CN100382151C - 制造图案化记录介质的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制造图案化记录介质的方法。该方法包括：将磁薄膜置于基片上；将硬质掩膜排列在磁薄膜上方，所述硬质掩膜具有多个规则分布在其中的通孔；照射硬质掩膜；和移走硬质掩膜。

Description

制造图案化记录介质的方法
本申请要求于2005年3月4日在韩国知识产权局提交的第10-2005-0018129号韩国专利申请的利益，该申请完全公开于此以资参考。
技术领域
本发明涉及一种制造数据记录介质的方法，更具体地讲，涉及一种制造图案化(patterned)记录介质的方法。
背景技术
互联网操作技术的快速发展以及用光纤取代传统金属同轴电缆作为数据传输线使得用户能够在更短的时间内访问大量信息。
最近使用便携式通信设备或笔记本电脑的互联网无线连接技术的发展使得用户能够从任何地方经互联网获得期望的信息。随着经互联网连接访问的信息量和数据传输速率的增加，已提出可将更多信息快速记录在相对较小区域中的高密度记录介质以及使用这种高密度记录介质的计算机或通信设备。
硬盘被普遍用作安装在计算机内部或安装在计算机外部的记录介质。硬盘还被用作便携式数据记录单元。数据以位为单位记录在硬盘中的磁薄膜上。当例如“1”的位数据被记录在磁薄膜的区域上时，该区域中的磁偶极子在预定方向上排列。为了增大硬盘的数据记录密度，在保持记录在磁薄膜上的位数据的可靠性的同时，应该减小磁薄膜中记录位数据的区域的面积。为了满足这样的要求，应该将磁薄膜的存储位数据的区域之间的相互作用以及从给定区域读取位数据或者将位数据记录到给定区域对磁薄膜的其它记录区域的影响最小化。
因此，最近已提出一种具有图案化磁薄膜的记录介质(以下称为图案化记录介质(patterned recording medium))，在该图案化磁薄膜中，数据记录区域彼此分离。图案化记录介质记录密度高，使用微影方法、纳米压印方法、自组织磁阵列(SOMA)方法或激光图案化(laser patterning)方法来制造这种记录介质。然而，使用这些方法在批量生产、减小数据记录区域的大小以及获得期望的生产量方面受限制。具体地讲，激光图案化方法的好处是所使用的图案化处理简单并且获得的图案的表面通常是连续的，但是不足之处是难以将图案大小减小到小于100nm以及难以减小适合高密度记录介质的图案的间距。此外，需要三种入射光束来获得圆形图案，使得用于激光图案化方法的设备可能较大和复杂。
发明内容
本发明提供了一种制造记录介质的方法，该方法使得能够减小磁薄膜中记录位数据的区域(以下称为图案)的大小和间距，而且该方法简单。
根据本发明的一方面，提供了一种制造图案化记录介质的方法，该方法包括：将磁薄膜置于基片上；将硬质掩膜排列在磁薄膜上方，所述硬质掩膜具有多个规则地分布在其中的通孔；照射硬质掩膜；和移走硬质掩膜。
通孔的直径可以小于100nm。通孔的间距可以为纳米级。磁薄膜的磁各向异性能可以在5×104至5×108erg/cc的范围内。
照射到硬质掩膜上的光可以是波长大于通孔的直径的激光束。
可以使用CO2激光器、Nd:YAG激光器、He-Ne激光器、N2激光器、HF激光器或DF激光器来发射激光束。
透镜可以在通孔的出口和入口中的至少一处形成。
硬质掩膜可以与磁薄膜接触。
可以使用铝阳极氧化(anodic aluminum oxidization，AAO)来形成硬质掩膜。
本发明可在单个处理中在记录介质的磁薄膜上同时形成图案。因此，由于形成图案的处理简单，所以可增加记录介质的产量。此外，由于根据在硬质掩膜上形成的孔的大小和间距来确定在磁薄膜中形成的图案的大小和间距，所以可将图案的大小减小到少于100nm，并且也可减小图案的间距。具体地讲，由于使用硬质掩膜同时形成图案，所以可规则地形成图案，从而增大图案的密度，并增大记录介质的记录密度。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例进行的详细描述，本发明的以上和其它特点和优点将会变得更加清楚，其中：
图1是初始记录介质和用于根据本发明实施例的制造图案化记录介质的方法的硬质掩膜的横截面图；
图2是图1中示出的硬质掩膜的俯视图；
图3是示出激光束入射在图1的记录介质上的横截面图；
图4是示出在图3的记录介质的磁薄膜上形成的图案中的磁偶极子的方向与磁薄膜的表面平行时的俯视图；
图5是初始记录介质和用于根据本发明另一实施例的制造图案化记录介质的方法的硬质掩膜的横截面图；
图6是示出在图3的记录介质的磁薄膜上形成的图案中的磁偶极子的方向与磁薄膜的表面垂直时的俯视图；
图7是沿着图6的线7-7′剖开的记录介质的横截面图；
图8至图10是具有透镜的硬质掩膜的横截面图。
具体实施方式
以下，将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出本发明的示例性实施例。为了清楚，层和区域的大小和厚度被扩大。
根据本发明实施例的制造图案化记录介质的方法采用激光图案化技术和特定硬质掩膜来制造具有期望图案的记录介质。激光图案化技术用于改变磁薄膜的预定区域的磁特性，例如，将所述区域从顺磁区域变成铁磁区域。即，使用激光将预定顺磁区域迅速加热到例如500℃至2000℃的高温，从而成为铁磁区域。磁薄膜上的铁磁区域成为记录位数据的图案。
参照图1，在根据本发明实施例的制造图案化记录介质的方法中，磁薄膜32被置于基片30上来形成初始记录介质35。磁薄膜32可以是顺磁薄膜，并且具有5×104至5×108erg/cc的磁各向异性能。然后，硬质掩膜36被排列在初始记录介质35的上面。硬质掩膜36由例如氧化铝层形成，厚度为5至100nm。
如图2所示，硬质掩膜36具有多个分布在其中的通孔h。图1示出沿着图2中的线1-1′剖开的硬质掩膜36的横截面。通孔h可具有各种形状，例如可以是圆形、椭圆形或矩形。通孔h的直径D确定在以下处理中形成在磁薄膜32上的图案的直径，并且通孔h的直径D较小，例如，小于100nm。此外，通孔h的间距p确定形成在磁薄膜32上的图案的间距，并且可以是例如25nm。
图3是示出激光束入射在图1的记录介质上的横截面图。参照图3，排列的硬质掩膜36的整个上表面同时被均匀强度的激光束40照射。一次照射就足够，但是如果必要的话，可执行附加照射。激光束40可沿着硬质掩膜36例如从左到右扫描。然后，硬质掩膜36被移走。
入射激光束40可由发射长波长激光束的激光器，例如CO2激光器、Nd:YAG激光器、He-Ne激光器、N2激光器、HF激光器或DF激光器产生。激光束40的强度可足以迅速加热激光束穿过通孔h的磁薄膜32的预定区域，从而使所述预定区域成为铁磁区域。
如果入射激光束40的波长小于通孔h的直径D，那么激光束40中的大部分被散射，激光束40中的少部分穿过通孔h。与此不同，如果入射激光束40的波长大于通孔h的直径D，那么如图3所示激光束40中的大部分可通过通孔h到达磁薄膜32。尽管在图3中未示出，但是激光束40中的一些可通过通孔h被衍射，引起诸如图案清晰度降低的问题。然而，调节激光束40的照射条件以及适当改变硬质掩膜36和磁薄膜32之间的距离能够克服这样的问题。即，如图5所示，如果在照射期间硬质掩膜36与磁薄膜32接触，那么衍射的影响无关紧要。因此，在硬质掩膜36与磁薄膜32接触的情况下入射激光束40的照射效率比在硬质掩膜36与磁薄膜32分离的情况下入射激光束40的照射效率高。因此，当硬质掩膜36与磁薄膜32接触时，可减少用于入射激光束40的电功率。
如上所述，激光束40在硬质掩膜36上的照射形成具有相同形状、直径和间距以及在磁薄膜32上的均匀分布的铁磁区域34，从而形成具有铁磁区域34的图案的图案化记录介质100。可在以下处理中在图案化记录介质100的磁薄膜32上形成保护层(未示出)。
图4是图案化记录介质100的具有图案34的磁薄膜32的俯视图。图3是沿着图4中的线3-3′剖开的硬质掩膜36和图案化记录介质100的横截面。为了清楚，图4中的图案被扩大。参照图4，图案34为圆形，并且规则地分布在磁薄膜32上。图案34的直径D1小于100nm。此外，图4示出在平行磁记录介质的情况下形成在磁薄膜32上的图案34的磁偶极子。圆中的箭头指示通过磁化在特定方向上排列的图案34的磁偶极子的方向。如果在图4所示的圆中箭头方向指示位数据“0”的情况，那么相反方向的箭头将指示位数据“1”。在垂直磁记录介质的情况下，如图6所示，形成在磁薄膜32上的图案的磁偶极子与磁薄膜32的表面垂直，而不是如图4所示与磁薄膜32的表面平行。
图6的图案34中的点37指示方向朝外并与磁薄膜32的表面垂直的图案34的磁偶极子37。图7示出沿着图6中的线7-7′剖开的图案34的横截面。图6的磁偶极子的方向清楚地显示在图7中。如图7所示，如果相对于磁薄膜32的表面方向朝上的图案34的磁偶极子37指示记录位数据“0”的情况，那么当使用包括磁头或探针的数据记录/再现单元将位数据“1”记录到一些图案中时，选择的图案34的磁偶极子37方向朝下。
如图8和图9所示，透镜42可在用于在磁薄膜32上形成图案34的硬质掩膜36中形成。具体地讲，透镜42可在硬质掩膜36中形成的通孔h的出口或入口处形成。当透镜42在硬质掩膜36中形成时，根据透镜42的焦距和厚度，磁薄膜32可与硬质掩膜36分离，并且可减小激光束40的光斑大小。因此，在磁薄膜32上形成的图案34可具有更高的分辨率，从而增大了记录介质100的数据记录密度。此外，如图8所示，当透镜42在硬质掩膜36中的通孔h的出口处形成时，在穿过通孔h之后入射激光束40分别由透镜42立即会聚，从而消除了激光束40的衍射。因此，增加了使用激光束40的效率。
与以上不同，如图10所示，第一透镜42a和第二透镜42b可分别在形成在硬质掩膜36中的通孔h的出口和入口处形成。第一透镜42a和第二透镜42b的焦距可以不同。
在记录介质100上形成的磁薄膜32可由其它数据可写材料例如铁电薄膜来替代。可将材料层置于基片30和磁薄膜32之间来帮助形成图案34。
如上所述，在制造图案化记录介质的方法中，硬质掩膜36用于同时形成多个图案。因此，通过使用本发明的方法，可在短时间内大量制造记录介质。此外，由于在制造硬质掩膜36时可将通孔h的直径D和间距p设置为期望的直径和间距，所以可形成各种形状的通孔h。图案化记录介质中的图案可以是圆形，图案的大小可以小于100nm，并且图案的间距可以是纳米级，例如，大约25nm。因此，根据本发明的制造图案化记录介质的方法可产生可靠的具有高数据记录密度的记录介质。
尽管已参照本发明的示例性实施例具体显示和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (8)

1.一种制造图案化记录介质的方法，该方法包括：
将磁薄膜置于基片上；
将硬质掩膜排列在磁薄膜上方，所述硬质掩膜具有多个规则地分布在其中的通孔；
照射硬质掩膜；和
移走硬质掩膜，
其中，透镜在通孔的出口和入口中的至少一处形成。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通孔的直径小于100nm。
3.如权利要求1所述的方法，其中，通孔的间距为纳米级。
4.如权利要求1所述的方法，其中，磁薄膜的磁各向异性能在5×104至5×108erg/cc的范围内。
5.如权利要求1所述的方法，其中，照射到硬质掩膜上的光是波长大于通孔的直径的激光束。
6.如权利要求5所述的方法，其中，使用CO2激光器、Nd:YAG激光器、He-Ne激光器、N2激光器、HF激光器或DF激光器来发射激光束。
7.如权利要求1所述的方法，其中，硬质掩膜与磁薄膜接触。
8.如权利要求1所述的方法，其中，使用铝阳极氧化来形成硬质掩膜。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0225290D0 (en) * 2002-10-30 2002-12-11 Secretary Trade Ind Brit Anti-counterfeiting apparatus and method
US8206768B2 (en) 2006-09-28 2012-06-26 Pioneer Corporation Oxide material, patterning substrate, method of forming a pattern, method of producing an imprint transfer mold, method of producing a recording medium, imprint transfer mold, and recording medium

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1134010A (zh) * 1996-01-18 1996-10-23 华中理工大学 薄膜磁盘上伺服图形和分离磁道的制造方法
CN1274910A (zh) * 2000-07-04 2000-11-29 南京大学 一种超高密度有序垂直记录磁盘及其制法
CN1313587A (zh) * 2000-03-10 2001-09-19 富士胶片株式会社 磁复制用主载体
US6500497B1 (en) * 2001-10-01 2002-12-31 Data Storage Institute Method of magnetically patterning a thin film by mask-controlled local phase transition

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4352862A (en) * 1980-11-10 1982-10-05 Burroughs Corporation Thermally stable magnetic film which resists hard bubbles
FR2513430A1 (fr) * 1981-09-21 1983-03-25 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'une couche a aimantation plane homogene dans un grenat ferrimagnetique
JPH0721552A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
DE69841945D1 (de) * 1997-08-08 2010-11-25 Dainippon Printing Co Ltd Struktur zur Musterbildung, Verfahren zur Musterbildung und deren Anwendung
US7029726B1 (en) * 1999-07-27 2006-04-18 Quantum Corporation Method for forming a servo pattern on a magnetic tape
US6967779B2 (en) * 1998-04-15 2005-11-22 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array with precisely aligned aperture mask and methods of producing same
RU2169398C1 (ru) * 2000-02-11 2001-06-20 Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) Способ изготовления магнитного носителя
JP2002251719A (ja) 2000-12-22 2002-09-06 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにフォトマスク
JP2003045023A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置
US6566665B2 (en) * 2001-08-17 2003-05-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for linking and/or patterning self-assembled objects
US7081912B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
JP2003272136A (ja) 2002-03-13 2003-09-26 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク
KR100466740B1 (ko) * 2002-09-23 2005-01-15 강신일 패턴드 미디어 제조방법
JP4296943B2 (ja) * 2003-01-28 2009-07-15 ソニー株式会社 露光用マスクの製造方法および露光方法ならびに３次元形状の製造方法
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1134010A (zh) * 1996-01-18 1996-10-23 华中理工大学 薄膜磁盘上伺服图形和分离磁道的制造方法
CN1313587A (zh) * 2000-03-10 2001-09-19 富士胶片株式会社 磁复制用主载体
CN1274910A (zh) * 2000-07-04 2000-11-29 南京大学 一种超高密度有序垂直记录磁盘及其制法
US6500497B1 (en) * 2001-10-01 2002-12-31 Data Storage Institute Method of magnetically patterning a thin film by mask-controlled local phase transition

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Publication number Publication date
JP2006244694A (ja) 2006-09-14
KR20060096864A (ko) 2006-09-13
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