CH213494A - Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. - Google Patents
Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht.Info
- Publication number
- CH213494A CH213494A CH213494DA CH213494A CH 213494 A CH213494 A CH 213494A CH 213494D A CH213494D A CH 213494DA CH 213494 A CH213494 A CH 213494A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- layer
- melting point
- low melting
- barrier
- foil
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE213494X | 1938-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH213494A true CH213494A (de) | 1941-02-15 |
Family
ID=5813517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH213494D CH213494A (de) | 1938-12-12 | 1939-12-07 | Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH213494A (OSRAM) |
| SE (1) | SE108283C1 (OSRAM) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1008415B (de) * | 1952-11-17 | 1957-05-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter |
| DE972128C (de) * | 1951-06-29 | 1959-05-27 | Siemens Ag | Anordnung zur Stromabnahme bei Trockengleichrichtern |
| DE1063276B (de) * | 1957-08-30 | 1959-08-13 | Walter Brandt G M B H | Druckfreier Kontaktstreifen fuer Selen-Gleichrichter |
| DE975319C (de) * | 1947-09-20 | 1961-11-09 | Asea Ab | Trockengleichrichterplatte |
| DE1228002B (de) * | 1961-03-07 | 1966-11-03 | Gerhard Gille Dr Ing | Trockengleichrichter |
-
1939
- 1939-12-07 CH CH213494D patent/CH213494A/de unknown
- 1939-12-09 SE SE626039A patent/SE108283C1/xx unknown
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE975319C (de) * | 1947-09-20 | 1961-11-09 | Asea Ab | Trockengleichrichterplatte |
| DE972128C (de) * | 1951-06-29 | 1959-05-27 | Siemens Ag | Anordnung zur Stromabnahme bei Trockengleichrichtern |
| DE1008415B (de) * | 1952-11-17 | 1957-05-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter |
| DE1063276B (de) * | 1957-08-30 | 1959-08-13 | Walter Brandt G M B H | Druckfreier Kontaktstreifen fuer Selen-Gleichrichter |
| DE1228002B (de) * | 1961-03-07 | 1966-11-03 | Gerhard Gille Dr Ing | Trockengleichrichter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE108283C1 (OSRAM) | 1943-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3644514C2 (OSRAM) | ||
| DE2619312A1 (de) | Halbleiter-heizelement | |
| DE2324780C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE1086350B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters | |
| DE2363120B2 (de) | Sonnenzellenanordnung | |
| DE2050289B2 (de) | Steuerbarer Halbleitergleichrichter | |
| EP0170883B1 (de) | Überbrückungselement | |
| DE1514477C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einer Anzahl von Halbleiterbauelementen | |
| EP3459133A1 (de) | Elektrische energiespeicherzelle mit integrierter überbrückungseinrichtung | |
| DE1236660C2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem plattenfoermigen, im wesentlichen einkristallinen halbleiterkoerper | |
| DE2004776C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2262525B2 (de) | Elektrolysezelle, insbesondere fuer alkalichloridloesungen | |
| DE3413885A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| CH213494A (de) | Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. | |
| DE102018215879A1 (de) | Steckverbindung mit Redundanz sowie Fahrzeug mit einer solchen | |
| DE1279201B (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1034272B (de) | Unipolartransistor-Anordnung | |
| DE1639262A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode | |
| EP0170088B1 (de) | Überbrückungselement | |
| DE2103146A1 (de) | Mittels einer Gate Elektrode Steuer bares Schaltelement | |
| DE69017553T2 (de) | Leitfähige Verbindungsstruktur. | |
| DE1262388B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet | |
| DE1035807B (de) | Feststoff-Bildverstaerker | |
| DE3837920A1 (de) | Halbleiterelement | |
| DE1614653C3 (de) | Halbleiteranordnung hoher Strombelastbarkeit |