CH442249A - Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterschichten auf scheibenförmigen Einkristallen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterschichten auf scheibenförmigen EinkristallenInfo
- Publication number
- CH442249A CH442249A CH998463A CH998463A CH442249A CH 442249 A CH442249 A CH 442249A CH 998463 A CH998463 A CH 998463A CH 998463 A CH998463 A CH 998463A CH 442249 A CH442249 A CH 442249A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- disk
- production
- semiconductor layers
- monocrystalline semiconductor
- shaped monocrystals
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES81907A DE1216851B (de) | 1962-10-05 | 1962-10-05 | Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung zur Herstellung epitaktischer Aufwachsschichten auf gleichzeitig mehreren einkristallinen Scheiben aus Halbleitermaterial |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH442249A true CH442249A (de) | 1967-08-31 |
Family
ID=7509991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH998463A CH442249A (de) | 1962-10-05 | 1963-08-13 | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterschichten auf scheibenförmigen Einkristallen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH442249A (en, 2012) |
| DE (1) | DE1216851B (en, 2012) |
| FR (1) | FR1372155A (en, 2012) |
| GB (1) | GB985371A (en, 2012) |
| NL (1) | NL298449A (en, 2012) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE509317A (en, 2012) * | 1951-03-07 | 1900-01-01 |
-
0
- NL NL298449D patent/NL298449A/xx unknown
-
1962
- 1962-10-05 DE DES81907A patent/DE1216851B/de active Granted
-
1963
- 1963-08-13 CH CH998463A patent/CH442249A/de unknown
- 1963-10-03 GB GB38913/63A patent/GB985371A/en not_active Expired
- 1963-10-03 FR FR949461A patent/FR1372155A/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL298449A (en, 2012) | |
| DE1216851B (de) | 1966-05-18 |
| DE1216851C2 (en, 2012) | 1966-12-01 |
| GB985371A (en) | 1965-03-10 |
| FR1372155A (fr) | 1964-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH346864A (de) | Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidkristallen durch Sublimation | |
| AT261675B (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitereinkristallen | |
| CH480278A (de) | Verfahren zum Herstellen kristalliner, hitzebeständiger Überzüge und Haftschichten | |
| AT241102B (de) | Verfahren zum Herstellen von Polyamidformkörpern | |
| CH426745A (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnen, einkristallinen halbleitenden Schichten | |
| CH444646A (de) | Verfahren zum Herstellen von geklärten Säften | |
| CH401273A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen | |
| AT249116B (de) | Verfahren zum Ziehen von einkristallinem Halbleitermaterial | |
| CH426742A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium | |
| CH420072A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben | |
| AT317316B (de) | Verfahren zum Herstellen von III - V - Halbleitereinkristallen für elektrolumineszierende Halbleiterbauelemente | |
| CH449590A (de) | Verfahren zum Herstellen von III-V-Verbindungen in kristalliner Form | |
| AT261003B (de) | Verfahren zum Herstellen von homogenen Oxydschichten auf Halbleiterkristallen | |
| AT266220B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf magnetischer Unterlage | |
| CH401633A (de) | Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern | |
| CH367898A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen | |
| CH440227A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen, mit einstellbarer Fremdstoffkonzentration | |
| CH433191A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Halbleitermaterial | |
| AT254947B (de) | Verfahren zum Serienfertigen von Halbleiterbauelementen | |
| CH395347A (de) | Verfahren zum Herstellen extrem planer Halbleiterflächen | |
| CH347579A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung | |
| AT244078B (de) | Verfahren zum Herstellen von Magnetogrammträgern | |
| CH442249A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterschichten auf scheibenförmigen Einkristallen | |
| CH457371A (de) | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silizium | |
| CH407337A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben |