TWI428981B - 基板處理設備之氣體供應構造 - Google Patents

Description

基板處理設備之氣體供應構造

本發明係有關於一種用於基板處理設備之氣體供應構造，其在腔室內產生電漿以處理基板表面。

如習知技藝人士所熟知者，製造電子元件，例如大型積體(LSI)電路或平面顯示器(FPDs)，通常會經歷例如基板的真空處理之處理。

在真空處理方法中，氣體係供應至腔室內，而電漿係利用高壓放電來產生。電漿微粒的加速力實質上將物質濺鍍至基板上。基板上的物質藉由電漿的自由基化學分解。

利用電漿處理基板的技術根據形成電漿的方法被歸類為PE(電漿蝕刻)技術、RIE(反應性離子蝕刻)技術、MERIE(磁場強化反應性離子蝕刻)技術、ECR(電子迴旋加速共振)技術、TCP(變壓耦合電漿)技術、ICP(感應耦合電漿)技術等。

明確地說，形成高密度電漿並增強玻璃(或半導體)基板上的電漿密度均勻性大大影響沈積或蝕刻效能。為達到這些目的，研發出多種產生電漿的方法。ICP(感應耦合電漿)法是該等電漿產生方法之代表範例。

ICP法是一種產生高密度電漿的方法，其根據在線圈纏繞於介電質後而使電場改變時，會在線圈內部產生感應磁場，並藉以在反應室內形成第二感應電流之原理。

一般而言，運用ICP法的基板處理設備包含下電極，其係裝配在反應室下半部。基板放置在下電極上。該設備更包含天線，其裝配在腔室內或在與腔室外罩連結的上蓋框架上。施加RF功率至天線。藉由供應反應性氣體至腔室內並產生電漿來處理基板表面。

就注射製程氣體至基板處理設備之腔室內的構造而言，其具備直接注射構造及噴頭構造。

根據注射製程氣體至腔室內的構造，電漿密度均勻性與基板沈積或蝕刻的效能會大幅度改變。因此，需要一種適合基板處理設備大型化趨勢之改善的氣體注射構造。

應了解前面習知技術係本發明之發明人在演繹本發明前即知曉或在演繹本發明的過程期間取得的資訊，並且當然不意味著習知技術的構造在申請日前即已知。

據此，本發明係在考量上述先前技藝所發生的問題下產生，並且本發明之一目的係在於提供一種用於基板處理設備之氣體供應構造，其中噴頭以矩形配置方式設置，因此製程氣體可均勻注入腔室中，從而改善所形成電漿的密度之均勻性，並強化沈積或蝕刻效能。

為實現上述目的，在一態樣中，本發明提供一種基板處理設備之氣體供應構造，包含：上蓋框架，其具有形成一多角框架構造的周邊之外框架，以及裝配在該外框架內部之分割框架，該分割框架將該外框架的內部空間劃分為中央窗與圍繞該中央窗形成的周邊窗；以及噴頭，其以多角配置方式裝配在該分割框架之下表面下方，該噴頭將製程氣體注入腔室內。

噴頭可具有朝向水平方向的注射表面。氣體注射孔可穿透該注射表面而形成。該等氣體注射孔可朝向垂直方向。

噴頭可包含注射表面，其具有圓形形狀。氣體注射孔可穿透注射表面而形成。氣體注射孔可以放射狀構造設置。

噴頭可具有第一注射表面形成在該分割框架的下表面下方，以及第二注射表面形成在該分割框架毗鄰該中央窗的一側上。

上蓋框架的外框架可具有矩形框架構造，並且噴頭可以矩形設置裝配。

分割框架可具有矩形形狀以形成中央窗，而進氣管可與矩形分割框架的各個角連結，使製程氣體可透過形成在分割框架內的流動通道從進氣管供應至噴頭。

在另一態樣中，本發明提供一種基板處理設備之氣體供應構造，包含：噴頭，其注射製程氣體至腔室內，該噴頭包含注射表面，其具有圓形形狀。氣體注射孔穿透注射表面而形成。氣體注射孔可以放射狀構造設置。

可從如下詳細描述連同附圖更清楚了解上述本發明之關鍵技術解決方案，且會提出並解釋根據本發明之其它各種技術解決方案。

以下，將參考附圖詳細描述本發明之較佳實施例。

現在開始會參考該等圖式，其中在不同圖式中使用同樣的元件符號來表示相同或類似的元件。

第1圖係顯示根據本發明之基板處理設備之結構的概要剖面圖。

根據本發明之基板處理設備包含腔室外罩11、基板支撐台15、下電極17、上蓋框架20、複數個窗30、天線40、RF電源供應器50及製程氣體供應單元60。基板支撐台15及下電極17裝配在腔室外罩11內，且基板S安置在基板支撐台15及下電極17上。上蓋框架20與腔室外罩11的頂端連結。窗30裝配在上蓋框架20內。天線40與RF電源供應器50設置在窗30上。製程氣體供應單元60供應製程氣體至腔室10內，而腔室10由腔室外罩11與上蓋框架20界定。

以下將更詳細描述根據本發明之基板處理設備的特徵零組件。

首先，將參考第2及3圖描述上蓋框架20。

上蓋框架20具有矩形框架構造。上蓋框架20內部分割為五個部分，並且分別由各該五個部分界定出五個窗30。

為形成此構造，上蓋框架20包含外框架21，其形成矩形框架構造的周邊，以及分割框架25，其裝配在外框架內部且彼此連結，因此外框架21內部係經分割為五個部分，以形成五個窗30。

形成在上蓋框架20內的五個窗30包含中央窗30A，其安置在上蓋框架20的中央部分，以及四個周邊窗30B，其係設置在中央窗30A周圍。

中央窗30A與周邊窗30B具有矩形形狀。在此實施例中，如在圖式中所示者，四個周邊窗30B以順時針方向圍繞中央窗30A設置。當然，四個周邊窗30B能夠以反時針方向圍繞中央窗30A設置。

在周邊窗30B具有矩形形狀的情況中，每一個周邊窗30B均包含第一側a、第二側b、第三側c與第四側d。第一側a分隔周邊窗30B和中央窗30A以及順時針方向上的下一個毗鄰的周邊窗30B。第二側b分隔周邊窗30B和順時針方向上位於其後方的另一毗鄰的周邊窗30B。第三側c與第一側a相對並與上蓋框架20的周邊表面接壤。第四側d與第二側b相對並與上蓋框架20的周邊表面接壤。

理想上，每一個周邊窗30B的第一側a與中央窗30A的對應側及設置在其前方之周邊窗30B的第二側b’兩者接壤，而使所有周邊窗30B圍繞中央窗30A以順時針方向連續設置。

此外，每一個周邊窗30B的第一側a與第二側b係由對應的分割框架25形成，而其第三側c與第四側d係由該外框架21形成。

如此，每一個周邊窗30B與中央窗30A的四個側邊之相對應者接壤，並且四個周邊窗30B以順時針或反時針方向圍繞中央窗30A設置。因此，基本上，周邊窗30B形成規則的安排。

由例如陶瓷之材料製成的絕緣板31嵌入以上述配置形成的中央窗30A和周邊窗30B內。各個絕緣板支撐件22均具有階梯狀構造，其形成在外框架21的內表面及等分割框架25兩側上，因此每一個絕緣板31的周邊係由相對應的絕緣板支撐件22支撐著。

此外，托座23及26安裝在外框架21及分割框架25上，以避免絕緣板31不預期地與窗30分離。如圖所示，裝配在外框架21上的每一個托座23具有L形剖面，而裝配在分割框架25上的每一個托座26具有U形剖面。

U形托座26可支撐裝配在單一個分割框架之相反側上的兩個絕緣板31。

托座23與26可藉由固接件等固接至上蓋框架20。

此外，可在必要時以各種方式調整每一個托座23、26的形狀及構造。

參見第3圖，加熱流體通道24a形成在上蓋框架20的外框架21內，因此加熱上蓋框架的流體可沿著加熱流體通道24a流動。此外，進及出連接頭24b可裝配在外框架21的預定部分上，因此加熱流體通道24a可利用接頭24b連結至外部加熱流體供應管線。

此外，天線穿越凹槽27形成在上蓋框架20的分割框架25內，以在分割框架25內形成空間，而使將在本文中詳細解釋的周邊天線45可穿過分割框架25。換言之，如第2圖所示，天線穿越凹槽27形成在將周邊窗30B彼此分隔的分割框架25內。

在第3圖中，元件符號28表示天線固接支架，其安裝在每一個天線穿越凹槽27內以將天線固接至對應的分割框架25。元件符號29表示天線托座，其覆蓋每一個天線固接支架28以避免周邊天線45從其安裝位置移開。較佳地，天線托座29也有U形剖面。更佳地，天線托座29經配置得使其也可發揮抓持對應絕緣板31的作用。

同時，雖然上蓋框架20經圖解為具有矩形框架構造，但本發明並不受限於此。例如，上蓋框架20可具有五角形或六角形框架構造，而其構造可在必要時以各種方式調整。

現參考第3及4圖描述裝配具上述構造的上蓋框架20之基板處理設備的天線40之配置。

參見第3圖，兩個中央天線41安裝在上蓋框架20的中央窗30A上。四個周邊天線45安裝在四個周邊窗30B上。

兩個中央天線41包含兩個天線40，其經置入上蓋框架中央上，並以順時針方向圍繞中央窗30A的中央在中央窗30A上延伸。

四個周邊天線45經配置得使每一個天線被置入對應的周邊窗30B之一者上，並以順時針方向連續通過另三個周邊窗30B。例如，參見第3圖，第一周邊天線451以順時針方向從第一周邊窗301通過第二周邊窗302及第三周邊窗303延伸至第四周邊窗304。第二周邊天線452以順時針方向從第二周邊窗302通過第三周邊窗303及第四周邊窗304延伸至第一周邊窗301。第二周邊天線452的起始端設於第一周邊天線451內側。第三周邊天線453及第四周邊天線454以與第一周邊天線451及第二周邊天線452相同的方式設置。因此，基本上，四個周邊天線45以螺旋形態規則安排，同時以一致的間隙彼此隔開。

在圖式中，元件符號401表示其上置入中央天線41或每一個周邊天線45的部分。元件符號405表示端點支撐件，其設置在中央天線41或每一個周邊天線45延伸所達處，因此對應的天線40可利用該端點支撐件與接地部分連結。

較佳地，在每一個天線固接支架28內形成三個天線嵌入孔28a，因此通過對應分割框架25的三個周邊天線45嵌入各自的天線嵌入孔28a中。天線托座(29；參見第2圖)與天線固接支架28的上半部分連結，因此周邊天線45可穩定地固接至天線固接支架28。

在提供具有上述設置的上蓋框架20和天線40之本發明中，腔室中電漿的產生方向與周邊窗和天線圍繞上蓋框架的中央窗之配置的構造有緊密關聯。因此，在基板處理操作期間，不僅可在腔室的中央部分上形成，也可在腔室的邊緣部分上形成密度均勻的電漿。此外，渦流在分割框架25周圍產生，因而可進一步平均分配電漿。因此，由於上蓋框架20與天線40的上述配置，可顯著改善處理效能。

第4圖係顯示配置天線之構造的另一實施例之平面圖。

第4圖所示之天線40’包含中央天線41’及周邊天線45’，其朝向與第3圖之實施例之中央天線41及周邊天線45所朝方向相反的方向。

四個周邊天線45’的每一個均包含兩個分支天線45a，其係從單一條引線分出。因此，四對周邊天線45’以螺旋形態設置在四個周邊窗30B上。

接下來，將參考第5至10圖解釋供應並注射製程氣體至裝配具上述構造的上蓋框架20之基板處理設備內的構造。

在一實施例中，噴頭(61；參見第7圖)係裝配在部分分割框架25(將中央窗30A界定在其內)上，以使製程氣體從噴頭61注入腔室內。換句話說，中央窗30A具有矩形構造，而可將製程氣體注入腔室之噴頭61裝配在形成中央窗30A的四邊之各個分割框架25上。

第7圖係顯示該上蓋框架20的中央部分之倒轉透視圖。將參考此圖描述噴頭61的構造。

裝配在形成中央窗30A的四邊的對應分割框架25上之每一個噴頭61包含複數個以規則形態設置的注射孔62a。在第7圖之實施例中，噴頭61經配置得使製程氣體分別從中央窗30A的四個邊而非中央窗30A的角落注入該腔室中。

較佳地，每一個噴頭61均具有凹槽(63；參見第6圖)，其形成在分割框架25的下表面中，而使製程氣體通過凹槽63；以及噴頭平板62，其具有注射孔62a在其中並且在凹槽63外部與分割框架25連結。

第8至10圖係顯示裝配噴頭平板62的分割框架25之剖面圖。將參考該等圖式解釋噴頭61之注射構造的若干實施例。

噴頭61的注射構造包含注射表面62b，其形成在分割框架25的下表面上。如第8圖所示，注射表面62b係朝向水平方向，而注射孔62a係朝向垂直方向。

此外，如第9圖所示，注射表面62b’可具有半圓形或半橢圓形弧狀，並且注射孔62a’可以放射狀向外伸展的形態形成在弧形注射表面62b’內。弧形注射表面62b’以及徑向注射孔62a’形成簡單構造，其可有效地平均分散製程氣體至腔室內，因此強化基板處理操作的效率。

或者，如第10圖所示，可不僅在分割框架25的下表面上，並且也在分割框架25的一側上形成注射表面62b”，並可穿透下表面及分割框架25的對應側兩者形成注射孔62a”。在此情況中，側面注射孔62a”較佳地係經配置使得從側邊注射孔62a”排出的製程氣體注入中央窗30A內。

現將參考包含第5及6圖的相關圖式，描述供應製程氣體至可實施為具上述構造的若干實施例之噴頭61的構造。

可以各種方式實施製程氣體供應構造。在一實施例中，進氣口(64；參見第6圖)形成在分割框架25中毗鄰中央窗30A的四個角之位置上。進氣管65垂直連結至具有進氣口64的分割框架25之上表面。

製程氣體供應構造可經配置，使得透過每一個進氣管65供應的氣體基於中央窗30A的對應角而僅以一個方向或以兩個方向沿著形成在對應分割框架25內的流動通道流動。在製程氣體供應構造經配置得使氣體雙向流動的情況中，可在中央窗30A的對應側內形成流動通道之每一個凹槽63的中間部分提供阻擋牆。

由於進氣管65裝配在中央窗30A的四個角周圍，可在不妨礙抓持絕緣板31的托座26或29的情況下形成製程氣體供應構造。

元件符號65a和65b表示進氣管65的凸緣。上凸緣65a固接至裝配於腔室上方的上部覆蓋構造，而下凸緣65b固接至上蓋框架20。

在本實施例中，四個進氣管65裝配在中央窗30A周圍。參見第5圖，用來供應氣體至四個進氣管65的單一個氣體供應管66a分岔成兩個第一供應管66b。每一個第一供應管66b分岔成為兩個第二供應管66c。第二供應管66c連接至對應的進氣管65。

同時，雖然所顯示的噴頭61為矩形配置，但本發明並不受限於此。取決於上蓋框架20的構造，可以各種方式調整噴頭61的配置，例如，其可有八角形或六角形配置。

接著，將參考第11至14圖描述冷卻天線40的構造及加熱絕緣板31的構造。

加熱絕緣板31的構造包含加熱管71，其排放加熱空氣至絕緣板31上。

加熱管71經設計以形成適於均勻加熱絕緣板31的配置。在必要時，可妥善調整加熱管71的配置，只要其可均勻加熱絕緣板31即可。在圖式之實施例中，在每個周邊窗30B上裝配兩條加熱管線。設置在中央窗30A內的絕緣板31係由從周邊窗30B延伸出之加熱管線加熱。加熱管線包含加熱管71，其以水平方向設置在窗上，並具有朝向窗的排放孔。

當然，加熱管71可以低於或高於配置在窗上的天線而設置，以避免在其間產生干擾。

如第11圖所示，加熱管線71a可連接在加熱管71之間。在此情況中，每一條加熱管線71a包含直徑小於加熱管71者的管子。或者，可能沒有加熱管線71a。

如此，由於本發明設備配備有可加熱絕緣板31的加熱管71，故可減少高分子聚合物在腔室10內之絕緣板31上的沈積。

可利用多種構造來實施供應加熱空氣至加熱管71內的方法，例如，藉由在其上連接加熱空氣供應管線。在本實施例中，使用渦流產生器73。稍後將參考第12圖於本文做解釋。

如第14圖所示，在冷卻天線40的構造中，每一個天線(40；41、45)均具有中空管狀，並且冷卻流體流經管狀天線40，因而冷卻天線40。

在實施例中，冷卻路徑可經配置得使冷卻流體經由天線40的起始端通入天線40，然後由其尾端從天線40排出。沿著天線40流動的冷卻流體路線之結構可利用熟知技術實施，因此省略進一步的解釋。

在本發明之一實施例中，加熱板的加熱及天線的冷卻可利用渦流產生器73一同實施。這將會詳細解釋。

渦流產生器73為能量分離元件，其利用環管(circular tube)及具簡單構造的噴嘴將壓縮空氣分為低溫空氣和高溫空氣，而不使用任何化學作用或燃燒作用。如第12圖所示，壓縮空氣經由供應管供應至渦流管74內。然後，供應至渦流管74內的壓縮空氣首先進入渦流旋轉室75並以超高速旋轉。旋轉空氣朝加熱空氣出口行進。在此同時，當次渦流通過位於主渦流內部之較低壓區域時，次渦流損失熱並朝冷卻空氣出口行進。在這兩種空氣流中，由於內側空氣流之空氣微粒旋轉一次所需時間與外側空氣流之空氣微粒相同，因此內側空氣流的移動速度低於外側空氣流。此移動速度的差異意味著動能的降低。喪失的動能轉換成熱因而增加外側空氣流的溫度，而內側空氣流的溫度則進一步降低。

加熱管71與天線40的冷卻路徑分別與渦流產生器73的兩端連接。如此，同時加熱絕緣板31並冷卻天線40的構造可利用此一簡單構造實施。

同時，雖然所示之渦流產生器用做提供加熱空氣與冷卻空氣的設施，但該設施並不限於渦流產生器。可使用具備其他構造的冷卻器，且可分開提供供應加熱空氣的設施與供應冷卻空氣的設施。

接下來，將參考第15至19圖描述基板處理設備的能損降低構造，其可最小化腔室內表面周圍的能量損失並確保電漿均勻性。

如第15及16圖所示，內襯保護器81安裝在腔室10之腔室壁內表面上。每一個內襯保護器81與腔室的對應角落和對應腔室壁緊密接觸。

第15圖顯示內襯保護器81，其裝配在上蓋框架20之外框架的內表面上(第1圖的W部分上)，並且每一者皆從上蓋框架20的對應角落朝外框架的兩個毗鄰內表面延伸。

第16圖顯示當未在上蓋框架20內部裝配分割框架(25；參見第2圖等)時，或是內襯保護器81設置在腔室10的外罩內而非設置在上蓋框架20周圍的情況下，內襯保護器81的安裝。每一個內襯保護器81屬於又稱為內襯或保護器的部件。內襯保護器81包含：角落保護器82，每一者皆具備”L”形並且安裝在腔室10的對應角落上；以及腔室壁保護器83，每一者皆具備平坦形狀並且安裝在腔室10的對應腔室壁上。

內襯保護器81可藉由陽極處理鋁板表面來形成。

此外，在第16圖的實施例中，僅有內襯保護器81的角落保護器82可藉由電鍍鋁板表面來形成。在此情況中，腔室壁保護器83可由陶瓷塗覆板製成。

在實施例中，組裝在一起的每一個角落保護器82之邊緣與毗鄰腔室壁保護器83之對應邊緣具有彼此嚙合的階梯構造，因此角落保護器82與腔室壁保護器83在腔室壁上其間的接合處同平面。

如第17圖之「C」部分所示，每一個角落保護器82可在其內角上具有相對於腔室壁傾斜的表面。

在根據本發明之能損降低構造中，穿透腔室壁的每一個角在對應的角落保護器82後方形成孔12。電容器85可安裝在孔12內，並與對應的角落保護器82電氣連接。電容器85與外部電路連接或接地。

如第15至17圖所示，單一電容器85可穿透腔室10的腔室壁之角落嵌入並與角落保護器82的後表面連接。在此情況中，其內嵌入電容器85的孔12穿透腔室 10的腔室壁之角落以對角方向形成。

或者，如第18圖所示，可在腔室10的每一個角落周圍提供複數個電容器85。在此情況中，可穿透裝配在腔室10的角落之相反側的個別腔室壁安裝電容器85，並與角落保護器82的後表面連接。當然，孔12穿透裝配在腔室10的角落之相反側的腔室壁形成，因此電容器85係透過個別的孔12嵌入腔室壁。

雖然並未在圖式中顯示，較佳地可提供密封構件(未顯示)，以在嵌入對應的電容器85之每一個孔12內密封腔室。

每一個電容器85可藉由螺紋連結(threaded-coupling)與對應的角落保護器82連結。為此，凸座84從角落保護器82的後表面突出。外螺紋部分86安置在電容器85末端。外螺紋部分86可旋進凸座84內。此外，凸座安置槽13係形成在每一個孔12內，因此凸座84係嵌入對應的凸座安置槽13內。

內襯保護器81、凸座84、螺紋部分86、電容器85及與電容器85連接的外部電路係彼此電氣連接。

較佳地在腔室10的腔室壁外表面上安裝支撐罩88，以支撐對應的電容器85。支撐罩88可以多種方法實施，只要其可支撐嵌入在孔12內的對應電容器85即可。

每一個電容器85可包含真空可變電容器。真空可變電容器具有熟知構造，因此相信進一步的詳細解釋是不必要的。較佳地，在本發明中，真空可變電容器係經配置得使電容器的電容量能藉由調整(例如旋轉)裝配在腔室外部的電容量控制元件89控制。

控制電容器的電容量之原因在於當電容器85的電容量可因應腔室10內的電漿產生條件來控制時，能損降低構造的效率可最佳化。

如第19圖所示，在基板處理設備缺乏本發明之能損降低構造的情況A中，腔室10之腔室壁和角落周圍的電位幾乎是零。但是，在如本發明實施例所示般裝配內襯保護器81與電容器85的情況B中，腔室10之角落周圍的電位顯著增至零以上。

因此，在本發明中，如第19圖的情況B所示，整體腔室10的電位差可最小化，因此電漿可在腔室10內更均勻地產生。明確地說，如圖中的「K」部分所示，腔室壁上的能量損失可降低。所有節省下來的能量可用來產生電漿。因此，例如，具有本發明之能損降低構造的沈積設備或蝕刻設備的效率可提升。

同時，具有上述特徵之本發明可應用在使用電漿之所有類型的基板處理設備上。例如，本發明可用於乾式蝕刻機、化學氣相沈積設備等。

如上所述，在根據本發明之基板處理設備的氣體供應構造中，噴頭可以矩形配置方式裝配在腔室的上半部分中，而使製程氣體均勻地注入腔室中。因此，電漿可均勻地形成，而沈積或蝕刻操作的效能可提升。

此外，噴頭的注射表面具有圓形構造，並且注射孔係以放射狀構造配置。因此，製程氣體可更均勻地注入腔室中。

在本發明實施例中所描述的技術精神可獨立實施，或者可將其合併。雖然本發明已參考其範例實施例具體顯示並描述，熟知技藝者會了解可在其中進行各種形式及細節的改變，而不會偏離本發明之精神或範圍。因此，本發明之精神或範圍必須由如下申請專利範圍界定。

10．．．腔室

11．．．腔室外罩

12．．．孔

13．．．凸座安置槽

15．．．基板支撐台

17．．．下電極

20．．．上蓋框架

21．．．外框架

22．．．絕緣板支撐

23、26．．．托座

24a．．．加熱流體通道

24b．．．連接頭

25．．．分割框架

26．．．托座

27．．．天線穿越凹槽

28．．．天線固接支架

28a．．．天線嵌入孔

29．．．天線托座

30．．．窗

30A．．．中央窗

30B．．．周邊窗

301．．．第一周邊窗

302．．．第二周邊窗

303．．．第三周邊窗

304．．．第四周邊窗

31．．．絕緣板

40、40’．．．天線

401．．．置入天線部分

405．．．端點支撐

41、41’．．．中央天線

45、45’．．．周邊天線

45a．．．分支天線

451．．．第一周邊天線

452．．．第二周邊天線

453．．．第三周邊天線

454．．．第四周邊天線

50．．．RF電源供應器

60．．．製程氣體供應單元

61．．．噴頭

62．．．噴頭平板

62a、62a’、62a”．．．注射孔

62b、62b’、62b”．．．注射表面

63．．．凹槽

64．．．進氣口

65．．．進氣管

65a、65b．．．凸緣

66a．．．氣體供應管

66b．．．第一供應管

66c．．．第二供應管

71．．．加熱管

71a．．．加熱管線

73．．．渦流產生器

74．．．渦流管

75．．．渦流旋轉室

81、82．．．內襯保護器

84．．．凸座

85．．．電容器

86．．．外螺紋部分

88．．．支撐罩

89．．．電容量控制元件

第1圖係顯示根據本發明之基板處理設備之結構的概要剖面圖；

第2圖係根據本發明之基板處理設備的上蓋框架之透視圖；

第3圖係顯示根據本發明之基板處理設備的上蓋框架上之設置天線構造之一實施例的平面圖；

第4圖係顯示根據本發明之基板處理設備的上蓋框架上之設置天線構造之另一實施例的平面圖；

第5圖係該上蓋框架上半部的關鍵部分之透視圖，其顯示根據本發明之基板處理設備的製程氣體供應構造；

第6圖係沿著第5圖的A-A線取得之剖面透視圖；

第7圖係中央窗的倒轉透視圖，其顯示根據本發明之基板處理設備的製程氣體注射構造；

第8至10圖係顯示根據本發明之基板處理設備之製程氣體注射構造的數個實施例之剖面圖；

第11圖係顯示根據本發明之基板處理設備之天線冷卻構造與絕緣板加熱構造的平面圖；

第12圖係顯示根據本發明之用來冷卻天線與加熱絕緣板的渦流產生器的剖面圖；

第13圖係沿著第11圖的B-B線取得的剖面圖；

第14圖係根據本發明之天線的剖面圖；

第15圖係顯示根據本發明用於減少基板處理設備中的能量損耗的構造之一實施例的平面圖；

第16圖係顯示根據本發明用於減少基板處理設備中的能量損耗的構造之另一實施例的平面圖；

第17圖係第16圖之關鍵部分的放大圖；

第18圖係對應第17圖的放大圖，但顯示另一個實施例；以及

第19圖係顯示根據本發明用於減少能量損耗的構造之效果的參考圖。

20．．．上蓋框架

25．．．分割框架

30A．．．中央窗

30B．．．周邊窗

65．．．進氣管

66a．．．氣體供應管

66b．．．第一供應管

66c．．．第二供應管

Claims (4)

1. 一種用於一基板處理設備之氣體供應構造，其包含：一上蓋框架，包含：一外框架，其形成一矩形框架構造的周邊；以及一分割框架，其裝配在該外框架內部，該分割框架將該外框架的內部空間劃分為一中央窗以及圍繞該中央窗而形成的一周邊窗；以及一噴頭，以一矩形配置方式裝配在該分割框架之一下表面下方，該噴頭將製程氣體注入一腔室內，其中該分割框架具有一矩形形狀以形成該中央窗，且多個進氣管係與該矩形分割框架的各個角連結，致使該製程氣體係透過形成在該分割框架內的多個流動通道從該等進氣管供應至該噴頭。
2. 如申請專利範圍第1項所述之氣體供應構造，其中該噴頭具有朝向一水平方向的一注射表面，還有穿透該注射表面而形成的多個氣體注射孔，該等氣體注射孔係朝向一垂直方向。
3. 如申請專利範圍第1項所述之氣體供應構造，其中該噴頭包含一注射表面，該注射表面具有一圓形形狀，還有穿透該注射表面而形成的多個氣體注射孔，該等氣體注射孔係以一放射狀構造設置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之氣體供應構造，其中該噴頭具有一第一注射表面形成在該分割框架的該下表面下方，以及一第二注射表面形成在該分割框架毗鄰該中央窗的一側上。