CH518006A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit nebeneinanderliegenden Bereichen unterschiedlicher Dicke, nach dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben zur Umwandlung mechanischer Kräfte in Elektrische Signale - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit nebeneinanderliegenden Bereichen unterschiedlicher Dicke, nach dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben zur Umwandlung mechanischer Kräfte in Elektrische Signale

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CH518006A
CH518006A CH1758969A CH1758969A CH518006A CH 518006 A CH518006 A CH 518006A CH 1758969 A CH1758969 A CH 1758969A CH 1758969 A CH1758969 A CH 1758969A CH 518006 A CH518006 A CH 518006A
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CH1758969A 1968-11-29 1969-11-26 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit nebeneinanderliegenden Bereichen unterschiedlicher Dicke, nach dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben zur Umwandlung mechanischer Kräfte in Elektrische Signale CH518006A (de)

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