BE786137A - Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffaseInfo
- Publication number
- BE786137A BE786137A BE786137DA BE786137A BE 786137 A BE786137 A BE 786137A BE 786137D A BE786137D A BE 786137DA BE 786137 A BE786137 A BE 786137A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- layer
- liquid phase
- crystalline material
- flat side
- epitaxial deposition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7125739A FR2145831A6 (nl) | 1971-07-13 | 1971-07-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE786137A true BE786137A (nl) | 1973-01-11 |
Family
ID=9080335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE786137D BE786137A (nl) | 1971-07-13 | Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5219191B1 (nl) |
BE (1) | BE786137A (nl) |
CA (1) | CA978663A (nl) |
DE (1) | DE2233734C3 (nl) |
FR (1) | FR2145831A6 (nl) |
GB (1) | GB1399918A (nl) |
IT (1) | IT964629B (nl) |
NL (1) | NL7209537A (nl) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5120081A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Hitachi Ltd | Ketsushoseichohoho oyobi sochi |
-
0
- BE BE786137D patent/BE786137A/nl not_active IP Right Cessation
-
1971
- 1971-07-13 FR FR7125739A patent/FR2145831A6/fr not_active Expired
-
1972
- 1972-07-08 NL NL7209537A patent/NL7209537A/xx unknown
- 1972-07-08 DE DE19722233734 patent/DE2233734C3/de not_active Expired
- 1972-07-10 IT IT6922172A patent/IT964629B/it active
- 1972-07-10 GB GB3213272A patent/GB1399918A/en not_active Expired
- 1972-07-12 CA CA146,902A patent/CA978663A/en not_active Expired
- 1972-07-13 JP JP6958872A patent/JPS5219191B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2233734A1 (de) | 1973-01-18 |
DE2233734B2 (de) | 1977-08-25 |
NL7209537A (nl) | 1973-01-16 |
GB1399918A (en) | 1975-07-02 |
IT964629B (it) | 1974-01-31 |
FR2145831A6 (nl) | 1973-02-23 |
CA978663A (en) | 1975-11-25 |
DE2233734C3 (de) | 1978-04-27 |
JPS5219191B1 (nl) | 1977-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BE788374A (fr) | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat | |
IT1011349B (it) | Dispositivo e procedimento per la deposizione per via chimica di strati epitassiali su substrati semiconduttori | |
NL180467C (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal. | |
CA986393A (en) | Method and apparatus for epitaxially growing a semiconductor material on a substrate from the liquid phase | |
BE764313A (fr) | Appareil destine a assurer la croissance de cristaux sur un substrat | |
NL7512238A (nl) | Werkwijze voor het neerslaan van elektrodemateri- aal op een halfgeleider en halfgeleiderinrichting volgens deze werkwijze verkregen. | |
NL7406548A (nl) | Werkwijze voor het neerslaan van epitaxiale kristallijne lagen. | |
CA949683A (en) | Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate | |
BE819487A (fr) | Procede pour la compensation des charges interfaciales dans le cas de couches minces de silicium formees par croissance epitaxiale sur un substrat | |
BE779483A (fr) | Procede de depot epitaxial de matiere semiconductrice en phase liquide | |
NL176379C (nl) | Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat. | |
BE814426A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase | |
AT288811B (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern | |
NL166074C (nl) | Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. | |
BE786137A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal afzetten van een laag uit kristallijn materiaal op een vlakke zijde van een monokristallijn substraat vanuit een vloeistoffase | |
CA1022439A (en) | Method of depositing epitaxial layers on a substrate from the liquid phase | |
BE830231A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het winnen van suikerkristallen uit een suikeroplossing | |
NL159813B (nl) | Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt. | |
CH541353A (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial durch Flüssigphasenepitaxie aus mindestens zwei Lösungen | |
NL144496B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het laten groeien van een epitaxiaal kristal op een onderlaag. | |
NL175535C (nl) | Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. | |
CA888444A (en) | Method of and device for epitaxially providing a layer of a semiconductor material on one, substantially flat side of a single crystal substrate and article, in particular semiconductor device, manufactured by using said method | |
NL143433B (nl) | Inrichting voor het epitaxiaal laten aangroeien van een film op een onderlaag vanuit een oplossing. | |
NL153098B (nl) | Werkwijze voor het neerslaan van een monokristallijne film van gaas1-*p* op een substraat van gaas, gap of ge. | |
NL166732C (nl) | Inrichting voor het laten groeien van epitaxiale lagen van halfgeleidermateriaal. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RE | Patent lapsed |
Owner name: N.V. PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN Effective date: 19910731 |