CN100347595C - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，其特征在于：在隔着液晶(LC)相对配置的各基板中的一个基板(SUB1)的液晶侧的面上具有像素区域，该像素区域具有光反射部及光透过部，在上述各基板中的另一个基板(SUB2)的液晶侧的面的像素区域上形成有滤色体(FIL)，在至少一种颜色的滤色体(FIL)上的与上述光反射部相对的部分上针对每一个像素区域分散地形成有多个开口。

Description

液晶显示装置
(本申请是在先申请02119896.9的分案申请。)
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，特别涉及所谓的部分透过型有源矩阵型液晶显示装置。
背景技术
有源矩阵式的液晶显示装置在隔着液晶相对配置的透明基板中的一个透明基板液晶侧面上，形成在x方向上延伸并在y方向上平行的栅极信号线及在y方向延伸且在x方向上平行的漏极信号线，并以各信号线所包围的区域作为像素区域。
各像素区域上形成根据来自一个栅极信号线的扫描信号而动作的薄膜晶体管、以及通过该薄膜晶体管提供来自漏极信号线的图像信号的像素电极。
另外，在此种液晶显示装置中，所谓的部分透过型指：在各像素区域中，具有：光透过部，其为能够透过来自配置于背面侧的背光源的光的区域；以及光反射部，其为可反射太阳等外来光的区域。
光透过部作为由透光性导电层构成的像素电极的区域形成，而光反射部作为由具有光反射功能的非透光性导电层构成的像素电极的区域形成。
此种构造的液晶显示装置可将背光源点亮作为光透过模式使用，并且可利用太阳光等外来光作为光反射模式使用。
但是，此种构造的液晶显示装置，在通过光透过部的光的路径与在光反射部所反射的光的路径中，因例如在后者的情况下必须通过滤色体两次，但在前者的情况则只要通过一次即可等理由，而无法以相同条件构成。
因此，在作为光透过型使用的情况与在作为光反射型使用的情况下，色彩的平衡不均一，且难以适宜的进行调节色彩的平衡的设定。
本发明针对此种问题而完成，其目的为提供颜色平衡度的调节可良好地进行设定的液晶显示装置。
发明内容
对本发明中具代表性的方案简单说明如下。
(1).一种液晶显示装置，其特征在于：在隔着液晶相对配置的各基板中的一个基板的液晶侧的面上具有像素区域，该像素区域具有光反射部及光透过部，
在上述各基板中的另一个基板的液晶侧的面的像素区域上形成有滤色体，在至少一种颜色的滤色体上的与上述光反射部相对的部分上针对每一个像素区域分散地形成有多个开口；
覆盖上述滤色体形成有使由上述滤色体的开口形成的阶差平坦化的平坦化膜；
上述开口为圆形，且上述开口的直径设定为大于0μm小于等于20μm。
(2).根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于：各像素区域是由一对栅极信号线及一对漏极信号线包围而形成的区域，且在上述像素区域上形成有：根据来自上述栅极信号线的扫描信号而动作的薄膜晶体管；以及通过该薄膜晶体管被供给来自漏极信号线的图像信号的光透过部的像素电极和光反射部的像素电极。
(3).根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于：具有背光源。
附图说明
图1为展示本发明的液晶显示装置的像素的一实施例的平面图。
图2为展示本发明的液晶显示装置的全体的等效电路的一实施例的平面图。
图3为展示图1的III-III线的剖面图。
图4A～图4D为展示本发明的液晶显示装置的各像素的滤色体的构造的各实施例的平面图。
图5A～图5F为展示本发明的液晶显示装置的制造方法的一实施例的步骤图。
图6A～图6E为展示本发明的液晶显示装置的像素另一实施例的剖面图。
图7A～图7B为展示本发明的液晶显示装置的像素另一实施例的剖面图。
图8为展示本发明的液晶显示装置的各像素的黑基底的构造的一实施例的平面图。
图9为展示本发明的液晶显示装置的另一实施例的剖面图。
图10为展示本发明的液晶显示装置的另一实施例的剖面图。
具体实施方式
以下，用附图说明本发明的液晶显示装置的实施例。
<实施例1>
(全体的等效电路)
图2为展示本发明的液晶显示装置的全体的等效电路的一实施例的平面图。
该图中，具有隔着液晶互相相对配置的一对透明基板SUB1、SUB2，该液晶通过密封材SL而密封，该密封材兼具将一个透明基板SUB1固定在另一个透明基板SUB2上的作用。
在密封材SL所包围的上述一个透明基板SUB1的液晶侧的面上，形成在x方向上延伸且在y方向上平行的栅极信号线GL及在y方向上延伸且在x方向上平行的漏极信号线DL。
各栅极信号线与各漏极信号线DL所包围的区域构成像素区域，且各像素区域的矩阵状的集合体构成液晶显示部AR。
各像素区域中形成有：薄膜晶体管TFT，其根据来自一侧的栅极信号线GL的扫描信号而动作；及像素电极PX，其通过薄膜晶体管TFT被供给来自一侧的漏极信号线DL的图像信号。
该像素电极PX在与驱动上述薄膜晶体管TFT的栅极信号线GL不同的另一栅极信号线GL之间构成电容元件Cadd，通过该电容元件Cadd，可比较长时间蓄积供给到该像素电极PX的图像信号。
该像素电极PX在另一个透明基板侧SUB2上对各像素区域共用地形成的相对电极CT之间产生电场，通过该电场控制液晶的透光率。
上述栅极信号线GL的各自的一端超过上述密封材SL而延伸，其延伸端构成与垂直扫描驱动电路的输出端子连接的端子。上述垂直扫描驱动电路V的输入端子被输入来自配置在液晶显示装置的外部的印刷基板的信号。
垂直扫描驱动电路V由多个半导体装置所构成，互相邻接的多个栅极信号线GL形成群组，这些群组的每一个对应一个半导体装置。
同样地，上述漏极信号线DL的各自的一端超过上述密封材SL而延伸，其延伸端构成与图像信号驱动电路He的输出端子连接的端子。另外，上述图像信号驱动电路He的输入端子被输入来自配置在液晶显示装置的外部的印刷基板的信号。
该图像信号驱动电路He也由多个半导体装置所构成，互相邻接的多个个栅极信号线DL形成群组，这些群组的每一个对应一个半导体装置。
上述各栅极信号线GL根据来自上述垂直扫描驱动电路V的扫描信号依次选择。
上述各漏极信号线DL通过上述图像信号驱动电路He按照上述栅极信号线GL的选择时序被供给图像信号。
在这种构造的液晶显示装置的背面配置有背光源BL，在作为透过型模式使用该液晶显示装置时，使该光源亮起。
上述垂直扫描驱动电路V及图像信号驱动电路He各自安装于透明基板SUB1上，但并不限制于此，当然也可安装于透明基板SUB1外。
(像素的构造)
图1为展示上述像素区域的一实施例的平面图。该图以R、G、B用各像素做为彩色用像素显示，但它们只是滤色体的颜色不同且光反射部及光透过部所占比例不同，除此之外则是大致相同的构造。
在以下的说明中，针对此三个像素中的一个像素进行说明。该图中的III-III线的剖面示于图3。
该图中，透明基板SUB1的液晶侧的面上，首先形成在x方向上延伸、在y方向上并排设置的一对栅极信号线GL。该栅极信号线GL由例如Al(铝)构成，其表面形成有阳极氧化膜AOF。
这些栅极信号线GL与后述的一对漏极信号线DL一起包围一矩形的区域，该区域构成像素区域。
随后，在该像素区域的除了周边的一小部分外的中央部分上形成例如ITO(铟锡氧化物)膜之类的透光性像素电极(第1像素电极)PX1。
该像素电极PX1在像素区域中具有可透过来自背光源BL的光的区域的像素电极的功能，与后述的兼具反射电极的功能的像素电极(第2像素电极)PX2有区别。
如此，在形成有栅极信号线GL、像素电极PX1的透明基板SUB1的表面上，形成由例如SiN(氮化硅)构成的绝缘膜GI。该绝缘膜GI涵盖到薄膜晶体管TFT的形成区域(栅极信号线GL的一部分区域)及其附近的栅极信号线GL与漏极信号线DL的交差部。
在薄膜晶体管TFT的形成区域上形成的绝缘膜GI具有该薄膜晶体管TFT的栅极绝缘膜的功能，而在栅极信号线GL与漏极信号线DL的交差部上所形成的绝缘膜GI具有层间绝缘膜的功能。
再者，在该绝缘膜GI的表面上形成由非晶质的Si(硅)构成的半导体层AS。
该半导体层AS即薄膜晶体管TFT本身，通过在其上面形成漏极电极SD1及源极电极SD2，而构成以栅极信号线GL的一部分做为栅极电极的反交错(reverse stagger)构造的MIS型晶体管。
另外，上述半导体层AS也延伸到与栅极信号线GL的漏极信号线DL的交差部而形成，由此可与上述绝缘膜GI一起强化各信号线做为层间绝缘膜的功能。
另外，在图3中虽未明确说明，但在上述半导体层AS的表面且与上述漏极电极SD1及源极电极SD2的界面上形成有掺杂高浓度杂质(例如磷)的半导体层，通过该半导体层构成接触层。
上述漏极电极SD1及源极电极SD2在例如形成漏极信号线DL时同时形成。
即，形成在y方向上延伸且在x方向上并排设置的漏极信号线DL，其一部分延伸到上述半导体层AS的上面，而形成漏极电极SD1，另外，与该漏极电极SD1以薄膜晶体管TFT的沟道长度的大小分离而形成源极电极SD2。
该漏极信号线DL由例如Cr与Al的依次积层体构成。
源极电极SD2从半导体层AS面稍延伸到像素区域侧，以便与上述像素电极PX1电连接，并形成与后述的兼作反射电极使用的像素电极PX2连接用的接触部。
如此，该源极电极SD2的延伸部不只是如上所述具有连接上述像素电极PX1及PX2的功能，而且延伸到该光反射部的大部分区域上而形成，以使在该光反射部(后述的像素电极PX2所形成的区域)中，与该像素电极PX2的阶差所造成的高低差不致太大。
即，若只是使上述源极电极SD2的延伸部具有使上述像素电极PX1及PX2连接的功能，则只要使该延伸部形成接触部即可，其延伸部比较短。于是，其延伸部的周边的阶差在形成后述的兼作反射电极使用的像素电极PX2的面(后述的保护膜PSV的上面)变得明显，而在该像素电极PX2的面上也形成阶差。
另外，通过形成本实施例那样的构造，上述源极电极SD2的延伸部会占据面积较大的区域，换言之，该边会比较长。
因此，在液晶显示装置的制造中，该像素电极PX2的附近不易残留污染物等杂质，可去除该杂质所造成的弊害。
另外，若是具有接触部的功能的薄膜晶体管TFT的栅极电极，则该接触部的面积较小，其边也可通过光刻技术的选择性蚀刻而形成相当复杂的形状，因此往往有污染物等杂质残留而损及接触部的功能。
如此，在形成有漏极信号线DL、薄膜晶体管TFT的漏极电极SD1及源极电极SD2的透明基板SUB1的表面上形成例如由SiN构成的保护膜PSV。该保护膜PSV是防止与上述薄膜晶体管TFT的液晶直接接触的层，可防止该薄膜晶体管TFT的特性劣化。
此外，在该保护膜PSV上，形成接触孔CH，该接触孔CH中露出薄膜晶体管TFT的上述源极电极SD2的一部分。
在保护膜PSV的上面形成兼作反射电极使用的像素电极PX2。该像素电极由例如Cr及Al的依次积层体所构成的非透光性导电膜构成。
该像素电极PX2避开成为光透过部的区域而占据像素区域的大部分。
由此，形成有像素电极PX2的区域作为像素区域中的光反射部，而自该像素电极PX2露出(平面上看)的像素电极PX1的形成区域作为光透过部，发挥功能。
另外，此实施例中，蓝色(B)像素区域的光透过部所占面积，比其他颜色(G、R)的像素区域的光透过部所占面积小。即，蓝色像素区域的第2像素电极PX2的面积，比其他颜色的像素区域的第2像素电极PX2的面积大。
其原因在于，来自通过光透过部所照射的背光源BL的光的光量在蓝色的情况下较小者较适合三原色的混合，另外，通过适当设定此光量的光透过部对光反射部的比例会更适合三原色混合。
另外，在滤色体使用青蓝、紫红、黄色等三色的情况，与蓝色的情况相反。黄色像素区域的第2像素电极Px2的面积，比其他颜色的像素区域的第2像素电极PX2的面积小。
像素电极PX2的一部分通过在前述保护膜PSV的一部分上形成的接触孔CH，电连接至薄膜晶体管TFT的源极电极SD2。
另外，该像素电极PX2延伸至与驱动上述薄膜晶体管TFT的栅极信号线GL不同的其他相邻的栅极信号线GL重叠为止，在该部分形成以前述保护膜PSV为介电体膜的电容元件Cadd。
如此，在形成有像素电极PX2的透明基板SUB1上面，形成覆盖该像素电极PX2等的配向膜(未图示)。该配向膜是与液晶LC直接碰接的膜，通过在其表面上所形成的刷擦(rubbing)，可决定该液晶分子的初始配向方向。
在此种构造的透明基板SUB1上，隔着液晶LC相对置地配置透明基板SUB2，在该透明基板SUB2的液晶侧的面上，形成区分该各像素区域的黑基底BM。即，至少形成于液晶显示部AR的黑基底BM成为在各像素区域的周边以外的区域(各像素区域的至少一部分的区域)上形成开口的图案，由此能够提高显示的对比度。
另外，该黑基底BM以充分覆盖透明基板SUB1侧的薄膜晶体管TFT的方式形成，通过妨碍外来光照射至该薄膜晶体管TFT，可避免该薄膜晶体管TFT的特性劣化。该黑基底BM由例如含有黑色颜料的树脂膜构成。
在形成有黑基底BM的透明基板SUB2面上，形成覆盖该黑基底BM的开口的滤色体FIL。该滤色体由例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的各色滤色体构成，对在y方向并列设置的各像素区域共同形成例如红色的滤色体，与该像素区域群在x方向依次邻接的像素区域群共同配列形成红(R)色、绿(G)色、蓝(B)色、红(R)色…。该滤色体由含有与该色对应的颜料的树脂膜构成。另外，各滤色体的颜色当然也可为青蓝、紫红、黄色。
在此实施例中，前述滤色体FIL形成于像素区域的一部分上，例如图4A所示，形成于除了像素区域左右以外的中央部。即，在与第2像素电极PX2的一部分(像素区域左右)相对的部分形成开口部(或缺口部)HL。
以上述方式构成滤色体FIL的理由在于，可将反射时的各像素的亮度以色彩的三原色的混合予以调节。由此，即使在无法仅根据颜色变更光透过部和光反射部的面积比的情况下，也可调节色彩的平衡及亮度，可增加自由度。另外，前述开口部HL的面积也可与相邻接的其他不同颜色的像素区域的滤色体FIL的开口部HL的面积不同。
此情况下，通过将蓝色滤色体FIL的开口部HL设定为比其他颜色的滤色体FIL的开口部HL小，确认可以容易地进行色彩的调节。由此，在其他实施例中，特别是不设置蓝色滤色体FIL的开口部HL，而在其他颜色的滤色体FIL上设置开口部HL也可。
另外，在如此构成滤色体FIL的情况下，因为可由此调节颜色的平衡，如上所述，不必将蓝色像素区域的光透过部的面积设定成比其他颜色的像素区域的光透过部的面积小，例如可做成与其他颜色的像素区域的光透过部的面积相同。当然也可做成不同。
黄色的情况与蓝色的情况相反，将黄色滤色体FIL的开口部HL设定为比其他颜色的滤色体FIL的开口部HL大。
如此在滤色体FIL上设置开口部HL将妨碍液晶LC的层厚的均匀化，但如前述在透明基板SUB1侧充分消除阶差而予以构成，所以可抑制在事实上没有弊端的范围内。
在形成有黑基底BM及滤色体FIL的透明基板SUB2表面上，形成覆盖该黑基底BM及滤色体FIL的平坦化膜OC。该平坦化膜OC由可涂布形成的树脂膜构成，用于减少因前述黑基底BM及滤色体FIL的形成而明显化的阶差。
在该平坦化膜OC上面，形成例如由ITO膜构成的透光性导电膜，通过该导电膜对各像素区域形成共用的相对电极CT。
在该相对电极CT的表面上形成配向膜(未图示)，该配向膜是与液晶LC直接碰接的膜，通过形成于其表面的刷擦可决定该液晶分子的初期配向方向。
如此形成的液晶显示装置中，薄膜晶体管TFT的源极电极SD2延伸形成为延伸至与像素区域的光反射部相当的区域。
因此，在该光反射部隔着保护膜PSV而形成的像素电极PX2形成为没有因阶差造成的高低差的平坦的形状。
因此，在光反射部中，液晶的层厚均一化，可大幅抑制因其不均匀而产生的对比度降低。
虽不能说是光反射部，但形成有电容元件Cadd的部分的像素电极PX2相对于透明基板SUB1的高度，可大致与光反射部的像素电极PX2相对于透明基板SUB1的高度相等。
形成有电容元件Cadd的部分，虽为由黑基底BM覆盖的部分，但在该黑基底BM的开口部内的与该电容元件Cadd接近的部分中，可防止因前述像素电极PX2相对于透明基板SUB1的高度差所造成的影响。
因此，通过将作为电容元件Cadd的部分的“栅极信号线GL的层厚”与“光反射部下的像素电极PX1与薄膜晶体管TFT的源极电极SD2的合计层厚”的差设定为0.1μm以下，可将像素电极PX2相对于透明基板SUB1的高度的偏差设定在0.1μm以下。
由此，可将像素区域的光反射部中的液晶LC的层厚设定为大致均一，从而可抑制对比度的降低。
另外，上述实施例中，通过使薄膜晶体管TFT的源极电极SD2充分延伸至光反射部的区域，可避免其上方所形成的像素电极PX2产生阶差。
当然，也可通过使用与前述源极电极SD2电气性(或物理性)分离的其他材料而获得与上述相同的效果。
在此情况下，因为可与薄膜晶体管TFT的源极电极SD2无关地设定该材料层的膜厚，所以可容易实现像素电极PX2的平均化的效果。
另外，上述实施例中，如图4A所示，将滤色体在其像素区域的左右部分的与第2像素电极PX2相对的部分上设置开口部(缺口)HL，但例如图4B所示，当然也可在像素区域的上下部分的与第2像素电极PX2相对的部分上形成开口。另外，当然也可如图4C所示，在像素区域的大约中央部，设置面积较大的开口。另外，当然也可如图4D所示，在像素区域的大约中央部形成分散的多个直径例如在20μm以下的小开口。
通过图4D所示的构造，可使滤色体FIL的开口所造成的阶差的影响减少，可由此实现液晶层厚的均一化。
在此情况中，如上所述，在各色的滤色体FIL中，例如使青色滤色体FIL的开口面积较小，甚至不形成该开口也可。
(制造方法)
以下，使用图5A～图5F说明上述液晶显示装置中的透明基板SUB1侧的构造的制造方法的一实施例。
步骤1.(图5A)
准备透明基板SUB1，在其主表面(液晶侧的面)上以例如溅镀法形成膜厚约300nm的Al，对其用光刻技术进行选择性蚀刻，形成栅极信号线GL。蚀刻液可使用例如磷酸、盐酸及硝酸的混合溶液。
接着，将该栅极信号线GL在酒石酸溶液中进行阳极氧化，在其表面上形成阳极氧化膜AOF。该阳极氧化膜AOF的膜厚宜为约180nm。
步骤2.(图5B)
在形成有栅极信号线GL的透明基板SUB1的主表面上形成由例如ITO(铟-锡-氧化物)膜构成的膜厚约100nm的透光性导电膜，对其用光刻技术进行选择性蚀刻，形成像素电极PX1。蚀刻液可使用例如王水溶液。
步骤3.(图5C)
在形成有像素电极PX1的透明基板SUB1的主表面上用例如CVD法形成膜厚约240nm的由SiN构成的绝缘膜。接着，以同样的方法形成膜厚约200nm的非晶质硅层后，再形成膜厚约35nm的掺杂磷(P)的n+型非晶质硅层。
接着，以光刻技术进行选择性蚀刻，同时蚀刻上述半导体层及绝缘膜，形成绝缘膜GI及半导体层AS。在此情形下的蚀刻宜用六氟化硫气的干式蚀刻。
在此情形下，非晶质硅的蚀刻速度比绝缘膜大，故构成上述绝缘膜GI的轮廓的边形成约4°的顺向斜角，构成上述半导体层AS的轮廓的边形成约70°的顺向斜角。
步骤4.(图5D)
在形成有绝缘膜GI及半导体层AS的透明基板SUB1的主表面上用例如溅镀法依次形成Cr层及Al层。在此情形下，Cr层的膜厚宜为30nm，Al层的膜厚宜为200nm。
之后，用光刻技术进行选择性蚀刻，形成具有二层构造的漏极信号线DL、薄膜晶体管TFT的漏极电极SD1及源极电极SD2。
在此情形下，宜使用磷酸、盐酸及硝酸的混合溶液做为Al的蚀刻液，使用硝酸亚铈铵溶液做为Cr的蚀刻液。
接着，以形成了图案的薄膜晶体管TFT的漏极电极SD1及源极电极SD2做为掩模，对所露出的半导体层AS的表面的n+型非晶质硅层进行蚀刻。此时所用的蚀刻液宜为六氟化硫气体的干式蚀刻。
步骤5.(图5E)
在形成有漏极信号线DL、薄膜晶体管TFT的漏极电极SD1及源极电极SD2的透明基板SUB1的主表面上用例如CVD法形成膜厚约600nm的SiN，对其用光刻技术进行选择性蚀刻而形成保护膜PSV。
在蚀刻时，同时形成接触孔CH，以露出上述薄膜晶体管TFT的源极电极SD2的延伸部的一部分。
步骤6.(图5F)
在形成有保护膜PSV的透明基板SUB1的主表面上，使用例如溅镀法依次形成层厚约30nm的Cr层及层厚约200nm的Al层，对其用光刻技术进行选择性蚀刻，形成兼做反射电极使用的像素电极PX2。
在此情形下，宜使用磷酸、盐酸及硝酸的混合溶液Al的蚀刻液，使用硝酸亚铈铵溶液做为Cr的蚀刻液。
此时的像素电极PX2形成有开口，其占像素区域的约一半的区域。
另外，除了依次形成Cr层及Al层做为像素电极PX2外，也可依次形成Mo合金及Al，或是依次形成Mo合金与Al合金。Mo合金以MoCr较佳。在此情形下，具有可一次蚀刻完成的效果。
<实施例2>
图6A～图6E、图7A及图7B为展示本发明的液晶显示装置的另一实施例的构造图，对应于图3。
图6A是在像素电极PX2上面覆盖该像素电极PX2而形成第2保护膜PSV2的构造。图6B是在与光透过部相当的区域中在保护膜PSV上形成开口而构成。图6C是在像素电极PX2上面覆盖该像素电极PX2而形成第2保护膜PSV2，且在保护膜PSV及第2保护膜PSV2中的任一个的与光透过部相当的区域中形成开口而构成。图6D是在像素电极PX2上面覆盖该像素电极PX2形成第2保护膜PSV2，且仅在保护膜PSV的与光透过部相当的区域中形成开口而构成。图6E是在像素电极PX2上面覆盖该像素电极PX2而形成第2保护膜PSV2，且在保护膜PSV及第2保护膜PSV2中的任一个的与光透过部相当的区域中，都一并形成开口而构成。
另外，图7A是用表面被阳极氧化的Al层以外的金属形成栅极电极GL，例如由Mo与Cr的合金层构成。
另外，在图7B中，与图3的情况不同的部分为在形成有光反射部与电容元件Cadd的部分上形成有调节高度用的材料层DML。
由此，在这些各部分中，可将相对于透明基板SUB1的各像素电极PX2的高度差设定于0.1μm以下。
由此，前述调节高度用的材料层DML如同图所示，不需在形成有光反射部与电容元件Cadd的部分上分别形成，当然也可仅形成于其中任一方上。
<实施例3>
图8为展示本发明的液晶显示装置的其他实施例的构造图，为各形成在彩色显示用的各像素上的黑基底BM的图案的平面图。
图8中，黑基底BM的各像素(R显示用、G显示用、B显示用的各像素)的开口面积各不相同。
通过在滤色体FIL上形成开口(缺口)，可进行颜色调节，且也可依黑基底BM的各像素的开口进行。由此，可具有增大色彩调节的自由度的效果。
本实施例可以上述各实施例的构造为前提予以构成，也可将一部分的构造进行组合予以构成。
<实施例4>
也可以以上述各实施例构造为前提，制成在像素电极PX与相对电极CT间没有电压差的情况下可进行黑色显示，即制成常黑模式(normally black mode)。
可确认，常黑模式与常白模式相比，更易因液晶层厚不均而产生颜色不均。
上述实施例在透明基板SUB1的液晶侧的面可实现平坦化，因此，即使是常黑模式也不易发生颜色不均问题。
此时，当然未必一定要在滤色体FIL或黑基底BM中设置调节色彩平衡用的开口。
<实施例5>
图9为展示本发明的液晶显示装置的像素的其他实施例的剖面图，为图3的对应图。在图9中也图示出配向膜ORI。
在形成于透明基板SUB2侧的滤色体FIL上形成开口(或缺口)，在透明基板SUB1侧的液晶侧的面上，在与前述开口(或缺口)相对的区域上形成与该滤色体FIL的开口(缺口)所造成的阶差大致层厚相等的材料层。
此实施例中，该材料层由在第1像素电极PX1与源极电极SD2之间图案化形成的绝缘膜GI和半导体层AS的层积体构成。
此时，可通过前述材料层的形成来避免因前述滤色体FIL的开口造成该部分的液晶层厚与周围不同的问题。
即，例如在借助于由颗粒构成的间隔物SP确保其与透明基板SUB2的间隙的情况下，在滤色体FIL的开口部，可通过在透明基板SUB1侧设置由前述材料层构成的凸部防止液晶层厚变大。
另外，该实施例是在形成有滤色体FIL的透明基板SUB2的面上覆盖该滤色体FIL而形成平坦化膜OC的构造。
因此，造成平坦化膜OC在表面上明显化的滤色体FIL的开口或缺口所产生的阶差，可形成为比该滤色体FIL的层厚小。因此，前述材料层的层厚可形成比该滤色体FIL的层厚小。
另外，在该实施例中，当然也可与上述其他实施例所示构造组合使用。
<实施例6>
图10为展示本发明的液晶显示装置的像素的其他实施例的剖面图，为与图9对应的图。
与图9不同的部分首先是在透明基板SUB2侧并未形成平坦化膜OC。
因此，在滤色体FIL上形成的开口(缺口)的阶差比实施例5所示的情况大。
在透明基板SUB1侧中，除了上述材料层以外，也层积形成栅极信号线GL时的材料，使该层积体的合计高度与前述开口(缺口)的阶差吻合。
由以上说明可知，根据本发明的液晶显示装置，可适当地设定色彩平衡度的调节。

Claims (3)

1.一种液晶显示装置，其特征在于：在隔着液晶(LC)相对配置的各基板中的一个基板(SUB1)的液晶侧的面上具有像素区域，该像素区域具有光反射部及光透过部，
在上述各基板中的另一个基板(SUB2)的液晶侧的面的像素区域上形成有滤色体(FIL)，在至少一种颜色的滤色体(FIL)上的与上述光反射部相对的部分上针对每一个像素区域分散地形成有多个开口(HL)；
覆盖上述滤色体形成有使由上述滤色体的开口形成的阶差平坦化的平坦化膜(OC)；
上述开口(HL)为圆形，且上述开口(HL)的直径设定为大于0μm小于等于20μm。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：各像素区域是由一对栅极信号线(GL)及一对漏极信号线(DL)包围而形成的区域，且在上述像素区域上形成有：根据来自上述栅极信号线(GL)的扫描信号而动作的薄膜晶体管(TFT)；以及通过该薄膜晶体管(TFT)被供给来自漏极信号线(DL)的图像信号的光透过部的像素电极(PX1)和光反射部的像素电极(PX2)。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：具有背光源。
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Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20050525

Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Contract record no.: 2013990000688

Denomination of invention: Liquid crystal display device

Granted publication date: 20071107

License type: Common License

Record date: 20131016

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071107

Termination date: 20190517