BR112012019479B1

BR112012019479B1 - Reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placaparalela com acoplamento capacitivo

Info

Publication number: BR112012019479B1
Application number: BR112012019479-8A
Authority: BR
Inventors: Joachim Mai; Benjamin Strahm; Thomas Schulze; Arthur Buechel
Original assignee: Meyer Burger (Germany) Gmbh
Priority date: 2010-02-08
Filing date: 2010-07-09
Publication date: 2021-02-23
Also published as: BR112012019479B8; CN102762764A; KR101696333B1; EP2360292A1; JP5810448B2; WO2011095846A1; JP2013518989A; ATE551439T1; EP2360292B1; SG182416A1; KR20130001235A; US9224581B2; MY164472A; CN102762764B; EP2360292A8; US20120304933A1

Abstract

reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo a presente invenção refere-se a um reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada a um eletrodo de rf e que compreende uma saída de gás. o objetivo da presente invenção é fornecer um reator de placa paralela do tipo referido com o qual camadas com alta homogeneidade de espessura e qualidade podem ser produzidas. o objetivo é resolvido por um reator de deposição de vapor intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo do tipo mencionado em que a unidade de distribuição de gás compreende uma cabeça de chuveiro de múltiplos estágios construída de tal maneira que fornece um ajuste independente de distribuição de gás e perfil de emissão de gás da unidade de distribuição de gás.

Description

A presente invenção refere-se a um reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa 5 paralela com acoplamento capacitivo, sendo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada em um eletrodo de RF e que compreende uma saída de gás.

Os reatores de deposição de vapor químico intensificado por plasma com acoplamento capacitivo (PECVD) 10 são usados, geralmente, para depositar filmes finos em substratos, tal como substratos semicondutores para a fabricação de células solares. É importante um processo de fabricação de plasma ser realizada com uniformidade espacial alta da superfície do substrato. Isto é, um processo de 15 deposição deveria ser realizado de modo que o material depositado tenha espessura e qualidade uniforme em todas as posições sobre a superfície do substrato.

O conceito de tais reatores de placa paralela é caracterizado por uma disposição de eletrodos similares a 20 placas paralelas em que esses eletrodos são dispostos em uma câmara de temperatura controlada, fechada e à prova de gás. A « câmara fechada é conectada a um sistema de bombeamento de vácuo próprio e tem seu suprimento de gás próprio. O reator de placa paralela é frequentemente usado em uma câmara de 25 vácuo que é fornecida com seu sistema de bombeamento próprio, também.

Geralmente, uma tensão de RF assimétrica é usada para fornecer um plasma gerado na disposição de placa paralela com potência elétrica. A tensão de RF é fornecida 30 por um gerador de RF. Tipicamente, as mesmas frequências de excitação de plasma usadas estão em uma região entre 13 MHz a cerca de 8 0 MHz. Pelo menos um de ambos os eletrodos paralelos, em particular o eletrodo suprido por RF, tem um sistema de distribuição de gás para suprir o compartimento de reação no reator de placa paralela com gás.

O compartimento de reação de um reator de placa paralela é definido, principalmente, pelas dimensões e 5 distância entre os eletrodos bem como pelas paredes da câmara de reação. As assim chamadas grades de bombeamento fornecidas nos lados do eletrodo de RF são usadas para uma separação elétrica do compartimento de reação na direção do escape de gás. As grades de bombeamento consistem em um material 10 condutivo eletricamente e são impermeáveis a gás. Frequentemente, duas grades de bombeamento são aplicadas em uma disposição oposta. Com aquela construção, uma purgação simétrica mútua do compartimento de reação é possível. A distância dos eletrodos entre si é determinada pelas 15 necessidades tecnológicas e está, tipicamente, em uma região entre cerca de 10 mm e 3 0 mm. Os substratos a serem processados são normalmente colocados em um eletrodo aterrado.

A vantagem tecnológica de um conceito de reator de 20 placa paralela consiste na existência de um compartimento de reação definido e fechado e um pequeno volume de tampão de « gás disponível de gases supridos. Portanto, o tempo entre uma ignição do plasma até que um ajuste de um estado de equilíbrio das reações químicas de plasma e através disso o 25 ajuste de uma composição de gás estacionário no compartimento de reação é pequeno. Isto é especialmente importante para uma deposição definida de camadas muito finas. Um gradiente de camada de eventual existência formado pelo comportamento de oscilação transiente dos processos de deposição de plasma 30 será fortemente reduzido através disso.

Com um reator de placa paralela, as demandas necessárias para limpeza e requerimentos especiais de certos processos podem ser facilmente cumpridas. Pela separação de compartimento de gás consequente entre o reator de placa paralela e a câmara de vácuo na qual o reator é colocado, diversas magnitudes de diferença de pressão entre a atmosfera e a pressão do processo são alcançadas. Portanto, a pressão parcial e através disso, a influência de gases atmosféricos sobre o processo de preparação pode ser fortemente reduzida. Ademais, um desvio de gases de processo usados na câmara de vácuo e em câmaras adjacentes é impedido.

Também é muito vantajoso a possibilidade de uma limpeza separada do reator de placa paralela, independente do compartimento circundante da câmara de vácuo. Pela montagem mais compacta do reator de placa paralela, uma termo- separação bem realizada da câmara de vácuo é possível. Os aquecedores de parede integrados para um controle de temperatura homogêneo dos substratos.

A eficácia do processamento de superfície por meio de um reator de placa paralela é essencialmente dependente dos parâmetros de processo possíveis e os requerimentos para homogeneidade realizável nisto. Os parâmetros de processo importante são, por exemplo, a frequência de excitação de plasma, a potência de RF, a pressão do processo, o fluxo de gás inteiro bem como a razão de mistura dos gases usados. Para deposição de vapor químico intensificado por plasma (PECVD), a taxa de deposição de camada alcançável é frequentemente, de grande importância. A taxa de deposição de camada é influenciada principalmente pela frequência de excitação de plasma usada e a potência de RF usada através disso. Quanto maior a frequência de excitação, maior é a densidade de elétrons e ions no plasma. Ao mesmo tempo, a tensão ardente sobre a disposição de eletrodo pode ser reduzida, em que a energia dos íons que vem sobre a superfície dos substratos diminui com isto. Além disso, a dissociação ou a fragmentação dos gases usados é mais intensa em frequências de excitação de plasma superiores, em que, em particular, taxas de deposição superiores podem ser alcançadas.

Muitos projetos para aprimorar uniformidade espacial de processos de fabricação de plasma têm sido desenvolvidos. Alguns projetos, Pedido de Patente sob N2 U.S. 2009/0159423 Al concentra na formação de uma densidade de plasma uniforme visto que assimetria na densidade de plasma não é desejável porque produz uma assimetria correspondente no processo de plasma que é realizado sobre o substrato. É, além disso, necessário para fornecer, em uma câmara de plasma uma distribuição de gás uniforme que pode ser alcançada por um, assim chamado, eletrodo de cabeça de chuveiro. A cabeça de chuveiro consiste em uma ou mais placas de distribuição de gás ou difusores com uma pluralidade de furos que formam numerosas passagens de saída de gás na cabeça de chuveiro. A cabeça de chuveiro combina as funções de um eletrodo de RF e uma distribuição de gás em uma unidade.

Devido aos furos na placa de eletrodo de cabeça de chuveiro existe, frequentemente, dependente da velocidade do fluxo de gás através dos furos e a seção transversal dos furos, uma "imagem" da distribuição de furos na placa de distribuição de gás sobre a camada depositada sobre o substrato por meio da cabeça de chuveiro. Isto é, a camada depositada é formada com uma superfície semelhante a onda, em que as cristas de onda são formadas diretamente sob os furos.

Além disso, os reatores conhecidos sofrem frequentemente, de uma blindagem não completa do ambiente do reator, sendo que resulta em uma inserção não desejada de partículas no interior da câmara de reator.

É, portanto, o objetivo da presente invenção fornecer um reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo do tipo supracitado com quantas camadas com homogeneidade de espessura e qualidade alta possam ser produzidas.

O objetivo é resolvido por um reator de deposição 5 de vapor intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo, sendo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada em um eletrodo de RF e compreende uma saída de gás, em que a unidade de distribuição de gás compreende uma cabeça de chuveiro de múltiplos 10 estágios construída de tal modo que forneça um ajuste independente do perfil de distribuição de gás e emissão de gás da unidade de distribuição de gás.

A distribuição de gás na área de deposição de um reator de placa paralela é predominantemente dependente das 15 condições concretas do suprimento de gás de gases frescos e as condições especiais de saída de gás de gases usados ou produtos de decomposição dos gases usados os quais não contribuem para uma formação de camada adicional. Conforme mencionado acima, em cabeça de chuveiros conhecidas usadas em 20 reatores de placa paralela, o perfil de emissão de gás era diretamente dependente da distribuição de gás fornecida pela * respectiva unidade de distribuição de gás e leva ao perfil de superfície semelhante a onda supracitado da camada depositadas. Em contraste àquilo, a presente invenção sugere 2 5 uma unidade de distribuição de gás a qual compreende uma construção de cabeça de chuveiro que separa a distribuição de gás da formação do perfil de emissão de gás e que, através disso, é capaz de ajustar a distribuição de gás por um lado e fornecer um certo perfil de emissão de gás por outro lado 30 independentemente entre si. Isso resulta em uma deposição de camada uniforme, especialmente no caso de filmes finos.

Preferencialmente, o conceito inventivo pode ser implantado por um reator de deposição de vapor intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo, sendo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada em um eletrodo de RF e compreende uma saída de gás, em que a unidade de distribuição de gás compreende, na direção do fluxo de gás através do reator, pelo menos uma primeira placa de distribuição de gás perfurada e pelo menos uma segunda placa de distribuição de gás perfurada que é espaçada da primeira placa de distribuição de gás, sendo que os furos na segunda placa de distribuição de gás são construídos com uma seção transversal maior que os furos na primeira placa de distribuição de gás, e em que volumes de tampão de gás separado são fornecidos entre furos únicos ou grupos de furos da primeira placa de distribuição de gás e da segunda placa de distribuição de gás na qual os volumes de tampão de gás os conectam, respectivamente, em que os volumes de tampão de gás são construídos com uma seção transversal maior que os furos na segunda placa de distribuição de gás.

Os requerimentos necessários do suprimento de gás para um ajuste de uma deposição de camada homogênea podem ser alcançados na presente invenção por padrões adaptados localmente opostos à área de deposição e por dimensões individuais dos furos de gás nas placas diferentes da cabeça de chuveiro. De acordo com a presente invenção, o dimensionamento dos furos de gás é feito de tal modo que a quantidade que flui através de cada um dos furos é definida com dependência do fluxo de gás inteiro o qual é necessário para o processo de plasma. Por essa razão, um tampão de gás correspondente dentro do eletrodo formado pelos volumes de tampão de gás separado entre os furos da primeira e da segunda placa de distribuição de gás é usado, sendo que leva ao efeito de que o fluxo de gás pode fornecer uma quantidade de gás suficiente para cada furo de gás individual.

A invenção oferece a possibilidade para fornecer um gerenciamento de gás favorito e para ajustar com isso o perfil das camadas depositadas sobre os substratos. A primeira placa de distribuição de gás da cabeça de chuveiro serve, devido aos seus pequenos furos, como uma placa com 5 baixa condutância de gás que leva a um diâmetro de fluxo de gás relativamente pequeno do fluxo de gás que escape dos furos da primeira placa. Se esse fluxo de gás tivesse impacto sobre a superfície dos substratos diretamente, as áreas sobre os substratos que estão abaixo daquele fluxo de gás seriam 10 depositados com uma espessura de camada superior a outras áreas.

De acordo com a presente invenção, o fluxo de gás não colide diretamente na superfície do substrato, mas flui no interior do volume de tampão de gás correspondente a cada 15 um dos furos da primeira placa de distribuição de gás, respectivamente. O fluxo de gás distribui no compartimento fornecido pelo volume de tampão de gás correspondente que segue cada furo da primeira placa, sendo que leva a uma expansão do diâmetro de fluxo de gás. Conforme os volumes de 20 tampão de gás conectam os furos das primeira e segunda placas de distribuição de gás, o fluxo de gás passa depois disso através dos furos na segunda placa de distribuição de gás da cabeça de chuveiro. A segunda placa de distribuição de gás está, preferencialmente, em paralelo à primeira placa de 25 distribuição de gás e tem uma condutância de gás superior à da primeira placa de distribuição de gás através de furos maiores formados na segunda placa de distribuição de gás. Portanto, os fluxos de gás bem distribuídos através dos furos na segunda placa de distribuição de gás com um ângulo de 30 espalhamento grande e uma alta uniformidade.

Por uma escolha apropriada da condutância de fluxo de gás das primeira e segunda placas de distribuição de gás, o fluxo de gás que sai dos furos da segunda placa de distribuição de gás pode ser ajustado de tal forma que os fluxos de gás que escapam de furos adjacentes da segunda placa de distribuição de gás superponham e formem sobre a superfície do substrato subjacente uma camada com uma 5 espessura um tanto homogênea. Pela separação dos volumes de tampão de gás de um do outro, além disso, é percebido que não ocorre uma intermistura não desejada de fluxos de gás que escapam dos furos da primeira placa de distribuição de gás.

0 princípio da presente invenção também não 10 funciona com mais que duas placas de distribuição de gás da cabeça de chuveiro e em um caso no qual diversos furos da primeira placa e/ou da segunda placa são combinados a grupos de furos.

O reator da presente invenção pode ser concretizado 15 de tal forma que os furos na segunda placa são construídos com uma seção transversal maior que os furos na primeira placa, e os volumes de tampão de gás são construídos com uma seção transversal maior que os furos na segunda placa. Naquela construção, os volumes de tampão de gás têm uma forma 20 cilíndrica que pode ser construída simplesmente por perfuração. Em outras modalidades da invenção, as paredes « laterais dos volumes de tampão de gás podem se inclinadas de modo que os volumes de tampão de gás tenham um diâmetro menor próximo à primeira placa e um diâmetro maior próximo à 25 segunda placa. Em todo caso, os volumes de tampão de gás são grandes e longos o suficiente para permitir uma expansão similar a balão do fluxo de gás no volume de tampão de gás e uma boa distribuição de gás de modo que o gás possa ser levado quase direto com uma alta homogeneidade através dos 30 furos grandes na segunda placa sobre o substrato.

A relação entre o diâmetro dos furos na segunda placa de distribuição de gás àquele dos furos na primeira placa de distribuição de gás pode ser facilmente adaptado sobre os respectivos requerimentos do reator e dos parâmetros de camadas depositadas.

De acordo com outra modalidade da presente invenção, a primeira placa de distribuição de gás tem tal 5 condutância de fluxo de gás que é capa de produzir uma diminuição de pressão de gás que é necessário para obter um efeito de bloqueio de gás pela primeira placa de distribuição de gás. Para alcançar isto, a condutância de fluxo de gás de cada furo de gás e a condutância de fluxo de gás integral de 10 todos os furos da primeira placa de distribuição de gás deve ajustar de tal forma que uma diminuição de pressão de gás adequada resulta na unidade de distribuição de gás. Aquela diminuição de pressão de gás deveria ser ajustada de modo que o efeito de bloqueio de gás conhecido na tecnologia de vácuo 15 seja alcançado para cada furo.

0 efeito de bloqueio de gás também é conhecido como um fluxo bloqueado o qual pode ser observado durante ventilação de ar de uma caixa de vácuo. Durante a abertura de uma válvula de ventilação, o ar flui do ambiente na baixa com 20 uma certa pressão e com uma velocidade alta. Aquela velocidade pode alcançar, em seu máximo, velocidade sônica e • a quantidade que flui através disso é independente da pressão interna da caixa. Para alcançar aquele efeito na presente invenção, é, portanto, recomendável construir os furos da 2 5 primeira placa de distribuição de gás com tal seção transversal de modo que o gás que flui através desses duros durante a operação alcance velocidade sônica. Preferencialmente, o dimensionamento dos furos de gás é feito de tal forma que o efeito de bloqueio de gás será mantido na 30 área de alteração inteira do fluxo de gás inteiro e da pressão do processo para todos os processos possíveis.

Em uma modalidade favorita da presente invenção, para uma obtenção do efeito de bloqueio, a primeira placa de distribuição de gás compreende uma folha metálica perfurada com uma disposição do furo definida.

Para uma fixação adequada da folha metálica perfurada, em uma avanço adicional daquela modalidade, uma placa perfurada adicional pode ser usada. Aquela placa perfurada adicional pode ser usada como uma máscara para a folha metálica perfurar para alcançar um ajuste independente da distribuição de gás e da condutância de gás integral dos furos selecionados na folha metálica disto.

A primeira, bem como a segunda placa de distribuição de gás podem ser formadas de duas ou mais placas únicas colocadas sobre outra de modo que não somente os furos de distribuição de gás furos, mas também os volumes de tampão de gás entre os furos possam ser formados pela construção especial da primeira e/ou da segunda placa de distribuição de gás.

Além disso, os furos da segunda placa de distribuição de gás podem ser fornecidos com escareadores no lado do escape de gás e/ou no lado da entrada de gás. Tais escareadores podem ser usados para um ajuste adequado do perfil de emissão de gás da unidade de distribuição de gás.

De acordo com outro exemplo da presente invenção, a densidade de furo da segunda placa de distribuição de gás é maior em suas bordas, em uma região próxima às grades de bombeamento fornecidas lateralmente no eletrodo de RF, respectivamente, do que na parte central da segunda placa de distribuição de gás. Ao fazer isso, o fluxo de gás é mais direto e mais forte nas bordas da placa. Aumentar o fluxo nas bordas ajuda a substituir a energia perdida devido ao atrito de gás com as bordas, o qual mantém o movimento harmônico do fluxo.

Além disso, pode ser útil fornecer fileiras adicionais de furos das placas de distribuição de gás em uma borda externa da unidade de distribuição de gás, na direção da saída de gás do reator.

Através de um dimensionamento e disposição ótima dos furos de gás individuais, a velocidade de fluxo de gás no respectivo furo de gás muda com dependendo do fluxo de gás inteiro. Aquele efeito tem uma influência concorrente sobre o perfil de saída de gás do furo de gás. Dependendo da quantidade da velocidade de fluxo das partículas de gás e da distância dos elétrons um para outro, uma variante de espessura de camada local sobre os substratos pode ocorrer na área dos furos de gás. Nesse caso, pode ser necessário controlar outros parâmetros de processo.

Para uma remoção de gás homogênea dos gases usados para fora da região de deposição, na direção da saída de gás do reator, um escape homogêneo de gases através das grades de bombeamento fornecidas lateralmente no eletrodo de RF do reator é necessário. Normalmente, aquilo será alcançado por múltiplos escapes de gás dispostos na direção do fluxo de gás através do reator depois das grades de bombeamento ou por dispositivos extensivos que permitem uma correção de fluxo. Em altas quantidades de fluxo de gás e em uma distância baixa de eletrodos, uma diminuição significativa de pressão pode ocorrer na direção das grades de bombeamento na dependência da respectiva pressão do processo. Por altas dimensões de eletrodo e, portanto, longos caminhos das partículas de gás para a borda do eletrodo e para a saída de gás, a homogeneidade de espessura de camada alcançável também pode ser diminuída. Para reduzir aquele problema, um escape de gás dupla face no vão de descarga da disposição de placa paralela pode ser usado e o vão entre os eletrodos pode ser adaptado sobre os respectivos requerimentos tecnológicos.

Em um exemplo específico da presente invenção, os canais de purgação de gás que se estendem na direção do fluxo de gás através do reator são fornecidos entre as grades de bombeamento fornecidas lateralmente no eletrodo de RF, respectivamente, e a saída de gás do reator. Os canais de purgação de gás fornecem uma unidade de forçamento de gás 5 atrás das grades de bombeamento por meio do qual um fluxo direto de gás na direção do(s) orifício(s) de saída de gás do reator pode ser evitado. Desta forma, um novo gerenciamento de fluxo de gás atrás das grades de bombeamento pode ser fornecido, sendo que oferece a possibilidade de alcançar uma 10 uniformidade de deposição quase perfeita sobre a área de deposição completa do reator de placa paralela.

Em uma variante daquela modalidade, os canais de purgação são formados por diversos defletores de gás paralelos fornecidos na direção do fluxo de gás através do 15 reator atrás das grades de bombeamento. Os defletores de gás forçam um fluxo alongado e esticado de gás na direção da saída de gás. O uso dos defletores de gás é um método para reduzir a irregularidade de fluxo de gás dentro do plasma, de forma significativa. 20 Ademais, foi mostrado que para reduzir o efeito de linhas de fluxo de gás convergentes sobre a uniformidade de * plasma, a zona de bombeamento deveria ter um certo comprimento. Esse comprimento será reduzido na presente invenção ao aplicar uma força sobre o fluxo de gás a fim de 25 obter um fluxo direto na direção desejada. Essa força é, neste exemplo da presente invenção, aplicada com o uso de defletores de gás na forma de gás fora do reator. Isto é, esses defletores de gás do não perturbar a formação de camada e reação no compartimento de processamento do reator. A 30 redução da zona de bombeamento leva à redução do vestígio do reator para uma dada área de eletrodo.

Em uma modalidade alternativa da presente invenção, os canais de purgação podem ser integrados em pelo menos uma parede do reator para fornecer uma zona de bombeamento relativamente longa. Nesse caso, é especialmente recomendável fornecer um bombeamento do topo do reator. Com tal esquema, o comprimento do trajeto de gás entre a grade de bombeamento e o orifício de bombeamento pode ser estendido enquanto uma dimensão adicional no plano de deposição para esse trajeto de gás adicional pode ser minimizada. Portanto, o esquema de novo escape de gás torna possível aprimorar, de forma significativa, o vestígio do reator para uma dada área de deposição sem reduzir a excelente uniformidade de deposição alcançada pelo comprimento de trajeto longo entre a grade de bombeamento e a saída de gás.

Em uma versão desejada dessa modalidade da invenção, os defletores de gás compreendem diversos painéis paralelos fornecidos na direção do fluxo de gás através do reator atrás das grades de bombeamento. Os painéis podem ser painéis retangulares instalados para forçar o fluxo de gás na direção de fluxo desejada. 0 uso de defletores conformados em painel permite direcionamento fácil e definitivo do fluxo de gás sobre uma longa distância. Portanto, o uso dos defletores torna possível evitar qualquer irregularidade de fluxo de gás dentro do plasma devido às linhas de fluxo de gás convergentes na direção dos orifícios de bombeamento. Sem o uso dos defletores, a zona de bombeamento deve ser longa o suficiente para reduzir o efeito de linhas de fluxo de gás convergentes na direção dos orifícios de bombeamento sobre a uniformidade de plasma. Portanto, o uso de defletores permite uma redução do vestígio do reator para uma dada área de eletrodo ao evitar uma zona de bombeamento grande. A concretização de um fluxo de gás altamente direcionado depende do comprimento dos painéis. Através do aumento do comprimento dos painéis, uma direção melhor de fluxo de gás pode ser obtida.

Em uma opção adicional da presente invenção, pelo menos uma grade adicional é fornecida entre as grades de bombeamento e a saída de gás do reator, sendo que a dita grade adicional tem uma condutância de fluxo de gás reduzida em comparação com a grade de bombeamento. A grade adicional com menor condutância de fluxo de gás permite manter a direção e aumentar a precisão de fluxo de gás produzido pela grade de bombeamento.

Preferencialmente, a grade adicional tem tal condutância de fluxo de gás integral que a dita grade é capaz de produzir, em um fluxo de gás pré-ajustado, um diminuição de pressão de gás que é necessária para obter um efeito de bloqueio de gás, conforme mencionado acima. É, ademais, possível dimensionar as grades de bombeamento do reator de modo que o efeito de bloqueio de gás seja fornecido pelas grades de bombeamento em um fluxo de gás pré-ajustado.

Em uma versão preferencial da presente invenção, o orifício de saída de gás do reator é fornecido em um plano de deposição ou no topo do reator. Fornecer o orifício de saída em um plano de deposição é o método mais ótimo para obter um fluxo direcionado devido à distância muito curta entre os defletores e o orifício de saída. Instalar o orifício de saída no topo fornecer uma distância muito longa entre os mesmo e o orifício de entrada, o qual age para redirecionar o fluxo sobre a distância.

No caso de deposições em larga escala de camadas finas com um reator de placa paralela, o homogeneidade alcançável da deposição é influenciada principalmente pela distribuição de gás e plasma na área da deposição entre a disposição de eletrodo paralela. A distribuição de plasma é fortemente dependente da distribuição de corrente e tensão homogênea nos eletrodos. Dependendo da dimensão dos eletrodos e a frequência de excitação de plasma usada, ao homogeneidade da formação de plasma pode ser adaptada, principalmente, sobre os requerimentos respectivos por uma escolha hábil da posição de suprimento de potência de RF ou, no caso em que existem mais que um lugar com um suprimento de RF, das posições dos dispositivos de suprimento de potência de RF. Pela influência elétrica aumentada das paredes laterais aterradas sobre o eletrodo de RF em uma área de borda da disposição de eletrodo, um campo elétrico homogêneo entre o eletrodo de RF e o eletrodo aterrado pode ser formado, sendo que leva a um processamento de superfície não homogêneo dos substratos. Esse efeito pode ser reduzido por uma mudança da geometria de borda do eletrodo de RF.

Para esse propósito, a cabeça de chuveiro compreende, em uma modalidade da presente invenção, paredes laterais verticais alongadas que formam uma parede circundante vertical do eletrodo de RF. Essa elevação de borda quase local formada por paredes laterais presas ou verticais alongadas da cabeça de chuveiro leva a uma simetria superior das proporções de plano entre o eletrodo de RF plano e o eletrodo aterrado plano na área de borda da disposição de placa paralela.

Além da elevação de borda vertical, em uma variante relativamente semelhante da presente invenção, a cabeça de chuveiro pode compreender paredes laterais presas alongadas. Se o fizer, uma mudança inclinada do plano interno do eletrodo de RF na direção da elevação de borda pode ser formada. Portanto, o perigo da formação de turbulências de gás, especialmente na direção de transporte de gás, pode ser reduzido.

A seguir, os exemplos favoritos da presente invenção são descritos em detalhes adicionais, em que A Figura 1 mostra, esquematicamente, uma vista em corte lateral de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma modalidade da presente invenção; A Figura 2 mostra, esquematicamente, um recorte de uma unidade de distribuição de gás de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma modalidade da presente invenção; A Figura 3 mostra, esquematicamente, um recorte de outra unidade de distribuição de gás de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma segunda modalidade da presente invenção; A Figura 4 mostra, esquematicamente, um recorte de ainda outra unidade de distribuição de gás de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma terceira modalidade da presente invenção; A Figura 5 mostra, esquematicamente, uma vista de topo em uma distribuição de furo de uma placa de distribuição de gás de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com outra modalidade da presente invenção; A Figura 6 mostra, esquematicamente, a vista de topo em uma região em uma grade de bombeamento de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma modalidade adicional da presente invenção; A Figura 7 mostra, esquematicamente, uma vista em corte lateral de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma modalidade ainda mais adicional da presente invenção; A Figura 8 mostra, esquematicamente, uma vista em corte lateral de uma região em uma grade de bombeamento de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com uma modalidade adicional da presente invenção; e A Figura 9 mostra, esquematicamente, uma vista em corte lateral de uma região em outra grade de bombeamento de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo de acordo com outra modalidade da presente invenção. A Figura 1 mostra esquematicamente uma vista em corte lateral de um reator de placa paralela com acoplamento capacitivo 1 de acordo com uma modalidade da presente invenção. 0 reator de placa paralela 1 é, no exemplo descrito, um reator de placa paralela de área grande para deposições de vapor químico intensificado por plasma (PECVD). O reator 1 é colocado em uma câmara de vácuo 6.

0 reator 1 compreende um eletrodo de RF 2 que compreende uma unidade de distribuição de gás 10. A unidade de distribuição de gás 10 é formada como uma assim chamada cabeça de chuveiro e conectada com uma única ou múltiplas conexões de gás. A unidade de distribuição de gás 10 tem uma importância especial de acordo com a presente invenção. Isso influencia significativamente a homogeneidade do processamento de plasma no reator 1. A unidade de distribuição de gás 10 consiste no exemplo mostrado de uma primeira e uma segunda placa de distribuição de gás 12, 13 dispostas em paralelo em uma pequena distância uma da outra e serão descritas em mais detalhes com referência às Figuras 2 a 4 .

O eletrodo de RF 2 tem uma construção simétrica e pode ser conectado a uma única ou múltiplas alimentações elétricas. A dita única ou múltiplas alimentações elétricas pode ser usadas de modo flexível como entrada de gás, como conexões de aquecimento ou resfriamento do eletrodo e/ou como suportes mecânicos do eletrodo de RF 2. O eletrodo de RF 2 compreende na vista lateral mostrada bordas presas 52. Nas outras laterais não mostradas do reator, o eletrodo de RF 2 é formado com bordas verticalmente alongadas. A simetria do eletrodo de RF 2 é usada para garantir uma deposição uniforme até as paredes laterais do reator reduzindo-se ou eliminando- se a assim chamada não uniformidade de Telégrafo. As bordas presas do eletrodo de RF 2 são usadas na direção de bombeamento do gás através do reator para alcançar um fluxo de gás não turbulento no plasma do reator 1, enquanto que as bordas verticalmente alongadas para as paredes do eletrodo de RF 2 estão preferencialmente no lado lateral, isto é, não na direção de bombeamento, para evitar qualquer mudança de plasma até as paredes laterais do reator.

Em um fundo 51 do reator 1, os substratos 5 serão dispostos para depositar pelo menos uma camada no mesmo. 0 fundo 51 e o eletrodo 2 são distanciados por um espaço S um do outro e terminam, junto com grades de bombeamento 4a, 4b fornecidas lateralmente no eletrodo 2, o compartimento de plasma 9. Um suprimento de eletrodo 3 serve simultaneamente como um suprimento de RF e como suprimento de gás. O suprimento de eletrodo 3 é eletricamente isolado e integrado ao reator 1, bem como à câmara de vácuo 6 em uma maneira à prova de vácuo.

Um tampão de gás 7 garante um suprimento de gás contínuo dos furos de gás individuais da unidade de distribuição de gás 10 sem diferenças de pressão consideráveis no tampão de gás 7. A câmara de vácuo 6 compreende um orifício de bombeamento 11 para uma conexão com um sistema de bombeamento a vácuo. Os também mostrados orifícios de bombeamento 8a, 8b servem para um escape de gás de gases do processo usados fora do compartimento de plasma 9. Os orifícios de bombeamento 8a, 8b são conectados com um sistema de bombeamento a vácuo separado e devem ser fornecidos de acordo com a presente invenção tanto no plano de deposição conforme mostrado na Figura 1 ou no topo do reator conforme mostrado na Figura 7. A pressão de gás na câmara de vácuo 6 normalmente está em uma região entre cerca de 10"1 Pa e < 10'4 Pa. A pressão do processo no reator de placa paralela 1 está em uma região a partir de cerca de 1 Pa a vários 100 Pa.

Conforme mencionado acima, uma provisão definida de gás fresco e uma distribuição definida do dito gás são muito importantes para os processos de PECVD em reatores de placa paralela, conforme no reator 1 da Figura 1. A distribuição de gás fresco necessária é, por outro lado, determinada pelas exigências tecnológicas e pelas dimensões concretas do compartimento de plasma 9. As exigências tecnológicas incluem as condições de processo que são necessárias para alcançar uma determinada qualidade dos substratos processados, as exigências para a homogeneidade do processo e para a velocidade do processo. As condições do processo são definidas pela escolha dos parâmetros do processo. Os parâmetros do processo importantes são o número e o tipo dos gases usados, os fluxos de gás dos gases individuais, o fluxo de gás inteiro ajustados ao mesmo, a pressão do processo e os parâmetros do processo elétrico. Os parâmetros do processo elétrico envolvem a frequência de excitação do plasma, a potência elétrica eficaz usada pelo plasma e as condições do processo elétrico especiais, por exemplo, se uma potência elétrica contínua ou pulsada é usada para a formação de plasma.

Uma adaptação necessária da distribuição de gás na dependência das exigências tecnológicas pode ser vantajosamente alcançada pela unidade de distribuição de gás 10 usada na presente invenção. As Figuras 2 a 4 mostram esquematicamente cortes aumentados de várias opções de realização da região 100 marcada na Figura 1. A Figura 2 mostra uma variante com duas placas de distribuição de gás 12, 13 dispostas uma no topo da outra. A primeira placa de distribuição de gás 12 tem uma disposição de furos definida com furos individuais 14 e valores de condutância de gás definidos. A primeira placa de distribuição de gás 12 age como distribuição de gás com um ajuste simultâneo de uma diminuição definida de pressão sobre a primeira placa de distribuição de gás 12. Desse modo, uma sobrepressão no tampão de gás 7 é criada em comparação com a pressão do processo no compartimento de plasma 9. Essa sobrepressão depende do fluxo de gás inteiro através da primeira placa de distribuição de gás 12.

Tal diminuição de pressão é grande o suficiente, o assim chamado efeito de bloqueio de gás ocorre. Nesse caso, a quantidade de gás que flui através de cada furo 14 da primeira placa de distribuição de gás 12 é apenas determinada pela pressão primária.

A velocidade de fluxo das partículas do gás no respectivo furo 14 muda dependendo do fluxo de gás através de cada furo 14, pelo qual o perfil de emissão de gás também muda. Esse problema é resolvido pela segunda placa de distribuição de gás 13. Dentro da segunda placa de distribuição de gás 13, os volumes de tampão de gás 15 são formados. As dimensões dos volumes de tampão de gás 15 são ajustadas de tal maneira que as cavidades dos volumes de tampão de gás 15 podem manter o gás que flui nas mesmas a partir dos furos 14 certamente sem uma formação de uma pressão de volta considerável. Os volumes de tampão de gás 15 são vedados um contra o outro de um modo que nenhuma troca de gás considerável seja possível entre os volumes de tampão de gás 15. Pela extensão do corte transversal dos volumes de tampão de gás 15 em comparação com os furos 14, a velocidade das partículas do gás é muito reduzida nos volumes de tampão de gás 15.

A segunda placa de distribuição de gás 13 que é oposta aos substratos 5 contém furos 16 que são conectados aos volumes de tampão de gás 15. Os furos 16 fornecem uma adaptação fácil dos perfis de emissão de gás. Os perfis de emissão de gás de cada um dos furos 16 podem ser configurados por uma definição do comprimento e do corte transversal dos furos 16 bem como por escareadores adicionais dos furos 16 na lateral do escape de gás e/ou na lateral da entrada de gás ou por uma mudança contínua ou por etapas do diâmetro dos furos.

Essa construção da invenção da unidade de distribuição de gás 10 permite um ajuste independente da distribuição de gás e dos perfis de emissão de gás.

A segunda placa de distribuição de gás 13 pode ser composta de duas ou mais folhas metálicas ou placas perfuradas individuais. Preferencialmente, cada uma dentre as ditas folhas metálicas ou placas tem uma disposição definida de furos com diâmetros definidos. A espessura da respectiva folha metálica ou placa determina o comprimento dos respectivos furos.

A Figura 3 esquematicamente mostra um desenvolvimento adicional da disposição da Figura 2. Em vez da primeira placa de distribuição de gás 12, na Figura 3 uma folha metálica 18 é usada para um ajuste definido da diminuição de pressão de gás para fornecer o efeito de bloqueio de gás descrito acima. A folha metálica 18 é fixada por uma placa perfurada 17 que fornece uma posição definida e vedação dos furos 20 na folha metálica 18. Além disso, a placa perfurada 17 pode predefinir o trajeto do gás através da folha metálica 18 ou o número daqueles furos 20 na folha metálica 18 que são eficazes para a definição da condutância do gás integral da folha metálica 18. Para esse propósito, a placa perfurada 17 pode ser usada como uma máscara para a folha metálica 18. O gás pode apenas fluir através daqueles furos 20 da folha metálica 18 sobre os furos 19 da folha metálica perfurada 17 que são fornecidas. Para esse caso, é vantajoso que a folha metálica 18 possa ser formada com um padrão relativamente simples e homogêneo de furos 20 com a mesma densidade e dimensões dos furos 20. Portanto, uma adaptação simples da condutância do gás integral da primeira disposição de placa de distribuição de gás, independente da distribuição de gás, é possível.

A segunda placa de distribuição de gás 13', os volumes de tampão de gás 15' e os furos 16' têm a mesma função da segunda placa de distribuição de gás 13, dos volumes de tampão de gás 15 e dos furos 16 na Figura 2.

A Figura 4 mostra esquematicamente uma variante adicional de uma unidade de distribuição de gás utilizável no reator 1 da presente invenção. Conforme mostrado na Figura 3, uma folha metálica 22 é usada aqui junto com a placa perfurada 21 para ajustar o efeito de bloqueio de gás. Em comparação com a Figura 3, nem todos os furos 26 da folha metálica 22 da Figura 4 tem um volume de tampão de gás correspondente. Em vez disso, vários furos 26 da folha metálica 22 se abrem para fora em um volume de tampão de gás comum 25. Esse volume de tampão de gás 25 pode ser um furo grande ou um entalhe geométrico específico. De modo exemplificative, a Figura 4 mostra uma combinação de dois furos 26 da folha metálica 22 que descarrega em um volume de tampão de gás comum 25.

Na lateral dos substratos 5, no exemplo mostrado, o volume de tampão de gás 25 é conectado a três furos 27 da segunda placa de distribuição de gás 23. Essa variante de uma unidade de distribuição de gás mostra a possibilidade que não seja absolutamente necessário, na presente invenção, copiar a disposição de furos da primeira placa de distribuição de gás da lateral de entrada na segunda placa de distribuição de gás da lateral de entrada da lateral do substrato. Assim, há a possibilidade de mudar a densidade de furos independentes do efeito de bloqueio de baixo. O número de furos a serem combinados e a disposição de furos especial na lateral dos substratos 5 resulta das respectivas exigências tecnológicas.

A Figura 5 mostra esquematicamente uma vista de fundo da segunda placa de distribuição de gás 13 de um eletrodo de RF 2 ou uma unidade de distribuição de gás 10, respectivamente, conforme mostrado na Figura 1, a partir da lateral dos substratos 5. A segunda placa de distribuição de gás 13 compreende uma região central 28 com furos 16 dispostos com uma densidade de furos relativamente baixa e uma região circundante 29 com uma densidade de furos mais alta. Na direção da purga dos gases, fileiras adicionais 30a, 30b de furos 16 são fornecidas. Com as mudanças da densidade dos furos em relação às regiões escolhidas do eletrodo de RF 2, o suprimento necessário de gás fresco pode ser adaptado nas exigências de consumo de gás local no processo do plasma. Por exemplo, isso permite uma correção das características da camada nas regiões de borda do eletrodo do substrato ou uma melhora de homogeneidade da deposição nas regiões de borda.

Além de um suprimento definido de gases frescos, um escape definido de gases usados é muito importante para a qualidade e homogeneidade do processamento de plasma.

A Figura 6 mostra esquematicamente metade de um corte de vista através de um reator de placa paralela, como o reator das Figuras 1 ou 7, em que o corte é feito em paralelo ao eletrodo de RF 2 através de uma parte do compartimento de plasma e as grades de bombeamento. A Figura 6 mostra uma grade de bombeamento 31, um orifício de bombeamento 34 e vários canais de bombeamento 32 que são separados por paredes 33. A distribuição do gás de escape nos vários canais de bombeamento 32 melhora a homogeneidade do escape de gás para fora do compartimento de plasma significativamente, já que os canais de bombeamento 32 evitam transtornos do fluxo de gás dentro do plasma. É determinante para um resultado de bombeamento homogêneo na região da grade de bombeamento 31 que os canais de bombeamento 32 sejam fornecidos com uma mesma condutância de gás até o orifício de bombeamento 34. A condutância de gás é definida pelo corte transversal e pelo comprimento dos canais de bombeamento 32. Um número alto de canais de bombeamento 32 promove a uniformidade do escape de gás para o orifício de bombeamento 34.

A Figura 7 mostra esquematicamente uma variante adicional para uma integração compacta de canais de bombeamento 4 2a, 42b nas paredes 35, 35' de um reator de placa paralela 1' de acordo com a presente invenção. Os gases do processo são supridos nessa variante por um suprimento de eletrodo 37 em um tampão de gás 38 de um eletrodo de RF 36. Os gases fluem através da unidade de distribuição de gás integrada 39 do eletrodo de RF 36 a um compartimento do processo 40. Depois disso, os gases são bombeados para fora do compartimento do processo 40 através de grades de bombeamento 41a, 41b fornecidas lateralmente no eletrodo de RF 36, respectivamente. Para esse propósito, orifícios de bombeamento fornecidos no exemplo mostrado no topo do reator 1' são conectados com um sistema de bombeamento adequado.

O rendimento de uma bomba de vácuo do dito sistema de bombeamento é, então, guiado através dos canais de bombeamento 42a, 42b para as grades de bombeamento 41a, 41b. Conforme mostrado na Figura 6, os canais de bombeamento 42a, 42b são formados por vários canais individuais. Pelo escape de gás através das paredes 35, 35' do reator de placa paralela 1' , os canais de bombeamento 42a, 42b podem ser formados com muita economia de espaço e compactos. A direção do escape de gás pode ser adaptada ao projeto especial do reator 1'.

No exemplo mostrado na Figura 7, o escape de gás é direcionado para o topo do reator 1', próximo do centro do eletrodo de RF 36. Em outras modalidades não mostradas da presente invenção também é possível guiar o gás para uma região no fundo ou para as paredes laterais do reator de placa paralela. As últimas alternativas têm, entretanto, a desvantagem que um processamento laborioso dos canais de bombeamento é necessário e que os canais de bombeamento têm que ser feitos com um determinado comprimento mínimo.

A Figura 8 mostra esquematicamente duas vistas em corte de um reator de placa paralela de acordo com a presente invenção. A vista superior mostra metade de um corte vertical, e a vista inferior é uma vista de topo em um corte através de um compartimento de plasma 48 do reator. Um eletrodo de RF 50, uma grade de bombeamento 44 e uma grade adicional 45 são fornecidos entre um fundo 49 e uma parede superior 4 7 do reator. O eletrodo de RF 50 e o fundo 4 9 formam o compartimento de plasma 48. O compartimento de plasma 48 é delimitado na direção de purga dos gases pela grade de bombeamento 44. A grade adicional 45 é disposta na direção da purga dos gases, que é mostrada pelas setas na Figura 8, diretamente atrás da grade de bombeamento 44.

Por uma configuração definida da grade adicional 45 que leva a uma condutância de gás definida da grade adicional 45 e dependendo do fluxo de gás inteiro, uma diminuição definida de pressão pode ser obtida na grade adicional 45. Por exemplo, a grade adicional 4 5 pode ser formada com um número definido de furos adequados ou fendas com valores de condutância de gás definidos. Em um caso em que há tal diminuição de pressão na grade adicional 45 em que um efeito de bloqueio de gás ocorre, a grade de bombeamento 44 causa simultaneamente uma homogeneização do escape do gás. 0 material da grade adicional 45 pode ser adaptado nas respectivas exigências mecânicas e/ou químicas, já que não há demanda na condutividade elétrica da grade adicional 45.

Em princípio, as grades de bombeamento 44 também podem assumir a função de atingir um efeito de bloqueio de gás. Entretanto, isso é desvantajoso na deposição de processos de plasma, já que em tal caso as grades de bombeamento 45 também serão depositadas. Assim, uma mudança da condutância de gás das grades de bombeamento 4 5 se eleva levando a uma mudança indefinida dos parâmetros do processo. A Figura 9 mostra esquematicamente tal disposição, em que os detalhes semelhantes da construção da Figura 9 são referidos de modo semelhante à Figura 8. A grade de bombeamento 46 serve naquela construção como uma placa de condutância de gás fornecendo um efeito de bloqueio de gás como a grade adicional 45 da Figura 8, dado que a grade de bombeamento 46 da Figura 9 consiste em um material eletricamente condutor.

Assim, o efeito de bloqueio de gás é usado em modalidades da presente invenção durante o suprimento de gases frescos bem como durante o escape de gases usados para fora do compartimento do processo nas condições mais vantaj osas.

A presente invenção torna possível depositar camadas nos substratos com uma alta uniformidade de espessura, em que o fluxo de gás na entrada de gás e/ou na saída de gás é passível de ser controlado, em particular pelo efeito de bloqueio de gás. A presente invenção torna possível aumentar a área utilizável para uma deposição de área grande e reduzir as necessidades do precursor do gás para um dado rendimento. Como consequência, o consumo de gás da fonte bem como o vestígio da ferramenta de deposição pode ser reduzido levando ao custo de aprimoramento da propriedade.

Claims

1. REATOR DE DEPOSIÇÃO DE VAPOR QUÍMICO INTENSIFICADO POR PLASMA DE PLACA PARALELA COM ACOPLAMENTO CAPACITIVO, que compreende uma unidade de distribuição de gás (10) que é integrada a um eletrodo de RF (2, 36, 50, 50’) e que compreende pelo menos uma saída de gás (8a, 8b; 34; 43a, 43b), caracterizado pelo fato de que a unidade de distribuição de gás (10) compreende uma cabeça de chuveiro de múltiplos estágios construída de tal maneira que fornece um ajuste independente de distribuição de gás e perfil de emissão de gás da unidade de distribuição de gás (10), em que a unidade de distribuição de gás (10) compreende, na direção do fluxo de gás através do reator (1, 1’), pelo menos uma primeira placa de distribuição de gás perfurada (12) e pelo menos uma segunda placa de distribuição de gás perfurada (13, 13’, 23) que é espaçada da primeira placa de distribuição de gás (12), sendo que os furos (16, 16’, 27) na segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23) são construídos com um corte transversal maior do que os furos (14, 19, 24) na primeira placa de distribuição de gás (12), e em que os volumes de tampão de gás separados (15, 15’, 25) são fornecidos entre furos únicos (14, 19, 24) ou grupos de furos (14, 19, 24) da primeira placa de distribuição de gás (12) e da segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23) em que os volumes de tampão de gás (15, 15’, 25) as conectam, respectivamente, em que os volumes de tampão de gás (15, 15’, 25) são construídos com um corte transversal maior do que os furos (16, 16’, 27) na segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23).

2. REATOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela primeira placa de distribuição de gás (12) ter uma condutância de fluxo de gás tal que é capaz de produzir uma diminuição de pressão de gás que é necessária para atingir um efeito de bloqueio de gás pela primeira placa de distribuição de gás (12).

3. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pela primeira placa de distribuição de gás compreender uma folha metálica perfurada (18) com uma disposição de furos definida.

4. REATOR, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pela folha metálica perfurada (18) ser fixada por uma placa perfurada adicional (17).

5. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pelos furos (16) na segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23) compreenderem escareadores na lateral do escape de gás e/ou na lateral da entrada de gás.

6. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pela densidade de furo da segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23) ser mais alta nas bordas da mesma (29), em uma região próxima das grades de bombeamento (4a, 4b) fornecidas lateralmente ao eletrodo de RF (2, 36, 50, 50’), respectivamente, do que na parte central (28) da segunda placa de distribuição de gás (13, 13’, 23).

7. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizado por fileiras adicionais (30a, 30b) de furos (14, 16) das placas de distribuição de gás (12; 13, 13’, 23) serem fornecidas em uma borda externa da unidade de distribuição de gás (10), na direção da saída de gás (8a, 8b; 34; 43a, 43b) do reator (1, 1’).

8. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7, caracterizado pelos canais de purga de gás (32; 42a, 42b) que se estendem na direção do fluxo de gás através do reator (1, 1’) serem fornecidos entre as grades de bombeamento (31; 41a, 41b) fornecidas lateralmente ao eletrodo de RF (2, 36), respectivamente, e a saída de gás (34; 43a, 43b) do reator (1).

9. REATOR, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelos canais de purga de gás (32) serem formados por vários defletores de gás paralelos (33) fornecidos na direção do fluxo de gás através do reator (1, 1’) atrás das grades de bombeamento (31).

10. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 8 ou 9, caracterizado pelos canais de purga de gás (42a, 42b) serem integrados a pelo menos uma parede (35, 35’) do reator (1, 1’).

11. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizado por pelo menos uma grade adicional (45) ser fornecida entre as grades de bombeamento (44) fornecidas lateralmente ao eletrodo de RF (2, 36, 50, 50’), respectivamente, e a saída de gás do reator (1, 1’), sendo que a dita grade adicional (45) tem uma condutância de fluxo de gás reduzida em comparação com as grades de bombeamento (44).

12. REATOR, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 11, caracterizado pela(s) grade(s) de bombeamento (46) e/ou a grade adicional (45) ter ou terem uma condutância de fluxo de gás tal que a respectiva grade (45, 46) é capaz de produzir uma diminuição de pressão de gás que é necessária para atingir um efeito de bloqueio de gás pela grade (45, 46).