CA2258118C - Dispositif de pompage par getter non evaporable et procede de mise en oeuvre de ce getter - Google Patents
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Abstract
Dispositif de pompage par getter non évaporable pour créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, caractérisé en ce qu'il comprend une couche mince de getter non évaporable déposée sur au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte.
Description
CA 022~8118 1998-12-11 W O 97/49109 PCT~EP97/03180 Dispositif de PomPaqe Par qetter non ~vaporable et proc~dé
de mise en oeuvre de ce ~etter.
La présente invention concerne des perfectionnements apportés au pompage par getter non évaporable (NEG) pour créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relacher du gaz à sa surface.
Dans un système métallique etuvable dans lequel doit etre réalisé un vide très poussé (c'est-à-dire un vide d'au moins 10-1~ Torr, voire d'un ordre de grandeur de 10-l3 à 10-14 Torr), les parois métalliques de l'enceinte à vide consti-tuent une source inépuisable de gaz. L'hydrogène contenu dans le métal de construction (par exemple acier inoxydable, cuivre, alliage d'aluminium) diffuse librement dans l'epais-seur du métal et est relaché à la surface définissant l'enceinte. De meme, lorsque les parois de la chambre à vide sont bombardées par des particules (rayonnement de synchro-ton, électrons ou ions) -comme c'est la cas dans les accélérateurs de particules-, il en résulte l'expulsion aussi d'espèces moléculaires plus lourdes, telles que C0, C02, CH4, produites en surface après dissociation d'hydrocar-bures, carbures et oxydes.
Le niveau de vide obtenu dans l'enceinte est donc défini par l'équilibre dynamique entre le dégazage à la surface définissant l'enceinte et la vitesse de pompage des pompes utilisées. L'obtention d'un vide élevé implique à la fois une grande propreté de la surface de l'enceinte réduisant l'émission de gaz et une vitesse de pompage élevée. Pour les systèmes à vide des accélérateurs de particules dont les chambres sont généralement de petite section, les pompes doivent être rapprochées les unes des autres ou bien il faut mettre en oeuvre un pompage continu, afin de surmonter la limitation de conductance.
Dans ces conditions, pour parvenir a obtenir un vide aussi poussé que possible, il est connu de compléter le vide produit par des pompes mécaniques en effectuant un pompage . ...
complémentaire à l'aide d'un getter disposé dans l'enceinte:
ce matériau est capable de produlre des composés chimique-ment stables par réaction avec les gaz présents dans une enceinte à vide (notamment H2, ~2~ CO, C02, N2) et cette réaction donne lieu a la disparition des espèces moléculai-res concernées, ce qui correspond à un effet de pompage.
Pour que la réaction chimique souhaitée puisse effectivement se produire, il est nécessaire que la surface du getter soit propre, c'est-à-dire exempte de toute couche de passivation formée lors de l'exposition du getter à l'air ambiant. Cette couche de passivation peut notamment être éliminée en diffusant les gaz de surface (~2 principalement) à l'intérieur du getter par chauffage (processus d'activa-tion du getter qui est alors dénommé getter non évaporable:
NEG). Les getters non évaporables présentent l'avantage de pouvoir etre réalisés sous forme d'un ruban que l'on peut alors mettre en place tout le long de l'enceinte à vide de ~ sorte qu'il en résulte un effet de pompage distribué.
Toutefois, quel que soit le processus de pompage mis en oeuvre, et malgré l'efficacité du pompage réparti que permet d'effectuer la mise en oeuvre d'un getter non évaporable, le niveau de vide susceptible d'etre obtenu dans ~ c~nte reste défini par l'équilibre dynamique entre la vitesse de pompage (guels gue soient les moyens mis en oeuvre) et la vitesse de dégazage de la surface métalligue de 1' PnCP~ nte (guelle gu'en soit la cause) ; autrement dit pour une vitesse de pompage donnée, le niveau de vide reste tributaire du taux de degazage dans 1'~ ~ ~
~EUILLE MODIFIE
. . . _ ., . ... ~ , , .
CA 022~8118 1998-12-11 , .. ..
.. '' ' ;" -'' 2a Le document EP-A-0 426 277 décrit un agencement d'enceinte sous vide pour un accélérateur de particules, dans laquelle la surface intérieure de la paroi est recou-verte d'une couche de matériau getter.
Toutefois, lorsque l'enceinte est constituée d'une feuille métallique mise en forme par cintrage, roulage, pliage,..., la couche de matériau getter est déposée sur la feuille métallique plane, avant la mise en forme de celle-ci : au cours de cette opération de mise en forme de la feuille métallique, la couche de getter risque alors fort d'etre endommagée, voire arrachée localement.
De meme, lorsque l'enceinte est définie par plu-sieurs pièces assemblées (par exemple boulonnées), le matériau getter est déposé sur chaque pièce individuellement avant que celles-ci soient assemblées. Dans ce cas, seules les pièces les plus grandes sont traitées, tandis que les petites pièces ne le sont pas ; en outre, là encore la couche de getter risque fort d'etre endommagée au cours du processus d'assemblage ; en définitive, la couche de getter ne recouvre pas de façon uniforme toute la surface interne de l'enceinte.
Enfin, compte tenu du fait que seule une face de la feuille métallique ou des pièces individuelles est revetue de matériau getter, il n'est pas possible que la couche soit formée par mise en oeuvre d'un processus de dépot sous vide (par exemple pulvérisation cathodique), seul apte à conduire à la formation d'une couche mince. Par conséquent, étant déposé par mise en oeuvre d'une autre technique, la couche de getter est une couche épaisse. De ce fait, l'efficacité
de cette couche de getter est médiocre.
Le document DE-A1-38 14 389 décrit un procédé pour abaisser la densité gazeuse résiduelle dans une enceinte à
vide élevé. A cet effet un matériau getter est activé par une décharge plasma ; la surface obtenue est alors libérée de son oxygène et présente un faible dégazage sous irradia-tion. Toutefois, le carbone n'a aucune action getter sur les FEUILLE MODIFIEE
. _ , .,.. .. ,~ . . _ CA 022~8118 1998-12-11 . . ' . '' , .. ..
2b substances H2, CO, CO2 qui sont les gaz résiduels présents dans un système à ultravide une fois l'eau éliminée.
Dans ces conditions, le getter mis en oeuvre dans ce procédé connu n'est pas réactivable par simple chauffage sous vide : il ne s'agit pas d'un getter non évaporable. De plus, pour autant même que le corps mentionné puisse être qualifié de getter, il n'est certes pas apte à procurer une action getter dans une enceinte métallique à ultravide telle que l'enceinte d'un accélérateur de particules.
L'invention a donc pour but de proposer une solution perfectionnée qui permette de résoudre ce problème et qui, en raison du taux de dégazage se produisant dans l'enceinte, accroisse notablement l'efficacité des moyens de pompage mis en oeuvre et conduise à une amélioration de plusieurs ordres de grandeurs du niveau de vide susceptible d'être créé dans l'enceinte.
FEUILLE ~AOOIFIEE
CA 022~8118 1998-12-11 WO97/49109 PCT~7/03180 tion que au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte soit recouverte d'une couche mince de getter non évaporable déposée sous vide, not~ -nt par pulvérisation cathodique.
Cette couche de getter constitue un écran qui inhibe le dégazage du métal de la paroi de l'enceinte, sans en produire à son tour. En outre, dans les chambres des accélérateurs de particules, c'est cette couche qui subit les impacts des particules en mouvement et qui, formant écran, empêche la libération d'espèces moléculaires suscep-tible de polluer le vide dans l'enceinte. Il en résulte que, par ce moyen, on empeche, au moins dans une grande mesure, le dégazage, quelle qu'en soit la cause, dans l'enceinte.
De plus, un getter mis en oeuvre sous la forme d'une telle couche conserve l'avantage d'un pompage réparti de fac,on uniforme et est moins susceptible qu'un dépot par poudre pressée de relacher des particules solides dont l'effet peut etre néfaste pour certaines applications.
Enfin, une couche de getter conforme à l'invention n'occupe aucun espace sensible, et offre l'avantage de procurer un effet de pompage sous un encombrement nul, ce qui permet sa mise en oeuvre meme dans des cas où les contraintes géométriques interdiraient l'emploi d'un getter sous forme de ruban. De m~me, dans les machines à électrons, la conception de la chambre à vide pourrait etre grandement simplifiée par l'élimination du canal latéral de pompage devenu inutile.
Pour que l'efficacité du getter en couche mince puisse conduire à l'effet de pompage optimum recherché, le matériau utilisé posséde certaines caractéristiques isolées ou combinées en tout ou partie.
~ Le matériau doit bien entendu posséder un grand pouvoir d'adsorption pour les gaz chimiquement réactifs présents dans l'enceinte malgré l'effet de barrière procuré
par la couche mince.
Le matériau doit posséder également un grand pouvoir .
CA 022~8118 1998-12-11 WO97149109 PCT~P97/03180 d'absorption et une grande diffusivité pour l'hydrogène, avec capacité à former une phase hydrure. Il doit, en outre, présenter une pression de dissociation de la phase hydrure inférieure à l0-13 Torr à environ 20~C.
Le matériau doit egalement posséder une température d'activation aussi basse que possible, compatible avec les températures d'étuvage des systèmes à vide (environ 400~C
pour les chambres en acier inoxydable, 200-250~C pour les chambres en cuivre et alliage d'aliminium) et compatible avec la stabilité du matériau à l'air, à environ 20~C ; dans ces conditions, d'une facon générale la température d'acti-vation doit etre au plus égale à 400~C.
Le matériau doit enfin posséder une grande solubi-lité, supérieure à 2 %, pour l'oxygène afin de permettre l'absorption de la quantité d'oxygène pompée en surface lors d'un grand nombre de cycles d'activation et d'exposition à
l'air. Par exemple, avec une couche de getter non évaporable de l ~m d'épaisseur et une épaisseur de 20A d'oxyde formé en surface à chaque exposition, une concentration d'oxygène de
de mise en oeuvre de ce ~etter.
La présente invention concerne des perfectionnements apportés au pompage par getter non évaporable (NEG) pour créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relacher du gaz à sa surface.
Dans un système métallique etuvable dans lequel doit etre réalisé un vide très poussé (c'est-à-dire un vide d'au moins 10-1~ Torr, voire d'un ordre de grandeur de 10-l3 à 10-14 Torr), les parois métalliques de l'enceinte à vide consti-tuent une source inépuisable de gaz. L'hydrogène contenu dans le métal de construction (par exemple acier inoxydable, cuivre, alliage d'aluminium) diffuse librement dans l'epais-seur du métal et est relaché à la surface définissant l'enceinte. De meme, lorsque les parois de la chambre à vide sont bombardées par des particules (rayonnement de synchro-ton, électrons ou ions) -comme c'est la cas dans les accélérateurs de particules-, il en résulte l'expulsion aussi d'espèces moléculaires plus lourdes, telles que C0, C02, CH4, produites en surface après dissociation d'hydrocar-bures, carbures et oxydes.
Le niveau de vide obtenu dans l'enceinte est donc défini par l'équilibre dynamique entre le dégazage à la surface définissant l'enceinte et la vitesse de pompage des pompes utilisées. L'obtention d'un vide élevé implique à la fois une grande propreté de la surface de l'enceinte réduisant l'émission de gaz et une vitesse de pompage élevée. Pour les systèmes à vide des accélérateurs de particules dont les chambres sont généralement de petite section, les pompes doivent être rapprochées les unes des autres ou bien il faut mettre en oeuvre un pompage continu, afin de surmonter la limitation de conductance.
Dans ces conditions, pour parvenir a obtenir un vide aussi poussé que possible, il est connu de compléter le vide produit par des pompes mécaniques en effectuant un pompage . ...
complémentaire à l'aide d'un getter disposé dans l'enceinte:
ce matériau est capable de produlre des composés chimique-ment stables par réaction avec les gaz présents dans une enceinte à vide (notamment H2, ~2~ CO, C02, N2) et cette réaction donne lieu a la disparition des espèces moléculai-res concernées, ce qui correspond à un effet de pompage.
Pour que la réaction chimique souhaitée puisse effectivement se produire, il est nécessaire que la surface du getter soit propre, c'est-à-dire exempte de toute couche de passivation formée lors de l'exposition du getter à l'air ambiant. Cette couche de passivation peut notamment être éliminée en diffusant les gaz de surface (~2 principalement) à l'intérieur du getter par chauffage (processus d'activa-tion du getter qui est alors dénommé getter non évaporable:
NEG). Les getters non évaporables présentent l'avantage de pouvoir etre réalisés sous forme d'un ruban que l'on peut alors mettre en place tout le long de l'enceinte à vide de ~ sorte qu'il en résulte un effet de pompage distribué.
Toutefois, quel que soit le processus de pompage mis en oeuvre, et malgré l'efficacité du pompage réparti que permet d'effectuer la mise en oeuvre d'un getter non évaporable, le niveau de vide susceptible d'etre obtenu dans ~ c~nte reste défini par l'équilibre dynamique entre la vitesse de pompage (guels gue soient les moyens mis en oeuvre) et la vitesse de dégazage de la surface métalligue de 1' PnCP~ nte (guelle gu'en soit la cause) ; autrement dit pour une vitesse de pompage donnée, le niveau de vide reste tributaire du taux de degazage dans 1'~ ~ ~
~EUILLE MODIFIE
. . . _ ., . ... ~ , , .
CA 022~8118 1998-12-11 , .. ..
.. '' ' ;" -'' 2a Le document EP-A-0 426 277 décrit un agencement d'enceinte sous vide pour un accélérateur de particules, dans laquelle la surface intérieure de la paroi est recou-verte d'une couche de matériau getter.
Toutefois, lorsque l'enceinte est constituée d'une feuille métallique mise en forme par cintrage, roulage, pliage,..., la couche de matériau getter est déposée sur la feuille métallique plane, avant la mise en forme de celle-ci : au cours de cette opération de mise en forme de la feuille métallique, la couche de getter risque alors fort d'etre endommagée, voire arrachée localement.
De meme, lorsque l'enceinte est définie par plu-sieurs pièces assemblées (par exemple boulonnées), le matériau getter est déposé sur chaque pièce individuellement avant que celles-ci soient assemblées. Dans ce cas, seules les pièces les plus grandes sont traitées, tandis que les petites pièces ne le sont pas ; en outre, là encore la couche de getter risque fort d'etre endommagée au cours du processus d'assemblage ; en définitive, la couche de getter ne recouvre pas de façon uniforme toute la surface interne de l'enceinte.
Enfin, compte tenu du fait que seule une face de la feuille métallique ou des pièces individuelles est revetue de matériau getter, il n'est pas possible que la couche soit formée par mise en oeuvre d'un processus de dépot sous vide (par exemple pulvérisation cathodique), seul apte à conduire à la formation d'une couche mince. Par conséquent, étant déposé par mise en oeuvre d'une autre technique, la couche de getter est une couche épaisse. De ce fait, l'efficacité
de cette couche de getter est médiocre.
Le document DE-A1-38 14 389 décrit un procédé pour abaisser la densité gazeuse résiduelle dans une enceinte à
vide élevé. A cet effet un matériau getter est activé par une décharge plasma ; la surface obtenue est alors libérée de son oxygène et présente un faible dégazage sous irradia-tion. Toutefois, le carbone n'a aucune action getter sur les FEUILLE MODIFIEE
. _ , .,.. .. ,~ . . _ CA 022~8118 1998-12-11 . . ' . '' , .. ..
2b substances H2, CO, CO2 qui sont les gaz résiduels présents dans un système à ultravide une fois l'eau éliminée.
Dans ces conditions, le getter mis en oeuvre dans ce procédé connu n'est pas réactivable par simple chauffage sous vide : il ne s'agit pas d'un getter non évaporable. De plus, pour autant même que le corps mentionné puisse être qualifié de getter, il n'est certes pas apte à procurer une action getter dans une enceinte métallique à ultravide telle que l'enceinte d'un accélérateur de particules.
L'invention a donc pour but de proposer une solution perfectionnée qui permette de résoudre ce problème et qui, en raison du taux de dégazage se produisant dans l'enceinte, accroisse notablement l'efficacité des moyens de pompage mis en oeuvre et conduise à une amélioration de plusieurs ordres de grandeurs du niveau de vide susceptible d'être créé dans l'enceinte.
FEUILLE ~AOOIFIEE
CA 022~8118 1998-12-11 WO97/49109 PCT~7/03180 tion que au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte soit recouverte d'une couche mince de getter non évaporable déposée sous vide, not~ -nt par pulvérisation cathodique.
Cette couche de getter constitue un écran qui inhibe le dégazage du métal de la paroi de l'enceinte, sans en produire à son tour. En outre, dans les chambres des accélérateurs de particules, c'est cette couche qui subit les impacts des particules en mouvement et qui, formant écran, empêche la libération d'espèces moléculaires suscep-tible de polluer le vide dans l'enceinte. Il en résulte que, par ce moyen, on empeche, au moins dans une grande mesure, le dégazage, quelle qu'en soit la cause, dans l'enceinte.
De plus, un getter mis en oeuvre sous la forme d'une telle couche conserve l'avantage d'un pompage réparti de fac,on uniforme et est moins susceptible qu'un dépot par poudre pressée de relacher des particules solides dont l'effet peut etre néfaste pour certaines applications.
Enfin, une couche de getter conforme à l'invention n'occupe aucun espace sensible, et offre l'avantage de procurer un effet de pompage sous un encombrement nul, ce qui permet sa mise en oeuvre meme dans des cas où les contraintes géométriques interdiraient l'emploi d'un getter sous forme de ruban. De m~me, dans les machines à électrons, la conception de la chambre à vide pourrait etre grandement simplifiée par l'élimination du canal latéral de pompage devenu inutile.
Pour que l'efficacité du getter en couche mince puisse conduire à l'effet de pompage optimum recherché, le matériau utilisé posséde certaines caractéristiques isolées ou combinées en tout ou partie.
~ Le matériau doit bien entendu posséder un grand pouvoir d'adsorption pour les gaz chimiquement réactifs présents dans l'enceinte malgré l'effet de barrière procuré
par la couche mince.
Le matériau doit posséder également un grand pouvoir .
CA 022~8118 1998-12-11 WO97149109 PCT~P97/03180 d'absorption et une grande diffusivité pour l'hydrogène, avec capacité à former une phase hydrure. Il doit, en outre, présenter une pression de dissociation de la phase hydrure inférieure à l0-13 Torr à environ 20~C.
Le matériau doit egalement posséder une température d'activation aussi basse que possible, compatible avec les températures d'étuvage des systèmes à vide (environ 400~C
pour les chambres en acier inoxydable, 200-250~C pour les chambres en cuivre et alliage d'aliminium) et compatible avec la stabilité du matériau à l'air, à environ 20~C ; dans ces conditions, d'une facon générale la température d'acti-vation doit etre au plus égale à 400~C.
Le matériau doit enfin posséder une grande solubi-lité, supérieure à 2 %, pour l'oxygène afin de permettre l'absorption de la quantité d'oxygène pompée en surface lors d'un grand nombre de cycles d'activation et d'exposition à
l'air. Par exemple, avec une couche de getter non évaporable de l ~m d'épaisseur et une épaisseur de 20A d'oxyde formé en surface à chaque exposition, une concentration d'oxygène de
2 % dans le getter serait atteinte après environ l0 cycles, sans compter les autres gaz pompés pendant l'opération sous vide ; des couches plus épaisses pourraient etre envisagées, mais elles seraient plus longues à déposer et leur adhésion pourrait devenir moins bonne.
En définitive, le titane et/ou le zirconium et/ou le hafnium et/ou le vanadium et le scandium qui présentent une limite de solubilité,pour l'oxygène,à la température ambian-te, supérieure à 2 % peuvent constituer des getter non éva-porables appropriés pour constituer un revetement en couche mince dans le cadre de l'invention. On notera que le titane, le zirconium et le hafnium ont une solubilité pour l'oxygène voisine de 20 %, tandis que le vanadium et le scandium présentent une grande diffusivité pour les gaz. On peut bien entendu retenir également, isolément ou en association avec au moins un des corps précités, tout alliage comprenant au moins un des corps, de manière à combiner les effets CA 022~8118 1998-12-11 W O97t49109 PCTAEP97/03180 obtenus, voire à obtenir des effets nouveaux ne résultant pas directement du cumul des effets individuels.
A titre d'exemple, le titane est activable à 400~C, le zirconium à 300~C et l'alliage Ti 50 % - Zr 50 % à 250~C.
Une activation à ces températures pendant deux heures réduit de quatre ordres de grandeur le taux de désorption induit par un bombardement d'électrons d'une énergie de 500 eV et produit des vitesses de pompage pour CO et C~2 de l'ordre de 1 ls-l par cm2 de surface.
Il faut ajouter comme avantage supplémentaire que la mise en oeuvre d'un getter sous forme d'une couche mince adhérant à un substrat métallique fait jouer à ce dernier le rôle de stabilisateur thermique apte a limiter la tempéra-ture dans la couche mince. Cette disposition est très avantageuse car elle permet d'utiliser, en tant que getter, des matériaux à pyrophoricité élevée sans qu'il se pose de problèmes de sécurité en raison de l'effet de stabilisation conféré par le substrat dont la capacité thermique est grande par rapport à la chaleur de combustion de la couche mince de getter.
On peut enfin noter que l'utilisation d'un getter non évaporable sous forme de couche mince offre la possibi-lité de créer des matériaux thermodynamiquement instables, ce qui élargit le domaine du choix du matériau optimum en tant que getter. Cette possibilité peut être exploitée de fa~on simple en mettant en oeuvre une technique de pulvéri-sation cathodique simultanée de plusieurs corps, à l'aide d'une cathode composite dont il est question plus loin.
Selon un second de ses aspects, l'invention propose un procédé pour la mise en oeuvre d'un getter non évaporable afin de créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, lequel procédé comprend les étapes qui suivent :
a) on nettoie l'enceinte , on introduit le dispositif de dépôt en couche mince à l'intérieur de l'enceinte ; on crée un vide relatif dans l'enceinte ; on effectue un CA 022~8118 1998-12-11 étuvage de l'enceinte afin d'évacuer la plus grande partie possible de la vapeur d'eau ; puis on effectue le dépôt du getter en une couche mince sur au moins la plus grande partie de la surface de la paroi définissant l'enceinte ;
b) on rétablit la pression atmosphérique dans l'enceinte ;
et on extrait le dispositif de dépot hors de l'enceinte;
c) on assemble l'enceinte revetue intérieurement de la couche mince de getter au sein de l'installation qu'elle doit équiper ; on crée un vide relatif ; on réalise un étuvage de l'installation à la température voulue tout en maintenant l'enceinte à une température inférieure à la température d'activation du getter ;
d) on arrete l'étuvage de l'installation et simultanément on élève la température de l'enceinte jusqu'à la température d'activation du getter que l'on maintient pendant une durée prédéterminée (par exemple l à 2 heures) ; et enfin on ramène la température de l'enceinte à la température ambiante.
A la fin de cette procédure, la surface de la couche mince de getter est propre et son dégazage thermique ou induit par bombardement de particules (ions, électrons, ou lumière de synchrotron) est fortement réduit. En meme temps apparalt un phénomène de pompage moléculaire du à la réaction chimique, sur la surface de la couche de getter, des gaz présents dans l'enceinte.
Pour effectuer le dépôt du getter en couche mince sur la surface de la paroi de l'enceinte, on peut certes avoir recours à un processus d'évaporation sous vide ;
toutefois un tel processus semble difficile à contrôler de façon efficace pour constituer une couche uniforme et homogene en particulier lors du dépot simultané de plusieurs corps, et il semble en pratique plus avantageux d'avoir recours à un processus de pulvérisation cathodique qui autorise un controle beaucoup efficace des conditions de formation de la couche mince.
CA 022~8118 1998-12-11 W 097/49109 PCT~EP97/03180 De plus, un processus de pulvérisation cathodique permet de déposer simultanément plusieurs matériaux pour former un getter de type alliage combinant des matériaux ayant des caractéristiques optimales différentes dont on recherche le cumul, comme indiqué plus haut. Pour ce faire, on constitue une cathode, destinée à être disposée centrale-ment dans l'enceinte, qui peut être constituée par une torsade de plusieurs (par exemple deux ou trois) fils métalliques des matériaux respectifs de l'alliage que l'on souhaite former. Le recours à une cathode composite ainsi constituée permet le dépôt simultané de plusieurs métaux et donc de créer artificiellement un alliage de matériaux thermodynamiquement instables qu'il ne serait pas possible d'obtenir par d'autres voies traditionnelles.
lS Les moyens proposés par l'invention offrent la possibilité inégalée de produire des vides poussés de 10-1~
à 10-l4 Torr pour des applications de laboratoire, pour l'isolation thermique et/ou phonique et pour les systèmes d'analyse de surface, surtout lorsqu'ils sont utilisés pour des matériaux réactifs. Toutefois, il faut noter que la mise en oeuvre de l'invention dans des systèmes à vide souvent exposés à l'atmosphère ou opérant sous des vides peu poussés conduirait très rapidement à la saturation de la surface du getter en couche mince et que les avantages mentionnes plus haut ne pourraient pas etre atteints.
Plus spécifiquement, un domaine d'application particulièrement intéressant de l'invention est constitué
par l'obtention et l'entretien sur une longue durée de temps d'un vide poussé dans les accélérateurs/accumulateurs de particules dont la période de conditionnement par circula-tion de faisceau de particules serait alors effacée et dans lesquels les problèmes d'instabilité du vide seraient éliminés.
~ .. . . .
En définitive, le titane et/ou le zirconium et/ou le hafnium et/ou le vanadium et le scandium qui présentent une limite de solubilité,pour l'oxygène,à la température ambian-te, supérieure à 2 % peuvent constituer des getter non éva-porables appropriés pour constituer un revetement en couche mince dans le cadre de l'invention. On notera que le titane, le zirconium et le hafnium ont une solubilité pour l'oxygène voisine de 20 %, tandis que le vanadium et le scandium présentent une grande diffusivité pour les gaz. On peut bien entendu retenir également, isolément ou en association avec au moins un des corps précités, tout alliage comprenant au moins un des corps, de manière à combiner les effets CA 022~8118 1998-12-11 W O97t49109 PCTAEP97/03180 obtenus, voire à obtenir des effets nouveaux ne résultant pas directement du cumul des effets individuels.
A titre d'exemple, le titane est activable à 400~C, le zirconium à 300~C et l'alliage Ti 50 % - Zr 50 % à 250~C.
Une activation à ces températures pendant deux heures réduit de quatre ordres de grandeur le taux de désorption induit par un bombardement d'électrons d'une énergie de 500 eV et produit des vitesses de pompage pour CO et C~2 de l'ordre de 1 ls-l par cm2 de surface.
Il faut ajouter comme avantage supplémentaire que la mise en oeuvre d'un getter sous forme d'une couche mince adhérant à un substrat métallique fait jouer à ce dernier le rôle de stabilisateur thermique apte a limiter la tempéra-ture dans la couche mince. Cette disposition est très avantageuse car elle permet d'utiliser, en tant que getter, des matériaux à pyrophoricité élevée sans qu'il se pose de problèmes de sécurité en raison de l'effet de stabilisation conféré par le substrat dont la capacité thermique est grande par rapport à la chaleur de combustion de la couche mince de getter.
On peut enfin noter que l'utilisation d'un getter non évaporable sous forme de couche mince offre la possibi-lité de créer des matériaux thermodynamiquement instables, ce qui élargit le domaine du choix du matériau optimum en tant que getter. Cette possibilité peut être exploitée de fa~on simple en mettant en oeuvre une technique de pulvéri-sation cathodique simultanée de plusieurs corps, à l'aide d'une cathode composite dont il est question plus loin.
Selon un second de ses aspects, l'invention propose un procédé pour la mise en oeuvre d'un getter non évaporable afin de créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, lequel procédé comprend les étapes qui suivent :
a) on nettoie l'enceinte , on introduit le dispositif de dépôt en couche mince à l'intérieur de l'enceinte ; on crée un vide relatif dans l'enceinte ; on effectue un CA 022~8118 1998-12-11 étuvage de l'enceinte afin d'évacuer la plus grande partie possible de la vapeur d'eau ; puis on effectue le dépôt du getter en une couche mince sur au moins la plus grande partie de la surface de la paroi définissant l'enceinte ;
b) on rétablit la pression atmosphérique dans l'enceinte ;
et on extrait le dispositif de dépot hors de l'enceinte;
c) on assemble l'enceinte revetue intérieurement de la couche mince de getter au sein de l'installation qu'elle doit équiper ; on crée un vide relatif ; on réalise un étuvage de l'installation à la température voulue tout en maintenant l'enceinte à une température inférieure à la température d'activation du getter ;
d) on arrete l'étuvage de l'installation et simultanément on élève la température de l'enceinte jusqu'à la température d'activation du getter que l'on maintient pendant une durée prédéterminée (par exemple l à 2 heures) ; et enfin on ramène la température de l'enceinte à la température ambiante.
A la fin de cette procédure, la surface de la couche mince de getter est propre et son dégazage thermique ou induit par bombardement de particules (ions, électrons, ou lumière de synchrotron) est fortement réduit. En meme temps apparalt un phénomène de pompage moléculaire du à la réaction chimique, sur la surface de la couche de getter, des gaz présents dans l'enceinte.
Pour effectuer le dépôt du getter en couche mince sur la surface de la paroi de l'enceinte, on peut certes avoir recours à un processus d'évaporation sous vide ;
toutefois un tel processus semble difficile à contrôler de façon efficace pour constituer une couche uniforme et homogene en particulier lors du dépot simultané de plusieurs corps, et il semble en pratique plus avantageux d'avoir recours à un processus de pulvérisation cathodique qui autorise un controle beaucoup efficace des conditions de formation de la couche mince.
CA 022~8118 1998-12-11 W 097/49109 PCT~EP97/03180 De plus, un processus de pulvérisation cathodique permet de déposer simultanément plusieurs matériaux pour former un getter de type alliage combinant des matériaux ayant des caractéristiques optimales différentes dont on recherche le cumul, comme indiqué plus haut. Pour ce faire, on constitue une cathode, destinée à être disposée centrale-ment dans l'enceinte, qui peut être constituée par une torsade de plusieurs (par exemple deux ou trois) fils métalliques des matériaux respectifs de l'alliage que l'on souhaite former. Le recours à une cathode composite ainsi constituée permet le dépôt simultané de plusieurs métaux et donc de créer artificiellement un alliage de matériaux thermodynamiquement instables qu'il ne serait pas possible d'obtenir par d'autres voies traditionnelles.
lS Les moyens proposés par l'invention offrent la possibilité inégalée de produire des vides poussés de 10-1~
à 10-l4 Torr pour des applications de laboratoire, pour l'isolation thermique et/ou phonique et pour les systèmes d'analyse de surface, surtout lorsqu'ils sont utilisés pour des matériaux réactifs. Toutefois, il faut noter que la mise en oeuvre de l'invention dans des systèmes à vide souvent exposés à l'atmosphère ou opérant sous des vides peu poussés conduirait très rapidement à la saturation de la surface du getter en couche mince et que les avantages mentionnes plus haut ne pourraient pas etre atteints.
Plus spécifiquement, un domaine d'application particulièrement intéressant de l'invention est constitué
par l'obtention et l'entretien sur une longue durée de temps d'un vide poussé dans les accélérateurs/accumulateurs de particules dont la période de conditionnement par circula-tion de faisceau de particules serait alors effacée et dans lesquels les problèmes d'instabilité du vide seraient éliminés.
~ .. . . .
Claims (6)
1. Dispositif de pompage par getter non évaporable pour créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, caractérisé en ce qu'au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte est recouverte d'une couche mince de getter non évaporable déposée sous vide, notamment par pulvérisation cathodique.
2. Dispositif de pompage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le getter non évaporable possède :
- un grand pouvoir d'adsorption pour les gaz présents dans l'enceinte, et/ou - une grande solubilité pour l'oxygène d'au moins 2 %, et/ou - un grand pouvoir d'absorption et une grande diffusivité
pour l'hydrogène, et/ou - une capacité à former une phase hydrure, et/ou - une pression de dissociation de la phase hydrure qui est inférieure à 10-13 Torr à environ 20°C, et/ou - une température d'activation au plus égale à 400°C et aussi basse que possible en compatibilité avec sa stabilité à l'air à environ 20°C.
- un grand pouvoir d'adsorption pour les gaz présents dans l'enceinte, et/ou - une grande solubilité pour l'oxygène d'au moins 2 %, et/ou - un grand pouvoir d'absorption et une grande diffusivité
pour l'hydrogène, et/ou - une capacité à former une phase hydrure, et/ou - une pression de dissociation de la phase hydrure qui est inférieure à 10-13 Torr à environ 20°C, et/ou - une température d'activation au plus égale à 400°C et aussi basse que possible en compatibilité avec sa stabilité à l'air à environ 20°C.
3. Dispositif de pompage selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le getter non évaporable est choisi parmi le titane et/ou le zirconium et/ou le hafnium et/ou le vanadium et/ou le scandium et/ou un alliage comprenant au moins un de ces derniers.
4. Procédé pour la mise en oeuvre d'un getter non évaporable afin de créer un vide très poussé dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, caractérisé par la succession des étapes qui suivent :
a) on effectue un dépôt d'une couche mince de getter non évaporable sur au moins la plus grande partie de la surface de la paroi de l'enceinte, b) on assemble l'enceinte avec un système à vide, on fait le vide à l'aide du système à vide, on effectue un étuvage du système à vide à une température donnée tout en maintenant l'enceinte à une température inférieure à la température d'activation du getter non évaporable, c) on arrête l'étuvage du système à vide, et simultanément on élève la température de l'enceinte jusqu'à la température d'activation, on maintient cette température pendant une durée prédéterminée appropriée pour rendre propre la couche de getter non évaporable, puis on abaisse la température jusqu'à la température ambiante.
a) on effectue un dépôt d'une couche mince de getter non évaporable sur au moins la plus grande partie de la surface de la paroi de l'enceinte, b) on assemble l'enceinte avec un système à vide, on fait le vide à l'aide du système à vide, on effectue un étuvage du système à vide à une température donnée tout en maintenant l'enceinte à une température inférieure à la température d'activation du getter non évaporable, c) on arrête l'étuvage du système à vide, et simultanément on élève la température de l'enceinte jusqu'à la température d'activation, on maintient cette température pendant une durée prédéterminée appropriée pour rendre propre la couche de getter non évaporable, puis on abaisse la température jusqu'à la température ambiante.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'à l'étape a/, le dépôt de la couche de getter non évaporable est effectué par pulvérisation cathodique.
6. Procédé selon la revendication 5 pour déposer une couche de getter non évaporable constitué par un alliage de plusieurs matériaux, caractérisé en ce qu'on utilise une cathode, disposée centralement dans l'enceinte, qui peut être constituée par plusieurs fils des matériaux respectifs de l'alliage torsadés les uns autour des autres.
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| PCT/EP1997/003180 WO1997049109A1 (fr) | 1996-06-19 | 1997-06-18 | Dispositif de pompage par getter non evaporable et procede de mise en oeuvre de ce getter |
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Families Citing this family (22)
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| IT1319141B1 (it) * | 2000-11-28 | 2003-09-23 | Getters Spa | Unita' di accelerazione e focalizzazione, a vuoto migliorato, diimpiantatori ionici per la produzione di dispositivi a semiconduttore |
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| DE10209423A1 (de) * | 2002-03-05 | 2003-09-18 | Schwerionenforsch Gmbh | Beschichtung aus einer Gettermetall-Legierung sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung derselben |
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| WO2005075900A1 (fr) | 2004-01-22 | 2005-08-18 | European Organisation For Nuclear Research - Cern | Capteur solaire plan sous vide |
| US7888891B2 (en) * | 2004-03-29 | 2011-02-15 | National Cerebral And Cardiovascular Center | Particle beam accelerator |
| GB0523838D0 (en) * | 2005-11-23 | 2006-01-04 | Oxford Instr Analytical Ltd | X-Ray detector and method |
| ITMI20070301A1 (it) * | 2007-02-16 | 2008-08-17 | Getters Spa | Supporti comprendenti materiali getter e sorgenti di metalli alcalini o alcalino-terrosi per sistemi di termoregolazione basati su effetto tunnel |
| EP1983548A1 (fr) * | 2007-04-20 | 2008-10-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Chambre d'émetteur, appareil à particule chargée et son procédé de fonctionnement |
| EP2071188A1 (fr) | 2007-12-10 | 2009-06-17 | VARIAN S.p.A. | Dispositif pour le dépôt de getters non évaporables (NEGs) et procédé de dépôt utilisant un tel dispositif |
| AU2008357548A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | European Organization For Nuclear Research Cern | High efficiency evacuated solar panel |
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| CN116575005B (zh) * | 2023-05-10 | 2024-01-16 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种TiZrCo真空吸气剂薄膜及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA622379A (en) * | 1961-06-20 | Union Carbide Corporation | Getters | |
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| US2175695A (en) * | 1937-11-27 | 1939-10-10 | Gen Electric | Gettering |
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| US3544829A (en) * | 1968-02-03 | 1970-12-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Low pressure mercury vapour discharge lamp |
| US4038738A (en) * | 1975-01-10 | 1977-08-02 | Uddeholms Aktiebolag | Method and means for the production of bar stock from metal powder |
| US4097195A (en) * | 1975-02-12 | 1978-06-27 | Varian Associates, Inc. | High vacuum pump |
| US4050914A (en) * | 1976-07-26 | 1977-09-27 | S.A.E.S. Getters S.P.A. | Accelerator for charged particles |
| JPS5459662A (en) * | 1977-10-20 | 1979-05-14 | Nippon Oxygen Co Ltd | Preparation of thermos in metal |
| DE3814389A1 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-09 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur restgasminderung in hochvakuumanlagen durch getterschichten und deren erzeugung sowie entsprechend beschichtete hochvakuumanlagen |
| JPH03147298A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 加速器用真空容器 |
| JPH03239869A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-25 | Japan Steel Works Ltd:The | 真空チャンバー |
| JP2967785B2 (ja) * | 1990-04-24 | 1999-10-25 | 株式会社日本製鋼所 | ゲツターポンプ装置 |
| JP2561570Y2 (ja) * | 1991-08-06 | 1998-01-28 | 株式会社日本製鋼所 | 高真空排気装置 |
| JP2721602B2 (ja) * | 1991-08-26 | 1998-03-04 | 株式会社日本製鋼所 | 水素吸蔵合金による水素排気方法及び装置 |
| DE69223038T2 (de) * | 1991-12-10 | 1998-03-26 | Shell Int Research | Verfahren und Anordnung zum Erzeugen eines Vakuums |
| JP3290697B2 (ja) * | 1992-04-30 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 真空排気装置 |
| IT1255438B (it) * | 1992-07-17 | 1995-10-31 | Getters Spa | Pompa getter non evaporabile |
| IT1255439B (it) * | 1992-07-17 | 1995-10-31 | Getters Spa | Pompa getter non evaporabile |
| JPH07233785A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 非蒸発型ゲッターポンプ |
| JP3309193B2 (ja) * | 1994-03-17 | 2002-07-29 | 株式会社日立製作所 | 真空ダクト内表面処理方法および真空ダクト内表面処理装置 |
| US5688708A (en) * | 1996-06-24 | 1997-11-18 | Motorola | Method of making an ultra-high vacuum field emission display |
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