CH457374A - Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht von kristallinem Material - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht von kristallinem Material

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CH457374A
CH457374A CH112666A CH112666A CH457374A CH 457374 A CH457374 A CH 457374A CH 112666 A CH112666 A CH 112666A CH 112666 A CH112666 A CH 112666A CH 457374 A CH457374 A CH 457374A
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depositing
epitaxial layer
crystalline material
crystalline
epitaxial
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CH112666A
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Walther Albert
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

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