CH506189A - Verfahren zum Herstellen einer monolithischen, integrierten Schaltung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer monolithischen, integrierten Schaltung

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CH506189A
CH506189A CH664370A CH664370A CH506189A CH 506189 A CH506189 A CH 506189A CH 664370 A CH664370 A CH 664370A CH 664370 A CH664370 A CH 664370A CH 506189 A CH506189 A CH 506189A
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CH
Switzerland
Prior art keywords
monolithic
manufacturing
integrated circuit
integrated
circuit
Prior art date
Application number
CH664370A
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German (de)
English (en)
Inventor
Reindl Klaus
Willy Johansen Jon
Original Assignee
Siemens Ag
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    • H10W10/181Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
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    • H10W10/00Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/20Air gaps
CH664370A 1969-05-07 1970-05-04 Verfahren zum Herstellen einer monolithischen, integrierten Schaltung CH506189A (de)

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DE19691923325 DE1923325A1 (de) 1969-05-07 1969-05-07 Verfahren zum Herstellen einer Verbundhalbleiteranordnung

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CH506189A true CH506189A (de) 1971-04-15

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CH664370A CH506189A (de) 1969-05-07 1970-05-04 Verfahren zum Herstellen einer monolithischen, integrierten Schaltung

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NL7006123A (https=) 1970-11-10
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GB1297404A (https=) 1972-11-22

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