NL166732C - Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal. - Google Patents

Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.

Info

Publication number
NL166732C
NL166732C NL7312140A NL7312140A NL166732C NL 166732 C NL166732 C NL 166732C NL 7312140 A NL7312140 A NL 7312140A NL 7312140 A NL7312140 A NL 7312140A NL 166732 C NL166732 C NL 166732C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor material
epitaxial layers
growing epitaxial
growing
layers
Prior art date
Application number
NL7312140A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7312140A (nl
Original Assignee
Mo I Elektronnoi Tekhn
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mo I Elektronnoi Tekhn filed Critical Mo I Elektronnoi Tekhn
Priority to NL7312140A priority Critical patent/NL166732C/nl
Publication of NL7312140A publication Critical patent/NL7312140A/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL166732C publication Critical patent/NL166732C/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
NL7312140A 1973-09-03 1973-09-03 Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal. NL166732C (nl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7312140A NL166732C (nl) 1973-09-03 1973-09-03 Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7312140A NL166732C (nl) 1973-09-03 1973-09-03 Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7312140A NL7312140A (nl) 1975-03-05
NL166732C true NL166732C (nl) 1981-09-15

Family

ID=19819520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7312140A NL166732C (nl) 1973-09-03 1973-09-03 Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL166732C (nl)

Also Published As

Publication number Publication date
NL7312140A (nl) 1975-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7515149A (nl) Inrichting voor het hanteren van wafels van halfgeleidend materiaal.
NL180091C (nl) Inrichting voor het regelbaar pneumatisch transport van poedervormige stoffen.
NL7415940A (nl) Werkwijze voor het bereiden van 1.3-dihydro- spiro(isobenzofuran)-en en derivaten daarvan.
NL7506280A (nl) Werkwijze voor het aeroob kweken van microoerga- nismen.
NL171808C (nl) Werkwijze voor het ozoniseren van alkenen.
NL7406548A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van epitaxiale kristallijne lagen.
CA959382A (en) Apparatus for the production of tubular bodies of semiconductor material
NL7505474A (nl) Werkwijze voor het selectief verwijderen van materiaal.
NL7317830A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleider- htingen met plaatselijke oxydatie van het soppervlak.
NL7409810A (nl) Werkwijze voor het bereiden van chemothera- peutisch actieve tetrahydroacridonen.
BE814426A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase
NL170711C (nl) Inrichting voor het doorlopend vervaardigen van houders.
NL158153B (nl) Werkwijze voor het continu bereiden van ethylbenzeen.
NL7410568A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van vlakdruk- vormen.
NL7401767A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een uit halfgeleidermateriaal bestaand hol lichaam.
NL7414361A (nl) Werkwijze voor het bereiden van sponsachtig keramisch materiaal.
NL7506681A (nl) Werkwijze voor het bereiden van voedermiddelen.
BE788989A (nl) Thermoplastisch materiaal inrichting voor het vervaardigen van korrelvormig
NL7409441A (nl) Werkwijze voor het bereiden en toepassen van heterocyclische verbindingen.
NL7409978A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van mikrobolletjes.
NO741905L (no) Fremgangsmåte for styring av fremføringen av langstrakte materialstykker.
NL166732C (nl) Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal.
NL7414512A (nl) Inrichting voor het transporteren van stortma- teriaal.
NL7411840A (nl) Werkwijze voor het bereiden en toepassen van heterocyclische verbindingen.
BE823943A (nl) Werkwijze voor het aangroeien van een halfgeleiderverbinding

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee