KR20060096864A - 패턴화된 기록매체의 제조 방법 - Google Patents

패턴화된 기록매체의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

패턴화된 기록매체의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 기판 상에 자성막을 증착하는 단계, 상기 자성막 위에 균일하게 분포된 복수의 관통홀을 포함하는 하드 마스크를 정렬하는 단계, 상기 하드 마스크 전면에 광을 조사하는 단계 및 상기 하드 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법을 제공한다.

Description

패턴화된 기록매체의 제조 방법{Method of manufacturing patterned media for recoding}
도 1 및 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 패턴화된 기록매체의 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 2는 도 1에 도시한 하드 마스크의 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 기록 매체의 자성막에 형성된, 비트 데이터가 기록될 영역(패턴)의 자기 분극 방향이 자성막 표면에 수평인 경우를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시에에 의한 패턴화된 기록매체의 제조 방법에서 하드 마스크가 자성막 상에 밀착된 경우를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 3에 도시한 기록 매체의 자성막에 형성된, 비트 데이터가 기록될 영역(패턴)의 자기 분극 방향이 자성막 표면에 수직인 경우를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6을 7-7'방향으로 절개한 면을 보여주는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 패턴화된 기록매체의 제조 방법에 사용되는 하드 마스크에 렌즈가 구비된 경우를 나타낸 단면도들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
30:기판 32:자성막
35:예비 기록매체 36:하드 자성막
37:자성막의 표면에 수직한 자기 분극 방향
40:레이저 광 42:렌즈
42a, 42b:제1 및 제2 렌즈 100:패턴화된 기록매체
D:하드 마스크에 형성된 관통홀 직경
D1:자성막에 형성된 패턴의 직경
Ds:하드 마스크와 자성막사이의 간격
p:하드 마스크에 형성된 관통홀의 피치
1. 발명의 분야
본 발명은 데이터 기록매체의 제조 방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 패턴화된 기록매체의 제조 방법에 관한 것이다.
2. 관련기술의 설명
인터넷 운용 기술의 급속한 성장과 데이터 전송 선로가 기존의 동축 케이블에서 광섬유로 대체되면서 사용자에게 보다 많은 정보다 보다 짧은 시간에 전달되고 있다. 곧, 사용자는 다양한 정보의 홍수 속에서 살고 있다.
최근들어 휴대용 통신기기나 노트북을 이용한 무선 인터넷 접속 기술이 개발되면서 사용자는 인터넷을 통해서 어느 장소에서나 자신이 필요로 하는 정보를 얻을 수 있게 되었다. 인터넷을 통해 접근할 수 있는 정보의 양이 많아지고, 데이터 전송 속도가 빨라지면서 사용자의 관심은 자연히 보다 짧은 시간에 보다 많은 정보를 가능한 좁은 영역에 담을 수 있는, 데이터 저장 밀도가 높은 저장 매체 또는 이러한 저장매체를 구비하는 컴퓨터와 통신기기에 모아지고 있다.
이러한 사용자의 욕구에 부응해서 다양한 저장 매체와 이를 구비하는 컴퓨터와 통신기기가 소개되고 있다.
컴퓨터에 내장 혹은 외장될 수 있는 저장 매체로는 현재 하드 디스크가 널리 사용되고 있다. 하드 디스크는 휴대용 데이터 저장 수단으로도 널리 사용되고 있다. 하드 디스크에서 데이터는 자성막에 기록된다. 그리고 데이터는 비트 단위로 기록되기 된다. 자성막에 비트 데이터, 예컨대 1이 기록되면, 자성막의 상기 비트 데이터가 기록된 부분의 자기 분극은 주어진 방향으로 정렬된다. 하드 디스크의 데이터 기록 밀도는 높이기 위해서는 상기 자성막에서 상기 비트 데이터가 기록되는 부분의 면적을 작게 해야한다. 그러면서 상기 자성막에 기록된 비트 데이터의 신뢰성은 확보하여야 하는데, 그러자면 자성막에서 비트 데이터가 기록된 부분들사이의 영향을 최소화하여야 하고, 상기 자성막에 기록된 비트 데이터를 읽거나 주어진 영역에 비트 데이터를 기록하는 과정에서 비트 데이터가 기록된 다른 부분이 받는 영향은 최소화되어야 한다.
이에 따라, 최근에는 비트 데이터가 기록되는 영역이 이격되어 있고, 전체적으로 패턴화된 자성막을 포함하는 기록 매체(이하, 패턴화된 기록매체)가 소개되고 있다. 고밀도용 패턴화된 기록 매체는 반도체 공정의 사진식각 공정을 이용한 방법, 나노 임프린팅을 이용한 방법, 소마(SOMA)를 이용한 방법 또는 레이저 패터닝 방법으로 제작한다. 그러나 현재의 이러한 방법들을 이용할 경우, 패턴 형태가 대량 생산이 어렵고, 비트 데이터가 기록되는 영역을 원하는 만큼 작게 만들기 어려울 뿐만 아니라 원하는 만큼의 수율도 얻기 어렵다. 또한, 상기 레이저 패터닝을 이용한 방법은 패터닝 공정이 단순하고, 패터 표면이 비교적 연속적이기는 하나, 패터닝 크기를 100nm이하로 줄이기 어렵고, 따라서 피치도 고밀도 기록매체에 맞게 줄이기 어렵다. 상기 레이저 패터닝을 이용한 방법의 경우는 또한 원형 패턴을 얻기 위해 세개의 입사빔이 사용되어야 하므로, 장치가 복잡하고 부피가 커질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술이 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 자성막의 비트 데이터가 기록되는 부분(이하, 패턴)의 사이즈와 피치를 줄일 수 있고, 공정을 단순화할 수 있는 기록매체의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 자성막을 증착하는 단계, 상기 자성막 위에 균일하게 분포된 복수의 관통홀을 포함하는 하드 마스크를 정렬하는 단계, 상기 하드 마스크 전면에 광을 조사하는 단계 및 상기 하드 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법을 제공한다.
상기 제조 방법에서 상기 관통홀의 직경은 100nm보다 작게 형성할 수 있다. 그리고 상기 관통홀은 나노미터 사이즈의 피치로 형성할 수 있다. 또한, 상기 자성막은 자기이방성 에너지(Ku)값이 5×104erg/cc에서 5×108erg/cc의 값을 갖는 자성막으로 형성할 수 있다.
상기 광은 파장이 상기 관통홀의 직경보다 큰 장파장의 레이저광일 수 있다.
상기 레이저광은 이산화 탄소(CO2) 레이저, 엔디-야그(Nd:YAG) 레이저, 헬륨-네온(He-Ne)레이저, 질소(N2) 레이저 또는 HF.DF 레이저등 에너지를 가지고 있는 다양한 Laser를 이용하여 방출할 수 있다.
상기 관통홀의 출구 및 입구 중 적어도 어느 한 곳에 렌즈가 구비될 수 있다.
상기 하드 마스크와 상기 자성막은 밀착될 수 있다.
상기 하드 마스크는 알루미늄 양극 산화법(AAO)으로 형성할 수 있다.
이러한 본 발명을 이용하면, 기록매체의 자성막에 만들어지는 패턴들을 한번의 공정으로 동시에 형성한다. 이와 같이 패턴의 형성 공정이 간단하므로 기록매체의 생산성을 높일 수 있다. 또한, 자성막에 형성되는 상기 패턴의 사이즈와 피치는 하드 마스크에 형성되는 홀의 사이즈와 피치에 따라 결정되므로, 상기 패턴의 사이즈를 100nm이하로 줄일 수 있고, 그 피치 또한 줄일 수 있다. 무엇보다 하드 마스크를 사용하여 상기 패턴들을 동시에 형성하므로, 상기 패턴을 균일하게 형성할 수 있어, 패턴의 밀도를 높일 수 있는데, 이는 바로 기록 매체의 기록 밀도의 증가와 직결된다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 패턴화된 기록매체의 제조방법(이하, 본 발명의 제조방법)을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
본 발명의 제조 방법은 레이저 패터닝 기술과 함께 특별한 하드 마스크를 사용하여 원하는 패턴이 형성된 기록 매체를 형성하는데 특징이 있다. 상기 레이저 패터닝 기술은 레이저를 이용하여 자성막, 예컨대 상자성막의 소정 영역을 자성의 성질이 다른 영역, 예컨대 강자성 영역으로 바꾸는 기술이다. 상기 레이저 패터닝 기술에서는 상기 자성막의 소정 영역은 순간적으로 고온, 예컨대 500~2,000℃ 이상으로 가열되고, 그 결과 상기 자성막의 레이저가 조사된 영역은 강자성 영역으로 변환된다. 상기 자성막에 형성된 상기 강자성 영역은 바로 데이터가 기록되는 패턴이 된다.
본 발명의 제조 방법에서는 먼저 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(30) 상에 자성막(32)을 증착하여 예비 기록매체(35)를 형성한다. 자성막(32)은 상자성막으로 형성할 수 있다. 자성막(32)은 자기 이방성 에너지 값이 5×104erg/cc에서 5×108erg/cc인 자성막인 것이 바람직하다. 예비 기록매체(35)를 형성한 후, 예비 기록매체(35) 위에 하드 마스크(36)를 정렬한다. 하드 마스크(36)는, 예를 들면 알루미늄 산화막으로 형성할 수 있다. 하드 마스크(36)의 두께는 5nm~100mm 정도이다.
하드 마스크(36)는 복수의 관통홀(h)을 포함한다. 관통홀(h)은 도 2에 도시한 바와 같이 하드 마스크(36)의 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포한다. 도 1의 하드 마스크(36)는 도 2를 1-1'방향으로 절개한 것이다. 관통홀(h)의 모양은 하드 마스크(36) 제조 과정에서 다양한 형태로 변형할 수 있으나, 원형이나 타원형또는 직사각형이 바람직하다. 관통홀(h)의 직경(D)는 후속 공정에서 자성막(32)에 만들어질 패턴의 직경을 결정한다. 따라서 관통홀(h)의 직경(D)은 작으면 작을 수록 좋고, 적어도 100nm보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 관통홀(h)의 피치(p)는 자성막(32)에 만들어질 상기 패턴의 피치를 결정하는 바, 예를 들면 25nm 정도일 수 있다.
계속해서, 도 3을 참조하면, 정렬된 하드 마스크(36)의 상부면 전체에 걸쳐 균일한 세기의 레이저 광(40)을 동시에 조사한다. 상기 조사 횟수는 1회로 충분하나, 필요에 따라 추가할 수도 있다. 또한, 레이저 광(40) 스캔 방식으로 조사할 수도 있다. 예컨대, 레이저 광(40)은 하드 마스크(36)의 왼쪽에서 오른쪽으로 순차적으로 조사될 수 있다. 레이저 광(40)을 조사한 다음, 하드 마스크(36)를 제거한다.
레이저 광(40)을 조사하기 위해, 장파장의 레이저 광을 방출하는 레이저, 예를 들면 이산화 탄소(CO2) 레이저, 엔디-야그(Nd:YAG) 레이저, 헬륨-네온(He-Ne)레이저, 질소(N2) 레이저 또는 HF.DF 레이저 등이 사용될 수 있다. 레이저 광(40)은 관통홀(h)을 통과한 레이저 광(40)에 노출된 자성막(32)의 소정 영역이 순간적으로 고온으로 가열되고, 그 결과 자성막(32)의 상기 소정 영역이 강자성막으로 바뀔 수 있을 정도의 세기를 갖는 것이 바람직하다.
광 고유의 특성 상, 레이저 광(40)의 파장이 관통홀(h)의 직경(D)보다 작을 때, 레이저 광(40)은 산란되기 때문에, 관통홀(h)을 통과하는 레이저 광(40)의 양은 매우 적다. 반면, 레이저 광(40)의 파장이 관통홀(h)의 직경(D)보다 훨씬 큰 장 파장일 때, 레이저 광(40)은 도 3에서 볼 수 있듯이 관통홀(h)을 통과하여 자성막(32)에 도달된다. 도 3에 도시하지는 않았지만, 레이저 광(40)은 관통홀(36)을 통과하면서 회절된다. 때문에, 후자의 경우에도 소실되는 레이저 광이 발생된다. 그러나 후자의 경우, 소실되는 레이저 광은 관통홀(h)을 통과한 전체 레이저 광(40)의 일부이고, 또한 레이저 광(40)의 조사 조건이나 하드 마스크(36)와 자성막(32)사이의 거리(Ds) 등에 따라 회절은 최소화 할 수 있다. 더욱이 도 5에 도시한 바와 같이, 하드 마스크(36)를 자성막(32) 상에 밀착시킨 상태에서 하드 마스크(36)에 레이저 광(40)을 조사할 경우, 회절은 고려하지 않을 수 있다. 그러므로 하드 마스크(36)와 자성막(32)이 밀착된 상태에서 하드 마스크(36)에 레이저 광(40)이 조사할 때(이하, 제1 경우), 자성막(32)에 전달되는 레이저 광(40)의 전달 효율은 하드 마스크(36)와 자성막(32)이 떨어진 상태에서 하드 마스크(36)에 레이저 광(40)을 조사할 때(이하, 제2 경우)보다 훨씬 높게 된다. 이에 따라 상기 제1 경우에서의 레이저 광(40) 세기는 상기 제2 경우에서의 레이저 광(40)의 세기보다 낮출 수 있다. 이것은 곧 레이저 출력을 낮출 수 있음을 의미하는 바, 상기 제1 경우에서는 레이저 조사와 관련된 전력을 줄일 수 있다.
상기한 바와 같이, 하드 마스크(36) 상에 레이저 광(40)을 조사한 결과, 자성막(32)에 관통홀(h)과 동일한 분포를 갖고, 관통홀(h)과 동일한 모양, 직경 및 피치를 갖는 강자성 영역(34)이 형성된다. 이렇게 해서 데이터가 기록될 수 있는 영역(34)들, 곧 패턴들을 포함하는 패턴화된 기록매체(100)가 형성된다. 후속 공정에서 패턴화된 기록매체(100)의 자성막(32) 상에 보호막(미도시)을 코팅할 수 있 다.
도 4는 도 3의 패턴화된 기록매체(100)에서 패턴(34)들이 포함된 자성막(32)만을 분리하여 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 4를 3-3'방향으로 절개한 단면을 나타낸 것이다. 도 4에서 패턴(34)은 편의 상 다른 부분보다 상대적으로 크게 도시하였다. 도 4를 참조하면, 패턴(34)들은 원형인 것을 알 수 있고, 자성막(32) 전체에 고르게 분포된 것을 볼 수 있다. 패턴들(34)의 직경(D1)은 100nm보다 작다. 도 4에서 패턴(34)들은 원으로 도시하였다. 원안의 화살표는 패턴(34)들의 자기 분극의 방향을 나타낸다. 도 3에 도시한 기록 매체(100)는 아무런 데이터가 기록되어 있지 않은 상태이다. 따라서 도 4의 패턴(34)은 외부 기록 자계에 의하여 특정방향으로 자화시켜 일정하게 정렬된 상태이다. 도 4에 도시한 패턴(34)의 자기 분극의 방향이 비트 데이터 0을 나타낸다고 할 때, 기록 매체(100)의 선택된 패턴에 비트 데이터 1이 기록되면, 상기 선택된 패턴의 자기 분극의 방향은 도 4에 도시한 방향과 반대 방향이 된다. 도 4는 도 3의 기록매체(100)가 수평 자기 기록매체일 때, 자성막(32)에 형성된 패턴들(34)의 자기 분극의 방향을 보인 것이다. 그러므로 도 3의 기록매체(100)가 수직 자기 기록매체일 때, 자성막(32)에 형성된 패턴들(34)의 자기 분극은 도 4에 도시한 바와 같이 자성막(32)의 표면에 평행하지 않고 도 6에 도시한 바와 같이 자성막(32)의 표면에 수직하게 된다.
도 6에서 패턴들(34) 가운데에 있는 점(37)은 자성막(32)의 표면에 수직하고, 상기 표면을 향하는 패턴들(34)의 자기 분극의 방향을 나타낸다. 도 6의 패턴들(34)의 자기 분극의 방향(37)은 도 6을 7-7'방향으로 절개한 단면을 보여주는 도 7에서 보다 명확하게 볼 수 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 패턴들(34)의 자기 분극의 방향(37)이 모두 자성막(32)의 표면을 향할 때를 소정의 비트 데이터, 예컨대 0이 기록된 것으로 간주할 때, 자기 헤드나 프로브 등 데이터 기록 및 재생 수단을 이용하여 패턴들(34) 중 선택된 부분에 비트 데이터 1을 기록하면, 상기 선택된 부분의 패턴들의 자기 분극의 방향(37)은 반전되어 도 7에 도시한 방향과 정반대로 정렬된다. 곧 자기분극은 자성막(32)의 밑면을 향한다.
한편, 자성막(32)에 패턴들(34)을 형성하는데 사용된 하드 마스크(36)에 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이 렌즈(42)가 사용될 수 있다.
렌즈(42)는 도 8에 도시한 바와 같이, 하드 마스크(36)에 형성된 관통홀(h)의 출구를 막는 위치에 구비되거나 도 9에 도시한 바와 같이 관통홀(h)의 입구를 막는 위치에 구비될 수 있다.
이와 같이 하드 마스크(36)에 렌즈(42)가 구비될 경우, 렌즈(42)의 초점거리 및 심도에 따라 하드 마스크(36)와 자성막(32)을 어느 정도 이격시킬 수 있고, 관통홀(h)을 통과하여 자성막(32)에 맺히는 레이저 광(도 3의 40)의 스폿 사이즈를 줄일 수 있다. 자성막(32)에 맺히는 레이저 광(40)의 스폿 사이즈를 줄일 수 있으면, 자성막(32)에 보다 많은 패턴(34)을 형성할 수 있으므로, 결국 기록매체(100)의 데이터 기록 밀도를 높일 수 있다. 또한, 도 8에 도시한 바와 같이 렌즈(42)가 하드 마스크(36)에 형성된 관통홀(h)의 출구를 막는 형태로 구비된 경우, 레이저 광(40)은 관통홀(h)을 통과하자마자 바로 렌즈(42)에 의해 집속되기 때문에, 회절은 사라지게 된다. 따라서 레이저 광의 이용 효율은 렌즈(42)가 없을 때보다 높아 지게 된다.
다른 한편으로, 다소 번거롭기는 하지만, 도 10에 도시한 바와 같이, 하드 마스크(36)에 형성된 관통홀(h)의 출구에 제1 렌즈(42a)가 위치하고, 입구에 제2 렌즈(42b)가 위치할 수도 있다. 이때, 제1 및 제2 렌즈(42a, 42b)의 초점거리는 다를 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 기록매체(100)에서 자성막(32)을 데이터 기록이 가능한 다른 물질, 예를 들면 강유전막으로 대체할 수도 있을 것이다. 또한, 기판(30)과 자성막(32)사이에 패턴(34)의 형성에 도움을 줄 수 있는 물질층이 구비될 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 패턴화된 기록매체의 제조 방법에서는 하드 마스크(36)를 이용하여 한번에 모든 패터들을 형성한다. 따라서 기록매체의 제조에 걸리는 시간을 줄일 수 있고, 대량 생산이 가능하다. 또한, 하드 마스크(36)를 만드는 단계에서 관통홀(h)의 직경(D)과 피치(p)는 원하는 값으로 조절할 수 있으므로, 관통홀(h)의 모양도 원하는 형태로 만들 수 있으므로, 본 발명의 패턴화된 기록매체에서 비트 데이터가 기록될 영역, 곧 패턴은 원형으로 형성할 수 있을 뿐만 아니라 사이즈도 100nm보다 작게 줄일 수 있으며, 피치도 나노 사이즈, 예를 들면, 25nm 정도로 줄일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 패턴화된 기록매체 제조방법을 이용할 경우, 신뢰성 있고 데이터 기록 밀도가 높은 기록매체를 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 자성막을 증착하는 단계;
    상기 자성막 위에 균일하게 분포된 복수의 관통홀을 포함하는 하드 마스크를 정렬하는 단계;
    상기 하드 마스크 전면에 광을 조사하는 단계; 및
    상기 하드 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 관통홀의 직경은 100nm보다 작은 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 관통홀은 나노미터 사이즈의 피치로 형성된 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 자성막은 자기이방성 에너지 값이 5×104erg/cc에서 5×108erg/cc인 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 광은 파장이 상기 관통홀의 직경보다 큰 장파장의 레이저광인 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 레이저광은 이산화 탄소(CO2) 레이저, 엔디-야그(Nd:YAG) 레이저, 헬륨-네온(He-Ne)레이저, 질소(N2) 레이저 또는 HF.DF 레이저를 이용하여 방출하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 관통홀의 출구 및 입구 중 적어도 어느 한 곳에 렌즈가 구비된 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 하드 마스크는 상기 자성막 상에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 하드 마스크는 알루미늄 양극 산화법(AAO)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 기록매체 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0225290D0 (en) * 2002-10-30 2002-12-11 Secretary Trade Ind Brit Anti-counterfeiting apparatus and method
US8206768B2 (en) 2006-09-28 2012-06-26 Pioneer Corporation Oxide material, patterning substrate, method of forming a pattern, method of producing an imprint transfer mold, method of producing a recording medium, imprint transfer mold, and recording medium

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4352862A (en) * 1980-11-10 1982-10-05 Burroughs Corporation Thermally stable magnetic film which resists hard bubbles
FR2513430A1 (fr) * 1981-09-21 1983-03-25 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'une couche a aimantation plane homogene dans un grenat ferrimagnetique
JPH0721552A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
CN1134010A (zh) * 1996-01-18 1996-10-23 华中理工大学 薄膜磁盘上伺服图形和分离磁道的制造方法
DE69841947D1 (de) * 1997-08-08 2010-11-25 Dainippon Printing Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer Linse
US7029726B1 (en) * 1999-07-27 2006-04-18 Quantum Corporation Method for forming a servo pattern on a magnetic tape
US6967779B2 (en) * 1998-04-15 2005-11-22 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array with precisely aligned aperture mask and methods of producing same
RU2169398C1 (ru) * 2000-02-11 2001-06-20 Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) Способ изготовления магнитного носителя
JP3999436B2 (ja) * 2000-03-10 2007-10-31 富士フイルム株式会社 磁気転写用マスター担体
CN1274910A (zh) * 2000-07-04 2000-11-29 南京大学 一种超高密度有序垂直记录磁盘及其制法
JP2002251719A (ja) 2000-12-22 2002-09-06 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにフォトマスク
JP2003045023A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置
US6566665B2 (en) * 2001-08-17 2003-05-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for linking and/or patterning self-assembled objects
SG122746A1 (en) * 2001-10-01 2006-06-29 Inst Data Storage Method of magnetically patterning a thin film by mask-controlled local phase transition
ATE381441T1 (de) * 2002-03-11 2008-01-15 Seiko Epson Corp Optischer schreibkopf wie organische elektrolumineszente belichtungskopf-matrizen, verfahren zu dessen herstellung und bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt
JP2003272136A (ja) 2002-03-13 2003-09-26 Mitsubishi Chemicals Corp 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク
KR100466740B1 (ko) * 2002-09-23 2005-01-15 강신일 패턴드 미디어 제조방법
JP4296943B2 (ja) * 2003-01-28 2009-07-15 ソニー株式会社 露光用マスクの製造方法および露光方法ならびに３次元形状の製造方法
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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