CH367864A - Thermosäule, insbesondere elektrothermisches Kühlelement und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Thermosäule, insbesondere elektrothermisches Kühlelement und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
- Publication number
- CH367864A CH367864A CH6811959A CH6811959A CH367864A CH 367864 A CH367864 A CH 367864A CH 6811959 A CH6811959 A CH 6811959A CH 6811959 A CH6811959 A CH 6811959A CH 367864 A CH367864 A CH 367864A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- thermopile
- vapor
- thermoelectric legs
- legs
- carrier
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
- Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
Thermosäule, insbesondere elektrothermisches Kühlelement und Verfahren <B>zu</B> ihrer Herstellung Bei den bisher gebräuchlichen Thermosäulen, ins besondere elektrothermischen Kühlelementen, sind im allgemeinen die thermoelektrischen Schenkel zu sammengelötet. Da der elektrische übergangswider- stand an diesen Lötstellen von erheblichem Einfluss auf den Wirkungsgrad des einzelnen Thermoelemen- tes und somit auch der Thermosäule ist, sind ver schiedene Verfahren für die Herstellung von Thermo- elementen und Thermosäulen bekanntgeworden, die eine Herabsetzung des übergangswiderstandes zum Ziele haben. Diese Verfahren sind fertigungstechnisch verhältnismässig umständlich und daher kostspielig. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn zwischen die thermoelektrischen Schenkel, wie es vorgeschla gen worden ist, Wärmeleitfahnen eingelötet werden sollen. Andere Vorschläge, z. B. die Verbindung der thermoelektrischen Schenkel auf elektrolytischem Wege oder durch Pressdruck, haben sich nicht be währt. Gegenstand der Erfindung ist eine Thermosäule, bei der kein Lötprozess erforderlich ist und die daher wesentlich einfacher und billiger in der Herstellung ist als die bisher bekannten Ausführungen. Sie eignet sich insbesondere zur Verwendung als elektrother misches Kühlelement. Bei der Thermosäule gemäss der Erfindung sind die thermoelektrischen Schenkel auf einen elektrisch nichtleitenden und themlisch schlechtleitenden Träger aufgebracht; auf die Grenz bereiche der beiden Schenkel ist jeweils eine ther misch gutleitende Schicht aufgebracht, die in ther mischem Kontakt mit abwechselnd auf der linken und rechten Hälfte der beschichteten Seite des Trä gers aufgebrachten Wärmeleitfahnen steht. Der beispielsweise Aufbau einer Thermosäule ge <I>mäss</I> der Erfindung ist in der Zeichnung schematisch dargestellt. Fig. <B>1</B> stellt eine Draufsicht, die Fig. 2 und <B>3</B> einen Längs- und Querschnitt gemäss den Linien <B>11-11</B> bzw. III-111 der Fig. <B>1</B> dar. Die thermoelektri- schen Schenkel sind jeweils mit<B>A</B> und B, die Wärme- leitfahnen mit<B>C,</B> der Träger mit T und der Hals der Wärmeleitfahnen mit<B>E</B> bezeichnet. Die Grenzbe reiche zwischen den Schenkeln<B>A</B> und B sind ge strichelt angedeutet. Die zu jedem zweiten Grenz bereich gehörigen Wärmeleitfahnen <B>C</B> sind jeweils auf der gleichen Seite der Schenkel angeordnet. Die Thermosäule gemäss der Erfindung kann so hergestellt werden, dass die thermoelektrischen Schen kel im Hochvakuum unter Zuhilfenahme von Blen den nacheinander auf den Träger T aufgedampft wer den. Anschliessend wird auf die Grenzbereiche der beiden Schenkel<B>A</B> und B<B>je</B> ein Streifen<B>E</B> mit an schliessender Wärmeleitfahne <B>C</B> aus einem thermisch gutleitenden Stoff, z. B. aus Kupfer oder Aluminium, aufgedampft. Als Träger eignen sich z. B. Gläser oder Keramiken oder andere thermisch und elek trisch schlecht leitende Stoffe, soweit sie gegenüber den in Frage kommenden Aufdampftemperaturen be ständig sind. Besonders vorteilhaft ist das Verfahren, wenn man als thermoelekrische Schenkel den glei chen Grundstoff verwendet und diese sich nur durch ihre Dotierung unterscheiden. Verwendet man z. B. als Grundstoff Wismut-Tellurid, so wird zunächst auf der ganzen Länge eine Wismut-TeRurid-#Schicht durch Aufdampfen von Wismut und Tellur aus zwei ge trennten Schiffchen hergestellt. In einem weiteren Bedampfungsvorgang <B>-</B> es vArd hierzu auf die Zeich nung verwiesen<B>-</B> werden die Abschnitte<B>A</B> mit Zinn und anschliessend die Abschnitte B mit Silber-Jodid bedampft und gegebenenfalls anschliessend einem Tempervorgang unterzogen. Dadurch werden die<B>Ab-</B> schnitte<B>A</B> p-leitend und die Abschnitte B n-leitend. Während der einzelnen Bedampfungsabschnitte wer- den die nicht zu bedampfenden Flächen<B>(A</B> bzw. B) mit Hilfe von Blenden abgedeckt. Schliesslich werden auf die jeweiligen Grenzbereiche, der n- und p-Wis- mut-Tellurid Abschnitte, Streifen<B>E</B> mit anschliessen den Wärmeleitfahnen <B>C</B> aus Kupfer aufgedampft. Das Herstellungsverfahren der Ihermosäule ge mäss der Erfindung ermöglicht es auch, in einfacher Weise Mischkristalle als thermoelektrische Schenkel zu bilden. Hierzu können im vorgenannten Beispiel des Wismut-Tellurids vor der Dotierung die<B>Ab-</B> schnitte B mit Selen und die Abschnitte<B>A</B> mit Anti mon mit Hilfe von Blenden nacheinander bedampft werden. Hierbei entstehen Mischkristalle aus Wismut- Tellurid/Wismut-Selenid und Wismut-Tellund/Anti- mon-Tellurid. Der Mischungsparameter kann in ver hältnismässig weiten Grenzen vorgegeben werden. Neben den oben schon erwähnten Vorteilen der Thermosäule und deren Herstellungsverfahren gemäss der Erfindung ist noch zu erwähnen, dass die Ele mente der beschriebenen Säule verhältnismässig kleine Querschnitte besitzen und daher bei der Verwendung als Peltierelemente entsprechend hohe Betriebsspan nungen ermöglichen.
Claims (1)
- <B>PATENTANSPRÜCHE</B> <B>1.</B> Thermosäule, dadurch gekennzeichnet, dass die thermoelektrischen Schenkel auf einen elektrisch nichtleitenden und thermisch schlechtleitenden Trä ger aufgebracht sind und dass auf die Grenzbereiche der beiden Schenkel jeweils eine thermisch gutleitende Schicht aufgebracht ist, die in thermischem Kontakt mit abwechselnd auf der linken und rechten Hälfte der beschichteten Seite des Trägers aufgebrachten Wärmeleitfahnen steht. Il.Verfahren zur Herstellung einer Thermosäule nach Patentanspruch<B>1,</B> dadurch gekennzeichnet, dass die thermoelektrischen Schenkel im Hochvakuum unter Zuhilfenahme von Blenden nacheinander auf den Träger aufgedampft werden und dass an schliessend auf die Grenzbereiche der beiden Kom ponenten<B>je</B> ein Streifen mit anschliessender Wärme- leitfahne aus einem thermisch gutleitenden Stoff auf gedampft wird. <B>111.</B> Verwendung der Thermosäule nach Patent anspruch<B>1</B> als elektrothermisches Kühlelement.<B>UNTERANSPRÜCHE</B> <B>1.</B> Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die aufgedampften thermoelek- trischen Schenkel durch Aufdampfen einer weiteren Schicht in Mischkristalle überführt werden. 2. Verfahren nach Patentanspruch<B>11,</B> dadurch gekennzeichnet, dass die thermoelektrischen Schenkel nachträglich durch Aufdampfen von störstellenbil- denden Stoffen dotiert werden.<B>3.</B> Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch ge kennzeichnet, dass die Thermosäule nach dem Auf dampfen der störstellenbildenden Stoffe getempert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0056608 | 1958-01-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH367864A true CH367864A (de) | 1963-03-15 |
Family
ID=7491223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH6811959A CH367864A (de) | 1958-01-17 | 1959-01-08 | Thermosäule, insbesondere elektrothermisches Kühlelement und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3071495A (de) |
CH (1) | CH367864A (de) |
DE (1) | DE1071177B (de) |
FR (1) | FR1221824A (de) |
GB (1) | GB902457A (de) |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1259987B (de) * | 1961-08-16 | 1968-02-01 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer thermoelektrischen Anordnung |
DE1168985B (de) * | 1961-08-24 | 1964-04-30 | Alexander Kueckens | Montagevorrichtung zum spannungs- und erschuetterungsfreien Verflanschen fuer Peltier-Saeulen |
DE1290613B (de) * | 1961-10-21 | 1969-03-13 | Siemens Ag | Thermoelektrische Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US3246311A (en) * | 1962-05-09 | 1966-04-12 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for fire detection and alarm |
US3330703A (en) * | 1962-05-18 | 1967-07-11 | Podolsky Leon | Thermoelectric elements of oriented graphite containing spaced bands of metal atoms |
US3330698A (en) * | 1962-05-28 | 1967-07-11 | Drexel Inst Of Technology | Method of making thermoelectric cooling device |
US3243867A (en) * | 1962-06-19 | 1966-04-05 | Gen Instrument Corp | Rectifier edges coated with thixotropic epoxy |
US3305393A (en) * | 1962-11-09 | 1967-02-21 | Catalyst Research Corp | Method of making a thermopile |
US3343589A (en) * | 1964-06-25 | 1967-09-26 | San Fernando Lab | Gaseous deposition method of making a thermocouple probe |
US3485757A (en) * | 1964-11-23 | 1969-12-23 | Atomic Energy Commission | Thermoelectric composition comprising doped bismuth telluride,silicon and boron |
GB1094457A (en) * | 1965-11-27 | 1967-12-13 | Ferranti Ltd | Improvements relating to the manufacture of thermo-electric generators |
US3485680A (en) * | 1966-10-06 | 1969-12-23 | Monsanto Res Corp | Thermoelement made by plasma spraying |
US3547705A (en) * | 1967-01-17 | 1970-12-15 | George Guy Heard Jr | Integral ettingshausen-peltier thermoelectric device |
CH540580A (de) * | 1970-11-23 | 1973-08-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Thermogenerators |
US4363927A (en) * | 1980-02-15 | 1982-12-14 | Wilson Kenneth T | Thermoelectric generator panel and heater device therefor |
US4363928A (en) * | 1980-02-15 | 1982-12-14 | Wilson Kenneth T | Thermoelectric generator panel and cooling device therefor |
US4276441A (en) * | 1980-02-15 | 1981-06-30 | Wilson International Incorporated | Thermoelectric generator and method of forming same |
JPS57172784A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Univ Kyoto | Thermoelectric conversion element |
US4795498A (en) * | 1983-12-30 | 1989-01-03 | Damon Germanton | Low cost thermocouple apparatus and methods for fabricating the same |
US4631350A (en) * | 1983-12-30 | 1986-12-23 | Damon Germanton | Low cost thermocouple apparatus and methods for fabricating the same |
JP3166228B2 (ja) * | 1990-10-30 | 2001-05-14 | 株式会社デンソー | 熱電変換装置 |
US5837929A (en) * | 1994-07-05 | 1998-11-17 | Mantron, Inc. | Microelectronic thermoelectric device and systems incorporating such device |
JPH09186368A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-07-15 | Technova:Kk | 厚膜熱電素子 |
US5982014A (en) * | 1997-05-30 | 1999-11-09 | Thermalytics, Inc. | Microfabricated silicon thermopile sensor |
US6046398A (en) * | 1998-11-04 | 2000-04-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Micromachined thermoelectric sensors and arrays and process for producing |
US6672076B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-01-06 | Bsst Llc | Efficiency thermoelectrics utilizing convective heat flow |
US7942010B2 (en) | 2001-02-09 | 2011-05-17 | Bsst, Llc | Thermoelectric power generating systems utilizing segmented thermoelectric elements |
US7231772B2 (en) | 2001-02-09 | 2007-06-19 | Bsst Llc. | Compact, high-efficiency thermoelectric systems |
US6959555B2 (en) * | 2001-02-09 | 2005-11-01 | Bsst Llc | High power density thermoelectric systems |
US6539725B2 (en) * | 2001-02-09 | 2003-04-01 | Bsst Llc | Efficiency thermoelectrics utilizing thermal isolation |
US7946120B2 (en) | 2001-02-09 | 2011-05-24 | Bsst, Llc | High capacity thermoelectric temperature control system |
US7273981B2 (en) * | 2001-02-09 | 2007-09-25 | Bsst, Llc. | Thermoelectric power generation systems |
CN100419347C (zh) * | 2001-08-07 | 2008-09-17 | Bsst公司 | 热电个人环境装置 |
US8490412B2 (en) | 2001-08-07 | 2013-07-23 | Bsst, Llc | Thermoelectric personal environment appliance |
US6812395B2 (en) * | 2001-10-24 | 2004-11-02 | Bsst Llc | Thermoelectric heterostructure assemblies element |
US20110209740A1 (en) * | 2002-08-23 | 2011-09-01 | Bsst, Llc | High capacity thermoelectric temperature control systems |
US20050150537A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers Inc. | Thermoelectric devices |
US20050150535A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers, Inc. | Method for forming a thin-film thermoelectric device including a phonon-blocking thermal conductor |
US20050150539A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers, Inc. | Monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials |
US20050150536A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers, Inc. | Method for forming a monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials |
US20060076046A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Nanocoolers, Inc. | Thermoelectric device structure and apparatus incorporating same |
US7847179B2 (en) * | 2005-06-06 | 2010-12-07 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Thermoelectric compositions and process |
US7608777B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-10-27 | Bsst, Llc | Thermoelectric power generator with intermediate loop |
US7870745B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-01-18 | Bsst Llc | Thermoelectric device efficiency enhancement using dynamic feedback |
US7952015B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-05-31 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Pb-Te-compounds doped with tin-antimony-tellurides for thermoelectric generators or peltier arrangements |
US7788933B2 (en) * | 2006-08-02 | 2010-09-07 | Bsst Llc | Heat exchanger tube having integrated thermoelectric devices |
US20080289677A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Bsst Llc | Composite thermoelectric materials and method of manufacture |
CN116558147A (zh) | 2007-05-25 | 2023-08-08 | 詹思姆公司 | 用于热电加热和冷却的系统和方法 |
EP2244971A2 (de) * | 2008-01-14 | 2010-11-03 | The Ohio State University Research Foundation | Erhöhung der thermoelektrischen effektivität durch modifizierung der elektronischen zustandsdichte |
WO2009094571A2 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | The Ohio State University Research Foundation | Ternary thermoelectric materials and methods of fabrication |
CN102077374A (zh) * | 2008-04-24 | 2011-05-25 | Zt普拉斯公司 | 结合增加的功率因数和减小的热导率的改进的热电材料 |
EP2315987A2 (de) | 2008-06-03 | 2011-05-04 | Bsst Llc | Thermoelektrische wärmepumpe |
US20100024859A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Bsst, Llc. | Thermoelectric power generator for variable thermal power source |
US8613200B2 (en) * | 2008-10-23 | 2013-12-24 | Bsst Llc | Heater-cooler with bithermal thermoelectric device |
WO2010120697A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | The Ohio State University | Thermoelectric alloys with improved thermoelectric power factor |
US9513240B2 (en) * | 2011-02-22 | 2016-12-06 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | MEMS-based calorimeter, fabrication, and use thereof |
WO2014018688A2 (en) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Mems-based isothermal titration calorimetry |
US8795545B2 (en) | 2011-04-01 | 2014-08-05 | Zt Plus | Thermoelectric materials having porosity |
KR101654587B1 (ko) | 2011-06-06 | 2016-09-06 | 젠썸 인코포레이티드 | 카트리지 기반 열전 시스템 |
US9006557B2 (en) | 2011-06-06 | 2015-04-14 | Gentherm Incorporated | Systems and methods for reducing current and increasing voltage in thermoelectric systems |
JP2015524894A (ja) | 2012-08-01 | 2015-08-27 | ゲンサーム インコーポレイテッド | 高効率熱電発電 |
KR102117141B1 (ko) | 2013-01-30 | 2020-05-29 | 젠썸 인코포레이티드 | 열전-기반 열 관리 시스템 |
EP3004826A4 (de) | 2013-06-05 | 2017-05-17 | The Trustees of Columbia University in the City of New York | Mems-basiertes kalorienmessgerät, herstellung und verwendung davon |
DE102013110439A1 (de) | 2013-09-20 | 2015-03-26 | Contitech Luftfedersysteme Gmbh | Thermoelektrischer Wandler, Luftfeder und Luftreifen damit |
US11223004B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-01-11 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having a polymeric coating |
US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE514927A (de) * | 1952-01-22 | |||
US2865783A (en) * | 1952-10-30 | 1958-12-23 | Kimberly Clark Co | Non-woven web product and method of making same |
US2849331A (en) * | 1953-06-02 | 1958-08-26 | Turbolente Joseph | Masking method and composition for producing color paintings |
US2844638A (en) * | 1954-01-04 | 1958-07-22 | Rca Corp | Heat pump |
US2877283A (en) * | 1955-09-02 | 1959-03-10 | Siemens Ag | Thermoelectric couples, particularly for the production of cold, and method of their manufacture |
-
0
- DE DENDAT1071177D patent/DE1071177B/de active Pending
-
1959
- 1959-01-08 CH CH6811959A patent/CH367864A/de unknown
- 1959-01-14 FR FR784030A patent/FR1221824A/fr not_active Expired
- 1959-01-14 US US786790A patent/US3071495A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-01-15 GB GB1526/59A patent/GB902457A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB902457A (en) | 1962-08-01 |
FR1221824A (fr) | 1960-06-03 |
DE1071177B (de) | |
US3071495A (en) | 1963-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CH367864A (de) | Thermosäule, insbesondere elektrothermisches Kühlelement und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2703831C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Thermobatterie | |
DE69624936T2 (de) | Herstellung thermoelektrischer module und lötmittel für diese herstellung | |
DE69204327T2 (de) | Laserdioden-Array. | |
DE976402C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System mit einem eine Sperrschicht enthaltenden Halbleiterkoerper aus Germanium oder Silizium | |
DE1180015C2 (de) | Mittel zur elektrischen Isolierung und ther-mischen Kontaktierung bei einer nach dem Seebeck- oder Peltier-Effekt arbeitenden thermoelektrischen Batterie | |
DE2905905C2 (de) | ||
DE1514055C2 (de) | Kühlvorrichtung mit mindestens zwei zueinander parallel verlaufenden Kühlkörpern, insbesondere für Diodenlaser | |
DE2063579A1 (de) | Halbleitereinnchtung | |
DE1024640B (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden | |
DE2523307A1 (de) | Halbleiter-bauelemente mit verbesserter lebensdauer | |
DE1033786B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Gleichrichters | |
DE1539282A1 (de) | Elektronisches Material | |
DE1489276C3 (de) | Thermoelektrischer Generator | |
DE1295040B (de) | Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2054542A1 (en) | Tin-rich brazing alloy - for joining thermocouple members | |
DE955624C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen | |
DE1771344A1 (de) | Verfahren zum Zertrennen eines Materialstueckes durch Tiefenaetzung | |
DE1489287C3 (de) | Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen | |
DE463726C (de) | Thermo-Element | |
DE1277967C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer thermoelektrischen Halbleiteranordnung | |
DE1914563C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrolumineszenten Bauteils | |
DE1464100C (de) | Verfahren zu"1 Herstel!en eine·- aus p und n leitenden Halbleiterkörpern bestehenden Matrix einer Thermobattene | |
DE2544122C3 (de) | Herstellungsverfahren für Schichtthermobatterien | |
DE1285625C2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |