CH512261A - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung homogen dotierter und planparalleler epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen auf einem Substrat mittels Schmelzepitaxie - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung homogen dotierter und planparalleler epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen auf einem Substrat mittels Schmelzepitaxie

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CH512261A
CH512261A CH1063270A CH1063270A CH512261A CH 512261 A CH512261 A CH 512261A CH 1063270 A CH1063270 A CH 1063270A CH 1063270 A CH1063270 A CH 1063270A CH 512261 A CH512261 A CH 512261A
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epitaxial growth
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CH1063270A
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Guenter Dr Winstel
Jochen Peter
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Siemens Ag
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CH1063270A 1969-07-17 1970-07-14 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung homogen dotierter und planparalleler epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen auf einem Substrat mittels Schmelzepitaxie CH512261A (de)

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