室3到室22(图2)的转移,这里的传送设备在与门65被打开的同时打开。进一步的向外转移处理发生与向内转移处理类似,只是以相反的顺序。
向内转移室2被泵站抽空,其中泵站仅包括叶片式旋转泵,不过,用于室21的泵站包括叶片式旋转泵和罗茨泵。在向室中充气期间,甭没有被停止,而是在室与泵之间的阀门被关闭。
目前为止,已经讲述了三室装备1和五室装备20的已知功能本身。
下面参考图4和图5,讲述了根据本发明在五室装备的帮助下,相对大一些的衬底也能够被涂敷的方式。
对于装备1或20有,最大可允许的衬底尺寸为特定室尺寸的函数。大于室2和21或22和4的衬底不能被涂敷。进一步有,室被设计成具有相同尺寸的模块。
如图4中可以看出,如果门61、63打开,则可以处理更大的衬底。在这种情况下,室2和21以及4和22在每一种情况下都一起形成更大的空间,这样也能够容纳得下更大的衬底。
对于互锁室2、21、22、4,使用了具有相同尺寸的同样模块,而与是否涉及了三室装备1或五室装备20无关。由于对于装备1或20而言,一般具有同样的最大尺寸的同样衬底被涂敷,因此室必须也具有这些尺寸。
如果假定向内转移室、缓冲室和向外转移室具有同样的尺寸,则由于它们被设计成模块,在门61、62打开的情况下具有双倍长度的衬底可以操作。因此,在具有偶尔所要求的特定尺寸的特定涂敷中,例如大于6m长度和3.21m宽度,也将可以在带有标准室尺寸的涂敷装备中操作。
下面将结合图3和图4,来讲解根据本发明的从五室涂敷至三室涂敷的切换处理。
为了从五室涂敷操作切换到三室涂敷操作,只打开位于向内转移室2和缓冲室21或向外转移室4和缓冲室22之间的门61和62是不够的。相反,抽取顺序和驱动控制必须能够适应于新条件。因此,在向内转移程序中有必要发生可观变化。已经讲过,通过泵9至11使压强达到大约0.05mbar,使向内转移室2降压,从而使在三室涂敷装备1中的衬底发生向内转移。为了将向内转移室2从大气压降到转移压强,需要相当长的抽取时间。由于当衬底被转移到处理室时,处理室3的门61被打开,因此气体能够以高压进入处理室3,该处理室3中仅允许具有3×10-3mbar的压强。为了防止这种情况,增加了泵12的个数,并放置于处理室3的入口区,不过在图1中只绘出了一个泵12。通过来自处理区32的缝隙光阑18、30,将该入口区进行了适当的隔离。该入口区也被称为转移室31,尽管它仅是通过缝隙光阑与处理室3相分开,而不是通过门。因此,处理室3由转移区域31、处理区域32和位于向外转移室4前面的进一步的转移区域33组成,使用的进一步的缝隙光阑19、29位于转移区域33和处理区域之间。
经由若干涡轮泵12被抽空的处理室的部件31,被表示为“转移部件”。处理室32与许多具有相同尺寸的单个片段结合起来,并且根据要求加在一起的片段个数使得特定任务得以执行。在三室装备1的情况下,向内转移室2中获得了0.05mbar的压强,这样当门61被打开时,由于处理室32的压强大约为3×10-3,气体流入处理室32。通过若干涡轮泵的高抽取性能,升高的压强在处理室3的“转移部件”中被吸收。
在对过长的衬底进行专门操作期间,例如,当把五室装备20当作三室装备1来操作时,在根据图4的五室装备中将发生如下处理:室2和21被充满水。门60被打开。在这种操作状态下,门61总是保持打开着,因为如果不这样衬底就会遭到破坏。衬底被转移到室2和21中,然后门60被再度关闭。在到达大约为0.05mbar的压强切换点之后,门64被打开,衬底被传送到处理室3中,并且门64被打开。在向室2和21充满水之后,门60被再次打开,以便转移另一个衬底。
特定的向外转移处理以同样的方式发生,只是按照相反的顺序,例如,首先是衬底在向外转移室22中,接着进行充水,然后将朝向大气压的门63打开。
因此,在五室装备20中分别打开位于这两个室2、21和4、22之间的门61、62是不充分的,以便能够处理衬底,在优选情况下为长度过长的玻璃板。况且,有必要使抽取程序适应于这两个室2、21和22、3,以便只有2、21和22、4这两个室被抽空,压强从大气压降到约0.05mbar。尽管这延长了装备的向内转移时间,以至延长它的整个循环时间,不过,通过这种方式有可能操作至少一个过长的衬底,而不需要制造更大的装备。
对过长的衬底进行专门操作,在五室装备中的抽取的发生步骤细节如下:室2和21一起被抽空,从大气压下降到约0.05mbar。为此目的,在对室2的抽取程序中,压强切换点必须从15mbar下降到7mbar。用于室2的泵设备在这种情况下经过抽空仅从大气压下降到7mbar,因此位于泵设备和室2之间的阀门被关闭,但是同时位于第二个泵设备和室21之间的阀门被打开,该阀门先前是关闭的。原因是,室2的泵设备由叶片式旋转泵组成,该泵能够从大气压抽成低压。除了叶片式旋转泵以外,室21的泵设备还包括罗茨泵,该泵只能从大约7mbar处开始才能被连接起来。为了能够抽取增加的向内转移室2+21,使其压强下降到0.05mbar,因此两个泵设备被先后使用,并且不同时工作,像在标准操作中的那样。
室22和4的充水和抽取的发生是同样的。
而且,用于衬底的传送系统必须适应于另一个向内转移顺序。
如果利用五室装备20来涂敷过长的衬底,则在向内转移处理期间,这些传送系统必须作为单个系统同时工作,因为否则的话,在衬底上就会产生擦痕。如果将衬底从传送系统的一个部件上推到另一个部件上,该部件未被切换,则或者位于衬底上的旋转滚筒,或者平板被推到非旋转滚筒上,并且在这两种情况下都会产生擦痕。
在对过长的衬底55进行专门操作期间,在根据图4和图5的五室装备中发生的传送如下:尽管在标准操作中,分别位于室2和21中的传送设备34至37和38至41根据要求进行同步工作或相互独立工作,但这两个设备现在被当作单个的内在一致的传送设备来对待。必须忽略在室2中达到衬底55的端点位置,例如,必须穿行直到室21中的端点位置为止。在这种情况下,在室2和21中,没有传送设备的单个部件相互独立工作的工作状态。进一步的衬底传送是同样发生的。
对泵、传送滚筒、门等的控制,优选地以存储的可编程控制(SPS)的方式发生,存储的可编程控制在市面上可以以控制计算机的形式得到。
有了这种控制器,甚至可以使用灵活的编程(SPS程序序列)控制非常大的单个装备。作为该装备之一部分的所有测量系统、限制开关、传感器、发动机、阀门和控制器等,均被连接到控制计算机的输入端和输出端。装备的控制适配器由程序来控制,该程序通过逻辑链路将这些输入端和输出端相互连接起来,并且将必要的动作放到正确的时间序列中。如果上面讲述过的装备可以在不同的操作状态下被控制,则不需要大的硬件改动。如果使用的不是带有固定的切换点的压强单元,而是可灵活编程的压强传感器,则只有用于查询改变的压强切换点的必要的新逻辑链接必须存储于替代性的程序序列中,并且是单独可寻址的。
对于衬底的向内转移,不需要准确的压强测试,传感器的信号就足够了,该信号指示现在已经达到了预想的压强(例如,15mbar)。先前的压强单元用于该目的,它具有固定的压强切换点。如果需要替代性的压强切换点,则不得不安装额外的压强单元,这些压强单元被设置了压强点。今天,电子压强计就足够了,其在SPS程序中的测量值仅作查询用,判断在特定的程序位置处是否达到了预想的压强。
本发明的概念在原理上也可应用于2n+1个室装备,其中n为整数。在实际中,七室装备也是可以实现的。在带有更多个室的装备中,花费将不再表示与循环时间的可能缩减和生产率的增加之间的合理关系。

Claims (10)

1.一种用于操作直列式涂敷装备的方法,该直列式涂敷装备带有向内转移室(2)、邻接的第一缓冲室(21)、与之邻接的处理室(3)、与之邻接的再一个第二缓冲室(22),以及与之邻接的向外转移室(4),其中在各个室之间提供有门(61、64、65、62),这些门可以被打开和关闭,并且向内转移室(2)、第一缓冲室(21)、第二缓冲室(22)和向外转移室(4)被设计成相同的模块,用于容纳大到指定最大尺寸的衬底,其特征在于,对于大于这些模块的衬底(55)的涂敷,位于向内转移室(2)和第一缓冲室(21)之间的门(61)以及位于第二缓冲室(22)和向外转移室(4)之间的门(62)被打开,并且第一缓冲室(21)、第二缓冲室(22)的压强条件与向内转移室(2)或向外转移室(4)的压强条件相互适应。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,各个室(2、21、3、22、4)都装备有它们自己用于衬底(55)的传送设备(34至37;38至41;42至53),并且这些传送设备(34至37;38至41;42至53)的传送率相匹配。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,处理室(3)包括至少两个缝隙光阑(30、29),其中一个缝隙光阑(30)适当地形成处理室(3)的左边界,而另一个缝隙光阑(29)适当地形成处理室(3)的右边界。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于如下步骤:
第一缓冲室(21)入口处的门(61),以及位于第二缓冲室(22)和向外转移室(4)之间的门(62)被打开,
位于向内转移室(2)入口处的门(60)被打开,
其长度超过向内转移室(2)或第一缓冲室(21)长度的衬底被传送到向内转移室(2)和第一缓冲室(21),
位于向内转移室(2)入口处的门(60)被关闭,
在处理室(3)入口处的门(64)被关闭情况下,由向内转移室(2)和第一缓冲室(21)形成的空间被抽到特定的压强,
一旦到达特定的压强,在处理室(3)入口处的门(64)被打开,
衬底(55)被传送到处理室(3),并且位于处理室(3)入口处的门(64)被再次关闭,
衬底(55)在处理室(3)中操作,
位于处理室(3)出口处的门(65)被打开,
操作过的衬底(55)被移动到由第二缓冲室(22)和向外转移室(4)所形成的空间中,
位于处理室(3)出口处的门(65)被关闭,
位于向外转移室(4)出口处的门(63)被打开,
操作过的衬底(55)被移动到外部,
位于向外转移室出口处的门(63)被关闭。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在将衬底向内转移到由向内转移室(2)和第一缓冲室(21)所形成的空间中之后,以及在向内转移室(2)入口处的门(60)被关闭之后,首先与向内转移室(2)有关的泵(9至11)进行抽取,从大气压下降到第一指定气压,并且接着与第一缓冲室(21)有关的泵(23)进行抽取,使压强达到近似对应于处理室(3)压强的压强。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,在由向内转移室(2)和第一缓冲室(21)形成的空间中的压强从大气压首先下降到大约7mbar,并且接着,在同一空间中的压强下降到大约0.05mbar。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,向内转移室(2)的传送设备(34至37)和邻接的第一缓冲室(21)的传送设备(38至41)同步工作。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,处理室(3)的传送设备(42至53)的工作速率与向内转移室(2)和第一缓冲室(21)的传送设备(34至37;38至41)的速率一样。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所有的室(2、21、3、22、4)中都提供有压强计,压强计的压强通过控制部件查询得到,并且当到达指定压强时,该控制部件执行切换动作。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,切换动作是打开或关闭门,或打开或关闭位于室和泵之间的阀门。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005016405A1 (de) * 2005-04-08 2006-10-12 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung von Substraten unterschiedlicher Größe
CN1970828B (zh) * 2005-11-26 2010-05-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 在模具上形成多层镀膜的方法
EP1840936A1 (de) * 2006-03-29 2007-10-03 Applied Materials GmbH & Co. KG Sputterkammer zum Beschichten eines Substrats
KR100806840B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-22 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장치 및 장치의 구동모듈 제어방법
DE102007013637B4 (de) 2007-03-19 2018-12-20 Ewald Dörken Ag Verfahren zum Beschichten von metallischen Werkstücken
US20100239762A1 (en) * 2007-06-22 2010-09-23 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Process and apparatus for the introduction and removal of a substrate into and from a vacuum coating unit
DE112008001620B4 (de) 2007-07-03 2021-08-26 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren und Vorrichtung zum Schleusen überlanger Substrate in einer Vakuumbeschichtungsanlage, Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
DE102009020512B4 (de) * 2009-05-08 2017-07-27 Von Ardenne Gmbh Durchlauf-Vakuumbeschichtungsanlage
CN102104088B (zh) * 2009-12-17 2014-03-12 吉林庆达新能源电力股份有限公司 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
KR101796656B1 (ko) * 2010-04-30 2017-11-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 수직 인라인 화학기상증착 시스템
DE102010031245B4 (de) 2010-07-12 2013-04-11 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage
DE102011011279A1 (de) 2011-02-15 2012-08-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Apparatur zur Leitung des Gasstromes beim Belüften innerhalb eines Vakuumgehäuses
PT3095890T (pt) * 2014-01-14 2018-12-05 The Batteries Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Processo para a aplicação de revestimentos em película fina e linha de produção para a execução do processo
CN107429397B (zh) * 2015-02-13 2022-02-15 布勒阿尔策瑙股份有限公司 用于运行在线涂覆设备的方法和在线涂覆设备
DE102015013799A1 (de) 2015-10-26 2017-04-27 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten überlanger flächenhafter Substrate, insbesondere Glasscheiben, in einer Vakuum-Beschichtungsanlage
DE202015007404U1 (de) 2015-10-26 2015-11-11 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zum Beschichten überlanger flächenhafter Substrate, insbesondere Glasscheiben, in einer Vakuum-Beschichtungsanlage
DE102016109510B4 (de) 2016-05-24 2018-07-19 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumprozessieranlage und Verfahren zum schubweisen Einschleusen und Ausschleusen von Substraten
CN108396294B (zh) * 2018-01-26 2021-12-10 中国科学院物理研究所 一种薄膜沉积系统及控制方法
JP7290509B2 (ja) * 2019-08-15 2023-06-13 株式会社アルバック 真空処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753092A (en) * 1996-08-26 1998-05-19 Velocidata, Inc. Cylindrical carriage sputtering system
US6068738A (en) * 1993-10-25 2000-05-30 Bjornard; Erik J. Method and apparatus for thin film coating an article
DE20022564U1 (de) * 2000-06-08 2001-12-06 Ardenne Anlagentech Gmbh Vorrichtung zur defektfreien Beschichtung von Substraten
JP2002309372A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Canon Inc インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子
CN1407129A (zh) * 2001-08-14 2003-04-02 三星康宁株式会社 在玻璃衬底上淀积薄膜的设备和方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4274936A (en) 1979-04-30 1981-06-23 Advanced Coating Technology, Inc. Vacuum deposition system and method
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
JPH0791642B2 (ja) 1986-10-15 1995-10-04 石川島播磨重工業株式会社 表面処理装置
JP2948842B2 (ja) * 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型cvd装置
JP4316767B2 (ja) * 2000-03-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 基板処理装置
JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068738A (en) * 1993-10-25 2000-05-30 Bjornard; Erik J. Method and apparatus for thin film coating an article
US5753092A (en) * 1996-08-26 1998-05-19 Velocidata, Inc. Cylindrical carriage sputtering system
DE20022564U1 (de) * 2000-06-08 2001-12-06 Ardenne Anlagentech Gmbh Vorrichtung zur defektfreien Beschichtung von Substraten
JP2002309372A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Canon Inc インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子
CN1407129A (zh) * 2001-08-14 2003-04-02 三星康宁株式会社 在玻璃衬底上淀积薄膜的设备和方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE502004007384D1 (de) 2008-07-31
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