Mit einem Auswertegerät zusammengeschalteter Strahlendetektor.
Es sind lichtempfindliche etektrische Halbleiter bekannt, die bei Abwesenheit sichtbaren Lichtes praktisch als Isolatoren wirken, jedoeh in Gegenwart von Lichtstrahlen des sichtbaren Speli und der benachbarten infraroten und ultravioletten Spektra elek triseh leitend werden. Diese lichtempfindlichen Stoffe sind in den letzten Jahren auf breitester Basis in photoelektrisehen Vorrichtungen zur Steuerung der verschiedensten Auswertegeräte verwendet worden.
Ein Halbleiter zeigt in der Regel ein wirksames Anspreehen nur auf die Strahlen eines bestimmten Wellenlängenbereiehes. So kann ein Halbleiter auf Lichtstrahlen eines be grenzten Bereiches des Lichtspektrums wir kungsvoll ansprechen, während ihn Wellen ausserhalb dieses Bereiches praktisch nicht beeinflussen.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Entdeckung einer Halbleitersubstanz, die ausser auf andere Strahlen auch auf Röntgen- strahlen ansprieht, während vor dieser Entdeckung kein Material bekannt war, dessen elektrische Leitfähigkeit wirkungsvoll durch Röntgenstrahlen beeinflussbar ist.
Die Erfindung betrifft einen Strahlendetektor, der mit einem Auswertegerät zu- sammengeschaltet ist. Kennzeichnend hierbei ist, dass der Strahlendetektor einen Kadmiumsulfid-Kristall aufweist und dass die Ver änderlichkeit derelektrischenLeitfähigkeit die ses Eristalles in Abhängigkeit von der IntensitÏt gewisser auf ihn auftreffender Strahlen zur Steuerung des Auswertegerätes ausge tzt ist.
Vorzugsweise wird es sich hierbei um Röntgenstrahlen handeln, wobei das Auswerte- gerät zur Durchführung erwiinschter Steuerfunktionen bei der Röntgenprüfung von Gegenständen, bei der Kontrolle der Rönt- genstrahlenintensität, zur Regulierung der Stromerzeuger f r Röntgenröhren, f r die Zeitsteuerung von Röntgengerä. ten und für andere Zweeke dienen kann, abhängig von der Anwesenheit, IntensitÏt oder Dauer von Rontgenstrahlen.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Strahlendetektors. Dasselbe zeichnet sich dadurch aus, dass der Kadmiumsulfid-Kristall in einer sauerstofffreien Atmosphäre ausgeglüht wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung' wird nachstehend an Hand der Fig. 1 bis 6 näher erläutert. Hierbei ist :
Fig. 1 ein Schaltungsschema des Strah lungsdetektors mit angeschlossenem Auswerte- gerät,
Fig. 2 bis 6 eine graphische Darstel lung des Verhaltens eines Kadmiumsulfid- Kristalles.
Nach Fig. 1 ist der Kadmiumsulfid Kristall 11 so in einer elektrischen Schaltung 12 angeordnet, dass die Impedanz des Kristalles die einem Verbraucher 13 am Ausgang der Schaltung zugeführte elektrisehe Leistung steuert, welcher Verbraucher ein beliebiges Auswertegerät zur Durchführung eines er wünschten Vorganges in Abhängigkeit von der veränderlichen Impedanz des Kristalles darstellt.
Wie in Fig. 1 dargestellt, weist die Schaltung vorzugsweise eine Verstärkerröhre 14 auf, mit einer Anode 15, einer Elektronen emittierenden Kathode 16 und einem Steuergitter 17, wobei zwischen der Anode 15 und der Kathode 16 ein Ausgangskreis liegt, der eine geeignete Energiequelle 18 zur Speisung des Anodenkreises und des am Ausgang der Schaltung angeschlossenen Verbrauchers 13 enthält. Das Steuergitter 17 gehört mit dem Kristall 11 einem Steuergitterkreis an.
Wie dargestellt, ist der Kristall 11 mit einer Gleichstromquelle 19 und einem Regelwiderstand 20 in Serie geschaltet, damit ein von der Impedanz des Kristalles abhängiger Spannungsabfall am Widerstand 20 entsteht.
Das Steuergitter 17 ist an der Verbindungs- stelle 21 mit dem Widerstand 20 verbunden, vorteilhafterweise iiber einen Kondensator 23, um Gleichspannungskomponenten abzusperren und nur Wechselspannungskomponenten auf das Gitter 17 gelangen zu lassen. Wenn es erwünscht ist, nicht nur Wechselspannungs-, sondern auch Gleichspannungskompo- nenten auf das Steuergitter 17 wirken zu lassen, kann der Kondensator 23 weggelassen werden, ebenso können Mittel an seine Stelle gesetzt werden, welehe Weehselspannungskomponenten aussieben und nur Gleichspan nungskomponenten passieren lassen, falls der Verbraucher 13 auf Grund dieser Gleichspan- nungskomponenten gesteuert werden soll.
Im dargestellten Schema sind auch Mittel zur Erzeugung einer geeigneten Vorspannung zwischen der Kathode 16 und dem Gitter 17 xorgesehen, und zwar eine Spannungsquelle 24 in Serie mit einem Regulierwiderstand, wobei an der Verbindungsstelle 22 der Widerstand 20 mit der Spannungsquelle 24 verbunden ist. Wenn der Kristall 11 der Einwirkung von Röntgenstrahlen ausgesetzt wird, die beispielsweise einer Strahlungsquelle 26 entstammen, und zwar bei völliger Abwesen- heit von Lieht, dann verändert sich die Im pedanz des Kristalles im wesentlichen proportional zur Intensität der auftreffenden Rönt- genstrahlen.
Wenn es sieh um eine pulsierende Röntgenstrahlung handelt, folgt die Impedanzänderung im Kristall den Impulsen der auftreffenden Röntgenstrahlung und ergibt deshalb eine entspreehende Spannung am Widerstand 20, die auf das Steuergitter 17 gelant, und entsprechende verstärkte Anodenimpulse erzeugt, welche auf den am Ausgang des Verstärkers liegenden Verbrau- cher 13 wirken. Die BeauCsehlagung des Kad miumsulfids mit Röntgenstrahlen sehwanken- der Intensität ergibt am Widerstand 20 eine Spannung mit einer Gleich-und einer Wech- selspannungskomponente.
Die Röntgenstrahlen, die beim üblichen Betrieb von Röntgenröhren mit Wechselstrom von beispielsweise 60 Perioden erzeugt werden, bestehen aus Röntgenenergie-Impulsen mit der Frequenz der Stromquelle. Natürlich können auch gleiehförmige, nieht pulsierende Röntgenstrahlen erzeugt und damit der Kristall beaufschlagt werden, in welchem Fall am Widerstand eine Gleichspannung entsteht. Hierfür muss dann die Schaltung 12 notwendigerweise so aufgebaut sein, dass die Gleichspannungskomponente der Impedanz- schwankungen des Kristalles wirksam ist, also darf kein Kondensator 23 vorhanden sein.
Kadmiumsulfid-Kristalle weisen aueh Anderungen ihrer Impedanz auf, wenn sie sichtbaren Liehtstrahlen ausgesetzt werden, die beispielsweise aus der Lichtquelle 27 stammen, und die durch das Licht hervorgerufenen Impedanzänderungen sind proportional zur Inten sität der auftreffenden Lichtstrahlung.
Wenn der Kristall der'aus der Quelle 27 stammenden Liehtstrahlung und gleichzeitig der Röntgenstrahlung aus der Quelle 26 ausgesetzt wird, enthält infolgedessen die zwischen den Punkten 21 und 22 vorhandene Spannung Komponenten, die der Intensität der Liehtstrahlung einerseits und derjenigen der Röntgenstrahlung anderseits entspreehen. Falls also Licht gleichförmiger Intensität auf den Kri stall auftrifft, ist auch die entsprechende Spannungskomponente am Widerstand 20 konstant, während die Spannungskomponente auf Grund der auf den Kristall auftreffenden Röntgenstrahlung sich gemäss deren IntensitÏt ändert.
Weisen die auftreffenden Strahlen Intensitätsimpulse auf, dann können dieselben über den Kondensator 23 zur Steuerung des Verstärkers verwendet werden, während die C. leiehspannungskomponente, welehe sieh infolge der Bestrahlung des Kristalles durch die Liehtquelle 27 bei gleichförmiger Inten sität ergibt, wie auch die durch die Röntgenstrahlen verursachte Gleichspannungskompo- nente, wegen des Kondensators 23 den VerstÏrker nicht beeinflussen können.
Die vorliegende Erfindung beschränkt sich nicht auf die Erregung des Kristalles 11 dureh gleichförmige Lichtwellen und pulsierende Röntgenwellen, sondern umfasst jede Beaufschlagung des Kristalles mittels sichtbaren Lichtes oder mittels Röntgenstrahlen oder mit beiden gleichzeitig, und ob nun die Licht-oder die Röntgenstrahlen pulsieren oder nicht, es ergeben sich zahlreiche vorteilflafte Anwendungen, bei welchen der Kristall entweder durch Röntgenstrahlen oder durch siehtbares Lieht erregt wird, wobei entweder die Licht-oder die Röntgenstrahlen gleichför- mig sind oder pulsieren.
Die Schaltung nach Fig. 1 ist jedoeh insbesondere vorgesehen zur Feststellung von pulsierenden Röntgenstrahlungen, wobei der Kristall unter dem Einfluss sichtbarer Lichtstrahlen steht, die eine die Röntgenstrahlen-Empfindliehkeit erhöhende Vorbeaufsehlagung des Kristalles darstellen, besonders wenn diese Beaufschlagung durch gr nes Licht mit einer Wellenlänge von ungefähr 5200 Angström erfolgt. Bei Verwendung einer solehen Licht-Vorbeaufsehlagung hat sich ergeben, dass die Kristallimpedanz auf Röntgenbestrahlung sehr empfindlich ist.
Die durch Röntgenstrahlen hervorgerufenen Im pedanzschwankungen sind nämlich bei einer Lieht-Vorbeaufschlagung des Kristalles mit einer WellenlÏnge von 5200 Angström um einen Faktor 10 grosser als ohne diese Vorbeaufschlagung des Kristalles durch Licht.
Im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung wurde eine gründliehe Untersuchung der Wirkungsweise der Kadmium sulfid-Kristalle der sogenannten Betaform unter Verwendung von Röntgenstrahlen mit einer Wellenlänge von 1, 54 Angström dureh- geführt, und zwar über einen Bereich von Röntgenstrahlenintensitäten zwischen 100 und 100000 Quanten/Sek. Auf diese Weise sind die Kadmiumsulfid-Kristalle totalen Röntgenstrahlenenergiequanten von der Grössenordnung 1012 ausgesetzt worden, ohne da¯ feststellbare Veränderungen in den Charakte- ristiken aufgetreten wÏren, wodurch erwiesen ist, dass die Eigenschaften dieser Kristalle praktisch konstant sind, wenn sie mit R¯nt genstrahlen beaufsehlagt werden.
Das auf die derart untersuchten Kristalle wirkende Röntgenstrahlenbündel pulsierte mit einer Frequenz von 60 Hertz. Zur Be stimmung der Impedanzcharakteristik bei Rontgenbestrahlung wurde eine geeignete elektromotorische Kraft gleichbleibender Richtung, etwa aus der Quelle 19 in Fig. 1, an den Kristall angelegt und der sich ergebene Stromfluss genau gemessen. Der infolge der pulsierenden Rontgenbestrahlung durch den Kristall fliessende Strom hatte, wie festgestellt wurde, eine Wechsel-und eine Gleich- stromkomponente.
In dem vorgenannten Intensitätsbereich der Rontgenbestrahlung ergibt es sieh, dass die Gleichstromkornponente im wesentlichen linear von der Intensität der auftreffenden Röntgenstrahlen abhängt, wÏhrend die Wechselstromkomponente sich mit dem Quadrat der Intensität ändert. Dieses Phänomen kann auf Grund der Theorie erlilärt werden, dass die Wechselstromkomponente proportional zur Rekombinations- geschwindigkeit der Elektronen im wirksamen Leitband des bestrahlten Kristalles ist, und dass keine solche Rekombination auf Ground einer Elektronenströmung gleichbleibender Richtung stattfindet.
Bei den Untersuchungen ergab sich, da¯ das Verhältnis zwischen gemessenem Aus gangsstrom und der Intensität der auftreffen- den Röntgenstrahlung von einem Kristall zum andern variierte. Die Grosse der Gleich stromkomponente im Kristallstromkreis war r meistens ungefähr 10 OOOmal so gross wie die Wechselstromkomponente. Auch ergabsieh, dass die zeitliehe Verzögerung zwisehen dem Auftreffen der Röntgenstrahlen auf dem Kristall und dem ErreichendesMaximalstromes!indem- selben hinsichtlich der Gleichstromkomponente mehrere Minuten beträgt,
während sie für die Wechselstromkomponente im gleichen Kristall nur einen kleinen Bruehteil einer Sekunde betrÏgt.
Diese Charakteristiken sind in den Kurven gemäss ¯ Fig. 2 und 3 veranschaulicht, wobei die Kurve 28 die Gleichstromwerte IG in . Mikroamperen im Kristall abhängig von der Zeit t in Minuten, während einer Bestrahlung desselben von mehreren Minuten zeigt. Die Kurve 29 gibt den Stromabfall nach Unter- breehung der Röntgenbestrahlung wieder.
In Fig. 3 zeigt die Kurve 30, die durch photogra- phische Aufnahme des Bildes eines Elektro- nenstrahloszillographen erhalten wurden, den Verlauf der Weehselstromkomponente des s Kristallstromes Iw wÏhrend eines Bruehteils einer Sekunde nach Beaufschlagung des Kri- stalles durch die Rontgenstrahlen. Beim Auf- h¯ren der Röntgenbestrahlung des Kristalles am Ende der jeweiligen Halbperiode ver sehwindet sofort der Strom.
Die Kurven 28 hzw. 30 zeigen eine Verzögerung von fünf Minuten, bis die Gleichstromkomponente ihren Maximalvert erreieht, dagegen nur eine Verzögerung von etwa einer Fünftelssekunde, bis die Wechselstromkomponente an ihrem Maximalwert anlangt. Deshalb gestattet die Verwendung der Wechselstromkomponente des Kristallstromes ohne die Gleichstromkomponente die Bestimmung der Röntgenstrahlen- intensität unter Vermeidung der mehrminu- tigen Verzögerung, die bis zum Erreichen eines stabilen Zustandes der Gleichstrom- komponente bei der Röntgenbestrahlung des Kristalles vorgeht.
Die Alessung nur der Wechselstromkomponente gestattet vorteil hafterweise die Verwendung einer hohen Wechselstromverstärkung in der Schaltung, im Interesse einer wirksamen Auswertung.
Bei manehen Kristallen wurden von der normalen Gestalt (Fig. 2 und 3) abweiehende Impedanzcharakteristiken festgestellt, und zwar ohne zusätzliche Liehtbestrahlung bei einer Feldstärke von über 150 Volt/em.
Andere Kristalle, die bei Abwesenheit einer Bestrahlung keine solehen unregelmässigen Charakteristiken aufwiesen, zeigten bei Bestrahlung Unregelmässigkeiten. Es wurde durch Laue-Diagramme festgestellt, dass Kristalle mit solehen unregelmässigen Charak teristiken strukturelle Mängel und Gitter- verzerrungen aufwiesen, Kristalle ohne diese unregelmässigen Charakteristiken zeigten aneth keine Gitterverzerrimgen.
Unregelmässige Charakteristiken können in den Kristallen künstlieh hervorgerufen werden, indem dieselben in einer Sauerstoff- atmosphäre ausgegl ht werden. Dieses Ausglühen in Sauerstoff ergibt eine etwa hun- dertfache Vergrösserung des scheinbaren Acul- tiplikationsfaktors des Kristalles, das hei¯t der Faktor, um welehen der Strom des strahlungsbeaufschlagten Kristalles gr¯¯er ist als bei fehlender Beaufschlagung. Dies rührt möglicherweise vom Eindringen freier Sehwe felatome in die Gitterstruktur des Kristalles her, was solehe Verzerrungen erzeugt. Eine Kristallverfärbung, die naeh dem Ausglühen in Sauerstoff erkennbar ist, scheint diese Erklärung des Phänomens zu bestätigen.
Wer- den die Kristalle in einer sauerstofffreien Atmosphäre ausgeglüht, ergeben sich dagegen von Gitterstörungen freie Kristallstrukturen.
Wenn Licht mit einer Wellenlänge von etwa 5200 Angström auf einen von pusierender Röntgenstrahlung beaufschlagten Kristall fäyllt, werden sowohl die Gleiehstrom-wie auch die Wechselstromkomponenten des infolge der Röntgenbestrahlung im Kristall fliessenden Stromes um den bereits oben er wähnten Faktor 10 vergrössert, im Vergleich zu den durch dieselbe Röntgenbestrahlung erzeugten Komponenten bei Abwesenheit einer Vorbeaufsehlagung dureh Lieht.
Die Anwendmg blauen oder roten Lichtes ergibt eine Reduktion des im Kristall fliessenden Gleichstromes IG, der in Fig. 4 in will kürliehen Einheiten abhängig von der Liehtwellenlänge ? in Angström graphisch dargestellt ist. Die Verwendung von gr nem Licht mit einer Wellenlänge von 5200 Angström zur Vorbeaufschlagmg des Kristalles ist ferner auch deshalb günstig, weil sie eine gewisse Verringerung der bis zum Erreichen des lIaximalwertes der Wechselstromkomponente des Kristall. stromes nach Beginn der Isöntgenbestrahlung beobachtbaren Verzöge- rung zur Folge hat.
Im Zusammenhang mit der Beaufschla- ", rung von Kadmiumsulfid-Kristallen durch Köntgenstrahlen sind die Wirkungen festgestellt worden, die durch Bestrahlung von nur einzelnen Teilen des Kristalles, beispielsweise mittels verstellbarer Blenden, in Fig. 1 mit. ? angedeutet, erzielbar sind. Entspre- chend der Polarität der Energiequelle 19 ist ein Ende des Kristalles 11 in bezug auf sein anderes Ende elektrisch negativ vorgespannt.
I) ureh Bestrahlung des Kristalles mit einem sehmalen Bündel von Röntgenstrahlen von einem Ende zum andern, in der Längsausdeh- rìung L fortschreitend, ergeben sich Stromiinderung im Kristall entsprechend Fig. 5, wobei die Kurven 31 bzw. 32 die Ströme bei R¯ntgenstrahlenb ndeln verschiedener Breiten darstellen, und zwar ohne eine Vorbeauf sehlagung dureh Lieht ; dabei entsprieht die Kurve 31 einer Bestrahlung mit einem ver hältnismässig schmalen Bündel. Die Kurven 32 und 33 zeigen die Stromabhängigkeit bei Biindeln gleieher Breite, aber bei Kurve 33 mit einer gleichzeitigen Beaufschlagung durch grünes Lieht.
Es ist zu beachten, dass die bei der Aufzeiehnung der Kurven 31, 32 und 33 verwendeten Vertikalordinatenmassstäbe in willkürliehen Einheiten nicht identiseh sind, und der tatsächliche Seheitelwert der Kurve 31 weniger als die Hälfte des Seheitelwertes der Kurve 32 beträgt. Der tatsäehliehe Schei- telwert der Kurve 32 beträgt etwa ein Zehntel des Scheitelwertes der Kurve 33. Der Null- punkt der L-Skala ist willkürlieh beim Schei- telpunkt der Kurven angesehrieben worden (willkürliche Einheiten, z. B. mm).
Die Kurven zeigen klar, dass der Kristall ausser an seinem negativen Ende und in dessen Um. gebung weitgehend unempfindlich ist. Infolgedessen ist es bei der Verwendung der Kadmiumsulfid-Kristalle zur Feststellung von Röntgenstrahlen notwendig, das Strahlenbündel auf das negative Ende des Kristalles zu richten, wobei es nicht notwendig ist, die übri- gen Teile desselben ebenfalls zu bestrahlen.
Die Kurve 34 in Fig. 6 zeigt die Stromabhangigkeit eines Kadmiumsulfid-Kristalles bei Bestrahlung mit einem breiten Röntgenstrahlenbündel, dessen Begrenzungskante sieh vom negativen Ende des Kristalles aus nach dem positiven Ende zu bewegt. Die Kurve 34 lässt, ebenso wie die Kurven 31, 32 und 33, erkennen, dass die maximale Wirkung bei Bestrahlung des Kristalles an seinem elektrisch negativen Ende erzeugt wird, und dass der Kristall im wesentlichen nur an seinem nega tiven Ende und dessen Umgebung anspricht.
Es ist ferner festgestellt worden, dass bei plötzlicher Beaufschlagung eines schmalen Bereiches des Kristalles an seinem negativen Ende und in dessen Nachbarschaft durch ein normalerweise abgeblendetes Röntgenstrahlen- bündel, der im Kristall auftretende Anfangs- strom grösser ist als der statische Wert. Diese Erscheinung kann wesentlich durch eine gleiehzeitige Lichtbeaufschlagung beeinflusst werden. Die Anwendung von grünem Licht in diesem Zusammenhang reduziert Stärke und Dauer des Anfangsstromes, während rotes Licht die Dauer des festgestellten Effektes vergrössert. Eine blaue Lichtbeaufsehlagang eliminiert ihn vollständig.
Es ist anzunehmen, dass der festgestellte Effekt aus der Tat- sache resultiert, daI3 in den dem negativen Ende des Kristalles benachbarten Gebieten die Feldstärken relativ gross sind, um die grossen Werte des scheinbaren Multiplika- tionsfaktors des Kristalles zu ermöglichen.
Diese Felder resultieren aus dem Vor handensein positiver Locher oder Fehlstellen in diesem Gebiet, die durch das Heraussehlagen von Elektronen beim Auftreffen der Röntgenstrahlen auf dem Kristall entstehen. Die im Leitungsband des Kristalles befindlichen Elektronen fliessen so fort aus dessen elektrisch negativer Endzone heraus. Die positive Raumladung am negativen Kristallende reduziert das elektrisehe Feld in den übrigen Kristallzonen, so da¯ grosse Werte des seheinbaren Multiplikationsfaktors in diesen Zonen nicht auftreten kön- nen.
Die Tatsaehe, dass diese entfernten Kri stallteile ohne wesentliehe Vergrösserung des Stromes im Kristall mit Röntgenstrahlen beaufschlagt werden können, wie besonders aus Fig. 6 ersichtlieh, deutet darauf hin, dass es dieser Raumladungseffekt ist, welcher den Kristallstrom begrenzt. Die Einsehalt-Stromspitze am negativen Ende des Kristalles bei plötzlieher Bestrahlung wird wahrseheinlieh dureh den Eintritt von Elektronen verursaeht, welehe die Feldstarke in der Nähe des negativen Endes des Kristalles reduzieren.
Die anfänglieh auftretende Stromspitze ist der in einem raumladungsfreien Kristall er zielbare Strom, der sich naehher durch die Wirkung der im Kristall gegen das positive Ende zu eingefangenen Elektronen verrin- gert, was zur Folge hat, dass das effektive Feld am negativen Ende des Kristalles reduziert wird.
Die Bildung der positiven Raumladung im Gebiet des negativen Kristallendes bestätigt die Tatsache, dass Kadmiumsulfid ein Halbleiter mit Elektronenüberschuss, also vom Donatortyp, ist.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht die praktische Verwendung von Kadmiumsulfid- Kristallen zur Verbesserung der Messtechnik bei der Anwendung von Röntgenröhren. Die Kristalle können zur Feststellung von Rontgenstrahlen einzeln im Strahlengang des festzustellenden Strahlenbündels angeordnet werden. In dieser Lage kann der Kristall zu sammen mit einer geeigneten Sehaltung der in Fig. 1 angegebenen Art für viele er wünschte Steuerzwecke verwendet werden, beispielsweise zur Konstanthaltung der Inten sität des Röntgenstrahlenbündels auf einem vorgegebenen Wert, indem das Auswertegerät zur direkten oder indirekten Regulierung der Strahlenb ndelintensitÏt verwendet wird.
Der Strahlendetektor kann zur Anzeige des Fl ssigkeitsstandes f r Fl ssigkeit in liehtundureh- lässigen Behältern verwendet werden. Auch kann ein Kristall und die zugehörige Schaltung als Zeitschalter für eine Röntgenappa- ratur ausgebildet werden, wobei nach einer festgesetzten Dauer eine Unterbrechung stafffindet, welche entweder zeitlich oder quanten- mässig gegeben sein kann.
Mehrere Kristalle können jeweils mit ihrer zugehörigen Schaltung einen auf Röntgenstrahlen ansprechenden Schirm für die Durch- leuchtung von Gegenständen auf Fehler oder Unregelmässigkeiten bilden. Dieser Schirm kann aus einer Vielzahl von Kristallen bestehen, die alle mit ihren negativen Enden gegen die festzustellende Röntgenstrahien- quelle gerichtet sind. wobei sieh Geräte mit solchen Sehirmen besonders für die Untel- suehung von verpackten Nahrungsmitteln in bezug auf Fremdkörper eignen.
Da Kadmium sulfid-Kristalle in verhältnismässig geringer Grösse hergestellt, werden können, ist ein feinkörniger Sehirm mit einer Vielzahl von eng aneinander angeordneten Kristallen f r die Feststellung von äusserst kleinen Fremdkörpern, beispielsweise in verpackten Nahrungs- mitteln und andern Produkten verwendbar.
Es ist klar, dass die vorliegende Erfindung in zahlreichen Fällen praktiseh anwend- bar ist, in welehen die FeststellungvonMa- terialmängeln oder von unerwünschten Oh jekten mittels Röntgenstrahlen erfolgt.
PATENTANSPRLTCHE :
I. Mit einem Auswertegerät zusammen- geschalteter Strahlendetektor, dadurch ge- kennzeichnet, dass derselbe mindestens einen Kadmiumsulfid-Kristall aufweist und dass die Veränderlichkeit der elektrischen Leitfähig- keit dieses Kristalles abhängig von der Intensität gewisser auf ihn auftreffender Strah- len zur Steuerung des Auswertegerätes ausgenützt ist.