BR112016028583B1 - Dispositivo de circuito com uma camada interrupção de ataque químico, e método para criar um circuito empilhado com uma camada de interrupção de ataque químico - Google Patents
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Abstract
CAMADA DE CONTATO DE ÓXIDO DE ALUMÍNIO PARA CANAIS CONDUTORES PARA UM DISPOSITIVO DE CIRCUITO TRIDIMENSIONAL Trata-se de uma pilha de múltiplos níveis de células de memória que tem uma camada de óxido de alumínio (AlOx) como uma camada de HiK nobre para fornecer seletividade de interrupção de ataque químico. Cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória. O circuito inclui uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS serve para fornecer um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis. O circuito também inclui uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha. A camada de AlOx é disposta entre a camada de fonte e a camada poli-SGS e fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado para criar um canal para acoplar eletricamente as células de memória à camada de fonte.
Description
[0001] As modalidades da invenção estão relacionadas em geral a dispositivos de circuito tridimensionais e, mais particularmente, ao for-necimento de uma camada de contato de óxido de alumínio para criar canais condutores para um dispositivo de circuito tridimensional.
[0002] Partes da descrição deste documento de patente podem conter material que está submetido à proteção por direito autoral. O proprietário do direito não tem objeção à reprodução feita por qualquer pessoa do documento de patente ou da descrição da patente, como aparece no arquivo ou nos registros do Escritório de Marcas e Patentes, mas, de outro modo, se reserva todos os direitos de autor. O aviso de direitos autorais se aplica a todos os dados como descrito abaixo e, nos desenhos anexos no presente documento, bem como a qualquer software descrito abaixo: Copyright © 2014, Intel Corporation, Todos os Direitos Reservados.
[0003] Há um desejo geral por tamanhos cada vez menores para dispositivos e componentes eletrônicos e de computação, ainda que se espera desempenho superior e capacidade de armazenamento dos dispositivos. Adicionalmente, os componentes de circuito mais discretos e quanto mais bens usados, mais energia é consumida pelos dispositivos. O consumo de energia e o tamanho são fatores significativos em dispositivos eletrônicos e de memórias, especialmente, para aplicações portáteis e móveis. Desenvolvimentos recentes em fabricação de dispositivo oferecem três estruturas de circuito tridimensionais para criar dispositivos eletrônicos que têm densidades superiores. Entretanto, os componentes físicos de vários materiais e as técnicas de processamento introduzem falhas e limitações de desempenho em dispositivos de alta densidade resultantes que impedem a viabilidade de tais dispositivos.
[0004] A descrição a seguir inclui a discussão de figuras que têm ilustrações dadas por meio de exemplo de implementações de modalidades da invenção. Os desenhos devem ser entendidos por meio de exemplo e não por meio de limitação. Conforme usado no presente documento, as referências a uma ou mais "modalidades" devem ser entendidas como descrevendo um recurso, uma estrutura e/ou característica particular incluídos em pelo menos uma implementação da invenção. Dessa forma, frases tais como "em uma modalidade" ou "em uma modalidade alternativa" aparecem no presente documento descrevendo várias modalidades e implementações da invenção, e não se referem necessariamente à mesma modalidade. Entretanto, também não são necessariamente exclusivas mutuamente.
[0005] A Figura 1 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx.
[0006] As Figuras 2A a 2F são diagramas de blocos de uma modalidade de vários estágios de um circuito empilhado com uma camada de seletividade de ataque químico de AlOx.
[0007] A Figura 3 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx com uma porta flutuante de acentuação de corrente.
[0008] A Figura 4 é um fluxograma de uma modalidade de um pro cesso para criar um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx.
[0009] A Figura 5 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um sistema de computação no qual um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx pode ser implementado.
[0010] A Figura 6 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um dispositivo móvel no qual um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx pode ser implementado.
[0011] As descrições de certos detalhes e implementações a seguir incluem uma descrição das Figuras, que pode apresentar alguma ou todas as modalidades descritas abaixo, bem como discutir outras modalidades ou implementações potenciais dos conceitos inventivos apresentados no presente documento.
[0012] Conforme descrito no presente documento, uma pilha de múltiplos níveis de elementos de circuito inclui uma camada de óxido de alumínio (AlOx ou ALOX) como uma camada de HiK nobre para fornecer seletividade de interrupção de ataque químico. A pilha de múltiplos níveis permite componentes eletrônicos com densidade superior ao compartilhar uma fonte comum para múltiplos níveis de dispositivos de circuito. As aplicações de empilhamento de múltiplos níveis incluem dispositivos de memória, onde os múltiplos níveis que incluem células de memória podem ser verticalmente empilhados. Outras aplicações e outras configurações são possíveis.
[0013] Em uma modalidade, cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória ou múltiplos dispositivos de célula de memória. Um circuito que usa tal pilha de múltiplos níveis pode incluir uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS pode fornecer um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis. O circuito também inclui uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha. Dessa forma, as múltiplas células de memória podem ser acopladas à fonte. A camada de AlOx é disposta entre a camada de fonte e a camada poli-SGS e fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado. A seletividade de ataque químico permite o processamento mais efetivo de um canal para acoplar eletricamente as células de memória à camada de fonte.
[0014] Em uma modalidade, cada nível inclui células de memória NAND. Dessa forma, o dispositivo de circuito é um dispositivo de memória tridimensional (3D). Em uma modalidade, o processamento constrói um canal oco nos múltiplos níveis. A química tradicionalmente usada na criação de tais pilares tem limitações sobre a criação de um perfil de pilar desejado com múltiplos níveis de elementos de circuito. Em particular, a criação de uma pilha de múltiplos níveis de elementos de circuito é tradicionalmente limitada por uma carência de uniformidade de ataque químico (por exemplo, profundidade de ataque químico, rebaixo de ataque químico). Por exemplo, no caso de muitos níveis de linhas de palavra empilhados juntos em um dispositivo de memória, um pilar precisa ser processado com uma razão de aspecto maior do que a que pode ser tradicionalmente alcançada.
[0015] Outras abordagens para criar circuitos de múltiplos estágios ou empilhados (também chamado de circuitos tridimensionais ou 3D) incluem uma camada de material com uma alta constante dielétrica (um material HiK). Tal camada de material foi tradicionalmente colocada entre a poli-SGS e os níveis de elementos de circuito, em vez de entre a poli-SGS e a fonte. Os materiais HiK fornecem isolamento elétrico dentro de um circuito para reduzir o vazamento. Os exemplos de materiais HiK que foram tentados incluem HfOx, ZrOx e TanOx. Será entendido que as representações de fórmula química tais como HfOx, ZrOx, TanOx e AlOx (e outras que também podem ser usadas) são representações genéricas de um composto de óxido em vez de uma fórmula química específica. Cada representação se refere a um composto de óxido que inclui pelo menos um átomo do primeiro elemento com pelo menos um átomo de oxigênio. Os números exatos de átomos de cada elemento poderiam variar de acordo com a implementação e/ou a técnica de processamento. O AlOx é um material HiK que fornece boas propriedades dielétricas a um circuito e fornece propriedades de ataque químico melhores do que outros materiais HiK. Os outros materiais HiK indicados não fornecem boas propriedades para limpeza do material ou permitir o ataque químico molhado em relação a materiais padrão de polissilício ou óxido à base de silício. Outros materiais resultam em um condutor de canal com um diâmetro que se estreita significativamente quanto mais próximo o canal estiver da fonte. Adicional ou alternativamente, outros materiais permitem ataque químico com rebaixo que resulta em encurtamentos de canal para canal. Dessa forma, os outros materiais não resultam em um pilar suficientemente reto. Tais imperfeições de pilar podem resultar em problema de célula de memória e/ou encurtamentos entre diferentes elementos de circuito.
[0016] O AlOx pode ser considerado um material "HiK nobre" no sentido de que fornece bom isolamento dielétrico, enquanto fornece seletividade de ataque químico. Em particular, o AlOx pode fornecer tanto seletividade de ataque químico molhado quanto seletividade de ataque químico seco. Por exemplo, o AlOx oferece boa seletividade em relação a materiais de polissilício e a óxidos usados em uma pilha de linha de palavra. Tal seletividade pode aprimorar o perfil de poli- SGS e aprimorar a área de contato de ataque químico para fornecer contato por um canal com a camada de condutor de fonte. Dessa forma, o AlOx pode fornecer menos problemas de programa e aprisionamento inferior. Os pilares resultantes têm um diâmetro mais uniforme em comparação com o que é possível com técnicas de processamento tradicionais. O uso de uma camada de AlOx conforme descrito também pode aumentar a corrente de coluna no condutor de canal e reduzir a variação nas tensões limítrofes de porta de seleção (SG-Vt). Adicionalmente, a camada de AlOx pode fornecer continuidade de pilar a pilar aprimorada em aplicações em que múltiplas plataformas de camadas de múltiplos estágios são implementadas.
[0017] As descrições a seguir se referem aos desenhos anexos. Será entendido que os desenhos não apresentam necessariamente os elementos ou componentes em escala. Certos elementos são intencionalmente desenhados fora de proporção para propósitos de ilustração e discussão. Será também entendido que os exemplos específicos se referem a empilhamento vertical de plataformas, uma sobre a outra. Em uma modalidade, os circuitos poderiam ser configurados horizontalmente.
[0018] A Figura 1 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx. O sistema 100 representa um dispositivo de circuito eletrônico que usa múltiplas plataformas de níveis de elemento de circuito. Em vez de processar todos os elementos de circuito em uma única pilha e tentar criar um canal para operar todos os elementos de circuito, o sistema 100 é processado em camadas, com múltiplas plataformas de elementos de circuito.
[0019] O substrato 110 representa um substrato ou plataforma semicondutora na qual o circuito eletrônico é processado. O sistema 100 representa um corte transversal do circuito eletrônico e será entendido que, tipicamente, muitos de tais circuitos seriam processados simultaneamente em uma pastilha semicondutora. O processamento cria (por exemplo, deposita) condutor de fonte 120 em ou sobre o substrato 110. O condutor de fonte 120 pode ativar ou controlar a ope- ração de circuito dos elementos de circuito do sistema 100. O condutor de fonte 120 é um material altamente condutor, tal como um material metálico (por exemplo, silicieto de tungstênio (WSix)) ou outro material com muitas portadoras de alta mobilidade. Em uma modalidade, o condutor de fonte 120 inclui múltiplas camadas de material (por exemplo, uma camada de WSix e uma policamada altamente dopada). Será entendido que nem todos os elementos de circuito para um circuito funcional são ilustrados no sistema 100.
[0020] O ALOX (elementos 130-A e 130-B) pode fornecer uma barreira elétrica entre a fonte 120 e a camada de porta de fonte, poli- SGS 140 (elementos 140-A e 140-B). A plataforma 102 inclui elementos de circuito 150 (elementos 150-A e 150-B) que são ativados pela poli-SGS 140. Será entendido que, embora mostrada como elementos "A" e "B", a plataforma 102 pode incluir múltiplos elementos de circuito 150 que são separadamente ativados pela poli-SGS 140 através do canal 122. Os rótulos "A" ou "B" são apenas para propósitos ilustrativos. Os elementos de circuito 150 são criados em níveis dentro da plataforma 102. Dessa forma, múltiplos elementos de circuito 150 podem ser empilhados adjacentes (por exemplo, verticalmente adjacentes) entre si dentro da plataforma 102. A plataforma 102 pode incluir em quaisquer poucos elementos de circuito a dúzias de elementos de circuito (por exemplo, 36 ou 38 células de memória). O canal 122 se estende por todo o comprimento/altura da plataforma 102 para a fonte 120, fornecendo assim conectividade elétrica da fonte 120 aos elementos de circuito 150. O canal 122 se estende a partir de uma extremidade da plataforma para a outra extremidade da plataforma (por exemplo, topo para fundo em uma pilha vertical, ou lado a lado em uma pilha/fileira horizontal).
[0021] Em uma modalidade, o sistema 100 inclui múltiplas plataformas, como ilustrado pela plataforma 104, que são construídas ou processadas adjacentes à plataforma 102. A plataforma 104 inclui elementos de circuito 180 (elementos 180-A e 180-B). Em uma modalidade, a plataforma 104 inclui ALOX 170 (elementos 170-A e 170-B) no isolante 160 que separa a plataforma 104 da plataforma 102. Em uma modalidade, os elementos de circuito 150 e 180 são empilhados verticalmente como níveis de elementos de circuito dentro de suas respectivas plataformas. Em uma modalidade, o processamento que cria elementos de circuito 180 é igual ao processamento que cria elementos de circuito 150, mas realizado em uma plataforma diferente separada por certas operações de processamento de plataformas.
[0022] Em uma modalidade, o processamento cria o isolante 160 (elementos 160-A e 160-B) na plataforma 102 para fornecer um separador no qual a plataforma 104 pode ser processada. O condutor 124 é processado na extremidade do canal 122 e fornece conectividade elétrica de canal 126 de plataforma 104 ao canal 122 de plataforma 102 e, dessa forma, à fonte 120. Será entendido que, quando a fonte 120 for uma camada metálica, o processamento pode incluir processos de ataque químico que produzirão um bom pilar com propriedades uniformes para ser capaz de gerar canais 122 e 126, com condutor 124 sendo um material altamente condutor ou material metálico.
[0023] O ALOX 130 e o ALOX 170 podem fornecer camadas de contato para um processo de ataque químico que cria pilares para canais 122 e 126, respectivamente. Dessa forma, o ALOX 130 e/ou o ALOX 170 pode permitir o processamento de sistema 100 para alcançar operações de ataque químico altamente seletivo. O ALOX 130 pode permitir o bom contato elétrico pelo canal 122 com a fonte 120. O ALOX 170 pode permitir o bom contato elétrico pelo canal 126 com o semicondutor 124. Em uma modalidade, o processamento do sistema 100 inclui múltiplas operações de ataque químico, que podem incluir processos de ataque químico seco e/ou ataque químico molhado. O ALOX fornece características de ataque químico altamente seletivo tanto para ataque químico seco quanto para ataque químico molhado. Em referência especificamente à plataforma 102, em uma modalidade, o ALOX 130 fornece uma camada de interrupção de ataque químico para um ataque químico de canal que ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de elementos de circuito 150. O ALOX 130 pode interromper o ataque químico na camada de AlOx sem expor a fonte 120. O processamento pode atacar quimicamente de modo seletivo o ALOX 130 com um ataque químico de porta para atacar quimicamente os contatos de porta para elementos de circuito 150 e ALOX 130 para expor a fonte 120.
[0024] O sistema 100 ilustra explicitamente duas plataformas, a plataforma 102 e a plataforma 104. Será entendido que a separação dos elementos nas diferentes plataformas, bem como a alta condutivi- dade dos canais ocos e da camada de interrupção que conecta as plataformas teoricamente permitem que qualquer número de plataformas seja empilhado no sistema 100. Dessa forma, o número total de elementos de circuito no sistema 100 pode ser dobrado, triplicado ou mais, em relação ao que o estado real permitiria tradicionalmente, com base no empilhamento. Será entendido que o ataque químico seletivo descrito no presente documento pode ser realizado para a plataforma 102, e o sistema 100 não tem necessariamente outras plataformas (isto é, a plataforma 104 é opcional). Em uma modalidade em que a plataforma 104 é processada, o processamento para plataforma 104 não usa necessariamente ALOX 170, mas pode ter a capacidade de usar um outro isolante se não for uma policamada na plataforma 104.
[0025] As Figuras 2A a 2F são diagramas de blocos de uma modalidade de vários estágios de um circuito empilhado com uma camada de seletividade de ataque químico de AlOx. Para propósitos de exemplo, as Figuras 2A a 2I ilustram um dispositivo de memória empilhado tridimensional, com múltiplos níveis de células de memória. Especificamente, o exemplo nas Figuras 2A a 2F fornece um exemplo de modalidade de um dispositivo de memória verticalmente empilhado. Em uma modalidade, tal processamento pode ocorrer de uma maneira "horizontal", mas para um dispositivo que é empilhado fora de um substrato ou pastilha semicondutora. Dessa forma, em uma modalidade, o empilhamento "vertical" pode se referir a qualquer processamento que estende os elementos de circuito para fora ou para cima e na direção oposta ao substrato semicondutor no qual os dispositivos são processados e/ou colocados para a operação. O processamento inclui uma camada de AlOx para fornecer capacidade de ataque químico seletivo.
[0026] A Figura 2A ilustra o estado de circuito 202, no qual múltiplos níveis de elemento de circuito 252 são processados sobre a fonte 220. Em uma modalidade, o ALOX 230 é processado na fonte 220. Em uma modalidade, há uma camada de óxido entre a fonte 220 e o ALOX 230. Em uma modalidade, a camada de óxido 230 é processada em ALOX 230, entre ALOX 230 e poli-SGS 240. Uma camada de óxido entre ALOX 230 e a fonte 220 ou entre ALOX 230 e poli-SGS 240 pode fornecer controle adicional sobre o perfil de ataque químico de um pilar processado através das camadas para a fonte 220.
[0027] Em uma modalidade, a camada de fonte 210 inclui uma ou mais camadas de material. Por exemplo, a fonte 220 pode incluir silici- eto de tungstênio (WSix), polissilício intensamente dopado, polissilicie- to de tungstênio e/ou outros materiais altamente condutores. Em uma modalidade, a fonte 220 inclui um condutor livre de portadora, tal como um polissilício dopado tipo n. Será entendido que os materiais do tipo n têm elétrons livres que fornecem fluxo de corrente (ao fornecer carga), enquanto os materiais do tipo p têm orifícios livres que fornecem fluxo de corrente (ao receber carga). Em uma modalidade, a poli-SGS 240 inclui um polissilício dopado tipo p. A pilha de nível 250 com múltiplos níveis 252 é processada em poli-SGS 240. A pilha de nível 250 pode incluir camadas alternadas de material isolante (por exemplo, óxido) e material condutor (por exemplo, poli dopado).
[0028] A Figura 2B ilustra o estado de circuito 204, no qual o processamento cria um ou mais pilares para condutores de canal. Em uma modalidade, um ou mais pilares 260 são criados por uma gravação por punção, que cria uma abertura através da pilha de nível 250, através da poli-SGS 240, através do óxido 232 e no interior do ALOX 230. O ALOX 230 pode fornecer uma camada de interrupção de ataque químico para formar o pilar 260. Ao colocar o ALOX 230 entre a poli-SGS 240 e a fonte 220, em vez de entre a poli-SGS 240 e a pilha de nível 250, como tradicionalmente acima, o processamento pode aprimorar o perfil de SGS em aproximadamente 20 a 40 por cento. Tal aprimoramento de perfil se refere a uma uniformidade do diâmetro de pilar 260 através da camada poli-SGS 240. Adicionalmente, a seletividade de ALOX 230 com a camada de ALOX mais próxima à fonte 220 pode aprimorar o diâmetro de pilar 260 próximo à fonte em aproximadamente 50%, o que fornece um perfil muito melhor para o condutor.
[0029] Conforme representado no estado de circuito 204, o pilar 260 pode atacar quimicamente o ALOX 230 e parar dentro da camada de AlOx sem atacar quimicamente na fonte 220. Em uma modalidade, o pilar 260 pode ser atacado quimicamente no ALOX 230 por um processo de ataque químico seco. Dessa forma, o ALOX 230 pode fornecer uma janela de contato de ataque químico seco para estruturas com razão de aspecto muito alta (por exemplo, uma razão de aspecto de aproximadamente 25) sem furar a fonte 220. Após atacar quimicamente o pilar 260 no ALOX 230 (por exemplo, após um processo de ataque químico seco), o pilar 260 poderia ser atacado quimicamente em qualquer parte dentro do ALOX 230, dependendo da variação de pilha na fabricação e/ou processamento. Conforme ilustrado com os dois pilares diferentes 260 representados, o ataque químico no ALOX pode ser mais profundo ou mais raso em pilares diferentes dentro do mesmo dispositivo, e pode atacar quimicamente uma quantidade diferente no ALOX com o mesmo processo em diferentes dispositivos.
[0030] O estado de circuito 204 também representa os resíduos de processamento 262. Os resíduos 262 representam o material que pode ser bombardeado com íons novamente no pilar 260 durante o ataque químico. Por exemplo, durante o ataque químico seco, o material de ALOX 230 pode bombardear com íons novamente no pilar 260. Os resíduos de HiK no pilar 260 podem bloquear os processos de integração consecutivos e formação de célula, salvo se forem limpados de dentro do pilar 260.
[0031] A Figura 2C ilustra o estado de circuito 206, no qual o processamento limpa o pilar 260 e expõe a fonte 220. Conforme mencionado acima em relação à Figura 2B, a conclusão do processo de ataque químico pode resultar em material residual dentro do pilar 260, e o pilar não é completamente atacado quimicamente através de ALOX 230 para a fonte 220. Em uma modalidade, o processamento inclui um processo de ataque químico molhado para acompanhar um processo de ataque químico seco para fazer contato com a fonte 220. Em uma modalidade, ALOX 230 é ou inclui ALOX amorfo. Em tal modalidade, as técnicas de ataque químico molhado convencionais tais como HF (ataque químico com ácido fluorídrico) e BOE (ataque químico com óxido tamponado, que inclui um agente tampão usado com um produto químico para ataque químico), pode limpar o material bombardeado com íons de forma excelente, bem como fornecer alta seletividade para expor a fonte 220.
[0032] O uso de ALOX 230 como uma camada de material HiK entre a fonte 220 e a poli-SGS 240 pode fornecer 50:1 de seletividade de limpeza por HF, e aproximadamente 100:1 de seletividade de limpeza por BOE. Adicionalmente, o ALOX 230 pode fornecer 10:1 de seletividade de ataque químico seco em comparado com o poli de poli- SGS 240 e/ou óxido 232. A seletividade relativa pode ser verdadeira de ALOX 230 ainda em forma amorfa. Em uma modalidade, a seletividade de ataque químico seco e molhado de ALOX 230 pode ser aumentada em aproximadamente 3X ao cristalizar um filme de ALOX em altas temperaturas (por exemplo, na faixa de 950 a 1.100 C). Tal cristalização pode fornecer benefícios de integração adicionais para operações ou etapas de processo consecutivas, por exemplo, quando se deseja que a camada de ALOX não seja atacada quimicamente ou limpa de certas partes do dispositivo.
[0033] A Figura 2D ilustra o estado de circuito 208 no qual o processamento rebaixa os níveis para o processamento de porta flutuante. Em uma modalidade, o processamento rebaixa também o ALOX 230 para processamento de porta flutuante. Em uma modalidade, o processamento não cria uma porta flutuante dentro da camada de ALOX. O processamento cria reentrâncias 264 em cada nível 252. Em uma modalidade, o processamento cria reentrâncias similares no ALOX 230. As reentrâncias podem ser criadas, por exemplo, por uma operação de ataque químico. Em uma modalidade, a operação de ataque químico que cria reentrâncias 264 pode ser o mesmo processo usado para limpar os resíduos de ALOX do pilar 260, e a continuação do processo pode criar as reentrâncias.
[0034] A Figura 2E ilustra o estado de circuito 210, no qual o processamento cria portas flutuantes 270 em níveis 252. Em uma modalidade em que o processamento também cria uma porta flutuante em ALOX 230, o processamento cria uma porta flutuante simulada 272 em ALOX 230. As portas flutuantes 270 são operacionalmente funcionais, e, dessa forma, operam como portas em resposta a um sinal de sele- ção. A porta flutuante simulada 272 também pode operar em resposta a um sinal de seleção, e pode ser funcionalmente ativa no sentido de aumentar o fluxo de corrente quando ativada, mas não ser operacionalmente funcional no mesmo sentido que as portas flutuantes 270, pois o ALOX 230 não inclui uma célula de memória ou outro elemento de circuito disparado em resposta a um sinal de porta de seleção.
[0035] A Figura 2F ilustra o estado de circuito 212, no qual o processamento cria um condutor de canal nos pilares. O canal 280 representa um pilar com um condutor criado nas paredes e na base (a parte mais próxima à fonte 120) do pilar 260 (mostrado nos desenhos acima). Em uma modalidade, o canal 280 é preenchido com um isolante (por exemplo, óxido) que o condutor circunda, e pode, dessa forma, ser chamado de canal oco. Um condutor de canal oco se refere a um pilar com uma camada fina de condutor nas paredes (por exemplo, fina o suficiente para reduzir novamente o tamanho para controlar a resistividade do material condutor) e um isolante dentro do canal. O condutor forma um contato ôhmico com a fonte 220 e com as portas flutuantes 270 (e portas 272 em uma implementação onde são formadas). Dessa forma, o canal 280 fornece conectividade elétrica da fonte 220 para as portas flutuantes 270. Em uma modalidade, as portas simuladas 272 podem ser disparadas pelo mesmo sinal de seleção de porta que as portas flutuantes 270. Dessa forma, as portas simuladas 272 em ALOX 272 podem aprimorar o fluxo de corrente da fonte 220 para o canal 280, o que pode aprimorar as propriedades elétricas do circuito resultante. Em uma modalidade, outras plataformas de níveis de elementos de circuito podem ser processadas no circuito mostrado.
[0036] A Figura 3 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx com uma porta flutuante de acentuação de corrente. O circuito 300 pode ser um exemplo de um sistema 100 da Figura 1 ou de estados de circuito 202, 204, 206, 208, 210, 212. Em particular, o circuito 300 fornece uma re-presentação de uma aproximação de uma reentrância processada adjacente ao condutor de canal. O processamento cria elementos 390 nas reentrâncias.
[0037] Em uma modalidade, o circuito 300 inclui camadas de fonte 312 e 314, que podem ser um exemplo de fonte 220. Em uma modalidade, a fonte 312 é um WSix ou outro material metálico. Em uma modalidade, a fonte 314 é um material policristalino de fonte (tal como um polissilício dopado tipo n). Será entendido que a fonte não precisa necessariamente de duas camadas de material e, em uma modalidade, um ou o outro material pode ser a camada de fonte.
[0038] O circuito 300 inclui camada de ALOX 330 entre a camada poli-SGS 340 e a fonte. Embora não especificamente mostrado, o circuito 300 poderia incluir uma camada de óxido entre o ALOX 330 e a poli-SGS 340. Em uma modalidade, o circuito 300 inclui camada de óxido 320 entre o ALOX 330 e a fonte. Tal camada de óxido (que pode ser muito fina, por exemplo, aproximadamente 1/8 a 1/20 a espessura de ALOX 330) pode ajudar a impedir o rebaixo possível de encurtamento de pilar para pilar durante o rebaixamento de ALOX 330. Em uma modalidade, o ALOX 330 pode ter aproximadamente 40 a 100 nm de espessura e o óxido 320 pode ter aproximadamente 5 nm de es-pessura. Em uma modalidade, a poli-SGS 340 pode ter aproximadamente 100 a 200 nm de espessura.
[0039] Em uma modalidade, o circuito 300 inclui óxido 350 para isolar a pilha de níveis da poli-SGS 340, e inclui camada de isolamento 370 (tal como um óxido ou nitreto) entre os elementos de circuito. Cada camada de isolamento 360 pode ter aproximadamente 20 nm de espessura. Em uma implementação de um dispositivo de memória, os elementos de circuito podem ser formados como polilinha de palavra 360 com uma porta flutuante e estrutura de célula de memória confor- me ilustrado. A poli-WL 360 pode ter aproximadamente 30 nm de espessura. O circuito 300 pode incluir qualquer número de níveis que é suportado pelas operações de processamento. Dependendo do número de níveis, toda a espessura de uma plataforma de elementos de circuito do circuito 300 da fonte 312 para um último pode ser aproximadamente 2.000 a 3.000 nm ou ainda mais. Além disso, em uma modalidade, o circuito 300 pode incluir múltiplas plataformas empilhadas que têm múltiplos níveis empilhados.
[0040] O adendo lateral do desenho ilustra uma perspectiva aproximada do elemento de circuito 390, que, em uma modalidade, é formado em reentrâncias fora do canal 380. Para perspectiva, as porções do canal 380, da poli-SGS 340, do ALOX 330 e do óxido 320 são ilustradas. Uma estrutura similar ao elemento 390 também pode ser formada em cada nível, como mostrado no circuito 300. Em uma modalidade, nos níveis de elementos de circuito, o nível pode incluir uma outra camada de dielétrico 394 para isolar o elemento da poli-WL 360. Em uma modalidade, o condutor de canal 392 se estende ao longo do canal 380 e em torno da porta flutuante e dos componentes de célula do elemento 390. O elemento 390 pode incluir dielétrico 394 entre o condutor de canal 392 e a porta flutuante 396. Em uma modalidade, o elemento 390 inclui célula 398 adjacente à porta flutuante 396 e ao dielétrico 394. A camada de ALOX 330 pode incluir uma célula simulada que não é abordada e, dessa forma, pode funcionar como uma célula de memória, mas não armazena informações úteis e não é acessada para operações de leitura ou gravação. Entretanto, a ativação do elemento 390 pode aprimorar a corrente de coluna e a continuidade no circuito 300.
[0041] A Figura 4 é um fluxograma de uma modalidade de um processo para criar um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx. O processo 400 pode ser um exemplo de um pro- cesso para produzir circuitos e estados de circuito, tais como ou similares àqueles das Figuras 2A a 2F, do sistema 100 da Figura 1 e/ou do circuito 300 da Figura 3. O processo 400 pode ser executado por equipamentos de processamento de uma entidade de fabricação. O fabricante configura os equipamentos de processamento e realiza uma série de etapas ou operações de processamento em uma pastilha semi- condutora para criar os circuitos eletrônicos. Os equipamentos de processamento podem incluir ferramentas para realizar qualquer tipo de operações de processamento de materiais (depósito, CMP, ataque químico, implante de íon, recozimento ou outras). Tais equipamentos de processamento incluem equipamentos de computador e ferramentas mecânicas e elétricas que realizam o processamento. Os equipa-mentos de processamento são controlados por um ou mais controles de operação de processamento, que podem incluir lógica de hardware e/ou lógica de software/firmware para controlar o processamento. Os equipamentos podem ser programados ou configurados para realizar certas operações em uma certa ordem. Coletivamente, os equipamentos e o processamento ou a configuração podem ser chamados de sistema de processamento. Para propósitos de processo 400, as operações são descritas como sendo realizadas pelo "processamento", que se refere indiretamente ao fabricante e ao sistema de processamento usado pelo fabricante.
[0042] O processamento cria uma camada de fonte sobre ou em um substrato semicondutor, tal como uma pastilha de silício 402. O processamento cria um circuito eletrônico na fonte. A fonte é um condutor que pode ser ativado para criar atividade elétrica nos elementos de circuito. A camada de fonte pode incluir um material de metal ou um material policristalino dopado, ou ambos. Em uma modalidade, o processamento deposita um óxido tampão sobre a fonte, 404. O óxido tampão é um isolante. O processamento cria uma camada de contato de interrupção de ataque químico de AlOx 406. A camada de AlOx fornece seletividade tanto para operações de ataque químico molhado quanto para operações de ataque químico seco, e é um material dielé- trico HiK. Dessa forma, a camada de AlOx pode fornecer os benefícios elétricos de um material HiK enquanto fornece benefícios de processamento (tais como aqueles descritos acima) com base em sua seletividade de ataque químico.
[0043] O processamento deposita ou, de outro modo, cria uma camada policristalina de fonte de porta de seleção para o circuito eletrônico 408. Em uma modalidade, a porta de seleção é a porta para todos os elementos de circuito em uma pilha de múltiplos níveis de elementos de circuito. O processamento cria uma plataforma de níveis de elementos de circuito 410. Em uma modalidade, o processamento deposita camadas ou níveis de células ou outros elementos de circuito. Em uma modalidade, o processamento cria os níveis de elementos de circuito verticalmente empilhados uns sobre os outros. Os níveis de elementos de circuito podem ser separados por um material de óxido como um isolante entre os níveis.
[0044] Em uma modalidade, o processamento cria um pilar, tal como por uma gravação por punção para expor a camada de condutor de fonte abaixo da plataforma de células 412. O pilar será interrompido sobre ou na camada de AlOx sem expor ou furar a fonte, por causa da alta seletividade do AlOx e da localização do AlOx entre a camada de porta de seleção e a camada de fonte.
[0045] Em uma modalidade, o processamento realiza um processo múltiplo de ataque químico (ou subprocesso) que pode fornecer um bom perfil para o pilar 414. Um bom perfil para o pilar se refere a um perfil de pilar no qual o diâmetro de pilar próxima à fonte é comparável com o diâmetro do pilar próximo aos níveis da pilha. Será entendido que variações significativas no diâmetro do pilar cria variações de desempe- nho nas células de memória ou nos elementos de circuito da pilha. Dessa forma, um bom perfil de pilar permite que todos os elementos de circuito da pilha operem dentro tolerâncias de desempenho. Em uma modalidade, um bom perfil de pilar tem um diâmetro de pilar que não pinça ou se fecha ao longo do comprimento do pilar a partir do nível mais afastado da fonte para a camada mais próxima à fonte. Será entendido que uma célula simulada ou uma porta simulada criada em uma reentrância na camada de AlOx não é considerada como alterando o diâmetro do pilar para propósitos de avaliar um bom perfil do canal.
[0046] Em uma modalidade, o processamento realiza um ataque químico de rebaixo na camada de AlOx para criar uma porta flutuante na camada de AlOx 416. O processamento pode, então, processar uma porta flutuante nos níveis de elementos de circuito bem como na camada de AlOx 418. O processamento pode depositar um condutor de canal para fornecer contato elétrico ao longo do canal a partir da fonte para os múltiplos níveis de elementos de circuito, 420. Em uma modalidade, o processamento continua a criar múltiplas plataformas de múltiplos níveis de elementos de circuito, 422.
[0047] A Figura 5 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um sistema de computação no qual um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx pode ser implementado. O sistema 500 representa um dispositivo de computação de acordo com qualquer modalidade descrita no presente documento, e pode ser um computado do tipo laptop, um computador do tipo desktop, um servidor, um sistema de controle de entretenimento ou jogos, um scanner, uma copiadora, uma impressora, um dispositivo de roteamento ou comutação ou outro dispositivo eletrônico. O sistema 500 inclui processador 520, que fornece processamento, gerenciamento de operação e execução de instruções para o sistema 500. O processador 520 pode incluir qualquer tipo de microprocessador, unidade de processamento central (CPU), núcleo de processamento ou outro hardware de processamento para fornecer processamento para o sistema 500. O processador 520 controla toda a operação do sistema 500 e pode ser ou incluir um ou mais microprocessadores programáveis de propósito geral ou propósito específico, processadores de sinal digital (DSPs), controladores programáveis, circuitos integrados de aplicação específica (ASICs), dispositivos lógicos programáveis (PLDs) ou similares, ou uma combinação de tais dispositivos.
[0048] O subsistema de memória 530 representa a memória principal do sistema 500 e fornece armazenamento temporário para que código seja executado pelo processador 520 ou valores de dados a serem usados na execução de uma rotina. O subsistema de memória 530 pode incluir um ou mais dispositivos de memória, tais como memória de somente leitura (ROM), memória flash, uma ou mais variedades de memória de acesso aleatório (RAM) ou outros dispositivos de memória, ou uma combinação de tais dispositivos. O subsistema de memória 530 armazena e hospeda, dentre outras coisas, o sistema operacional (OS) 536 para fornecer uma plataforma de software para execução de instruções no sistema 500. Adicionalmente, outras instruções 538 são armazenadas e executadas a partir do subsistema de memória 530 para fornecer a lógica e o processamento do sistema 500. O OS 536 e as instruções 538 são executados pelo processador 520. O subsistema de memória 530 inclui dispositivo de memória 532, onde armazena dados, instruções, programas ou outros itens. Em uma modalidade, o subsistema de memória inclui controlador de memória 534, que é um controlador de memória para gerar e expedir comandos para o dispositivo de memória 532. Será entendido que o controlador de memória 534 poderia ser uma parte física de processador 520.
[0049] O processador 520 e o subsistema de memória 530 são acoplados ao barramento/sistema de barramento 510. O barramento 510 é uma ilustração que representa qualquer um ou mais barramen- tos físicos separados, linhas/interfaces de comunicação e/ou conexões de ponto a ponto, conectados por pontes, adaptadores e/ou controladores apropriados. Portanto, o barramento 510 pode incluir, por exemplo, um ou mais dentre um barramento de sistema, um barramento de Interconexão de Componente Periférico (PCI), um barramento de Arquitetura Padrão de Indústria ou Hipertransporte (ISA), um barramento de interface de sistema de computador pequeno (SCSI), um barramen- to serial universal (USB) ou um barramento do padrão do Instituto de Engenheiros Elétricos e Eletrônicos (IEEE) 1394 (comumente chamado de "Firewire"). Os barramentos do barramento 510 também podem corresponder a interfaces na interface de rede 550.
[0050] O sistema 500 também inclui uma ou mais interfaces de entrada/saída (I/O) 540, interface de rede 550, um ou mais dispositivos internos de armazenamento em massa 560 e interface periférica 570 acoplada ao barramento 510. A interface I/O 540 pode incluir um ou mais componentes de interface através dos quais um usuário interage com o sistema 500 (por exemplo, vídeo, áudio e/ou interface alfanumérica). Em uma modalidade, a interface I/O 540 pode incluir um visor de alta definição (HD) que fornece uma saída para um usuário. A alta definição pode se referir a uma exibição que tem uma densidade de pixel de aproximadamente 100 PPI (pixels por polegada) ou mais, e pode incluir formatos tal como full HD (por exemplo, 1080p), exibições de retina, 4K (definição ultra-alta ou UHD) ou outras. A alta definição também pode se referir a exibições projetadas (por exemplo, visores montados na cabeça) que têm qualidade visual comparável com exibições de pixel. A interface de rede 550 fornece ao sistema 500 a capacidade de se comunicar com dispositivos remotos (por exemplo, servidores, outros dispositivos computacionais) por uma ou mais redes. A interface de rede 550 pode incluir um adaptador de Ethernet, componentes de interconexão sem fio, USB (barramento serial universal) ou outras interfaces proprietárias ou com base em padrões com fio ou sem fio.
[0051] O armazenamento 560 pode ser ou incluir qualquer meio convencional para armazenar grandes quantidades de dados de uma maneira não volátil, tais como um ou mais discos magnéticos, em estado sólido ou de base óptica, ou uma combinação. O armazenamento 560 contém código ou instruções e dados 562 em um estado persistente (isto é, o valor é retido apesar da interrupção de energia para o sistema 500). O armazenamento 560 pode ser geralmente considerado como sendo "memória", embora memória 530 seja a memória de execução ou de operação para fornecer instruções para o processador 520. Enquanto que o armazenamento 560 é não volátil, a memória 530 pode incluir memória volátil (isto é, o valor ou estado dos dados é indeterminado se a energia for interrompida para o sistema 500).
[0052] A interface periférica 570 pode incluir qualquer interface de hardware não especificamente mencionada acima. Os periféricos se referem em geral a dispositivos que se conectam dependentemente ao sistema 500. Uma conexão dependente é uma em que o sistema 500 fornece a plataforma de software e/ou hardware na qual a operação é executada, e com a qual um usuário interage.
[0053] Em uma modalidade, o subsistema de memória 530 (por exemplo, dispositivos de memória 532) e/ou outros componentes do sistema 500 incluem elementos que são criados como circuito empilhado com condutores de canal em contato com uma camada de interrupção de ataque químico de AlOx. Ao criar os elementos de circuito em níveis verticais, os componentes de hardware do sistema 500 podem ser implementados em menos bens em comparação como que era tradicionalmente possível. O condutor de canal permite que múltiplos elementos de circuito empilhado se conectem eletricamente a uma camada de fonte comum. A camada de AlOx fornece um perfil de processamento que permite que os circuitos empilhados funcionem através de diferentes variações de processamento.
[0054] A Figura 6 é um diagrama de blocos de uma modalidade de um dispositivo móvel no qual um circuito de canal oco empilhado com uma camada de contato de AlOx pode ser implementado. O dispositivo 600 representa um dispositivo de computação móvel, tal como um tablet de computação, um telefone móvel ou telefone inteligente, um leitor eletrônico com habilitação para uso sem fio, dispositivo computacional utilizável ou outro dispositivo móvel. Será entendido que certos componentes são mostrados de forma geral e nem todos os componentes de tal dispositivo são mostrados no dispositivo 600.
[0055] O dispositivo 600 inclui processador 610, que realiza as operações de processamento primárias do dispositivo 600. O processador 610 pode incluir um ou mais dispositivos físicos, tais como microprocessadores, processadores de aplicação, microcontroladores, dispositivos de lógica programável ou outros meios de processamento. As operações de processamento realizadas pelo processador 610 incluem a execução de uma plataforma operacional ou sistema operacional no qual as aplicações e/ou funções de dispositivo são executadas. As operações de processamento incluem operações relacionadas a I/O (entrada/saída) com um usuário humano ou com outros dispositivos, operações relacionadas a gerenciamento de energia e/ou operações relacionadas à conexão do dispositivo 600 a um outro dispositivo. As operações de processamento também podem incluir operações relacionadas a I/O de áudio e/ou I/O de exibição.
[0056] Em uma modalidade, o dispositivo 600 inclui subsistema de áudio 620, que representa componentes de hardware (por exemplo, hardware de áudio e circuitos de áudio) e de software (por exemplo, drivers, codecs) associados ao fornecimento de funções de áudio para o dispositivo de computação. As funções de áudio podem incluir alto- falante e/ou saída de fone de ouvido, bem como entrada de microfone. Os dispositivos para tais funções podem ser integrados no dispositivo 600 ou conectados ao dispositivo 600. Em uma modalidade, um usuário interage com o dispositivo 600 ao fornecer comandos de áudio que são recebidos e processados pelo processador 610.
[0057] O subsistema de exibição 630 representa componentes de hardware (por exemplo, dispositivos de exibição) e de software (por exemplo, drivers) que fornecem uma exibição visual e/ou tátil para um usuário interagir com o dispositivo de computação. O subsistema de exibição 630 inclui interface de exibição 632, que inclui a tela particular ou dispositivo de hardware usado para fornecer uma exibição para um usuário. Em uma modalidade, a interface de exibição 632 inclui lógica separada do processador 610 para realizar pelo menos algum processamento relacionado à exibição. Em uma modalidade, o subsistema de exibição 630 inclui um dispositivo de tela sensível ao toque que fornece tanto saída quanto entrada para um usuário. Em uma modalidade, o subsistema de exibição 630 inclui um visor de alta definição (HD) que fornece uma saída para um usuário. A alta definição pode se referir a uma exibição que tem uma densidade de pixel de aproximadamente 100 PPI (pixels por polegada) ou mais, e pode incluir formatos tal como full HD (por exemplo, 1080p), exibições de retina, 4K (definição ultra-alta ou UHD) ou outras. A alta definição também pode se re-ferir a exibições projetadas (por exemplo, visores montados na cabeça) que têm qualidade visual comparável com exibições de pixel.
[0058] O controlador de I/O 640 representa dispositivos de com ponentes de hardware e software relacionados à interação com um usuário. O controlador de I/O 640 pode operar para gerenciar hardware que é parte do subsistema de áudio 620 e/ou do subsistema de exibição 630. Adicionalmente, o controlador de I/O 640 ilustra um ponto de conexão para dispositivos adicionais que se conectam ao dispositi- vo 600 através do qual um usuário pode interagir com o sistema. Por exemplo, os dispositivos que podem ser fixados ao dispositivo 600 podem incluir dispositivos de microfone, alto-falante ou sistemas estéreos, sistemas de vídeo ou outro dispositivo de exibição, dispositivos de teclado ou teclado numérico ou outros dispositivos de I/O para uso com aplicações específicas tais como leitores de cartão ou outros dispositivos.
[0059] Conforme mencionado acima, o controlador de I/O 640 po de interagir com o subsistema de áudio 620 e/ou o subsistema de exibição 630. Por exemplo, a entrada através de um microfone ou outro dispositivo de áudio pode fornecer entrada ou comandos para uma ou mais aplicações ou funções do dispositivo 600. Adicionalmente, a saída de áudio pode ser fornecida em vez ou além da saída de exibição. Em um outro exemplo, se o subsistema de exibição incluir uma tela sensível ao toque, o dispositivo de exibição também atua como um dispositivo de entrada, que pode ser pelo menos parcialmente gerenciado pelo controlador de I/O 640. Pode também haver botões ou chaves adicionais no dispositivo 600 para fornecer funções de I/O gerenciadas pelo controlador de I/O 640.
[0060] Em uma modalidade, o controlador de I/O 640 gerencia dispositivos tais como acelerômetros, câmeras, sensores de luz ou outros sensores ambientais, giroscópios, sistema de posicionamento global (GPS) ou outro hardware que pode ser incluído no dispositivo 600. A entrada pode ser parte de interação direta de usuário, bem como fornecer entrada de ambiente para o sistema para influenciar suas operações (tais como filtragem para ruído, ajuste de visores para detecção de brilho, aplicação de um flash para uma câmera ou outros recursos). Em uma modalidade, o dispositivo 600 inclui gerenciamento de energia 650 que gerencia o uso de energia de bateria, carregamento da bateria e os recursos relacionados à operação de economia de energia.
[0061] O subsistema de memória 660 inclui dispositivo(s) de memória 662 para armazenar informações no dispositivo 600. O subsistema de memória 660 pode incluir dispositivos de memória não volátil (estado não se altera se a energia do dispositivo de memória for interrompida) e/ou volátil (estado é indeterminado se a energia do dispositivo de memória for interrompida). A memória 660 pode armazenar dados de aplicativo, dados de usuário, música, fotos, documentos ou outros dados, bem como dados de sistema (se de longo prazo ou temporários) relacionados à execução das aplicações e funções do sistema 600. Em uma modalidade, o subsistema de memória 660 inclui controlador de memória 664 (que poderia também ser considerado parte do controle de sistema 600, e poderia potencialmente ser considerado parte do processador 610). O controlador de memória 664 inclui um programador para gerar e expedir comandos para o dispositivo de memória 662.
[0062] A conectividade 670 inclui dispositivos de hardware (por exemplo, conectores com fio e/ou sem fio e hardware de comunicação) e componentes de software (por exemplo, drivers, pilhas de protocolo) para permitir que o dispositivo 600 se comunique com dispositivos externos. O dispositivo externo poderia ser representado por dispositivos separados, tais como outros dispositivos de computação, pontos de acesso sem fio ou estações-base, bem como periféricos tais como fones de ouvido, impressoras ou outros dispositivos.
[0063] A conectividade 670 pode incluir múltiplos tipos diferentes de conectividade. Para generalizar, o dispositivo 600 é ilustrado com conectividade celular 672 e conectividade sem fio 674. A conectividade celular 672 se refere em geral à conectividade de rede celular fornecida por portadoras sem fio, tais como fornecidas através de GSM (sistema global para comunicações móveis) ou variações ou derivados, CDMA (acesso múltiplo por divisão de código) ou variações ou deriva- dos, TDM (multiplexação por divisão de tempo) ou variações ou derivados, LTE (evolução a longo prazo - também chamada de "4G") ou outros padrões de serviço celular. A conectividade sem fio 674 se refere à conectividade sem fio que não é celular e pode incluir redes de área pessoal (tal como Bluetooth), redes de área local (tal como WiFi) e/ou redes de área ampla (tal como WiMax) ou outra comunicação sem fio. A comunicação sem fio se refere à transferência de dados através do uso de radiação eletromagnética modulada através de um meio não sólido. A comunicação com fio ocorre através de um meio de comunicação sólido.
[0064] As conexões periféricas 680 incluem interfaces e conecto res de hardware, bem como componentes de software (por exemplo, drivers, pilhas de protocolo) para realizar conexões periféricas. Será entendido que o dispositivo 600 poderia tanto ser um dispositivo periférico ("para" 682) para outros dispositivos de computação, quanto ter dispositivos periféricos ("de" 684) conectados ao mesmo. O dispositivo 600 tem comumente um conector de "encaixe" para se conectar a outros dispositivos de computação para propósitos tal como conteúdo de gerenciamento (por exemplo, transferência por download e/ou upload, alteração, sincronização) no dispositivo 600. Adicionalmente, um conector de encaixe pode permitir que o dispositivo 600 se conecte a certos periféricos que permitem que o dispositivo 600 controle saída de conteúdo, por exemplo, para audiovisual ou outros sistemas.
[0065] Além de um conector de encaixe proprietário ou outro hardware de conexão proprietária, o dispositivo 600 pode realizar conexões periféricas 680 através de conectores comuns ou com base em padrões. Os tipos comuns podem incluir um conector de Barra- mento Serial Universal (USB) (que pode incluir qualquer uma dentre inúmeras interfaces de hardware diferentes), Porta de Exibição incluindo Miniporta de Exibição (MDP), Interface Multimídia de Alta Defini-ção (HDMI), Firewire ou outro tipo.
[0066] Em uma modalidade, o subsistema de memória 660 (por exemplo, dispositivos de memória 662) e/ou outros componentes do sistema 600 incluem elementos que são criados como circuito empilhado com condutores de canal em contato com uma camada de interrupção de ataque químico de AlOx. Ao criar os elementos de circuito em níveis verticais, os componentes de hardware do sistema 500 podem ser implementados em menos bens em comparação como que era tradicionalmente possível. O condutor de canal permite que múltiplos elementos de circuito empilhado se conectem eletricamente a uma camada de fonte comum. A camada de AlOx fornece um perfil de processamento que permite que os circuitos empilhados funcionem através de diferentes variações de processamento.
[0067] Em um aspecto, um dispositivo de circuito inclui: uma pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis; uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e um camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli- SGS, em que a camada de AlOx fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS da camada de fonte, em que a camada de AlOx fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de células de memória e a camada poli-SGS, e para na camada de AlOx e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx para expor a camada de fonte.
[0068] Em uma modalidade, a camada poli-SGS compreende um polissilício dopado tipo p. Em uma modalidade, a camada de fonte inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio. Em uma modalidade, a camada de fonte compreende um polissilício dopado tipo n. Em uma modalidade, a camada de AlOx compreende adicionalmente: uma porta flutuante disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis de células de memória. Em uma modalidade, o canal compreende um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis, em que o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante de camada de AlOx fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente: uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada poli-SGS. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente: uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada de fonte.
[0069] Em um aspecto, um dispositivo eletrônico inclui: um dispositivo de memória empilhado tridimensional para armazenar dados, em que o dispositivo de memória inclui: uma pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis; uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e um camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS, em que a ca- mada de AlOx fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS da camada de fonte, em que a camada de AlOx fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de células de memória e a camada poli-SGS, e para na camada de AlOx e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx para expor a camada de fonte; e um visor de alta definição acoplado para gerar uma exibição com base em dados armazenados no dispositivo de memória.
[0070] Em uma modalidade, a camada poli-SGS compreende um polissilício dopado tipo p. Em uma modalidade, a camada de fonte inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio. Em uma modalidade, a camada de fonte compreende um polissilício dopado tipo n. Em uma modalidade, a camada de AlOx compreende adicionalmente: uma porta flutuante disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis de células de memória. Em uma modalidade, o canal compreende um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis, em que o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante de camada de AlOx fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco. Em uma modalidade, o dispositivo de memória compreende adicionalmente: uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada poli-SGS. Em uma modalidade, o dispositivo de memória compreende adicionalmente: uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada de fonte.
[0071] Em um aspecto, um método para criar um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx inclui: gerar uma pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; criar uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis; criar uma camada de fonte condutora em um substrato semicondu-tor para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e criar uma camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS, em que a camada de AlOx fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli- SGS da camada de fonte, em que a camada de AlOx fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de células de memória e a camada poli-SGS, e para na camada de AlOx e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx para expor a camada de fonte.
[0072] Em uma modalidade, a criação da camada poli-SGS compreende criar um polissilício dopado tipo p. Em uma modalidade, a criação da camada de fonte compreende criar uma camada de fonte que inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio. Em uma modalidade, a criação da camada de fonte compreende criar um polissilício dopado tipo n. Em uma modalidade, a criação da camada de AlOx compreende criar adicionalmente uma porta flutuante a ser disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis de células de memória. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente criar um canal oco que se es- tende através da pilha de múltiplos níveis, o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante da camada de AlOx fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada poli- SGS. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada de fonte.
[0073] Em um aspecto, um artigo de fabricação que compreende um meio de armazenamento legível por computador que tem conteúdo armazenado no mesmo, que quando executado, realiza operações para criar circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx, inclui: gerar uma pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; criar uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli- SGS fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis; criar uma camada de fonte condutora em um substrato semicondutor para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e criar uma camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS, em que a camada de AlOx fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS da camada de fonte, em que a camada de AlOx fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de células de memória e a camada poli-SGS, e para na camada de AlOx e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx para expor a camada de fonte.
[0074] Em uma modalidade, o conteúdo para criar a camada poli-SGS compreende criar um polissilício dopado tipo p. Em uma modalidade, o conteúdo para criar a camada de fonte compreende conteúdo para criar uma camada de fonte que inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio. Em uma modalidade, o conteúdo para criar a camada de fonte compreende conteúdo para criar um polissilício dopado tipo n. Em uma modalidade, o conteúdo para criar a camada de AlOx compreende adicionalmente conteúdo para criar uma porta flutuante a ser disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis de células de memória. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente conteúdo para criar um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis, o canal oco inclui material condutor que circunda um iso- lante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante de camada de AlOx fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente conteúdo para criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada poli-SGS. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente conteúdo para criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada de fonte.
[0075] Em um aspecto, um aparelho para criar um circuito empilhado com uma camada de contato de AlOx inclui: meios para gerar uma pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; meios criar uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis; meios criar uma camada de fonte condutora em um substrato semicondutor para fornecer um con- dutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e meios criar uma camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS, em que a camada de AlOx fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS da camada de fonte, em que a camada de AlOx fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente a pilha de múltiplos níveis de células de memória e a camada poli-SGS, e para na camada de AlOx e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx para expor a camada de fonte.
[0076] Em uma modalidade, os meios para criar a camada poli-SGS compreendem meios para criar um polissilício dopado tipo p. Em uma modalidade, os meios para criar a camada de fonte compreendem meios para criar uma camada de fonte que inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissili- cieto de tungstênio. Em uma modalidade, os meios para criar a camada de fonte compreendem meios para criar um polissilício dopado tipo n. Em uma modalidade, os meios para criar a camada de AlOx compreendem adicionalmente meios para criar uma porta flutuante a ser disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis de células de memória. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente meios para criar um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis, o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a camada de AlOx porta flutuante fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente meios para criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada poli-SGS. Em uma modalidade, que compreende adicionalmente meios para criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx e a camada de fonte.
[0077] Os fluxogramas, conforme ilustrado no presente documento,fornecem exemplos de sequências de várias ações de processo. Os fluxogramas podem indicar operações a serem executadas por uma rotina de software ou firmware, bem como operações físicas. Em uma modalidade, um fluxograma pode ilustrar o estado de uma máquina de estado finito (FSM), que pode ser implementada em hardware e/ou software. Embora mostrado em uma ordem ou sequência particular, salvo se especificado de outro modo, a ordem das ações pode ser modificada. Dessa forma, as modalidades ilustradas devem ser entendidas apenas como um exemplo, e o processo pode ser realizado em uma ordem diferente, e algumas ações podem ser realizadas paralelamente. Adicionalmente, uma ou mais ações podem ser omitidas em várias modalidades; dessa forma, nem todas as ações são requeridas em cada modalidade. Outros fluxos de processo são possíveis.
[0078] Ao ponto em que várias operações ou funções são descritas no presente documento, as mesmas podem ser descritas ou definida como código, instruções, configuração e/ou dados de software. O conteúdo pode ser diretamente executável ("objeto" ou forma "executável"), código-fonte ou código de diferença (código "delta" ou "patch"). O conteúdo de software das modalidades descritas no presente documento pode ser fornecido através de um artigo de fabricação com o conteúdo armazenado no mesmo ou através de um método de operação de uma interface de comunicação para enviar dados através da interface de comunicação. Um meio de armazenamento legível por máquina pode fazer com que uma máquina realize as funções ou operações descritas e inclui qualquer mecanismo que armazena informações em uma forma acessível por uma máquina (por exemplo, disposi- tivo de computação, sistema eletrônico, etc.), tal como mídia não gra- vável/gravável (por exemplo, memória de somente leitura (ROM), memória de acesso aleatório (RAM), meios de armazenamento em disco magnético, meios de armazenamento óptico, dispositivos de memória flash, etc.). Uma interface de comunicação inclui qualquer mecanismo que faz interface com qualquer um dentre um meio de fio rígido, sem fio, óptico, etc., para se comunicar com um outro dispositivo, tal como uma interface de barramento de memória, uma interface de barramen- to de processador, uma conexão de Internet, um controlador de disco, etc. A interface de comunicação pode ser configurada ao fornecer parâmetros de configuração e/ou enviar sinais para preparar a interface de comunicação para fornecer um sinal de dados que descreve o conteúdo de software. A interface de comunicação pode ser acessada através de um ou mais comandos ou sinais enviados para a interface de comunicação.
[0079] Vários componentes descritos no presente documento podem ser um meio para realizar as operações ou funções descritas. Cada componente descrito no presente documento inclui software, hardware ou uma combinação dos mesmos. Os componentes podem ser implementados como módulos de software, módulos de hardware, hardware de propósito especial (por exemplo, hardware específico de aplicação, circuitos integrados para aplicação específica (ASICs), processadores de sinal digital (DSPs), etc.), controladores embutidos, conjunto de circuitos de fio rígido, etc.
[0080] Além do que é descrito no presente documento, várias modi ficações podem ser feitas nas modalidades e implementações reveladas da invenção sem que se afaste de seu escopo. Portanto, as ilustrações e os exemplos do presente documento devem ser interpretados em um sentido ilustrativo e não restritivo. O escopo da invenção deve ser medido simplesmente em referência às seguintes reivindicações.
Claims (16)
1. Dispositivo de circuito com uma camada interrupção de ataque químico caracterizado pelo fato de que compreende: uma pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli- SGS) (140) adjacente à pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória, em que a camada poli-SGS (140) fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis (150); uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha, sendo que dita camada de fonte condutora compreende uma fonte (120); um canal (122) que se estende por todo o comprimento/altura o de uma plataforma (102) para fonte (120), configurado para fornecer condutividade elétrica da fonte (120) aos elementos de circuito da pilha de múltiplos níveis (150); e e uma camada de óxido de alumínio (AlOx) (130) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS (140), em que a camada de AlOx (130) fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS (140) da camada de fonte, em que a camada de AlOx (130) fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente através da pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória e da camada poli-SGS (140), e para na camada de AlOx (130) e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx (130) para expor a camada de fonte.
2. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a camada poli-SGS (140) compreende um polissilício dopado tipo p.
3. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a camada de fonte inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio.
4. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a camada de fonte compreende um polissilício dopado tipo n.
5. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a camada de AlOx (130) compreende adicionalmente: uma porta flutuante disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória.
6. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 5, caracterizado pelo fato de que o canal compreende um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis (150), em que o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante de camada de AlOx (130) fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco.
7. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente:uma camada de óxido entre a camada de AlOx (130) e a camada poli-SGS (140).
8. Dispositivo de circuito, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente: uma camada de óxido entre a camada de AlOx (130) e a camada de fonte.
9. Método para criar um circuito empilhado com uma camada de interrupção de ataque químico definido na reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que compreende: gerar uma pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória, em que cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória; criar uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória, em que a camada poli-SGS (140) fornece um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis (150); criar uma camada de fonte condutora em um substrato semicondutor para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha; e criar uma camada de óxido de alumínio (AlOx) entre a camada de fonte e a camada poli-SGS (140), em que a camada de AlOx (130) fornece uma camada de interrupção de ataque químico para separar a camada poli-SGS (140) da camada de fonte, em que a camada de AlOx (130) fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado, em que um ataque químico de canal ataca quimicamente através da pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória e da camada poli-SGS (140), e para na camada de AlOx (130) e não expõe a camada de fonte, e em que um ataque químico de porta seletivo ataca quimicamente os contatos de porta nas células de memória e ataca quimicamente a camada de AlOx (130) para expor a camada de fonte.
10. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que a criação da camada poli-SGS (140) compreende criar um polissilício dopado tipo p.
11. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que a criação da camada de fonte compreende criar uma camada de fonte que inclui um ou mais dentre silicieto de tungstênio, polissilício intensamente dopado ou polissilicieto de tungstênio.
12. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que a criação da camada de fonte compreende criar um polissilício dopado tipo n.
13. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que a criação da camada de AlOx (130) compreende adicionalmente criar uma porta flutuante a ser disparada pelo sinal de seleção de porta para fornecer corrente a partir da camada de fonte para a pilha de múltiplos níveis (150) de células de memória.
14. Método, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente criar um canal oco que se estende através da pilha de múltiplos níveis (150), em que o canal oco inclui material condutor que circunda um isolante de canal para fornecer contato elétrico para as portas das células de memória; em que a porta flutuante de camada de AlOx (130) fornece corrente a partir da camada de fonte para o canal oco.
15. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx (130) e a camada poli-SGS (140).
16. Método, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente criar uma camada de óxido entre a camada de AlOx (130) e a camada de fonte.
Applications Claiming Priority (3)
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| US14/329,644 US9595531B2 (en) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | Aluminum oxide landing layer for conductive channels for a three dimensional circuit device |
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Publications (2)
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