BE786137A - Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase

Info

Publication number
BE786137A
BE786137A BE786137DA BE786137A BE 786137 A BE786137 A BE 786137A BE 786137D A BE786137D A BE 786137DA BE 786137 A BE786137 A BE 786137A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
layer
liquid phase
crystalline material
flat side
epitaxial deposition
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Inventor
R T C Radiotechnique-Compelec
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of BE786137A publication Critical patent/BE786137A/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
BE786137D 1971-07-13 Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase BE786137A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7125739A FR2145831A6 (enrdf_load_stackoverflow) 1971-07-13 1971-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE786137A true BE786137A (nl) 1973-01-11

Family

ID=9080335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE786137D BE786137A (nl) 1971-07-13 Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5219191B1 (enrdf_load_stackoverflow)
BE (1) BE786137A (enrdf_load_stackoverflow)
CA (1) CA978663A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2233734C3 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2145831A6 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1399918A (enrdf_load_stackoverflow)
IT (1) IT964629B (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL7209537A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5120081A (en) * 1974-08-12 1976-02-17 Hitachi Ltd Ketsushoseichohoho oyobi sochi

Also Published As

Publication number Publication date
DE2233734A1 (de) 1973-01-18
GB1399918A (en) 1975-07-02
DE2233734C3 (de) 1978-04-27
IT964629B (it) 1974-01-31
CA978663A (en) 1975-11-25
JPS5219191B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1977-05-26
NL7209537A (enrdf_load_stackoverflow) 1973-01-16
DE2233734B2 (de) 1977-08-25
FR2145831A6 (enrdf_load_stackoverflow) 1973-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1011349B (it) Dispositivo e procedimento per la deposizione per via chimica di strati epitassiali su substrati semiconduttori
NL180467C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal.
CA986393A (en) Method and apparatus for epitaxially growing a semiconductor material on a substrate from the liquid phase
CA968674A (en) Method of depositing an epitaxial semiconductor layer from the liquid phase
BE764313A (fr) Appareil destine a assurer la croissance de cristaux sur un substrat
NL7506225A (nl) Werkwijze voor het doen groeien van een epitaxiale laag van silicium op een drager.
YU39168B (en) Process for the preparation of a palladium catalyst process for the deposition of a combined layer of heteroepitaxial silicon on a heated substrate of sapphire or spine
NL7512238A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van elektrodemateri- aal op een halfgeleider en halfgeleiderinrichting volgens deze werkwijze verkregen.
NL169521C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een reflexie verminderend lagenstelsel op substraten uit organisch materiaal.
BE819487A (fr) Procede pour la compensation des charges interfaciales dans le cas de couches minces de silicium formees par croissance epitaxiale sur un substrat
BE814426A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase
NL176379C (nl) Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat.
AT288811B (de) Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern
NL166074C (nl) Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.
CA1022438A (en) Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate
BE786137A (nl) Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase
CA1022439A (en) Method of depositing epitaxial layers on a substrate from the liquid phase
BE830231A (nl) Werkwijze en inrichting voor het winnen van suikerkristallen uit een suikeroplossing
NL159813B (nl) Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt.
CA948075A (en) Method of depositing a layer of semiconductor material
NL144496B (nl) Werkwijze en inrichting voor het laten groeien van een epitaxiaal kristal op een onderlaag.
NL175535C (nl) Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal.
NL143433B (nl) Inrichting voor het epitaxiaal laten aangroeien van een film op een onderlaag vanuit een oplossing.
NL153098B (nl) Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge.
NL166732C (nl) Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: N.V. PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN

Effective date: 19910731