CH292208A - Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren zu deren Herstellung. - Google Patents

Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren zu deren Herstellung.

Info

Publication number
CH292208A
CH292208A CH292208DA CH292208A CH 292208 A CH292208 A CH 292208A CH 292208D A CH292208D A CH 292208DA CH 292208 A CH292208 A CH 292208A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
titanium oxide
semiconducting
dependent
sep
coating contains
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Limited Steatite And Products
Original Assignee
Steatite & Porcelain Prod Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Steatite & Porcelain Prod Ltd filed Critical Steatite & Porcelain Prod Ltd
Publication of CH292208A publication Critical patent/CH292208A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C04B41/5041Titanium oxide or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87Ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/90Electrical properties
    • C04B2111/94Electrically conducting materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description


  Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren     zu    deren Herstellung.    Die Erfindung bezieht sich auf eine elek  trische Einrichtung mit keramischem Körper,  der auf mindestens einem Teil seiner     Ober-          fläehe    einen halbleitenden Belag aufweist,  sowie auf ein Verfahren zur Herstellung sol  eher     Einrichtungen.     



  Es ist bekannt, auf keramischen Körpern       von    elektrischen Einrichtungen halbleitende       Überzüge    vorzusehen.  



  So werden z. B.     Hochspannungsisolatoren     und     -kondensatoren    üblicherweise mit. solchen       Iiberzügen    versehen, um im Betrieb entste  liende Spannungen in der Nähe der Hoch  spannungsleiter zu zerstreuen, da diese Span  nungen in Abwesenheit solcher Zerstreuungs  mittel zu unerwünschten     Koronaentladungen     und infolgedessen zu Radiostörungen führen.       1;:5    sind auch Widerstände bekannt, die aus  einem nichtleitenden keramischen Körper be  stehen, auf dem sieh ein leitender oder halb  leitender -Überzug befindet, sowie Kontakte  zur Befestigung von Leitungsdrähten oder  dergleichen daran.

   Solche leitenden oder halb  leitenden Überzüge bestehen in der Regel aus  einer Schicht aus Oxyd oder Oxyden mit halb  leitenden Eigenschaften und können eine       Decksehieht    aus Glasur aufweisen oder die       Oxyde    können sich auch in der Glasur selbst  befinden.  



  Die bekannten halbleitenden Glasuren sind  nicht, immer ganz befriedigend, besonders  dann, wenn es notwendig ist, die Leitfähig  keit. innerhalb verhältnismässig engen Grenzen    zu halten. In vielen Fällen war es unmöglich,  die Leitfähigkeit in befriedigender Weise ein  zuhalten, während sie in andern Fällen unter  gewissen Bedingungen im Betrieb abnahm. In  andern Fällen kann die halbleitende Glasur  schwach rauh sein und ist dann schwieriger  sauber zu halten. Ausserdem ist es erforder  lich, den Ausdehnungskoeffizienten einer kera  mischen Glasur innerhalb gewisser Grenzen zu  halten, um das Auftreten mechanischer Span  nungen während des Brennens zu vermeiden,  da     ungünistige    Spannungen an der Oberfläche  eines keramischen Teils (d. h. in der Glasur)  die mechanische Festigkeit desselben besonders  schlecht beeinflussen können.

   Die Einverlei  bung von halbleitenden Stoffen zur Erzielung  des gewünschten Widerstandes kann den Aus  dehnungskoeffizienten verändern, und es ist  oft schwierig, diese Wirkung zu kompensieren,  ohne den Widerstand zu ändern.  



  Es ist ebenfalls bekannt, dass     Titandioxyd,     wenn es unter reduzierenden Bedingungen,  wie sie beim Brennen von Hartporzellan auf  treten, gebrannt wird oder, wenn es in Gegen  wart     gewisser    anderer Oxyde gebrannt wird,  während des Brennens dazu neigt, eine halb  leitende Form anzunehmen, die oft als  blaue        Titanerde    bezeichnet wird.

   Während des     Ab-          kühlens    nach dem Brennen tritt jedoch eine  teilweise oder vollständige Umkehrung in den  nichtleitenden Zustand ein - je nach den Be  dingungen unter denen die     Abkühlung    er  folgt - d. h.     oxydierende        Bedingungen    wäh-      send dem Abkühlen bewirken eine praktisch  vollständige Rückkehr in den nichtleitenden  Zustand.  



       Gegenstand    der vorliegenden Erfindung  ist eine     elektrische    Einrichtung mit einem       keramischen    Körper, der auf mindestens einem  Teil seiner Oberfläche einen halbleitenden Be  lag aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass  dieser Belag halbleitendes blaues     Titanoxyd     enthält.  



  Die Erfindung betrifft ferner ein Ver  fahren zur Herstellung einer solchen ver  besserten elektrischen Einrichtung, welches  dadurch gekennzeichnet ist, dass man minde  stens einen Teil der Oberfläche     eines    nicht  leitenden keramischen Grundkörpers mit einer  Schicht eines     titanoxydhaltigen        Schlickers     überzieht, den Körper unter solchen Bedin  gungen brennt und abkühlt, dass das Titan  oxyd halbleitend wird und diese     Eigenschaft.     beibehält.

      Dabei geht man zweckmässig so vor, dass  man nach dem Aufbringen des     titanoxyd-          haltigen        Schliekers    den Grundkörper mit einer       Glasurmasse    überzieht, die befähigt. ist, bei  einer Temperatur, die höher ist als die Tem  peratur, bei der das     Titanoxyd    halbleitend  wird, praktisch undurchlässig zu werden, wor  auf man den mit dem doppelten     LTberzug     versehenen Körper unter solchen Bedingun  gen brennt, dass das     Titanoxyd    halbleitend  wird und die Glasur entsteht, welche die       'Wiederoxydation    des     Titanoxyds    in seine  nichtleitende Form verhindert.  



  Man kann aber auch so vorgehen, dass  man einen     titanoxydhaltigen        Schlicker    ver  wendet, der auch eine     Glasurmasse    enthält,  welche befähigt ist, bei einer Temperatur, die  höher ist     als    die Temperatur, bei der das       Titanoxyd    in den halbleitenden     Zustand    über  geht, in eine praktisch undurchlässige Form  überzugehen, und dass man den einen einzigen  Überzug aufweisenden Körper unter solchen  Bedingungen brennt, dass das     Titanoxy    d in  die halbleitende Form übergeht und die Glasur  entsteht, welche die Wiederoxydation des       Titanoxyds    verhindert.

      Die Wahl. einer Glasur, die bei der     Bläu-          ungstemperatur    des     Titanoxyds    durchlässig  bleibt, erleichtert das Eindringen der wäh  rend des Brennens im Ofen vorhandenen re  duzierenden Gase, wodurch die     Bläuung    des       Titanoxyds    bewirkt wird. Die nachfolgende  Reifung der Glasur zur Erreichung ihrer un  durchlässigeren Form schützt die darunter  liegenden oder eingebetteten     Tit.anoxydt.eil-          chen    von nachfolgenden     oxy        dativen    Bedin  gungen, welche die Rückverwandlung in die  nichtleitende Form bewirken würden.  



  Ein Zusatz gewisser Oxyde, z. B. des Be  rylliums, Chroms, Kupfers, Kobalts,     Nickels,     Mangans,     Molybdäns,        Wolframs    und     Vana-          dins,    sowie gewisser anderer Substanzen, z. B.       thor-    oder     zirkonsaures        Magnesium,    kann die  Neigung des     Titanoxy        ds,    in seine halbleitende  Form überzugehen,     inhibieren    oder fördern,  wenn die vorherrschenden Bedingungen einen  unerwünschten Grad der Leitfähigkeit, der zu  hoch oder zu gering sein könnte, bewirken  würden.

   Der Zusatz     solcher    Oxyde kann des  halb dazu beitragen, innerhalb gewisser Gren  zen einen     gewünschten    Grad der Leitfähig  keit zu erhalten, was auf andere Weise un  möglich oder praktisch undurchführbar wäre,  z. B. wegen der Ofenatmosphäre, die stark  zur Ausbildung unerwünschter Effekte bei  trägt.

   Es scheint auch, dass die Wirkung min  destens einiger der oben genannten Oxyde von  der     3-Ienge,    in der sie zugesetzt werden, ab  hängt - ein wesentlicher Anteil im Bereich       von        7.0%        des        Titanoxydgehaltes        kann        die     gegenteilige Wirkung haben wie ein Zusatz  von 0,5 -     -')'/o    der gleichen Substanz.

   Es  kann deshalb vorgesehen werden, der     Suspen-          sion        des        Titanoxyds        bis        zu        10%        des        Titan-          oxydgehaltes    eines oder mehrere der genann  ten Oxyde oder Substanzen zuzusetzen, um  die     Innehaltung    einer     gewünsehten    Leitfähig  keit zu unterstützen     und/oder    den ungünstigen  atmosphärischen Bedingungen im Ofen ent  gegenzuwirken.  



  Die Leitfähigkeit. der     Überzugsmischungen     kann auch durch Zugabe anderer Substanzen  zum     Titanoxydschlicker    beträchtlich beein  flusst werden. So kann man z. B.     Verdün..              nungsmittel,    wie Ton, Magnesia., Tonerde,       Ceroxyd,        Siliziumdioxy    d oder     Erdalkalioxyde,     in Mengen von bis zu 20 Teilen Verdünnungs  mittel auf einen Teil     Titanoxyd    zusetzen.       Durch    Veränderung des Verhältnisses von       Titanoxy    d zum Verdünnungsmittel kann man  die Leitfähigkeit in weiten Grenzen beeinflus  sen.

   Das Verdünnungsmittel wird normaler  weise so gewählt, dass der     Wärmeausdehnungs-          koeffizient    ähnlich wird wie derjenige des  keramischen Grundmaterials. Wenn der Kör  per aus Porzellan besteht und das gleiche  Porzellan als Verdünnungsmittel verwendet  wird, hat die gebrannte     Titanoxyd-Porzellan-          sehicht    einen höheren Ausdehnungskoeffizien  ten als die gebrannte Grundlage. Der Ausdeh  nungskoeffizient kann herabgesetzt werden,  indem man die Zusammensetzung des als Ver  dünnungsmittel verwendeten Porzellans modi  fiziert.

   Eine Möglichkeit besteht darin,     Steatit     zuzusetzen, und eine Mischung aus 93 Teilen  Porzellan und 7 Teilen     Steatit    hat sich als  geeignet erwiesen.     Zirkon-Porzellane    (Porzel  lane, in denen die Kieselerde teilweise durch       Zirkonerde    ersetzt ist) oder Porzellane, die       Ceroxyd        enthaften,    haben ebenfalls niedrigere  Ausdehnungskoeffizienten.  



  Tabelle I zeigt     beispielsweise    die Wirkung       (ler    Änderung des Verhältnisses von Titan  oxyd zum Verdünnungsmittel in einer keine  andere Bestandteile enthaltenden     Überzugs-          mischung.    Das Verdünnungsmittel bestand  aus einer 94/6     Porzellan/Saponitmischung    fol  gender nomineller Zusammensetzung         Ton        35%          Kieselerde        36%          Feldspat        23%          Saponit        61/o       Als Probestücke verwendete man Porzellan  stäbe von 1 cm  <RTI  

   ID="0003.0031">   Durchmesser,    welche vor dem  Brennen zehn Sekunden in den     Titanerde    ent  haltenden     Schlicker    und nach dem Trocknen  eine Sekunde in eine     Standard-Transparent-          glasurmasse    eingetaucht wurden. Die Porzel  lanstäbe wurden dann alle in einer     Brenn-          kapsel    im Tunnelofen gebrannt. In der gleichen  Kapsel wurden auch     Kontrollstäbe,    die nur    mit der transparenten Glasur glasiert waren,  gebrannt.

   Die Kontrollstäbe waren nach dem  Brennen weiss und nichtleitend, während die  Probestäbe mit der halbleitenden     Umhüllung     eine blaugraue Farbe     aufwiesen        und    die in  der Tabelle I gezeigten Leitfähigkeiten besa  ssen. Die Leitfähigkeit wurde mittels 4000  Volt     Wechselstromspannung,    die an eine  Länge von 76,2 mm des Stabes angelegt wurde,  bestimmt und die Stäbe zur     Bestimmung     ihrer mechanischen Festigkeit hernach zerbro  chen. Die Bruchbelastung betrug im Mittel  1140     kg/cm2,    wobei kein merklicher Unter  schied     zwischen    den Kontrollstäben und den  jenigen mit halbleitender Umhüllung festzu  stellen war.

    
EMI0003.0046     
  
    <I>Tabelle <SEP> I:</I>
<tb>  Ti0z <SEP> % <SEP> Verdünner <SEP> % <SEP> Oberflächenwiderstand
<tb>  in <SEP> Ohm
<tb>  40 <SEP> 60 <SEP> 2 <SEP> X <SEP> 105
<tb>  36 <SEP> 64 <SEP> 1 <SEP> X <SEP> 106
<tb>  32 <SEP> 68 <SEP> 2 <SEP> X <SEP> 106
<tb>  28 <SEP> 72 <SEP> 5 <SEP> X <SEP> 106
<tb>  24 <SEP> 76 <SEP> 1 <SEP> X <SEP> 107
<tb>  19,5 <SEP> 80,5 <SEP> 5 <SEP> X <SEP> 107
<tb>  13 <SEP> 87 <SEP> 1 <SEP> X <SEP> 109
<tb>  5 <SEP> 95 <SEP> 1 <SEP> X <SEP> <B>1010</B>       Die in Tabelle I aufgezeigte Änderung der  Leitfähigkeit der     überzugsmischungen    ist in       Fig.1    graphisch dargestellt, in welcher der       Titanoxydgehalt    (Ordinate) gegen den Loga  rithmus des Oberflächenwiderstandes (Ab  szisse) aufgetragen ist.  



  Im Gegensatz zur graduellen Wirkung des  Zusatzes eines     Verdünnungsmittels,        zwecks     Änderung des     Oberflächenwiderstandes,    wie  sie in Tabelle I und     Fig.1    zum Ausdruck  kommt, kann der Zusatz anderer     Oxyde    eine  ganz andere Wirkung auf den Widerstand  haben. Dies ergibt sich aus den Daten der  Tabelle     II,    welche die Wirkung des Zusatzes  verschiedener Mengen von Chrom- bzw.

         Wolframoxyd    auf eine     Grundüberzugsmi-          schung        aus        24%        Titanerde        und        76%        einer     93/7     Porzellan-Steatitlnischung    aufzeigt.

       Diese              Grundüberzugsmischung    ergab, obschon sie  praktisch die gleiche war wie diejenige in  Zeile 5 der Tabelle I, andere Resultate, auch  erfolgte das Brennen nicht     gemeinsam,    woraus  sieh die Unterschiede der Widerstandswerte       zwischen    Zeile 5 der Tabelle I und Zeile 1 der  Tabelle     II    erklären lassen. Die in Tabelle<B>11</B>  gezeigte     )V        irkung    der Zusätze ist in     Fig.    ".

    graphisch dargestellt, in welcher der Loga  rithmus des Oberflächenwiderstandes (Ordi  nate) gegen den     Wolframoxyd-        bzw.    Chrom-  oxydgehalt (Abszisse oben) aufgetragen ist         und    welche auch eine Kurve (1.) enthält, die  den verhältnismässig geringeren Effekt zeigt,  welcher durch die entsprechenden Mengen  Verdünnungsmittel an Stelle des Wolfram  oxyds (Kurve 2) bzw. Chromoxyds (Kurve 3)  erzielt worden wäre. Die Abszisse unten gibt  den     Titanoxydgehalt    der Pulvermischung an.  



  Die Abweichung des Anfangspunktes der  Kurve 1 von denjenigen der Kurven 2 und  3 beruht darauf, dass die geprüften     i4lischun-          -,en    nicht im gleichen     Ansatz    hergestellt und  gebrannt wurden.

    
EMI0004.0015     
  
    <I>Tabelle <SEP> II:</I>
<tb>  Grundmischung <SEP> zugesetztes <SEP> Oxyd <SEP> Oberflächenwiderstand
<tb>  in <SEP> % <SEP> der <SEP> in <SEP> % <SEP> der <SEP> in <SEP> Megohm
<tb>  Pulvermischung <SEP> TiO, <SEP> % <SEP> W03 <SEP> ('r,03
<tb>  100 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 6
<tb>  99,76 <SEP> 0.24 <SEP> 1 <SEP> 12 <SEP> 10
<tb>  99,52 <SEP> 0.48 <SEP> 2 <SEP> 40 <SEP> 25
<tb>  99,28 <SEP> 0.72 <SEP> 3 <SEP> 60 <SEP> 40
<tb>  98,8 <SEP> 1.2 <SEP> 5 <SEP> 80 <SEP> 15
<tb>  97,7 <SEP> 2.3 <SEP> 10 <SEP> 170 <SEP> 0.5       Wenn im vorstehenden von der Beein  flussung der Leitfähigkeit die Rede ist, so  heisst das nicht, dass eine genaue     Innebaltung     üblicher Normen leicht erreichbar sei.

   Für die  meisten Zwecke sind Veränderungen der Leit  fähigkeit. im Bereich von 2 zu 1 zwischen dem  Maximum und Minimum zulässig, während  für gewisse Anwendungsgebiete noch grössere  Abweichungen annehmbar sind. Doch ist. sogar  dieser Grad der Beeinflussung sehr schwierig  zu erreichen, da die meisten halbleitenden  Materialien sehr empfindlich gegen auch nur  kleine Veränderungen ihrer     Zusammensetzung     sind, die     Änderungen    in der Leitfähigkeit von  100     zit    1 oder sogar 1.06 zu 1 bewirken kön  nen.

   Für die Zwecke der vorliegenden Erfin  dung ist. es vorteilhaft, die Bedingungen beim  Brennen mindestens so genau zu kontrollie  ren, wie dies bei der Herstellung von erst  klassigem elektrischem Porzellan üblich ist,  um einen befriedigenden Anfall an Artikeln  mit zulässiger Leitfähigkeit zu erreichen und  aufrechtzuerhalten. Die vorgenannten ver-         hältnismässig    kleinen Änderungen der 24j76       Titanerde-Verdünnunfsmittelmisehungen    zei  gen den     Grad    der     Cbereinstimmung,    der nor  malerweise zu erwarten wäre, wenn die     erfor-          derlielie    genaue Kontrolle bei der Herstellung  durchgeführt wird.  



  Es ist selbstverständlich möglich, Überzüge,  deren     Widerstand    ausserhalb der zulässigen  Toleranz fällt, einer     Oxvdations-    oder Reduk  tionsbehandlung     zit    unterwerfen, wobei man  bei genügend hohen Temperaturen arbeiten  sollte, um die Deckglasur     und/oder    die halb  leitende     Sehieht    leicht gasdurchlässig zu ma  chen. Im allgemeinen wird der Widerstand       durch    eine solche Behandlung in reduzieren  der Atmosphäre, wie     Wasserstoff,    herabge  setzt und in oxydierender Atmosphäre, wie  Luft, erhöht.  



  Ein weiterer Vorteil der halbleitenden       Titanoxydglasur    ist ihr     verhältnismässig    nied  riger Temperaturkoeffizient des     elektrischen     Widerstandes. Während derselbe wie bei allen  Halbleitern im Vergleich zu metallischen Lei-           tern    hoch ist,     ist    er doch niedriger als der  jenige der meisten andern Halbleiter.

   So zeig  ten Versuche mit einem Porzellanstab, der mit       einem        26        %        Titanoxyd        enthaltenden        Überzug     versehen war, dass der Widerstand bei einer  Temperaturerhöhung um 60  C auf die Hälfte  sank, während aus der Literatur ersichtlich  ist, dass der Widerstand anderer Halbleiter  schon bei einer Erhöhung der Temperatur um  nur 25  C die Hälfte betragen kann.  



  Ein weiterer Vorteil der halbleitenden       Titanoxydglasur    ist der, dass die Stromstärke  nicht proportional der angelegten Spannung  ist, sondern der Gleichung I = E  entspricht,  wobei I die Stromstärke bei einer angeleg  ten Spannung E ist und der Index     n,    zwischen  wenig mehr als 1 und etwa 2 liegt, normaler  weise jedoch etwa 1,7 beträgt. Dies erhöht  die Stabilisierungsfähigkeit der halbleitenden  Glasur auf langen Isolatoren oder auf Isola  toren, die aus mehreren in Serie geschalteten  Einheiten bestehen.  



  Wenn die halbleitende Schicht als Titan  oxyd enthaltende Umhüllung, die nachher von  einer Glasur bedeckt werden soll,     aufgebracht     wird, ergeben sich andere wesentliche Vor  teile. In diesem Falle ist es in begrenztem       Masse    möglich, die Zusammensetzung der Um  hüllung     zu    verändern, um eine     gewünschte     Leitfähigkeit zu erreichen, ohne die     Eigen-          seliaften    der Deckglasur zu beeinträchtigen.

    Die Deckglasur kann deshalb vom Gesichts  punkt. der Glätte, des Ausdehnungskoeffizien  ten, der Farbe oder andern Eigenschaften,  wie für gewöhnliche Glasuren gewählt werden,  wobei als einziger anderer Faktor die Bil  dungstemperatur     berücksichtigt    werden muss.       Ne    meisten in der keramischen Industrie ver  wendeten     Glasurmassen    sind oder können  leicht so eingestellt werden, dass sie am An  fang des     Brennprozesses,    wenn die Ofenatmo  sphäre nicht oxydierend ist, für die Zwecke  der vorliegenden Erfindung genügend durch  lässig sind.  



  Die Erfindung kann für Hochspannungs  isolatoren und Kondensatoren, ferner für  Widerstände, auf denen sich eine halbleitende         @chieht    befindet, verwendet werden.     Wenn    es,  wie dies bei Widerständen der Fall ist, erfor  derlich ist, eine elektrische Verbindung zwi  schen einem Leiter und dem halbleitenden  Überzug auf der Einrichtung herzustellen,  kann man die Deckglasur, sofern eine solche  vorhanden ist, auf geeignete Weise, z. B.  durch Sandstrahlen oder sonstiges Abschlei  fen, örtlich entfernen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH I: Elektrische Einrichtung mit einem kerami schen Körper, der auf mindestens einem Teil seiner Oberfläche einen halbleitenden Belag aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass dieser Belag halbleitendes blaues Titanoxyd enthält. UNTERANSPRÜCHE: 1. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 101/o des Titanoxydgehaltes Wolframoxyd W03 enthält. 2. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 101/o des Titanoxydgehaltes Chromoxyd Cr203 enthält. 3.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 101/o des Titanoxydgehaltes Berylliumoxyd enthält. 4. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 10%- des Titanoxydgehaltes Kupferoxyd enthält. 5.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 101/o des Titanoxydgehaltes Kobaltoxyd enthält. 6. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 1.011/o des Titanoxydgehaltes Nickeloxyd enthält. 7. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 101/o des Titanoxydgehaltes 112anganoxyd enthält. B.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 10 % des Titanoxy dgehaltes Moly bdä.noxyd enthält. 9.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 10% des Titanoxy dgehaltes Vanadinoxy d enthält. 10. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 10% des Titanoxydgehaltes Magnesiumthorat enthält. 11.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende I'berzug bis zu 1011/o des Titanoxy dgehaltes Magnesiumzirkonat enthält. 12. Einrichtung nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug eine verdünnende Substanz enthält. 13. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der halbleitende Überzug bis zu 20 Teile Verdünnungsmittel auf 1 Teil Titanoxyd enthält. 14. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, da.ss die verdünnende Substanz Ton enthält. 15.
    Einrichtung nach Unteranspruch 1:2, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Magnesia enthält. 1.6. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Tonerde enthält. 1.7. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Siliziumdioxyd enthält. 18. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Erdalkalioxyd enthält. 19. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Feldspat. enthält. 20. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Seifenstein enthält. 21.
    Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Porzellan ist. 22. Einrichtung nach Unteranspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die verdünnende Substanz Steatit. ist. 23. Einrichtung nach Unteransprüchen 21 und 22, dadurch gekennzeichnet, dass die ver dünnende Substanz aus 93 Teilen Porzellan und 7 Teilen Steatit besteht. 24. Einrichtung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der thermische Ausdehnungskoeffizient. des halbleitenden Überzuges mit demjenigen der darunter be findlichen keramischen Grundlage überein stimmt. 25. Einrichtung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die halbleitende Titanoxydschicht mit einer Glasur bedeckt. ist. 26.
    Einrichtung nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die halbleitende Titanoxydschicht ebenfalls Glasur enthält. PATENTANSPRUCH II: Verfahren zur Herstellung einer elektri schen Einrichtung nach Patentanspruch 1, da.. durch gekennzeichnet, dass man mindestens einen Teil der Oberfläche eines nichtleitenden keramischen Grundkörpers mit einer Schicht eines titanoxydhaltigen Schlickers überzieht, den Körper unter solchen Bedingungen brennt und abkühlt, dass das Titanoxyd halbleitend wird und diese Eigenschaft beibehält. <B>UNTERANSPRÜCHE</B> 27.
    Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass man nach dem Aufbringen des titanoxydhaltigen Schlickers den Grundkörper mit einer Glasurmasse über zieht, die befähigt.
    ist, bei einer Temperatur, die höher ist als die Temperatur, bei der das Titanoxyd halbleitend wird, praktisch un durchlässig zu werden, worauf man den mit dem doppelten Überzug versehenen Körper unter solchen Bedingungen brennt, dass das Titan- oxy d halbleitend wird und die Glasur ent steht, welche die Wiederoxydation des Titan oxyds in seine nichtleitende Form verhindert. 28.
    Verfahren nach Patentanspruch 1I, da durch gekennzeichnet, dass der titanoxydhal- tige Schlicker auch eine Glasurmasse enthält, welche befähigt. ist, bei einer Temperatur, die höher ist.
    als die Temperatur, bei der das Titanoxyd in den halbleitenden zustand über geht, in eine praktisch undurchlässige Form überzugehen, und dass man den einen einzigen I'berzug aufweisenden Körper unter solchen Bedin-ungen brennt, dass das Titanoxyd in seine halbleitende Form übergeht und die Glasur entsteht, welche die Wiederoxydation des Titanoxyds verhindert.
CH292208D 1950-09-29 1950-09-29 Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren zu deren Herstellung. CH292208A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH292208T 1950-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH292208A true CH292208A (de) 1953-07-31

Family

ID=4487751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH292208D CH292208A (de) 1950-09-29 1950-09-29 Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren zu deren Herstellung.

Country Status (1)

Country Link
CH (1) CH292208A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0426485A2 (de) * 1989-11-03 1991-05-08 Advanced Ceramics Corporation Pulverbeschichtungszusammensetzungen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0426485A2 (de) * 1989-11-03 1991-05-08 Advanced Ceramics Corporation Pulverbeschichtungszusammensetzungen
EP0426485A3 (en) * 1989-11-03 1991-07-24 Union Carbide Coatings Service Technology Corp. Powder coating compositions

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2703159C2 (de)
DE2852638A1 (de) Verfahren zur herstellung von cermetelektroden fuer gassensoren
DE3232245A1 (de) Verbesserung der fliessfaehigkeit und erhoehung der schuettdichte von hochkapazitiven ventilmetallpulvern
DE60130602T2 (de) Zündkerze
DE2353376C3 (de) Glasurmasse zur Herstellung halbleitender Überzüge auf Porzellanisolatoren
DE2325100C3 (de) Elektrisch isolierendes Erzeugnis aus Porzellan
CH292208A (de) Elektrische Einrichtung mit keramischem Körper und Verfahren zu deren Herstellung.
DE60301463T2 (de) Halbleitendes Glasur-Produkt, Methode zur Herstellung des Glasurproduktes und damit überzogener Isolator
DE2633289A1 (de) Verbesserte elektrische isolatoren
DE3341524C2 (de)
DE1646770A1 (de) Isolierporzellan
DE973643C (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden oder halbleitenden Belaegen auf keramischen Isolierkoerpern
DE2065262C3 (de) Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Glasurmischungen auf Sn/Sb-Basis
DE2411639B1 (de) Keramisches Dielektrikum
DE1771216B1 (de) Verfahren und einrichtung zur herstellung von keramischen tonerde-gusschichten und tonerdekorpern
DE4221786C2 (de) Temperaturfeste Keramik
DE2518672A1 (de) Verfahren zur herstellung halbleitender gegenstaende
DE973780C (de) Elektrischer Isolierkoerper mit hoher Dielektrizitaetskonstante und niedrigem dielektrischen Verlustwinkel
DE887623C (de) Synthetischer Rutil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2152011B2 (de) Verfahren zum Metallisieren von Oberflächen keramischer Körper
DE2046697C3 (de) Verfahren zur Herstellung von mit einer halbleitenden Glasur überzogenen elektrischen Porzellan-Isolatoren
DE961015C (de) Verfahren zur Herstellung von Nadelelektroden fuer Kristalloden unter Anwendung einer elektrischen Hochspannungsentladung
DE1278321B (de) Verfahren zur Herstellung elektrisch halbleitender keramischer Fussbodenfliesen
AT203569B (de) Verfahren zur Herstellung halbleitender Glasuren auf Isolierkörpern
DD281308A7 (de) Keramische werkstoffe fuer ein- und mehrschichtige unter- und anfragen sowie fuer streu- und trennmittel zum sintern von koerpern aus oxidkeramischen werkstoffen