CN103966550B - 用于薄膜沉积工艺的装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于薄膜沉积工艺的装置，包括：外壳；多孔喷淋头，多孔喷淋头设在外壳内并将外壳内部间隔出位于多孔喷淋头上方的第一腔室和位于多孔喷淋头下方的第二腔室；第一导向叶片，第一导向叶片可旋转地设在第一腔室内的上部；第二导向叶片，第二导向叶片设在第一腔室内并邻近多孔喷淋头设置，第二导向叶片可绕竖直方向旋转；以及升降座。根据本发明的用于薄膜沉积工艺的装置，通过在外壳内部增设第一和第二导向叶片，使进入到第一腔室内的流体先后经过第一导向叶片和第二导向叶片，进行两次混气和调速后，以预定的速度和方向通过喷淋头孔、由多孔喷淋头流出，进入到第二腔室内，从而提高了晶片表面流场的均匀性，加快了沉积速率。

Description

用于薄膜沉积工艺的装置

技术领域

本发明涉及集成电路装备制造领域，具体而言，特别涉及一种用于薄膜沉积工艺的装置。

背景技术

工艺腔室是集成电路（IC）装备制造设备的核心部件。集成电路芯片制造工艺中，在硅片上制作的器件结构层大多数采用沉积技术实现。沉积指一种材料以物理方式或化学方式沉积在硅片表面生长一层薄膜的过程。薄膜厚度为纳米级，远远小于其他结构尺寸。薄膜材料有SiO2、Si3N4、poli-Si、金属、陶瓷等。采用沉积方法的制备技术主要有物理气相沉积（physicalvapordeposition,PVD）和化学气相沉积（chemicalvapordeposition,CVD）。PVD采用蒸发或溅射等手段使固体材料变成蒸汽，在硅片表面凝聚并沉积，是制备金属薄膜的主要方式，例如用于Cu籽晶层或阻挡层薄膜制备。而CVD则用于介质材料和半导体材料的沉积，如Si3N4和多晶硅。PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是利用等离子体特性来控制或影响气相反应和材料表面的化学反应过程，并在适当的温度（从室温到500℃）下沉积薄膜。沉积过程是在工艺腔室中完成的，因此工艺腔室是集成电路（IC）装备的核心部件。

工艺腔室结构依据沉积工艺、密封要求、薄膜厚度、薄膜均匀性等因素而结构迥异，不同的薄膜对工艺腔室的几何结构和工艺参数具有不同的要求。其中，腔室内卡盘、基底与腔室的距离相对位置、上下电极位置、进出气方式、等直接关系到薄膜的生长特性以及成品的良品率。例如进气口与出气口位置、基底倾角对薄膜均匀性均有影响。因此工艺反应腔室设计是集成电路（IC）装备设计的关键技术，在上世纪90年代，腔室设计研究重点集中在腔室元器件和零部件设计及可靠性设计。到本世纪，腔室设计的研究重点之一是改进腔室零部件和元器件的设计，例如在PECVD中改进磁电管驱动机构设计以改进薄膜均匀性（斯坦福大学，美国应用材料公司）。另一个研究重点是针对改进的工艺过程或具体性能要求设计新型腔室结构。新型腔室结构的设计依据是针对新工艺、或者为了提高薄膜均匀性或温度可控性，通过分析、仿真和优化设计或者增加新的辅助装置改变现有元器件和零部件结构、位置或表面特性。

研究表明，多孔喷淋头可有效减少腔室内部回流的产生，流体的沉积速率与流体在多孔喷淋头入口处的速率成正比。入口速率越慢、喷淋孔的孔径越小、孔距越小，薄膜沉积的均匀性就越好；相反地，入口速率越快、喷淋孔的孔径越大、孔距越大，薄膜沉积的均匀性就越差。因此，相关技术中的用于薄膜沉积工艺的装置，同时提升沉积速率与薄膜均匀性具有相当难度。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种流场均匀性好、沉积速度快、适用于不同工艺参数的用于薄膜沉积工艺的装置。

根据本发明实施例的用于薄膜沉积工艺的装置，包括：外壳；多孔喷淋头，所述多孔喷淋头具有沿上下方向贯通的多个喷淋孔，所述多孔喷淋头设在所述外壳内并将所述外壳内部间隔出位于所述多孔喷淋头上方的第一腔室和位于所述多孔喷淋头下方的第二腔室；第一导向叶片，所述第一导向叶片可旋转地设在所述第一腔室内的上部；第二导向叶片，所述第二导向叶片设在所述第一腔室内并邻近所述多孔喷淋头设置，所述第二导向叶片可绕竖直方向旋转；以及升降座，所述升降座设在所述第二腔室的底部。

根据本发明实施例的用于薄膜沉积工艺的装置，通过在外壳内部增设第一、第二导向叶片，使进入到第一腔室内的流体先后经过第一导向叶片和第二导向叶片，进行两次混气和调速后，以预定的入口速度和方向通过喷淋孔、由多孔喷淋头流出，进入到第二腔室内，从而提高了晶片表面流场的均匀性，加快了沉积速率，有效解决了多孔喷淋头的喷淋孔的孔径和孔距小均匀性好但沉积速率低、孔径和孔距大沉积速率高但均匀性差的矛盾，使用于薄膜沉积工艺的装置适用于不同流体介质的薄膜沉积工艺，满足不同参数标准的薄膜工艺加工的需求。

另外，根据本发明上述实施例的用于薄膜沉积工艺的装置还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，用于薄膜沉积工艺的装置进一步包括：第一驱动电机；驱动齿轮，所述驱动齿轮与所述第一驱动电机的第一电机轴连接；外齿圈，所述外齿圈定位在所述第一腔室内且可绕竖直方向旋转，所述外齿圈的外周壁上的齿由所述外壳的侧壁伸出并与所述驱动齿轮啮合，所述第二导向叶片设在所述外齿圈上。

根据本发明的一个实施例，外壳包括：上壳体和下壳体；支架，所述支架与所述上壳体和所述下壳体分别连接，以使上壳体的下端面与所述下壳体上端面具有预定距离，其中所述外齿圈位于所述上壳体和所述下壳体之间，所述外齿圈的上端面与所述上壳体的下端面相对，所述外齿圈的下端面与所述下壳体的上端面相对。

根据本发明的一个实施例，所述外齿圈的上端面与所述上壳体的下端面之间设有第一密封圈，所述外齿圈的下端面与所述下壳体的上端面之间设有第二密封圈。

根据本发明的一个实施例，用于薄膜沉积工艺的装置进一步包括环形密封罩，所述环形密封罩与所述上壳体和所述下壳体分别连接并罩设在所述外齿圈的外侧。

根据本发明的一个实施例，所述外齿圈的下端面设有沿周向方向设置的、向下凸出的环形凸出部，所述下壳体的上端设有与所述环形凸出部配合的交叉轴承。

根据本发明的一个实施例，所述外齿圈的上端面上形成有沿周向方向设置的环形滑槽，所述环形滑槽内设有环形滑块。

根据本发明的一个实施例，用于薄膜沉积工艺的装置进一步包括第二驱动电机，所述第二驱动电机设在所述外壳的上端面上，所述第二驱动电机的第二电机轴由所述外壳的上端伸入到所述第一腔室内，并与所述第一导向叶片连接。

根据本发明的一个实施例，所述外壳底端设有与所述升降座连接的折叠密封箱。

根据本发明的一个实施例，所述多孔喷淋头通过环形托架与所述外壳的内壁连接。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的用于薄膜沉积工艺的装置的结构示意图；

图2是图1中第一导向叶片的结构示意图；

图3是图1中第二导向叶片的结构示意图。

附图标记：

用于薄膜沉积工艺的装置100，

外壳10，第一腔室11，第二腔室12，上壳体13，下壳体14，支架15，环形密封罩16，喷管组件17，真空泵18，

多孔喷淋头20，环形托架21，中心孔22，凹槽23，

第一导向叶片30，第一叶片31，

第二导向叶片40，第二叶片41，

升降座50，平直部51，竖直部52，折叠密封箱53，

第一驱动电机60，第一电机轴61，电机托架62，

驱动齿轮70，

外齿圈80，第一密封圈81，第二密封圈82，环形凸出部83，轴承84，环形滑槽85，环形滑块86，

第二驱动电机90，第二电机轴91，密封罩92。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参照图1-3详细描述根据本发明实施例的用于薄膜沉积工艺的装置100。

如图1所示，根据本发明实施例的用于薄膜沉积工艺的装置100，包括：外壳10、多孔喷淋头20、第一导向叶片30、第二导向叶片40以及升降座50。其中，外壳10可以形成为中空外壳10，第一导向叶片30、第二导向叶片40、多孔喷淋头20以及升降座50由上至下依次设在外壳10内部。

具体而言，多孔喷淋头20可以形成为圆盘形，可以理解的是，多孔喷淋头20的形状并不限于此，其具体形状可以根据外壳10的具体结构而定，这里不再详细说明。多孔喷淋头20具有沿上下方向（如图1中所示的上下方向）贯通的多个喷淋孔（图未示出），流体可以从喷淋孔的入口（图未示出）流入，由喷淋孔的出口（图未示出）流出。多孔喷淋头20设在外壳10内并将外壳10内部间隔出位于多孔喷淋头20上方的第一腔室11和位于多孔喷淋头20下方的第二腔室12。也就是说，第一腔室11内的流体可以通过喷淋孔的入口向下流动，由喷淋孔的出口流出，并进入到第二腔室12内。由此，可以进一步提高第二腔室12内晶片表面流场的均匀性。

多孔喷淋头20通过环形托架21与外壳10的内壁连接。由此，便于将多孔喷淋头20安装在外壳10内。具体地，环形托架21可以呈圆环形，其中心孔22的孔径小于多孔喷淋头20的径向尺寸，多孔喷淋头20位于与中心孔22相对的环形托架21的上表面上。为防止多孔喷淋头20脱离环形托架21，还可以在环形托架21的上表面上设置与多孔喷淋头20外形相匹配的凹槽23，中心孔22位于凹槽23的底壁上。可以理解的是，环形托架21的具体结构以及环形托架21与多孔喷淋头20的连接方式可以根据具体情况而定，此处不再详细说明。

还需说明的是，第一腔室11的侧壁或者顶壁上可以设有喷管组件17，流体通过喷管组件17进入第一腔室11。如图1所示，在本发明的一个具体示例中，喷管组件17设在第一腔室11的侧壁上。具体地，喷管组件17可以包括沿第一腔室11的周向方向间隔分布的多个长喷管（图未示出）和与长喷管交替分布的多个短喷管（图未示出）。由此，可使进入到第一腔室11内的流体混合的更加均匀。

如图1所示，第一导向叶片30可旋转地设在第一腔室11内的上部，以使进入到第一腔室11的流体旋转，从而加快混气速度，提高流体的均匀度。可选地，第一导向叶片30设在第一腔室11的顶壁上，第一导向叶片30围绕竖直方向转动。可以理解的是，第一导向叶片30的位置并不限于此，例如，第一导向叶片30还可以设在第一腔室11的侧壁的上部。具体地，第一导向叶片30可以由第一驱动电机60驱动旋转。需要说明的是，第一腔室11内的第一导向叶片30可以作为一级混气调节装置，对进入到第一腔室11内的流体进行初步的混合和调速，从而提高了第一腔室内流场的均匀性，加快了流体向下扩散的速度。

如图2所示，第一导向叶片30可以由具有导向性、间隔分布的多个第一叶片31构成，每个第一叶片31由第一腔室11的中心向第一腔室11的边缘延伸。需要说明的是，第一叶片31的导向方向与喷管组件17喷入第一腔室11内的流体的方向相同，由此，可以使进入到第一腔室11内的流体迅速混合并向第一腔室11的下方扩散。可以理解的是，对于第一导向叶片30的具体类型不做特殊限制，第一叶片31可以具有不同的进出口角、叶片角和叶片间距，例如，第一导向叶片30均可以为螺旋叶轮，以对进入到第一腔室11内的流体进行导向，螺旋叶轮的螺旋角可以根据流场分布要求而定。

第二导向叶片40设在第一腔室11内并邻近多孔喷淋头20设置，第二导向叶片40可绕竖直方向旋转。换言之，第二导向叶片40位于第一腔室11内、间隔地设在第一导向叶片30的下方，且与多孔喷淋头20相对。可以理解的是，第一腔室11内的第二导向叶片40可以作为二级混气调节装置，可以对喷淋头上方流体的速度和方向再次调节，进一步提高了喷淋孔入口处流场分布的均匀性，加快了流体沉积速率，降低了对多孔喷淋头20的喷淋孔的密度及孔径的要求，从而降低了多孔喷淋头20的制造成本。

如图3所示，第二导向叶片40可以由具有导向性、间隔分布的多个第二叶片41构成，每个第二叶片41由第一腔室11的中心向第一腔室11的边缘延伸。可以理解的是，对于第二导向叶片40的具体类型不做特殊限制，第二叶片41可以具有不同的进出口角、叶片角和叶片间距，例如，第二导向叶片40均可以为螺旋叶轮，以对进入到第一腔室11内的流体进行导向，螺旋叶轮的螺旋角可以根据流场分布要求而定。

升降座50可伸缩地设在第二腔室12的底部。例如，如图1所示，升降座50位于多孔喷淋头20的下方，且与多孔喷淋头20相对设置。具体地，升降座50可以包括平直部51和与平直部51连接的竖直部52。更具体地，竖直部52的一端与平直部51连接，另一端穿过外壳10的底壁并延伸至外壳10外部，竖直部52可以带动平直部51在第二腔室12内沿上下方向运动。为保证第二腔室12具有良好的密封性，在竖直部52与壳体的连接处设有可沿上下方向伸缩的折叠密封箱53。平直部51上表面可以形成为平面，用以搁置晶片，由喷淋孔流出的流体便可以均匀地沉积在晶片表面以形成薄膜。

在薄膜的沉积过程中，流体由喷管组件17喷入到第一腔室11内，旋转的第一导向叶片30作为一级混气调节装置，先对流体进行初步混合、匀流，并推动流体向下扩散，并加快流体的运动速度；第二导向叶片40作为二级混气调节装置，继续对向下运动的流体再次进行匀流、调速，使第二导向叶片40的下方具有更加均匀的流场，从而达到了调节多孔喷淋头20的入口处的流体的运动方向和速度，使晶片表面形成满足工艺要求的均匀流场，提高了沉积速率。另外，在不使用多孔喷淋头20的条件下，还可以直接利用第二导向叶片40的调节作用，加快流体的混气速度，控制流场分布的均匀性，提高沉积速率。

根据本发明实施例的用于薄膜沉积工艺的装置100，通过在外壳10内部增设第一导向叶片30和第二导向叶片40，使进入到第一腔室11内的流体先后经过第一导向叶片30和第二导向叶片40，进行两次混气和调速后，以预定的入口速度和方向通过喷淋孔、由多孔喷淋头20流出，进入到第二腔室12内，从而提高了晶片表面流场的均匀性，加快了沉积速率，有效解决了多孔喷淋头20的喷淋孔的孔径和孔距小均匀性好但沉积速率低、孔径和孔距大沉积速率高但均匀性差的矛盾，使用于薄膜沉积工艺的装置100适用于不同流体介质的薄膜沉积工艺，满足不同参数标准的薄膜工艺加工的需求。

此外，还需要说明的是，在制造过程中，可以对第一导向叶片30、第二导向叶片40以及多孔喷淋头20分别进行模块化生产。那么，在装配过程中，可以根据需要选择第一导向叶片30、第二导向叶片40以及多孔喷淋头20，并对其进行装配。由此，即简化了装配过程，又可使本装置适用于不同流体介质的薄膜沉积工艺，满足不同参数标准的薄膜工艺加工的需求。

如图1所示，根据本发明一个的实施例，用于薄膜沉积工艺的装置100进一步包括：第一驱动电机60、驱动齿轮70以及外齿圈80。优选地，第一驱动电机60可以通过电机托架62固定在外壳10的外侧壁上。当然，第一驱动电机60的位置并不限于此。具体地，驱动齿轮70与第一驱动电机60的第一电机轴61连接，第一驱动电机60通过第一驱动电机60轴驱动驱动齿轮70转动。外齿圈80定位在第一腔室11内且可绕竖直方向旋转，外齿圈80的外周壁上的齿由外壳10的侧壁伸出并与驱动齿轮70啮合，第二导向叶片40可以设在外齿圈80上。可以理解的是，驱动齿轮70通过与外齿圈80啮合，带动外齿圈80在第二腔室12内绕竖直方向转动，由于第二导向叶片40设在外齿圈80上，故第二导向叶片40也可以在第二腔室12内绕竖直方向转动。

如图1所示，为方便更换第一导向叶片30、第二导向叶片40或者多孔喷淋头20，使用于薄膜沉积工艺的装置100适用于不同流体介质的薄膜沉积工艺，满足不同参数标准的薄膜工艺加工的需求，外壳10可以包括：上壳体13、下壳体14以及支架15。

具体地，支架15与上壳体13和下壳体14分别连接，以使上壳体13的下端面与下壳体14上端面具有预定距离，其中外齿圈80位于上壳体13和下壳体14之间，外齿圈80的上端面与上壳体13的下端面相对，外齿圈80的下端面与下壳体14的上端面相对。可以理解的是，对于支架15的具体结构不做特殊限制，例如，如图1所示，在本发明的一个实施例中，支架15可以形成为环形，支架15的上端面连接在上壳体13的外周壁上，支架15的下端面连接在下壳体14的外周壁上。

根据本发明的一个实施例，如图1所示，外齿圈80的上端面与上壳体13的下端面之间设有第一密封圈81，外齿圈80的下端面与下壳体14的上端面之间设有第二密封圈82。由此，可以提高支架15与外壳10连接处的密封性。为进一步提高外壳10的密封性，用于薄膜沉积工艺的装置100还可以包括环形密封罩16，环形密封罩16分别与上壳体13和下壳体14密封连接并罩设在外齿圈80的外侧。

如图1所示，考虑到旋转的外齿圈80与外壳10直接接触会产生较大摩擦，外齿圈80的下端面设有沿周向方向设置的、向下凸出的环形凸出部83，下壳体14的上端设有与环形凸出部83配合的交叉轴承84。具体地，轴承84的外圈与下壳体14的上端过盈配合，轴承84的内圈与环形凸出部83过盈配合，轴承84的内圈和外圈之间可以设有多个交叉放置的圆柱形滚子，外齿圈80带动环形凸出部83转动时，环形凸出部83又带动轴承84的内圈转动，多个圆柱形滚子将在轴承84的内圈和外圈之间转动，由此，交叉轴承84即可以滚动的方式降低动力传递过程中的摩擦力，又可以承受径向负荷及轴向负荷等方向的负荷，提高了机械动力的传递效率。

可以理解的是，降低外齿圈80与外壳10之间的摩擦力的方式并不限于此，例如，在本发明的另一个具体示例中，外齿圈80的上端面上形成有沿周向方向设置的环形滑槽85，环形滑槽85内设有环形滑块86。由此，可使于薄膜沉积工艺的装置的结构更加合理。

如图1所示，在本发明的一些实施例中，用于薄膜沉积工艺的装置100进一步包括第二驱动电机90。优选地，第二驱动电机90设在外壳10的上端面上，第二驱动电机90的第二电机轴91由外壳10的上端伸入到第一腔室11内，并与第一导向叶片30连接。由此，第二驱动电机90可以驱动第一导向叶片30转动。需要说明的是，为提高第二驱动电机90与外壳10连接处的密封性，第二驱动电机90的外周可以设有密封罩92，密封罩92与外壳10密封连接。

如图1所示，根据本发明的一个具体的实施例，用于薄膜沉积工艺的装置100进一步包括多个真空泵18，以将外壳10内部空间抽成真空状，防止空气中的成份与形成薄膜的流体发生反应，影响薄膜沉积的质量。真空泵18可以设在外壳10外部，并与外壳10内部连通。可以理解的是，真空泵18的具体位置可以根据具体情况而定，例如如图1所示，真空泵18可以设在外壳10的底壁上。可以理解的是，为进一步提高薄膜沉积的质量，还可以向外壳10的内部空间充入惰性气体。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，包括：

外壳；

多孔喷淋头，所述多孔喷淋头具有沿上下方向贯通的多个喷淋孔，所述多孔喷淋头设在所述外壳内并将所述外壳内部间隔出位于所述多孔喷淋头上方的第一腔室和位于所述多孔喷淋头下方的第二腔室；

第一导向叶片，所述第一导向叶片可旋转地设在所述第一腔室内的上部；

第二导向叶片，所述第二导向叶片设在所述第一腔室内并邻近所述多孔喷淋头设置，所述第二导向叶片可绕竖直方向旋转；以及

升降座，所述升降座设在所述第二腔室的底部。

2.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，进一步包括：

第一驱动电机；驱动齿轮，所述驱动齿轮与所述第一驱动电机的第一电机轴连接；

外齿圈，所述外齿圈定位在所述第一腔室内且可绕竖直方向旋转，所述外齿圈的外周壁上的齿由所述外壳的侧壁伸出并与所述驱动齿轮啮合，所述第二导向叶片设在所述外齿圈上。

3.根据权利要求2所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，外壳包括：

上壳体和下壳体；

支架，所述支架与所述上壳体和所述下壳体分别连接，以使上壳体的下端面与所述下壳体上端面具有预定距离，其中

所述外齿圈位于所述上壳体和所述下壳体之间，所述外齿圈的上端面与所述上壳体的下端面相对，所述外齿圈的下端面与所述下壳体的上端面相对。

4.根据权利要求3所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，所述外齿圈的上端面与所述上壳体的下端面之间设有第一密封圈，所述外齿圈的下端面与所述下壳体的上端面之间设有第二密封圈。

5.根据权利要求3所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，进一步包括环形密封罩，所述环形密封罩与所述上壳体和所述下壳体分别连接并罩设在所述外齿圈的外侧。

6.根据权利要求3所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，所述外齿圈的下端面设有沿周向方向设置的、向下凸出的环形凸出部，所述下壳体的上端设有与所述环形凸出部配合的交叉轴承。

7.根据权利要求3所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，所述外齿圈的上端面上形成有沿周向方向设置的环形滑槽，所述环形滑槽内设有环形滑块。

8.根据权利要求2所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，进一步包括第二驱动电机，所述第二驱动电机设在所述外壳的上端面上，所述第二驱动电机的第二电机轴由所述外壳的上端伸入到所述第一腔室内，并与所述第一导向叶片连接。

9.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，所述外壳底端设有与所述升降座连接的折叠密封箱。

10.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积工艺的装置，其特征在于，所述多孔喷淋头通过环形托架与所述外壳的内壁连接。