CN113555346B - 电路基板以及电路基板的应变量的测量方法 - Google Patents

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Abstract

一种电路基板，包括多个块状结构以及多个桥接结构。多个块状结构沿着第一方向以及第二方向阵列。第一方向垂直于第二方向。各块状结构包括第一软性基底以及位于第一软性基底上的主动元件。各桥接结构连接对应的两个块状结构。各桥接结构包括第二软性基底以及位于第二软性基底上的信号线。第二软性基底以及信号线位于对应的两个块状结构之间。信号线电性连接至对应的主动元件。至少部分桥接结构各自还包括第一应变量测量走线。第一应变量测量走线位于第二软性基底上，且位于对应的两个块状结构之间。本发明还涉及电路基板的应变量的测量方法。

Description

电路基板以及电路基板的应变量的测量方法
技术领域
本发明是有关于一种电路基板以及电路基板的应变量的测量方法，且特别是有关于一种具有应变量测量走线的电路基板以及电路基板的应变量的测量方法。
背景技术
随着显示技术的高度发展，显示装置的技术不断推陈出新。为使显示装置能结合于不平整面(例如球形表面或凹凸起伏的表面)，可拉伸的特性逐渐受到重视。也就是说，为了提升产品外观的多样性，需要将显示装置贴合于非平整的表面。为了使显示装置能因应不同的表面形状而变形，显示装置需要具有可拉伸性。
然而，显示装置在被拉伸的状态下，可能会因为承受应力造成结构上的断裂，甚至进一步造成内部线路的断路。因此，如何使可拉伸的显示装置具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实为目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种电路基板，能检测电路基板中不同位置的应变量。
本发明提供一种电路基板的应变量的测量方法，能检测电路基板中不同位置的应变量。
本发明的至少一实施例提供一种电路基板。电路基板包括多个块状结构以及多个桥接结构。多个块状结构沿着第一方向以及第二方向阵列。第一方向垂直于第二方向。各块状结构包括第一软性基底以及位于第一软性基底上的主动元件。各桥接结构连接对应的两个块状结构。各桥接结构包括第二软性基底以及位于第二软性基底上的信号线。第二软性基底以及信号线位于对应的两个块状结构之间。信号线电性连接至对应的主动元件。至少部分桥接结构各自还包括第一应变量测量走线。第一应变量测量走线位于第二软性基底上，且位于对应的两个块状结构之间，其中所述桥接结构的所述第一应变量测量走线包括两种以上的结构。
本发明的至少一实施例提供一种电路基板的应变量的测量方法，包括：提供电路基板；弯曲电路基板；以及检测第一应变量测量走线的状况。电路基板包括多个块状结构以及多个桥接结构。多个块状结构沿着第一方向以及第二方向阵列，其中第一方向垂直于该第二方向。各块状结构包括第一软性基底以及位于第一软性基底上的主动元件。各桥接结构连接对应的两个块状结构。各桥接结构包括位于对应的两个块状结构之间的第二软性基底以及信号线。信号线位于第二软性基底上。信号线电性连接至对应的主动元件。至少部分桥接结构各自还包括位于第二软性基底上的第一应变量测量走线。第一应变量测量走线位于对应的两个块状结构之间。
附图说明
图1A至图1E是依照本发明的一实施例的一种电路基板的应变量的测量方法的示意图。
图2A是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸前的局部上视示意图。
图2B是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。
图2C是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种电路基板的不同位置的第一应变量测量走线的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。
图6A是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸前的局部上视示意图。
图6B是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。
图6C是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。
图8是以电脑模拟程序模拟虚拟基板在弯曲后的应变量模拟图。
其中，附图标记说明如下：
10、10a、10b、10c、10d、10e：电路基板
100：块状结构
110：第一软性基底
120、220、320：缓冲层
122、322：第一绝缘层
124、324：第二绝缘层
126、326：第三绝缘层
128、328：第四绝缘层
130、330：闸绝缘层
140、340：层间介电层
142、342：第一层间介电层
144、344：第二层间介电层
150、350：保护层
160、260、360：平坦层
200：桥接结构
210：第二软性基底
310：第三软性基底
AL：粘着层
CH：通道层
CL、L1、L2、L3、L4：信号线
CSB：多曲面基板
D：漏极
DL：数据线
DR1：第一方向
DR2：第二方向
E1：第一电极
G：栅极
LD：显示元件
ML1、ML1a、ML1b、ML1c、ML1d：第一应变量测量走线
ML2：第二应变量测量走线
ML3：第三应变量测量走线
ML4：第四应变量测量走线
O、O1、O2、O3：凹槽
P1、P2：接垫
S：源极
SE：电极
SP1、SP2、SP3：子画素
SL：扫描线
T：主动元件
W1、W2：宽度
X、X1、X2：长度
具体实施方式
图1A至图1E是依照本发明的一实施例的一种电路基板的应变量的测量方法的示意图。
图1A是以电脑模拟程序模拟虚拟基板在弯曲后的应变量模拟图。请参考图1A，以电脑模拟程序模拟虚拟基板在弯曲后在不同区域的应变量。举例来说，将一平整的软性基板设置于如图1A所示的非平面硬质基板(例如玻璃基板、陶瓷基板或金属基板)上之后，前述软性基板在不同区域产生不一样的应变量(拉伸量或收缩量)。
在图1A的实施例中，软性基板(例如电路基板)在弯曲后中央区域的应变量较大，而四个角落的应变量相对较小。由此可知，在将软性基板贴合至图1A实施例中的非平面硬质基板之后，软性基板在中央区域的拉伸量较在四个角落的拉伸量大。换句话说，软性基板在不同位置处产生不一样的应变量。
在本实施例中，非平面硬质基板为双曲面硬质基板，但本发明不以为限。在其他实施例中，非平面硬质基板为单曲面硬质基板、三曲面硬质基板或其他多曲面硬质基板。
图1B是本发明一实施例的一种电路基板的上视示意图。图1C是本发明一实施例的一种电路基板的剖面示意图，其中图1C对应了图1B的线a-a’、线b-b’以及图1B未绘示的芯片接合区。图1D是本发明一实施例的一种电路基板的剖面示意图，其中图1D对应了图1B的线c-c’、线d-d’、线e-e’以及线f-f’。
图1B绘出了块状结构100的第一软性基底110与子画素(像素)SP1、SP2、SP3以及桥接结构200的第二软性基底210、信号线CL以及第一应变量测量走线230，并省略绘示其他构件。
请参考图1B，电路基板10包括多个块状结构100以及多个桥接结构200。在本实施例中，电路基板10为具有多个通孔的网状结构，因此，电路基板10可以在外力的影响下伸缩。
多个块状结构100沿着第一方向DR1以及第二方向DR2阵列。第一方向DR1垂直于第二方向DR2。在本实施例中，电路基板10适用于显示装置，且各块状结构100包括由子画素SP1、SP2、SP3构成的画素，但本发明不以此为限。在其他实施例中，块状结构100适用于其他电子装置。
请参考图1B与图1C，块状结构100包括第一软性基底110以及位于第一软性基底110上的主动元件T。在本实施例中，块状结构100还包括显示元件LD，子画素SP1、SP2、SP3中的每一个包括一个主动元件T以及一个显示元件LD。
第一软性基底110位于电路基板10的显示区DA中，且材料包括聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)、其它合适的材料或前述至少二种材料的组合，但本发明不以此为限。
缓冲层120位于第一软性基底110上。缓冲层120为单层或多层结构。在本实施例中，缓冲层120包括第一绝缘层122、第二绝缘层124、第三绝缘层126以及第四绝缘层128，且第一绝缘层122、第二绝缘层124、第三绝缘层126以及第四绝缘层128依序堆叠于第一软性基底110上。在一些实施例中，第一绝缘层122与第三绝缘层126的材质包括氮化硅，且第二绝缘层124以及第四绝缘层128的材质包括氧化硅，但本发明不以此为限。在其他实施例中，缓冲层120包括氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘层或其他绝缘材料或前述绝缘材料的组合。
主动元件T位于缓冲层120上。主动元件T包括通道层CH、栅极G、源极S与漏极D。栅极G电性连接至信号线CL(例如扫描线SL)。栅极G重叠于通道层CH，且栅极G与通道层CH之间夹有闸绝缘层130。层间介电层140覆盖栅极G。源极S与漏极D位于层间介电层140上，且分别通过贯穿层间介电层140以及闸绝缘层130的开口而电性连接至通道层CH。层间介电层140为单层或多层结构。在本实施例中，层间介电层140包括第一层间介电层142以及第二层间介电层144，第一层间介电层142以及第二层间介电层144依序堆叠于栅极G上。在一些实施例中，第一层间介电层142的材质包括氮化硅，且第二层间介电层144的材质包括氧化硅，但本发明不以此为限。在其他实施例中，层间介电层140包括氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘层或其他绝缘材料或前述绝缘材料的组合。
在本实施例中，块状结构100选择性地包括电极SE，电极SE重叠于栅极G，并可作为电容的电极，但本发明不以此为限。在一些实施例中，电极SE设置于第一层间介电层142中，第一层间介电层142例如为多层结构。
在本实施例中，主动元件T是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件T也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。
信号线L1、L2、L3位于层间介电层140上。信号线L1与信号线L2分别电性连接栅极G以及电极SE。在本实施例中，信号线L1、L2、L3、源极S与漏极D属于相同导电层，且是于同一道图案化制程所形成。信号线L3可作为数据线、电源线或阵列上栅极区动电路(Gate onArray)的走线。
保护层150位于信号线L1、L2、L3、源极S与漏极D上。平坦层160位于保护层150上。第一电极E1位于平坦层160上，且通过贯穿平坦层160以及保护层150的开口而电性连接至主动元件T的漏极D。显示元件LD位于第一电极E1上。显示元件LD例如为有机发光二极管或无机发光二极管。平坦层160的材质例如包括有机绝缘材料或其他合适的材料。
请继续参考图1B与图1C，各桥接结构200连接对应的两个块状结构100。桥接结构200的宽度W2小于块状结构100的宽度W1。各桥接结构200包括第二软性基底210以及位于第二软性基底210上的信号线CL。第二软性基底210以及信号线CL位于对应的两个块状结构100之间。
第二软性基底210位于电路基板10的显示区DA中。第二软性基底210与第一软性基底110包括相同或不同的材料。在本实施例中，第二软性基底210连接第一软性基底110，且第二软性基底210与第一软性基底110包括相同的材料。
缓冲层220位于第二软性基底210上。缓冲层220例如与缓冲层120的第一绝缘层122相连。在本实施例中，缓冲层220为单层结构，但本发明不以此为限。在其他实施例中，缓冲层220为多层结构。在本实施例中，缓冲层220的厚度小于缓冲层120的厚度，因此有助于使桥接结构200易于拉伸。
信号线CL位于缓冲层220上。在本实施例中，每个桥接结构200中的信号线CL的数量可以依照需求而进行调整。在本实施例中，每个桥接结构200中的信号线CL可以为沿着第一方向DR1延伸的扫描线SL或沿着第二方向DR2延伸的数据线DL。在本实施例中，部分桥接结构200的信号线CL为扫描线SL，且另一部分桥接结构200的信号线CL为数据线DL。在本实施例中，信号线CL延伸至装置部100，并电性连接对应的主动元件T。在本实施例中，数据线DL电性连接至对应的主动元件T的源极S，且扫描线SL通过信号线L1而电性连接至对应的主动元件T的栅极G。
在本实施例中，信号线CL的形状为波浪形、锯齿形、弹簧形或其他类似的形状，借此降低信号线CL在拉伸后断裂的机率。
至少部分桥接结构200各自还包括第一应变量测量走线ML1。在本实施例中，每个桥接结构200都包括第一应变量测量走线ML1。在其他实施例中，只有部分的桥接结构200包括第一应变量测量走线ML1。
第一应变量测量走线ML1位于第二软性基底210上，且位于对应的两个块状结构100之间。在本实施例中，第一应变量测量走线ML1位于缓冲层220上。
在本实施例中，第一应变量测量走线ML1的结构是基于图1A所示的电脑模拟程序所获得的模拟结果所决定。举例来说，由电脑模拟程序可知电路基板10在弯曲后会于不同的区域产生不一样的应变量(应变)。因此，基于模拟结果，设置不同结构的第一应变量测量走线ML1，使桥接结构200的第一应变量测量走线ML1包括两种以上的结构。
请参考图1B与图1D，部分第一应变量测量走线ML1分别具有不同尺寸的凹槽O1、O2、O3。另一部分第一应变量测量走线ML1不具有凹槽。在本实施例中，凹槽O3的宽度大于凹槽O2的宽度，且凹槽O2的宽度大于凹槽O1的宽度。在本实施例中，不具有凹槽的第一应变量测量走线ML1较不容易因为应变(拉伸)而断裂，而凹槽宽度越大的第一应变量测量走线ML1越容易因为应变(拉伸)而断裂。
在本实施例中，由图1A的模拟结果可知，电路基板10在弯曲后，中央区域会产生较大的应变量(拉伸量)，因此，于电路基板10的中央区域设置不具有凹槽或凹槽宽度相对较小的第一应变量测量走线ML1。电路基板10在弯曲后，四个角落会产生较小的应变量(拉伸量)，因此，于电路基板10的四个角落设置凹槽宽度相对较大的第一应变量测量走线ML1。
在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1可承受的应变量大于模拟结果获得的应变量。举例来说，假设在其中一个区域中，模拟结果显示该区域的拉伸量为9％，则对应该区域的第一应变量测量走线ML1设计为可以承受10％拉伸量的结构，例如调整凹槽的宽度，使第一应变量测量走线ML1在拉伸量为10％时断裂。
在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1可以承受的拉伸量大于模拟结果获得的拉伸量0.1％至5％。
在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1与信号线CL属于相同的导电层，且是于同一道图案化制程所形成。在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1、信号线CL、信号线L1、L2、L3、源极S与漏极D属于相同的导电层。在其他实施例中，第一应变量测量走线ML1与信号线CL属于不同的导电层。
在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1的材料包括金属(例如钛、铝、钼或前述金属的堆叠层)、纳米银线或其他合适的材料。在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1可以作为备用的导线。举例来说，第一应变量测量走线ML1可以为修复制程中使用的修复信号线。在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1为浮置(floating)的结构或电性连接至其他元件的结构。
在本实施例中，各桥接结构200还包括平坦层260。平坦层260位于信号线CL上。平坦层260例如与平坦层160为相同材料，且彼此直接相连。
电路基板10的芯片接合区BA(图1B未绘示)包括第三软性基底310、位于第三软性基底上的缓冲层320、闸绝缘层330、接垫P1、层间介电层340、接垫P2、信号线L4、保护层350以及平坦层360。
第三软性基底310例如与第一软性基底110以及第二软性基底210包括相同材料。第三软性基底310例如连接第一软性基底110及/或第二软性基底210。
缓冲层320位于第三软性基底310，缓冲层320例如与缓冲层120或缓冲层220相连。在本实施例中，缓冲层320为多层结构，且包括第一绝缘层322、第二绝缘层324、第三绝缘层326以及第四绝缘层328，且第一绝缘层322、第二绝缘层324、第三绝缘层326以及第四绝缘层328依序堆叠于第三软性基底310上。在一些实施例中，第一绝缘层322与第三绝缘层326的材质包括氮化硅，且第二绝缘层324以及第四绝缘层328的材质包括氧化硅，但本发明不以此为限。在其他实施例中，缓冲层320包括氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘层或其他绝缘材料或前述绝缘材料的组合。
闸绝缘层330位于缓冲层320上。接垫P1位于闸绝缘层330上。接垫P1与栅极G例如属于相同导电层，且是于同一道图案化制程所形成。
层间介电层340位于闸绝缘层330上。层间介电层340为单层或多层结构。在本实施例中，层间介电层340包括第一层间介电层342以及第二层间介电层344，第一层间介电层342以及第二层间介电层344依序堆叠于接垫P1上。在一些实施例中，第一层间介电层342的材质包括氮化硅，且第二层间介电层344的材质包括氧化硅，但本发明不以此为限。在其他实施例中，层间介电层340包括氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘层或其他绝缘材料或前述绝缘材料的组合。
接垫P2以及信号线L4位于层间介电层340上。接垫P2以及信号线L4通过层间介电层340的开口而电性连接至接垫P1。接垫P2适用于连接外接电路，例如芯片、电路板或其他外接装置。信号线L4电性连接至信号线CL以将施加于接垫P2上的信号传递至信号线CL。
保护层350位于接垫P2以及信号线L4上。平坦层360位于保护层350上。
请参考图1E，弯曲电路基板10以获得弯曲的电路基板10a。在本实施例中，弯曲电路基板10的方法包括将块状结构100、桥状结构200以及电路基板10的芯片接合区BA粘贴于多曲面基板CSB。举例来说，通过粘着层AL将电路基板10粘贴于多曲面基板CSB。需注意的是，图1E未呈现电路基板10a的弯曲状态，电路基板10a的巨观弯曲状态可以参考图1A的模拟图。
多曲面基板CSB例如与图1A所模拟的非平面硬质基板具有相同的表面结构，因此，电路基板10a中不同区域的应变量应类似于图1A的模拟结果。在一些实施例中，部分桥状结构200具有不同的应变量。
通过显微镜检测第一应变量测量走线ML1的状况。在本实施例中，通过观测电路基板10a中不同区域的第一应变量测量走线ML1是否断裂可以得知电路基板10a中不同区域的应变量(拉伸量)。举例来说，当可以承受10％拉伸量的第一应变量测量走线ML1断裂时，即可得知前述断裂的第一应变量测量走线ML1所在的位置的拉伸量大于10％。
基于上述，通过第一应变量测量走线ML1的设置，能检测电路基板10a中不同位置的应变量，借此判断电路基板10a在不同位置的应变量是否超出预期的应变量。
图2A是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸前的局部上视示意图。图2B是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。图2C是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。在此必须说明的是，图2A至图2C的实施例沿用图1A至图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图2A与图2B，第一应变量测量走线ML1在拉伸前的长度为X，在拉伸后的长度为X1。第一应变量测量走线ML1设计为可以承受10％拉伸量的结构，即拉伸后的第一应变量测量走线ML1的拉伸量X1若小于1.1X，则第一应变量测量走线ML1不会断裂。因此，若以显微镜检测第一应变量测量走线ML1时发现第一应变量测量走线ML1没有断裂，则可以判断第一应变量测量走线ML1的拉伸量小于1.1X。
请参考图2A与图2C，第一应变量测量走线ML1在拉伸前的长度为X，在拉伸后的长度为X2。第一应变量测量走线ML1设计为可以承受10％拉伸量的结构，即拉伸后的第一应变量测量走线ML1的拉伸量X2若大于1.1X，则第一应变量测量走线ML1会断裂。因此，若以显微镜检测第一应变量测量走线ML1时发现第一应变量测量走线ML1断裂，则可以判断所检测的位置处的第一应变量测量走线ML1的拉伸量大于1.1X。
图3是依照本发明的一实施例的一种电路基板的不同位置的第一应变量测量走线的剖面示意图。举例来说，对应图1A的线c-c’、线d-d’、线e-e’以及线f-f’的位置。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A至图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的电路基板10b与图1A至图1D的电路基板10的差异在于：图3的电路基板10b的部分第一应变量测量走线ML1分别具有不同数量的凹槽O。
在本实施例中，通过调整凹槽O的数量来改变第一应变量测量走线ML1所能承受的应变量。举例来说，若凹槽O的数量越多且越密集，则第一应变量测量走线ML1越容易因为应变而断裂。
基于上述，通过第一应变量测量走线ML1的设置，能检测电路基板10b中不同位置的应变量，借此判断电路基板10b在不同位置的应变量是否超出预期的应变量。
图4是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1A至图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的电路基板10c与图1A至图1D的电路基板10的差异在于：电路基板10c的至少部分桥接结构200包括多条应变量测量走线。
请参考图4，在本实施例中，部分桥接结构200(例如位于四个角落的桥接结构200以及位于中央的桥接结构200)包括第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4。第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4皆位于第二软性基底210上。
在本实施例中，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2以及第三应变量测量走线ML3分别包括凹槽O1、凹槽O2以及凹槽O3。凹槽O1、凹槽O2以及凹槽O3具有不同的尺寸。第四应变量测量走线ML4不具有凹槽。
在本实施例中，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2以及第三应变量测量走线ML3具有不同尺寸的凹槽，且第四应变量测量走线ML4不具有凹槽，因此，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4在断裂前可以承受的应变量(拉伸量)不同。
在电路基板10c被弯曲以后，以显微镜检测第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4的断裂状况来判断电路基板10c在不同位置处的应变量。举例来说，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4能承受的伸缩量分别为6％、8％、10％以及12％，若第一应变量测量走线ML1以及第二应变量测量走线ML2断裂，而第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4没有断裂，则可以判断显微镜所检测的区域的拉伸量介于8％至10％之间。
图5是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1A至图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图5，电路基板10d的至少部分桥接结构200各自包括第一应变量测量走线ML1。在本实施例中，每个桥接结构200都包括第一应变量测量走线ML1。在其他实施例中，只有部分的桥接结构200包括第一应变量测量走线ML1。
第一应变量测量走线ML1位于第二软性基底210上，且位于对应的两个块状结构100之间。在本实施例中，第一应变量测量走线ML1位于缓冲层220上。
在本实施例中，第一应变量测量走线ML1的结构是基于图1A所示的电脑模拟程序所获得的模拟结果所决定。举例来说，由电脑模拟程序可知电路基板10d在弯曲后会于不同的区域产生不一样的应变量(应变)。因此，基于模拟结果，设置不同结构的第一应变量测量走线ML1，使桥接结构200的第一应变量测量走线ML1包括两种以上的结构。
在本实施例中，部分第一应变量测量走线ML1分别具有不同的长度，不同长度的第一应变量测量走线ML1在承受不同的拉伸量时会呈现不一样的状态。举例来说，第一应变量测量走线ML1包括长度由短至长的第一应变量测量走线ML1a、第一应变量测量走线ML1b、第一应变量测量走线ML1c、第一应变量测量走线ML1d。在相同的拉伸量时，长度较短的第一应变量测量走线ML1a会被拉直，而长度较长的第一应变量测量走线ML1d不会被拉直。前述的长度指的是第一应变量测量走线ML1a～ML1d的实体部位中由其中一端至另一端的路径长。
在本实施例中，由图1A的模拟结果可知，电路基板10d在弯曲后，中央区域会产生较大的应变量(拉伸量)，因此，于电路基板10d的中央区域设置长度相对较长的第一应变量测量走线ML1d。电路基板10d在弯曲后，四个角落会产生较小的应变量(拉伸量)，因此，于电路基板10d的四个角落设置长度相对较小的第一应变量测量走线ML1a。
在一些实施例中，拉直第一应变量测量走线ML1所需的应变量约等于模拟结果获得的应变量。举例来说，假设在其中一个区域中，模拟结果显示该区域的拉伸量为10％，则对应该区域的第一应变量测量走线ML1设计为在承受10％拉伸量时会被拉直，例如调整第一应变量测量走线ML1的长度，使第一应变量测量走线ML1在拉伸量为10％时被拉直。
在一些实施例中，第一应变量测量走线ML1包括弹性材料，例如纳米银线、聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、聚氨酯(Polyurethane，PU)或其他有弹性的材料。
图6A是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸前的局部上视示意图。图6B是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。图6C是依照本发明的一实施例的一种电路基板在拉伸后的局部上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1A至图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图6A与图6B，第一应变量测量走线ML1在拉伸前的长度(此处指的是两端的直线距离)为X，在拉伸后的长度(此处指的是两端的直线距离)为X1。第一应变量测量走线ML1设计为在拉伸10％时被拉直，即拉伸后的第一应变量测量走线ML1的拉伸量X1若大于或等于1.1X，则第一应变量测量走线ML1被拉直。因此，若以显微镜检测第一应变量测量走线ML1时发现第一应变量测量走线ML1被拉直，则可以判断第一应变量测量走线ML1的拉伸量大于或等于1.1X。
请参考图6A与图6C，第一应变量测量走线ML1在拉伸前的长度(此处指的是两端的直线距离)为X，在拉伸后的长度(此处指的是两端的直线距离)为X2。第一应变量测量走线ML1设计为在拉伸10％时被拉直，即拉伸后的第一应变量测量走线ML1的拉伸量X2若小于1.1X，则第一应变量测量走线ML1不会被拉直。因此，若以显微镜检测第一应变量测量走线ML1时发现第一应变量测量走线ML1没有被拉直，则可以判断第一应变量测量走线ML1的拉伸量小于1.1X。
图7是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的电路基板10e与图5的电路基板10d的差异在于：电路基板10e的至少部分桥接结构200包括多条应变量测量走线。
请参考图7，在本实施例中，部分桥接结构200(例如位于四个角落的桥接结构200以及位于中央的桥接结构200)包括第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4。第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4皆位于第二软性基底210上。
在本实施例中，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4分别具有不同的长度，因此，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4被拉直所需的最小拉伸量彼此不同。
在电路基板10e被弯曲以后，以显微镜检测第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4的拉伸状况来判断电路基板10d在不同位置处的应变量。举例来说，第一应变量测量走线ML1、第二应变量测量走线ML2、第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4被拉直所需的最小拉伸量分别为6％、8％、10％以及12％，若第一应变量测量走线ML1以及第二应变量测量走线ML2被拉直，而第三应变量测量走线ML3以及第四应变量测量走线ML4没有被拉直，则可以判断显微镜所检测的区域的拉伸量介于8％至10％之间。
图8是以电脑模拟程序模拟虚拟基板在弯曲后的应变量模拟图。请参考图8，以电脑模拟程序模拟虚拟基板在弯曲后在不同区域的应变量。举例来说，将一平整的软性基板设置于如图8所示的非平面硬质基板(例如玻璃基板、陶瓷基板或金属基板)上之后，前述软性基板在不同区域产生不一样的应变量(拉伸量或收缩量)。
在图8的实施例中，软性基板(例如电路基板)在弯曲后中央区域以及左右两侧的应变量较大，而四个角落以及前后两侧的应变量相对较小。
在一些实施例中，基于图8的模拟结果设置第一应变量测量走线。换句话说，若要将电路基板弯曲成如图8所示的多曲面时，可以依据图8的模拟结果决定不同位置的第一应变量测量走线的结构。
综上所述，通过第一应变量测量走线的设置，能检测电路基板中不同位置的应变量，借此判断电路基板在不同位置的应变量是否超出预期的应变量。

Claims (14)

1.一种电路基板，包括：
多个块状结构，沿着一第一方向以及一第二方向阵列，其中该第一方向垂直于该第二方向，各该块状结构包括：
一第一软性基底；以及
一主动元件，位于该第一软性基底上；以及
多个桥接结构，各该桥接结构连接对应的两个块状结构，各该桥接结构包括：
一第二软性基底，且位于该对应的两个块状结构之间；
一信号线，位于该第二软性基底上，且位于该对应的两个块状结构之间，且该信号线电性连接至对应的该主动元件，其中该些桥接结构中的一第一桥接结构与一第二桥接结构各自还包括：
一第一应变量测量走线，位于该第二软性基底上，且位于该对应的两个块状结构之间，其中：
该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同尺寸的凹槽或不同数量的凹槽；或
该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同的长度。
2.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同尺寸的凹槽。
3.如权利要求2所述的电路基板，其中该些桥接结构中的该第一桥接结构、该第二桥接结构以及一第三桥接结构各自包括该第一应变量测量走线，且该第三桥接结构的该第一应变量测量走线不具有凹槽。
4.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同数量的凹槽。
5.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同的长度。
6.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线的材料包括金属或纳米银线。
7.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构与该第二桥接结构各自还包括：
一第二应变量测量走线，位于该第二软性基底上，其中该第一桥接结构与该第二桥接结构各自的该第一应变量测量走线与该第二应变量测量走线有不同尺寸的凹槽。
8.如权利要求1所述的电路基板，其中该第一桥接结构与该第二桥接结构各自还包括：
一第二应变量测量走线，位于该第二软性基底上，其中该第一桥接结构与该第二桥接结构各自的该第一应变量测量走线与该第二应变量测量走线有不同的长度。
9.如权利要求1所述的电路基板，还包括：
一多曲面基板，该些块状结构以及该些桥接结构粘贴于该多曲面基板上，其中部分该些桥接结构具有不同的应变量。
10.一种电路基板的应变量的测量方法，包括：
提供一电路基板，该电路基板包括：
多个块状结构，沿着一第一方向以及一第二方向阵列，其中该第一方向垂直于该第二方向，各该块状结构包括：
一第一软性基底；以及
一主动元件，位于该软性基底上；以及
多个桥接结构，各该桥接结构连接对应的两个块状结构，各该桥接结构包括：
一第二软性基底，且位于该对应的两个块状结构之间；
一信号线，位于该第二软性基底上，且位于该对应的两个块状结构之间，且该信号线电性连接至对应的该主动元件，其中该些桥接结构中的一第一桥接结构与一第二桥接结构各自还包括：
一第一应变量测量走线，位于该第二软性基底上，且位于该对应的两个块状结构之间，其中：
该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同尺寸的凹槽或不同数量的凹槽；或
该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同长度；
弯曲该电路基板；以及
检测该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线的状况。
11.如权利要求10所述的测量方法，还包括：
以电脑模拟程序模拟一虚拟基板在弯曲后在不同区域的应变量，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线的结构是基于该电脑模拟程序所获得的模拟结果所决定。
12.如权利要求10所述的测量方法，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同尺寸的凹槽。
13.如权利要求10所述的测量方法，其中该第一桥接结构的该第一应变量测量走线与该第二桥接结构的该第一应变量测量走线分别具有不同的长度。
14.如权利要求10所述的测量方法，其中弯曲该电路基板的方法包括将该些块状结构以及该些桥接结构粘贴于一多曲面基板上。
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