CH409152A - Hochleistungs-Silizium-Halbleiterelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen - Google Patents

Hochleistungs-Silizium-Halbleiterelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen

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CH409152A
CH409152A CH413663A CH413663A CH409152A CH 409152 A CH409152 A CH 409152A CH 413663 A CH413663 A CH 413663A CH 413663 A CH413663 A CH 413663A CH 409152 A CH409152 A CH 409152A
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CH
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manufacturing
same
semiconductor element
high performance
silicon semiconductor
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CH413663A
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Udo Dipl Ing Lob
Erich Dipl Ing Nitsche
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Siemens Ag
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3365627A (en) * 1963-06-18 1968-01-23 Sprague Electric Co Diode circuits and diodes therefor
US3370209A (en) * 1964-08-31 1968-02-20 Gen Electric Power bulk breakdown semiconductor devices
US3427515A (en) * 1966-06-27 1969-02-11 Rca Corp High voltage semiconductor transistor
US20050121691A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Jean-Luc Morand Active semiconductor component with a reduced surface area
US7053404B2 (en) * 2003-12-05 2006-05-30 Stmicroelectronics S.A. Active semiconductor component with an optimized surface area
US9929150B2 (en) * 2012-08-09 2018-03-27 Infineon Technologies Ag Polysilicon diode bandgap reference

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525428A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1952-12-30
US2908871A (en) * 1954-10-26 1959-10-13 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance semiconductive apparatus
US2843516A (en) * 1954-11-08 1958-07-15 Siemens Ag Semiconductor junction rectifier
NL107361C (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1955-04-22 1900-01-01
US2790940A (en) * 1955-04-22 1957-04-30 Bell Telephone Labor Inc Silicon rectifier and method of manufacture
US3085310A (en) * 1958-12-12 1963-04-16 Ibm Semiconductor device
FR1252421A (fr) * 1959-03-26 1961-01-27 Ass Elect Ind Procédé de fabrication de jonctions p-n
NL125412C (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1959-04-15

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US3254275A (en) 1966-05-31
DE1212218B (de) 1966-03-10
DE1208011B (de) 1965-12-30

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