FR3105263A1 - Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif - Google Patents
Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif Download PDFInfo
- Publication number
- FR3105263A1 FR3105263A1 FR1914764A FR1914764A FR3105263A1 FR 3105263 A1 FR3105263 A1 FR 3105263A1 FR 1914764 A FR1914764 A FR 1914764A FR 1914764 A FR1914764 A FR 1914764A FR 3105263 A1 FR3105263 A1 FR 3105263A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- pipe
- opening
- electrode
- support
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 41
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
- B22F10/70—Recycling
- B22F10/77—Recycling of gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
- B22F10/20—Direct sintering or melting
- B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
- B22F12/70—Gas flow means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
Description
(pression < 10-3mbar) jusqu’à la pression atmosphérique.
Claims (14)
- Procédé pour constituer et/ou recharger un filtre (21) actif apte à piéger au moins un composé réactif d’un mélange gazeux, le procédé comportant une étape dedépôt d’au moins une couche d’un matériau avide recouvrant au moins partiellement la surface d’un support (20), l’étape de dépôt étant réalisée par pulvérisation cathodique d’une électrode (7) comportant au moins un matériau avide choisi pour réagir avec le composé réactif du mélange gazeux.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel le filtre (21) est un filtre actif à oxygène et le matériau avide comporte un matériau choisi parmi l’Aluminium, le Baryum, le Magnésium, le Titane, le Zirconium, le Tantale, le Niobium, le Thorium, et les terres rares, ou une combinaison de ceux-ci.
- Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le support (20) est isolé dans une enceinte fermée et on règle la pression totale dans l’enceinte à une valeur inférieure à la pression atmosphérique.
- Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le dépôt est réalisé sur un support (20) installé dans une canalisation d’un dispositif de filtration (1) de mélange gazeux en ordre de marche.
- Dispositif de traitement surfacique (4) configuré pour réaliser un procédé pour constituer et/ou recharger un filtre (21) actif selon l’une des revendications 1 à 4, le dispositif comprenant:
- une chambre (5) présentant une ouverture (6),
- une électrode (7) présentant différentes configurations dont une configuration dans laquelle l’électrode (7) est située dans la chambre (5) et une configuration dans laquelle l’électrode (7) est située hors de la chambre (5), l’électrode (7) étant mobile en translation,
- un dispositif d’alimentation (8) de l’électrode (7),
- un actionneur (9) apte à entraîner l’électrode (7) en translation à travers l’ouverture (6). - Dispositif de traitement surfacique (4) selon la revendication 5, comportant en outre une vanne d’isolation (11) apte à obturer l’ouverture (6).
- Dispositif de traitement surfacique (4) selon l’une des revendications 5 ou 6, comportant en outre une pompe (12) apte à réaliser un vide au moins partiel dans la chambre (5).
- Dispositif de traitement surfacique (4) configuré pour réaliser un procédé pour constituer et/ou recharger un filtre (21) actif selon l’une des revendications 1 à 4, comportant une première canalisation (2), un support (20) s’étendant dans la première canalisation (2), une électrode (7) située dans la première canalisation (2) et alimentée par un dispositif d’alimentation (8) configuré pour entraîner le dépôt du matériau de l’électrode (7) sur le support (20) par pulvérisation du matériau de l’électrode (7) lorsqu’elle est alimentée.
- Système de filtration (1) d’un mélange gazeux, le système de filtration (1) comportant un dispositif de traitement surfacique (4) selon l’une des revendications 5 à 7, et au moins une première canalisation (2) s’étendant au moins partiellement selon la direction longitudinale et présentant une première ouverture (10) configurée à coopérer avec l’ouverture (6) de la chambre (5), de telle manière que l’actionneur (9) peut entraîner en translation l’électrode (7) de manière à positionner l’électrode (7) dans la première canalisation (2) pour réaliser un procédé selon l’une des revendications 1 à 4.
- Système selon la revendication 9, dans lequel la première canalisation (2) présente une deuxième ouverture (13) et une troisième ouverture (14) chacune équipée d’une vanne (15a, 15b) apte à obturer leur ouverture respective.
- Système selon l’une des revendications 9 ou 10, comportant en outre une deuxième canalisation (3) présentant:
- une quatrième ouverture (16a) en communication avec un premier dispositif (A),
- une cinquième ouverture (16b) en communication avec un deuxième dispositif (B),
- une sixième ouverture (17a) connectée à la deuxième ouverture (13),
- une septième ouverture (17b) connectée à la troisième ouverture (14),
- une vanne (18) de déviation apte à obturer la deuxième canalisation (3) et disposée de manière à scinder la deuxième canalisation (3) en un premier tronçon (3a) comportant la quatrième (16a) et sixième (17a) ouverture, et un deuxième tronçon (3b) comportant la cinquième (16b) et septième (17b) ouverture, de telle sorte que, lorsque la vanne (18) de déviation est fermée, le flux de gaz transite par le premier tronçon (3a), la première canalisation (2) et le deuxième tronçon (3b). - Système selon l’une des revendications 9 à 11 dans lequel la première canalisation comporte en outre un tronçon (19) amovible apte à recevoir un support (20) configuré pour être recouvert de matériau avide au cours de l’étape de traitement, le logement (19) amovible étant configuré pour permettre la mise en place et le retrait du support (20) dans la première canalisation (2).
- Système de filtration (1) d’un mélange gazeux, le système de filtration (1) comportant un dispositif de traitement surfacique (4) selon la revendication 8, un premier dispositif (A) pouvant par exemple comprendre une enceinte, un système de recirculation de gaz (25) comportant:
- une admission (26) et un échappement (27) débouchant toutes deux dans le premier dispositif (A), l’admission (26) et l’échappement (27) comprenant chacun une vanne d’isolation (15, 29),
- un premier segment (30) de canalisation et un deuxième segment (31) de canalisation connectés au moyen d’une vanne de sectionnement (32),
- une pompe de circulation (33) configurée pour entraîner le flux circulant dans le circuit de recirculation de gaz (25),
dans lequel la première canalisation (2) du dispositif de traitement surfacique (4) est connectée d’une part à une vanne d’isolation (15, 29) et d’autre part au premier segment (30). - Machine de fabrication additive comprenant une enceinte de fabrication additive comprenant un système de filtration d’un mélange gazeux selon l’une des revendications 9 à 13.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1914764A FR3105263B1 (fr) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif |
PCT/FR2020/052502 WO2021123640A1 (fr) | 2019-12-18 | 2020-12-17 | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif |
EP20848804.9A EP4077760A1 (fr) | 2019-12-18 | 2020-12-17 | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1914764 | 2019-12-18 | ||
FR1914764A FR3105263B1 (fr) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3105263A1 true FR3105263A1 (fr) | 2021-06-25 |
FR3105263B1 FR3105263B1 (fr) | 2022-07-15 |
Family
ID=70154557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1914764A Active FR3105263B1 (fr) | 2019-12-18 | 2019-12-18 | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4077760A1 (fr) |
FR (1) | FR3105263B1 (fr) |
WO (1) | WO2021123640A1 (fr) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050120956A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-06-09 | Masaki Suzuki | Plasma processing apparatus |
WO2016062714A1 (fr) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Renishaw Plc | Appareil et procédés de fabrication d'additif |
CN109136867A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-04 | 李志平 | 一种吸气剂薄膜的制备方法 |
-
2019
- 2019-12-18 FR FR1914764A patent/FR3105263B1/fr active Active
-
2020
- 2020-12-17 WO PCT/FR2020/052502 patent/WO2021123640A1/fr unknown
- 2020-12-17 EP EP20848804.9A patent/EP4077760A1/fr active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050120956A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-06-09 | Masaki Suzuki | Plasma processing apparatus |
WO2016062714A1 (fr) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Renishaw Plc | Appareil et procédés de fabrication d'additif |
CN109136867A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-04 | 李志平 | 一种吸气剂薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021123640A1 (fr) | 2021-06-24 |
EP4077760A1 (fr) | 2022-10-26 |
FR3105263B1 (fr) | 2022-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0906635B1 (fr) | Procede de mise en oeuvre d'un getter non evaporable | |
EP0781921B1 (fr) | Source d'ions à dérive fermée d'électrons | |
FR2490246A1 (fr) | Dispositif de deposition chimique activee sous plasma | |
FR2705165A1 (fr) | Installation de traitement par plasma et procédé pour son exploitation. | |
FR2705104A1 (fr) | Procédé pour augmenter la vitesse de revêtement, procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma, et chambre à plasma. | |
EP1941569B1 (fr) | Electrode pour pile a combustible alcaline et procede de fabrication d'une pile a combustible comportant au moins une etape de fabrication d'une telle electrode | |
FR2895392A1 (fr) | Procede et equipement pour produire de l'hydrogene a partir de l'energie solaire. | |
CH697571B1 (fr) | Structure de garnissage pour colonne d'échange de fluides. | |
EP0964741B1 (fr) | procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse | |
CA2767482A1 (fr) | Systeme de conversion de l'energie a champ electrique augmente | |
FR3105263A1 (fr) | Traitement surfacique par pulvérisation cathodique pour filtre actif | |
EP3679597B1 (fr) | Générateur de faisceau ionique à nanofils | |
EP1506699A2 (fr) | Procede et dispositif de generation d'un rideau de gaz active pour traitement de surface | |
FR3068619A1 (fr) | Procede de preparation de nanoparticules exemptes de metaux nobles et leur utilisation dans de la reduction de l'oxygene | |
WO2021123572A1 (fr) | Traitement in situ de poudres pour fabrication additive | |
FR3017135A1 (fr) | Depot metallique profond dans une matrice poreuse par pulverisation magnetron pulsee haute puissance hipims, substrats poreux impregnes de catalyseur metallique et leurs utilisations | |
EP3161181B1 (fr) | Dispositif de depot chimique en phase vapeur a rendement de depot ameliore | |
WO2023062227A1 (fr) | Procede de fabrication d'un element de pompage comprenant la realisation d'un depot de materiau getter par pulverisation par faisceau d'ions | |
WO2021123680A1 (fr) | Traitement in situ de poudre pour fabrication additive en vue d'ameliorer sa conductivite thermique et/ou electrique | |
FR2770149A1 (fr) | Procede de separation de l'oxygene d'un melange de gaz le contenant et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede | |
WO2020144442A1 (fr) | Procede et dispositif pour le traitement des poudres pour fabrication additive | |
CH630493A5 (en) | Method of manufacturing electrodes for fuel cells, device for implementing the method and electrode obtained | |
WO2021175539A1 (fr) | Procédé et dispositif de traitement d'une surface de cavité accélératrice par implantation ionique | |
FR2596289A1 (fr) | Procede de realisation d'un element pour l'extraction selective d'un gaz | |
FR3109578A1 (fr) | Nanomatériau hybride multicouches à base d’un semi-conducteur, procédé de préparation et applications pour la photo-catalyse |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20210625 |
|
TQ | Partial transmission of property |
Owner name: UNIVERSITE PARIS-SACLAY, FR Effective date: 20210812 Owner name: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE, FR Effective date: 20210812 Owner name: ADDUP, FR Effective date: 20210812 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
CA | Change of address |
Effective date: 20220718 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |