CH213494A - Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. - Google Patents

Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht.

Info

Publication number
CH213494A
CH213494A CH213494DA CH213494A CH 213494 A CH213494 A CH 213494A CH 213494D A CH213494D A CH 213494DA CH 213494 A CH213494 A CH 213494A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
layer
melting point
low melting
barrier
foil
Prior art date
Application number
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Gloeilampenfabrieken N Philips
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of CH213494A publication Critical patent/CH213494A/de

Links

Classifications

    • H10W72/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01—Manufacture or treatment
    • H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
CH213494D 1938-12-12 1939-12-07 Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. CH213494A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE213494X 1938-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH213494A true CH213494A (de) 1941-02-15

Family

ID=5813517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH213494D CH213494A (de) 1938-12-12 1939-12-07 Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht.

Country Status (2)

Country Link
CH (1) CH213494A (OSRAM)
SE (1) SE108283C1 (OSRAM)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1008415B (de) * 1952-11-17 1957-05-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter
DE972128C (de) * 1951-06-29 1959-05-27 Siemens Ag Anordnung zur Stromabnahme bei Trockengleichrichtern
DE1063276B (de) * 1957-08-30 1959-08-13 Walter Brandt G M B H Druckfreier Kontaktstreifen fuer Selen-Gleichrichter
DE975319C (de) * 1947-09-20 1961-11-09 Asea Ab Trockengleichrichterplatte
DE1228002B (de) * 1961-03-07 1966-11-03 Gerhard Gille Dr Ing Trockengleichrichter

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE975319C (de) * 1947-09-20 1961-11-09 Asea Ab Trockengleichrichterplatte
DE972128C (de) * 1951-06-29 1959-05-27 Siemens Ag Anordnung zur Stromabnahme bei Trockengleichrichtern
DE1008415B (de) * 1952-11-17 1957-05-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter
DE1063276B (de) * 1957-08-30 1959-08-13 Walter Brandt G M B H Druckfreier Kontaktstreifen fuer Selen-Gleichrichter
DE1228002B (de) * 1961-03-07 1966-11-03 Gerhard Gille Dr Ing Trockengleichrichter

Also Published As

Publication number Publication date
SE108283C1 (OSRAM) 1943-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2324780C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1086350B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2363120B2 (de) Sonnenzellenanordnung
EP0170883B1 (de) Überbrückungselement
DE1514477C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer Anzahl von Halbleiterbauelementen
DE1236660C2 (de) Halbleiteranordnung mit einem plattenfoermigen, im wesentlichen einkristallinen halbleiterkoerper
DE102018215879B4 (de) Steckverbindung mit Redundanz sowie Fahrzeug mit einer solchen
DE1052572B (de) Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor
EP3459133A1 (de) Elektrische energiespeicherzelle mit integrierter überbrückungseinrichtung
DE2004776C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2262525B2 (de) Elektrolysezelle, insbesondere fuer alkalichloridloesungen
DE3413885A1 (de) Halbleitervorrichtung
CH213494A (de) Sperrschichtzelle, bei der eine der Elektroden aus einer Schicht eines Materials mit niedrigem Schmelzpunkt besteht.
DE1279201B (de) Halbleiteranordnung
DE1034272B (de) Unipolartransistor-Anordnung
DE1639262A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode
EP0170088B1 (de) Überbrückungselement
DE2103146A1 (de) Mittels einer Gate Elektrode Steuer bares Schaltelement
DE1262388B (de) Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet
DE1035807B (de) Feststoff-Bildverstaerker
DE3837920A1 (de) Halbleiterelement
DE1614653C3 (de) Halbleiteranordnung hoher Strombelastbarkeit
DE2332574A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung
DE2606885A1 (de) Halbleiterbauteil