CH390554A - Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze - Google Patents

Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze

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CH390554A
CH390554A CH1010460A CH1010460A CH390554A CH 390554 A CH390554 A CH 390554A CH 1010460 A CH1010460 A CH 1010460A CH 1010460 A CH1010460 A CH 1010460A CH 390554 A CH390554 A CH 390554A
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CH
Switzerland
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rod
semiconductor
melt
crystals
pulling thin
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CH1010460A
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Kappelmeyer Rudolf
Quast Hans-Friedrich
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Siemens Ag
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CH1010460A 1959-09-11 1960-09-07 Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze CH390554A (de)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1222476B (de) * 1961-03-09 1966-08-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern durch Ziehen aus einer Schmelze
NL6411697A (de) * 1963-10-15 1965-04-20
US3428436A (en) * 1963-12-16 1969-02-18 Monsanto Co Methods and apparatus for zone melting
US3453352A (en) * 1964-12-14 1969-07-01 Texas Instruments Inc Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon
US3337303A (en) * 1965-03-01 1967-08-22 Elmat Corp Crystal growing apparatus
US3293002A (en) * 1965-10-19 1966-12-20 Siemens Ag Process for producing tape-shaped semiconductor bodies

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
US2842467A (en) * 1954-04-28 1958-07-08 Ibm Method of growing semi-conductors
US2809905A (en) * 1955-12-20 1957-10-15 Nat Res Dev Melting and refining metals
US2927008A (en) * 1956-10-29 1960-03-01 Shockley Transistor Corp Crystal growing apparatus

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GB900562A (en) 1962-07-11
DE1278413B (de) 1968-09-26

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