CH656485A5 - Halbleiterelement. - Google Patents

Halbleiterelement. Download PDF

Info

Publication number
CH656485A5
CH656485A5 CH3374/81A CH337481A CH656485A5 CH 656485 A5 CH656485 A5 CH 656485A5 CH 3374/81 A CH3374/81 A CH 3374/81A CH 337481 A CH337481 A CH 337481A CH 656485 A5 CH656485 A5 CH 656485A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
layer
cathode
emitter
gate
semiconductor element
Prior art date
Application number
CH3374/81A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Victor Albert Keith Temple
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of CH656485A5 publication Critical patent/CH656485A5/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/121—BJTs having built-in components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/131—Thyristors having built-in components
    • H10D84/133—Thyristors having built-in components the built-in components being capacitors or resistors

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
CH3374/81A 1980-05-23 1981-05-22 Halbleiterelement. CH656485A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15274280A 1980-05-23 1980-05-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH656485A5 true CH656485A5 (de) 1986-06-30

Family

ID=22544224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH3374/81A CH656485A5 (de) 1980-05-23 1981-05-22 Halbleiterelement.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5710972A (cs)
CA (1) CA1163020A (cs)
CH (1) CH656485A5 (cs)
DE (1) DE3120254A1 (cs)
SE (1) SE457837B (cs)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5810656B2 (ja) * 1977-01-25 1983-02-26 矢崎総業株式会社 太陽熱利用冷暖房給湯装置
JPS58134470A (ja) * 1982-02-05 1983-08-10 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPH0680821B2 (ja) * 1989-05-01 1994-10-12 株式会社東芝 高感度トライアック
US5592118A (en) * 1994-03-09 1997-01-07 Cooper Industries, Inc. Ignition exciter circuit with thyristors having high di/dt and high voltage blockage
US5656966A (en) * 1994-03-09 1997-08-12 Cooper Industries, Inc. Turbine engine ignition exciter circuit including low voltage lockout control
US5981982A (en) * 1994-03-09 1999-11-09 Driscoll; John Cuervo Dual gated power electronic switching devices
US5970324A (en) * 1994-03-09 1999-10-19 Driscoll; John Cuervo Methods of making dual gated power electronic switching devices
US7355300B2 (en) 2004-06-15 2008-04-08 Woodward Governor Company Solid state turbine engine ignition exciter having elevated temperature operational capability

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917863B2 (ja) * 1976-11-04 1984-04-24 三菱電機株式会社 サイリスタ
JPS5942991B2 (ja) * 1977-05-23 1984-10-18 株式会社日立製作所 サイリスタ
DE2855265A1 (de) * 1978-12-21 1980-07-10 Bbc Brown Boveri & Cie Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3120254C2 (cs) 1993-09-23
JPS5710972A (en) 1982-01-20
CA1163020A (en) 1984-02-28
SE8103222L (sv) 1981-11-24
DE3120254A1 (de) 1982-05-27
SE457837B (sv) 1989-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69127953T2 (de) Leistungs-MOSFET-Schaltung mit einer aktiven Klammerung
EP1019964B1 (de) Integrierte halbleiterschaltung mit schutzstruktur zum schutz vor elektrostatischer entladung
EP0118785B1 (de) Zweipoliger Überstromschutz
DE3856420T2 (de) Gegen elektrostatische Entladungen geschützter integrierter Schaltkreis mit variablem Schutzschwellwert
DE69534581T2 (de) Feld-Effekt-Halbleiterbauelement und sein Herstellungsverfahren
DE69331312T2 (de) Leistungshalbleiteranordnung mit Schutzmittel
DE3879850T2 (de) Eingangsschutzvorrichtung fuer eine halbleitervorrichtung.
EP0039943B1 (de) Thyristor mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb
DE2257846B2 (de) Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung
DE3011557A1 (de) Zweipoliger ueberstromschutz
DE2544438A1 (de) Integrierte ueberspannungs-schutzschaltung
DE68923789T2 (de) Optische halbleitervorrichtung mit einer nulldurchgangsfunktion.
DE2716874C2 (de) Thyristor
EP0520355B1 (de) Mittels Steuerelektrode abschaltbares Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE3615690C2 (de) Integriertes Schutzelement, insbesondere für Eingänge in MOS-Technologie von integrierten Schaltungen
DE4022022C2 (de) Vertikal-Halbleitervorrichtung mit Zenerdiode als Überspannugsschutz
EP0096651A1 (de) Zweipoliger Überstromschutz
CH656485A5 (de) Halbleiterelement.
DE2822336A1 (de) Thyristor mit verstaerkender gateanordnung
DE2722517C2 (cs)
EP0656659B1 (de) ESD-Schutzstruktur für integrierte Schaltungen
DE69318346T2 (de) Schutzdiode für ein vertikales Halbleiterbauelement
EP1135806A1 (de) Steuerbares halbleiterbauelement mit einem gatevorwiderstand
EP0413054B1 (de) Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen
DE69834451T2 (de) Schutzvorrichtung für einen integrierten MOS-Transistor gengen Spannungsgradienten

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased