CH649652A5 - Bestrahlungsvorrichtung mit doppelablenkung eines partikelstrahls. - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Bestrahlungsvorrichtung gemäss dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Systeme mit Strahlen aus geladenen Partikeln weisen typischerweise eine Quelle für geladene Partikel, eine Beschleunigerröhre, eine Separator- oder Momentenanalysator-Einheit und ein Target auf. Um eine gleichförmige Verteilung des Strahls aus geladenen Partikeln über das Target zu erreichen, oder um die Erwärmung herabzusetzen, wird das Target manchmal mit Bezug auf einen festen Strahl bewegt (vgl. beispielsweise US-PS 39 83 402; 37 78 626). Statt dessen kann der Strahl elektromagnetisch mit Bezug auf das Target abgetastet werden (P.D. Townsend u.a., «Ion Implantation, Sput-tering and Their Applications», S. 171 ff. [Academic Press 1976]). Bei der letzteren Lösungsmöglichkeit wird notwendigerweise ein variabler Auftreffwinkel für den Strahl auf das Target eingeführt. Wenn das Target ein Halbleiterblock ist, der in einer Ionenimplantationsmaschine behandelt wird, kann dieser variable Auftreffwinkel zu unterschiedlichen Eindringtiefen aufgrund von Kanaleffekten führen und zu anderen Ungleichförmigkeiten führen; dieser Effekt trifft verstärkt auf, wenn der Wafer-Durchmesser steigt. Solche unterschiedlichen Eindringtiefen sind in Halbleitergeräten unerwünscht (vgl. beispielsweise US-PS 35 69 757, Spalte 1, Zeilen 20-59).

Der variable Auftreffwinkel eines elektromagnetisch abtastenden Strahls aus geladenen Partikeln ist bisher im wesentlichen dadurch eliminiert worden, dass der Strahl in einer Richtung lateral zum Strahlweg abgelenkt wurde und dass der Strahl wieder in der entgegengesetzten Richtung zurückgelenkt wurde, um die seitliche Geschwindigkeitskomponente wegzunehmen. Die anfängliche Geschwindigkeitskomponente (Quelle-Target) wird nicht gestört, der geladene Partikel wird jedoch seitlich versetzt (G. Dearnaley u.a., «Ion Implantation». S. 404-406 [1973]; US-PS 35 69 757; 41 17 393, und M. Thomson, «Aberrations and Tolerances in a Double-Deflection Electron Beam Scanning System», J. Vacuum Science and Technology, Band 12, S. 1156 [1975]). Bei diesen Doppelablenksystemen wurde entweder ein geladenes Plattenpaar verwendet, um elektrostatische Ablenkung zu erreichen, oder ein Elektromagnet wurde verwendet, um eine magnetische Ablenkung zu erhalten. Eine vollständige Doppelablenkung erfordert also zwei Plattenpaare für die elektrostatische Ablenkung oder ein Paar von Elektromagneten zur magnetischen Ablenkung. Wenn Ablenkungen sowohl in x-als auch in y-Richtung durchzuführen sind, werden doppelt so viele Platten oder Elektromagneten benötigt. Bei diesen Doppelablenksystemen erfordert die Verwendung von getrennten Einrichtungen zur Durchführung der Ablenkung einerseits und zur Durchführung der Rückablenkung andererseits eine sorgfältige Anpassung des Aufbaus und der Anord2

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nung jeder Ablenkeinrichtung sowie der jeder Ablenkeinrichtung zugeordneten elektrischen Schaltung. Wenn eine enge Anpassung nicht erreicht wird, dann kann eine laterale Geschwindigkeitskomponente zurückbleiben und zusätzliche Ungleichförmigkeiten können gerade durch den Versuch ein- 5 geführt werden, einen gleichförmigen Auftreffwinkel zu erreichen. Im allgemeinen steigert die Verwendung von mehrfachen Komponenten die anfänglichen Einrichtungskosten und neigt dazu, den Energieverbrauch im Betrieb zu erhöhen.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine Doppelablen- 10 kung eines Strahls aus geladenen Partikeln durch eine einheitliche elektromagnetische Einrichtung zu erreichen.

Weiter soll durch die Erfindung eine Doppelablenkung eines Strahls aus geladenen Partikeln verfügbar gemacht werden, die frei von Aberrationen und Fehlern ist. 15

Die erfindungsgemässe Vorrichtung ist durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angeführten Merkmale gekennzeichnet. Um die lineare Abtastung des Strahls zu ermöglichen, ist es vorteilhaft, wenn die Tiefe der Spalte gross im Vergleich zu deren Länge ist. Mögliche Ab- 20 lenkarten sind beispielsweise Axial-Sweep-Ablenkung, gegen das Zentrum versetzte Ablenkung und gespaltene Ablenkung. Die Betriebsarten werden durch die Form des elektrischen Spannungsverlaufs bestimmt, die dazu verwendet wird, den Elektromagneten zu erregen. 25

Die erfindungsgemässe Vorrichtung ist nachstehend anhand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 eine Seitenansicht einer Vorrichtung nach der Erfindung, die den Empfang eines Strahls aus geladenen Partikeln von einer Moment-Analysator-Einheit, die Passage des 30 Strahls durch die Vorrichtung, und die Abgabe des Strahls an ein Target illustriert;

Fig. 2A einen elektrischen Sp.annungsverlauf zur Erregung der Spulen des Elektromagneten in einer Ausführungsform der Erfindung. ; 35

Fig. 2B eine Aufsicht auf den Elektromagneten nach Fig. 1 zur Veranschaulichung der durch den Spannungsverlauf nach Fig. 2A erreichten Ablenkung;

Fig. 3A einen elektrischen Spannungs verlauf zur Erregung des Elektromagneten in einer zweiten Ausführungsform 40 der Erfindung;

Fig. 3B eine Aufsicht auf den Elektromagneten nach Fig. 1 zur Veranschaulichung der Ablenkung, die durch Verwendung des Spannungsverlaufes nach Fig. 3A erhalten wird;

Fig. 4A einen weiteren elektrischen Spannungsverlauf zur 45 Erregung des Elektromagneten in einer dritten Ausführungsform der Erfindung;und

Fig. 4B eine Aufsicht auf den Elektromagneten nach Fig. 1 zur Veranschaulichung der Ablenkung, die unter Verwendung des Spannungsverlaufs nach Fig. 4A erhalten wird. 50

Wie einleitend bereits erwähnt worden ist, gibt es zwei Möglichkeiten, eine gleichförmige Konzentration an geladenen Partikeln an einem Target abzuliefern. Bei einem Ionenimplantationssystem wird mit solchen Lösungen versucht, eine gleichförmige Ionendosis an einen Halbleiterwa- 55 fer entweder dadurch abzuliefern, dass der Wafer quer zum Weg eines festen Ionenstrahls mechanisch bewegt oder abgetastet wird, oder dadurch, dass ein Ionenstrahl elektromagnetisch die Oberfläche eines Halbleiterwafers abtastet, der in einer festen Position gehalten wird. Im erten Fall stellt es ein 60 schwieriges mechanisches Problem dar, eine hin und her gehende Querabtastung zu erhalten, und es ergeben sich Beschränkungen für die Abtastraten aufgrund der Beschleunigung und Verzögerung, die am Ende jeder Abtastung erforderlich sind. Ein Abtasten der ganzen Waferfläche rein durch 65 elektromagnetische Einrichtungen ist schwierig, weil die Versetzungen der elektrostatischen Platten oder die Längen der Magnetspalte gross sein müssen, um der Abtastung Rechnung

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zu tragen. Das führt zu hohen Feldstärken, schlechtem energetischen Wirkungsgrad und Streufeldern, die ihrerseits unerwünschte Effekte verursachen. Ein Hybrid-Ablenksystem, bei dem die besten Merkmale beider Lösungen vorhanden sind, ergibt Vorteile gegenüber der Adoption jedes einzelnen Lösungsweges. Wenn in einem solchen System eine Drehabtastung für das Target vorgesehen ist, d.h. die Halterung, auf die der Halbleiterwafer montiert ist, können hohe Abtastraten in etwas erreicht werden, was grundsätzlich eine lineare Richtung ist, und zwar durch den Bogenweg des rotierenden Targets, vorausgesetzt die Höhe für die Querabtastung ist nicht gross (vgl. beispielsweise die Diskussion von Rasterspuren in US-PS 37 78 626). Die Querablenkung ist eine Sägezahn- oder oszillierende Funktion, die der später noch zu diskutierenden Modulation unterworfen wird, und kann recht gut durch magnetische Einrichtungen erreicht werden, insbesondere durch magnetische Doppelablenkung. Das ist möglich, weil die Ablenkkräfte dem sich bewegenden Ion in einer Richtung orthogonal zur Richtung des Magnetfeldes B und orthogonal zur Richtung der Ionengeschwindigkeit. Da die Ablenkung (und Rückablenkung) in der Ebene erfolgt, die die beiden Spalte halbiert, können die Spalte relativ klein sein. Elektrostatische Ablenkung erfordert auf der anderen Seite, dass grössere Spalte verwendet werden, da die Ablenkkraft in Richtung des elektrischen Feldes E aufgedrückt wird und die Ablenkung längs der Spaltlänge erfolgt. Statt der Kombination magnetische Abtastung/Rotationsabtastung kann eine erste Querablenkung durch magnetische Einrichtungen hervorgerufen werden und eine zweite, dazu senkrechte Ablenkung durch elektrostatische Einrichtungen erhalten werden. In beiden Fällen wird das Target im wesentlichen orthogonal zu dem auftreffenden Ionenstrahl montiert oder wird unter irgendeinem kleinen, festen Winkel mit Bezug darauf orientiert. Der Magnet zur Doppelablenkung ist damit leicht zum Einbau in eines dieser Hybrid-Ablenksysteme adaptierbar.

Eine Doppelablenkung ist, wie oben besprochen, eine natürliche Technik zur Erzielung einer Lateralversetzung eines Strahls mit vernünftiger Höhe. Grosse Strahlhöhen sind für magnetische Ablenkung nicht ideal geeignet, weil die Spaltlängen zu gross würden und ungewöhnlich hohe Feldstärken erfordern würden. Bei einer solchen Doppelablenkung ist ein sorgfältiger Abgleich der Magnetstärken für die Ablenkung und die Rückablenkung erforderlich, wenn die Dosisgleichförmigkeit wichtig ist. Da typischerweise die lonendosis innerhalb einer Gleichförmigkeit von 1% gehalten werden muss, ist eine Anpassung erforderlich, wenn getrennte Magnete verwendet werden. Der Elektromagnet 10 der Vorrichtung nach der Erfindung hat zwei Spalte, die so positioniert sind, dass eine Sichtlinienpassage durch die beiden Spalte für einen Ionenstrahl erhalten wird, so dass der Ionenstrahl jeden Spalt in einer gemeinsamen Ebene durchquert, die im wesentlichen senkrecht zum H -Feld im Spalt ist. Die Konfiguration, mit der dieser Zustand hergestellt wird, ist in Fig. 1 dargestellt. Da der Elektromagnet 10 eine geschlossene Schleife für die magnetischen Kraftlinien bildet, resultiert der gleiche Magnetfluss in Kräften, die die Ablenkung und die Rückablenkung hervorrufen. Die Anpassung ist inhärent, so lange wie die Polflächen und die Spaltlängen entweder gleich oder entsprechend abgeglichen sind. Der Spannungsverlauf zur Erregung des Elektromagneten 10 braucht nicht nach irgendeiner Norm abgeglichen zu werden, da der gleiche Magnetfluss das B-Feld über jedem Spalt des Magneten hervorruft. Der Spannungsverlauf bestimmt einfach die Position des Ionenstrahls auf dem Wafer und nicht den Auftreffwinkel. Dieser Magnet 10 zur Doppelablenkung vermeidet die Notwendigkeit für getrennte Magnete und für präzise elektrische Schaltung und kann einfach und kompakt konstruiert werden.

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Die Struktur des einheitlichen Magneten ist in Fig. 1 erkennbar. Ein geschlossener Elektromagnet 10 besteht aus zwei U-förmigen Kernen 11 und 12. Die Grösse und Form der Kerne 11 und 12 sind angepasst, so dass sie an ihren einander gegenüberliegenden Enden Spalte 13 und 14 bilden. Vorzugweise sind die Spaltlängen (Distanz von Pol zu Pol) gleich. In diesem Falle sind Wicklungen 15 symmetrisch angeordnet und führen den gleichen Strom. Spaltlängen liegen typischerweise in der Grössenordnung von 4 cm. Die Tiefe der Polflächen (Richtung in die Ebene der Zeichnung hinein) liegt in der Grössenordnung von 30 cm und die Breite der Polflächen (Richtung in der Zeichenebene) liegt in der Grössenordnung von 30 cm. Die Gesamtbreite der U-förmi-gen Kerne, d.h. die Distanz zwischen den Aussenseiten der beiden Polflächen, liegt in der Grössenordnung von 100 cm.

In Fig. 1 bis 4 sind die Richtung der Magnetfelder und der Kraftfelder für ein positiv geladenes Ion zu erkennen ; das Kraftfeld für ein negativ geladenes Ion würde umgekehrt sein. In Fig. 1 verläuft das Magnetfeld ff in Spalt 13 vom unteren Pol zum oberen Pol. Da der Ionenstrahl sich von links nach rechts bewegt, befindet sich das Kraftfeld F ausserhalb der Zeichnung (durch die Spitze des Pfeils angedeutet). Umgekehrt verläuft das Magnetfeld B im Spalt 14 vom oberen Pol zum unteren Pol und das Kraftfeld F zeigt in die Zeichnung hinein (gezeigt durch die Federn des Pfeils). Die vergleichbaren Magnetfeld- und Kraftfeld-Richtungen können auch in Fig. 2 bis 4 erkannt werden, für die willkürliche Zeit ti, die in Fig. 2A, 3A und 4A angegeben ist.

In der Seitenansicht in Fig. 1 ist die betriebliche Umgebung des Magneten dargestellt. Eine Ionenquelle 30, bei der es sich um eine Punktquelle in der dargestellten Weise, oder um eine Parallelquelle handeln kann, liefert einen divergierenden Ionenstrahl 33, der in einen Moment-Analysator-Magneten 30' eingeführt wird. Die geeignete Ionenart, beispielsweise As+ mit einer Energie von 80 keV wird selektiv auf der Basis von Ladung, Energie und Masse abgelenkt, so dass sie als ein konvergierender Strahl 35 aus dem Moment-Analysator-Magneten 30' austritt; Ionenarten anderer Masse, Energie und Ladung sind nicht in diesen konvergierenden Strahl abgelenkt. Der einheitliche Magnet 10 ist so positioniert, dass er den konvergierenden Strahl 35 durch einen seiner Spalte aufnimmt. Optimalerweise werden die relativen Distanzen so gewählt, dass der Strahl im Zentrum des Magneten 10 konvergiert; dadurch entsteht die Neigung, jede möglichen optischen Effekte des Magneten 10 in der Ebene zu neutralisieren, in der der Strahl abgelenkt und zurückabgelenkt wird, der y-z-Ebene der Zeichnung nach Fig. 1. Eine solche Punkt-Punkt-Fokussierung (Quelle zum Zentrum des Magneten) erlaubt es, den kompaktesten Magneten zu verwenden. Parallel-Punkt-Fokussierung würde das gleiche Resultat ergeben, vorausgesetzt der Brennpunkt wäre im Zentrum des Magneten 10.

Die minimale Höhe des Strahls, d.h. die Ablenkung über und unter der Ebene der Ablenkung und Rückablenkung hängt hauptsächlich von den optischen Eigenschaften des auftreffenden Strahls ab. Der einheitliche Magnet 10 ist vorzugsweise optisch neutral mit Bezug auf den Strahl, so dass er nur Kräfte in der y-z-Ebene aufdrückt, wenn er den Ionenstrahl ablenkt und rückablenkt. Optische Eigenschaften können eingeführt werden, wenn es beispielsweise erwünscht ist, bewusst Kanaleffekte in Halbleiterwafern hervorzurufen. Das kann dadurch erfolgen, dass die Spaltflächen variiert werden oder dass die Polflächen geformt werden. Gemäss Fig. 2-4 wird eine y-Richtung-Ablenkung mit einem afokalen einheitlichen Magneten erhalten. Wenn eine spezifische Strahlhöhe erreicht werden soll, dann können die gegenseitigen Positionen von einheitlichem Magnet und Moment-Analysator geändert werden, um den Strahl zu defokussieren und die Höhe zu vergrössern. Wenn eine rotierende Platte dazu verwendet wird, Halbleiterwafer zu montieren, dann ist die Wechselwirkung der Rotationsabtastung eines Halbleiterwafers, der auf eine rotierende Scheibe 32 montiert ist, und die Querabtastung vergleichbar mit dem Rastermuster, das in der US-PS 37 78 626 diskutiert wird.

Eine Reihe von Ausführungsformen des Magneten der Vorrichtung nach der Erfindung sind in Fig. 2-4 dargestellt. Diese Figuren sind Schnitte durch die Spalte, wie sie durch die unterbrochene Linie in Fig. 1 angedeutet sind. Die Variablen sind der Eintrittspunkt für den Ionenstrahl und der verwendete Spannungsverlauf, der zur Erregung der Elektromagnetwicklungen verwendet wird. Durch Spezifizierung dieser Variablen kann eine grosse Vielzahl von brauchbaren Ausführungsformen erhalten werden. Bei der ersten Ausführungsform gemäss Fig. 2A-2B wird der Ionenstrahl längs einer Linie in der y-z-Ebene eingeführt, die den Spalt 13 halbiert. Ein dreieckiger Spannungsverlauf gemäss Fig. 2A wird zur Erregung des Elektromagneten verwendet. Jeder Halbzyklus des dreieckigen Spannungsverlaufs sorgt für eine Ablenkung von einer Seite der zweiten Polfläche zur anderen Seite. Die Amplitude des Spannungsverlaufs ist so, dass der Strahl so gerichtet wird, dass er sich von einer Kante der zweiten Polfläche zur anderen Kante bewegt. Die effektive Tiefe der Ablenkung ist kleiner als die geometrische Tiefe der Polflächen, typischerweise liegt sie in der Grössenordnung von 2A der geometrischen Tiefe. Da das B-Feld im zweiten Spalt umgekehrt ist und die gleiche Intensität hat, wird die Lateralgeschwindigkeit in der y-z-Ebene, die durch das erste Magnetfeld eingeführt worden ist, durch das zweite Magnetfeld weggenommen. Damit wird eine Abtastbreite W erhalten.

Bei einer zweiten Ausführungsform gemäss Fig. 3A-3B wird der Ionenstrahl in der y-z-Ebene längs einer Kante der Polfläche des ersten Spaltes eingeführt. Wieder ergibt ein vollständiger Zyklus des elektrischen Spannungsverlaufs eine Ablenkung des Strahls von einer Kante der Polfläche des zweiten Spaltes zur anderen und wieder zurück. Ein Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, dass neutrale Partikel, die längs der ursprünglichen Strählachse erzeugt werden, einen Fleck auf dem Target längs der Eintrittslinie des Strahls bombardieren, der so gewählt werden kann, dass er nicht mit einer Halb-leiterwaferfläche zusammenfällt.

Bei einer dritten Ausführungsform gemäss Fig. 4A-4B wird der Spannungsverlauf so gewählt, dass er eine eingebaute Vorspannung enthält. Grundsätzlich werden Sägezahnfunktionen abwechselnd einer positiven und einer negativen Vorspannung überlagert. Das erlaubt es, zwei getrennte Bereiche abzutasten, d.h. es wird eine gespaltene Ablenkung erhalten, so dass getrennte Endstationen verwendet werden können. Eine magnetische Umschaltung ist im wesentlichen sofortwirkend oder momentan und kann eine Ablenkung von einer Endstation zu einer anderen erlauben.

Mit allen erwähnten Ausführungsformen zur magnetischen Erzeugung einer Querabtastung ist gezeigt worden,

dass die Abtastrate konstant ist, so dass der Spannungsverlauf eine Sägezahnfunktion mit perfekt linearen Segmenten hat. Wenn die Abtastgeschwindigkeit in der Richtung, die senkrecht zur Querabtastung verläuft, nicht konstante Rate hat, wie das bei einem rotierenden Target der Fall ist, wo die orthogonale Abtastrate mit dem Radius des Punktes des Strahlaufpralls variiert, dann kann die Rate variiert werden. Die Querabtastrate kann umgekehrt proportional dem Radius erhalten werden, um eine gleichförmige Ionenverteilung zu erhalten. Das wird dadurch erreicht, dass der Grund-Säge-zahn-Spannungsverlauf, der zum Erregen der Elektromagnete verwendet wird, moduliert wird. Entweder eine Speichereinrichtung, wie beispielsweise ein programmierbarer Festwertspeicher, oder eine Echtzeit-Rückkopplungseinrichtung kön5

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nen dazu verwendet werden, die Lage des Strahls zu jedem Zeitpunkt festzulegen, um eine entsprechende Modulation der Grund-Sägezahnfunktion durch die Generatoreinrichtung für den Spannungsverlauf zu ermöglichen. Statt dessen kann die Strahlintensität durch die Quelle für den Strahl aus gela- 5 denen Partikeln entsprechend dem Eingang von der Speicher649 652

einrichtung oder der Rückkopplungseinrichtung variiert werden, um Variationen in der Abtastgeschwindigkeit zu kompensieren, so dass eine gleichförmige Ionendosis pro Flächeneinheit geliefert wird (vgl. Diskussion in US-PS 3 778 626).

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1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

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   PATENTANSPRÜCHE

   1. Bestrahlungsvorrichtung mit Doppelablenkung eines Strahls aus geladenen Partikeln, mit einer Quelle (30) zum Erzeugen des genannten Strahls (35) und einer Targeteinrichtung, gekennzeichnet durch einen Elektromagneten (10), der zwei Spalte (13,14) enthält, wobei die Spalte in dem Elektromagneten so konfiguriert sind, dass sie eine gemeinsame Ebene definieren, damit der genannte Strahl in der Ebene die Spalte durchqueren kann, und dass das Magnetfeld durch die Ebene in einem Spalt entgegengesetzte Polarität zum Magnetfeld durch die Ebene in dem anderen Spalt hat, und durch eine Einrichtung zum Erzeugung einer Spannung zum Erregen der Wicklungen (15,16) des Elektromagneten.
2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mit den Polen jedes der Spalte assoziierten Wicklungen (15,16) symmetrisch angeordnet sind und gleiche Stromführungskapazität haben, so dass der Elektromagnet (10) optisch mit Bezug auf den genannten Strahl (35), der die Spalte in der Ebene durchquert, neutral ist.
3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlquelle derart in der Nachbarschaft des einen Spaltes (13) angeordnet ist, dass der Strahl in der Ebene zentral zu diesem einen Spalt eingeführt wird, und dass die Erre-ger-Einrichtung so ausgebildet ist, dass eine Ablenkung des Strahls in der Ebene zwischen den Kanten der Polflächen hervorgerufen wird, die den anderen Spalt begrenzen (Fig. 2B).
4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahl-Quelle derart in der Nähe des einen Spaltes (13) angeordnet ist, dass der Strahl in die Ebene längs einer Kante der Polflächen eingeführt wird, die mit dem einen Spalt assoziiert sind, und dass die Erreger-Einrichtung so ausgebildet ist, dass sie eine Ablenkung des Strahls in der Ebene zwischen den Enden der Polflächen hervorruft, die den anderen Spalt begrenzen (Fig. 3B).
5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlquelle angrenzend an den einen Spalt (13) derart angeordnet ist, dass der Strahl in einer Ebene zentral zu dem einen Spalt eingeführt wird und dass die Erreger-Ein-richtung eine gespaltene Ablenkung des Strahls zwischen den Extremen der Polflächen hervorruft, die den anderen Spalt begrenzen (Fig. 4B).
6. 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch eine Rotationstargeteinrichtung (32), die dem anderen Spalt (14) benachbart angeordnet ist.
7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Rotationstargeteinrichtung (32) im wesentlichen orthogonal zu der genannten Ebene angeordnet ist.
8. 8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlquelle angrenzend an den einen Spalt angeordnet ist, um den Strahl längs einer speziellen Laufbahn in der Ebene einzuführen, und dass die Erreger-Einrichtung eine Ablenkung des Strahls in der Ebene zwischen den Extremen der Polflächen hervorruft, die den anderen Spalt begrenzen, wobei der Strahl auf das Target mit einer Quergeschwindigkeit auftritt, die umgekehrt zur Distanz des Strahls vom Rotationszentrum der Rotationstargeteinrichtung variiert, um eine gleichförmige Ionendosis an Wafer zu liefern, die auf der Rotationstargeteinrichtung montiert sind.
9. 9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlquelle in der Nachbarschaft des einen Spaltes so angeordnet ist, dass der Strahl längs einer speziellen Laufbahn in der Ebene eingeführt wird und eine variable Intensität hat, dass die Erreger-Einrichtung zur Erzeugung einer Ablenkung des Strahls in der genannten Ebene ausgebildet ist und dass Strahlpositioniereinrichtungen zur Bestimmung der Position des Strahls mit Bezug auf das Rotationszentrum der rotierenden Rotationstargeteinrichtung (32) vorhanden sind,

   die diese Positionsinformation an die Strahlquelle liefern, so dass die Intensität des Strahls proportional zur Distanz des Strahls vom Rotationszentrum variiert wird, um eine gleichförmige Ionendosis an ein auf der Rotationstargeteinrichtung montiertes Wafer zu liefern.
10. 10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch zwei elektrostatische Ablenkplattenpaare, die angrenzend an den anderen Spalt (14) positioniert sind, und von denen jedes parallel zu der Ebene und diese übergreifend angeordnet ist, wobei das erste Paar ein elektrostatisches Feld in einer Richtung erzeugt, um eine Ablenkge-schwindigkeitskomponente senkrecht zu der Ebene einzuführen, und das zweite Paar ein elektrostatisches Feld in der entgegengesetzten Richtung erzeugt, um die Ablenkgeschwindig-keitskomponente wegzunehmen.