CH390554A - Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze - Google Patents

Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze

Info

Publication number
CH390554A
CH390554A CH1010460A CH1010460A CH390554A CH 390554 A CH390554 A CH 390554A CH 1010460 A CH1010460 A CH 1010460A CH 1010460 A CH1010460 A CH 1010460A CH 390554 A CH390554 A CH 390554A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
rod
semiconductor
melt
crystals
pulling thin
Prior art date
Application number
CH1010460A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kappelmeyer Rudolf
Quast Hans-Friedrich
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH390554A publication Critical patent/CH390554A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
    • Y10T117/1084Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone having details of a stabilizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
CH1010460A 1959-09-11 1960-09-07 Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze CH390554A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64875A DE1278413B (de) 1959-09-11 1959-09-11 Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH390554A true CH390554A (de) 1965-04-15

Family

ID=7497558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1010460A CH390554A (de) 1959-09-11 1960-09-07 Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3157472A (fr)
CH (1) CH390554A (fr)
DE (1) DE1278413B (fr)
GB (1) GB900562A (fr)
NL (1) NL255530A (fr)
SE (1) SE301794B (fr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1222476B (de) * 1961-03-09 1966-08-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern durch Ziehen aus einer Schmelze
NL6411697A (fr) * 1963-10-15 1965-04-20
US3428436A (en) * 1963-12-16 1969-02-18 Monsanto Co Methods and apparatus for zone melting
US3453352A (en) * 1964-12-14 1969-07-01 Texas Instruments Inc Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon
US3337303A (en) * 1965-03-01 1967-08-22 Elmat Corp Crystal growing apparatus
US3293002A (en) * 1965-10-19 1966-12-20 Siemens Ag Process for producing tape-shaped semiconductor bodies

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
US2842467A (en) * 1954-04-28 1958-07-08 Ibm Method of growing semi-conductors
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals
US2927008A (en) * 1956-10-29 1960-03-01 Shockley Transistor Corp Crystal growing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
SE301794B (fr) 1968-06-24
US3157472A (en) 1964-11-17
NL255530A (fr)
DE1278413B (de) 1968-09-26
GB900562A (en) 1962-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH440226A (de) Verfahren zum Ziehen von Kristallen aus der Schmelze
CH407051A (de) Verfahren zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
CH392077A (de) Verfahren zum kontinuierlichen Ziehen dendritischer Kristalle
CH425738A (de) Verfahren zur Gewinnung von kristallinem Halbleitermaterial
CH478594A (de) Verfahren zum Herstellen hochreiner Siliciumstäbe
CH388830A (de) Vorrichtung zum Einspannen einer Spule
CH396224A (de) Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung
CH365545A (de) Verfahren zum Herstellen von Kristallen aus hochreinem Halbleitermaterial aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze
CH380085A (de) Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze sowie Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AT249116B (de) Verfahren zum Ziehen von einkristallinem Halbleitermaterial
CH414865A (de) Verfahren zum Herstellen von gleichzeitig mehreren Halbleiterbauelementen
CH390554A (de) Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze
CH386702A (de) Verfahren zum Ziehen von kristallinen Halbleiterstäben aus der Schmelze
CH387804A (de) Verfahren zum Aufschmelzen einer Elektrode auf einen Halbleiterkörper
AT241818B (de) Verfahren zum Stabilisieren von Polyurethanen
CH426739A (de) Verfahren zum Herstellen von stabförmigem, kristallinem Halbleitermaterial durch Ziehen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze
CH387176A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
AT241534B (de) Vorrichtung zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze
CH406160A (de) Verfahren zum Ziehen von Halbleiterkristallen aus Schmelzen
CH425736A (de) Verfahren zum Herstellen einkristalliner Halbleiterstäbe
CH392900A (de) Vorrichtung zum tiegellosen Zonenziehen
CH365145A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
CH420489A (de) Verfahren zur Reinigung von roher Streptokinase
CH416573A (de) Vorrichtung zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze
CH359008A (de) Verfahren zum Löten von Metallen